JP2012505535A - 縮合環系で置換されたシロール及び有機エレクトロニクスにおけるその使用 - Google Patents

縮合環系で置換されたシロール及び有機エレクトロニクスにおけるその使用 Download PDF

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Abstract

本発明は、有機エレクトロニクス用途での縮合環系で置換されたシロールの使用並びに縮合環系で置換された特別なシロール及びその有機エレクトロニクス用途での使用に関する。

Description

本発明は、縮合環系で置換されたシロールの、有機エレクトロニクス用途での、特にマトリックス材料としての及び／又はホールブロック材料／励起子ブロック材料としての使用、アノードＡｎと、カソードＫａと、上記アノードＡｎと上記カソードＫａとの間に配置された発光層Ｅと、場合により更なる層として少なくとも１つのホール／励起子用のブロック層とを有する有機発光ダイオード（この場合、上記有機発光ダイオードは式（Ｉ）の少なくとも１種のシロール化合物を有し、上記シロール化合物は存在する限り発光層中に及び／又は少なくともホール／励起子用のブロック層中に存在する）、少なくとも１つの本発明による有機発光ダイオードを有する固定型ディスプレー、モバイルディスプレー及び照明ユニットからなるグループから選択される装置、並びに特別な縮合環系で置換されたシロールに関する。
この有機エレクトロニクスは、ポリマー又は比較的小さな有機化合物を有する電子回路を使用するエレクトロニクスの一分野である。この有機エレクトロニクスの適用分野は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）中でのポリマー又は比較的小さな有機化合物の使用、有機太陽電池（有機光起電力）中での使用、及びスイッチングエレメント、たとえば有機トランジスター、たとえば有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴ中での使用である。
適切な新規の有機材料の使用により、従って、有機エレクトロニクスに基づく多様な新規の部材、たとえばディスプレー、センサー、トランジスター、データメモリー又は光起電力セルを提供することができる。それにより、薄く、軽く、フレキシブルで、低コストで製造可能である新規の適用の発展が可能である。
本願による有利な適用分野は、有機発光ダイオード中での比較的小さな有機化合物の使用である。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）において、材料が電流により励起される場合に、光を発する材料の特性を利用する。ＯＬＥＤは、陰極線管及び液晶ディスプレーの代替として平面ディスプレーの製造のために特に重要である。極めてコンパクトの構造様式及び固有の低い電流消費に基づき、特にモバイル用途のために、例えば携帯電話、ラップトップ等中での適用のため、並びに照明のためのＯＬＥＤを有する装置が適している。
ＯＬＥＤの機能様式並びにＯＬＥＤの適当な構造（複数の層）の基本原理は、例えばWO 2005/113704及びそこに引用された文献中に挙げられている。
発光材料（エミッター）として、蛍光性の材料（蛍光エミッター）の他に燐光性の材料（燐光エミッター）を使用することができる。燐光エミッターは、通常では、一重項発光を示す蛍光エミッターとは反対に、三重項発光を示す有機金属錯体である（M. A. Baldo et al.著, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4 - 6）。量子メカニズムの原理から燐光エミッターの使用は、４倍までの量子効率、エネルギー効率及び出力効率を可能にする。
特に電磁スペクトルの青色領域で光を放射する、長い運転寿命、良好な効率、温度負荷に対する高い安定性並びに低いしきい電圧及び低い作動電圧を有する有機発光ダイオードが特に重要である。
上述の特性を実際に達成するために、適切なエミッター材料を準備する必要があるだけでなく、ＯＬＥＤの他の構成要素（補足的材料）も適切なデバイス構成において相互に調節しなければならない。このようなデバイス構成は、例えば特別なマトリックス材料を含むことができ、このマトリックス材料中に本来の光エミッターが分配された形で存在する。更に、この構成は、遮断材料を含むことができ、この場合、ホールブロッカー、励起子ブロッカー及び／又は電子ブロッカーがこのデバイス構成中に存在することができる。その他に又はこれとは別に、このデバイス構成は更に、ホール注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は電荷輸送材料、例えばホール伝導性材料及び／又は電子伝導性材料を有することができる。この場合、本来の光エミッターと組み合わせて使用される上述の材料の選択が、特にＯＬＥＤの効率並びに寿命に関して重大な影響を及ぼす。
先行技術において、ＯＬＥＤの多様な層中で使用するため並びに有機エレクトロニクスの他の用途で使用するための多種多様な材料が提案されている。
JP 2001-172285 Aでは有機発光ダイオードが開示されていて、ここではシロールが電子輸送材料として使用されている。このシロールは、次の一般式
Figure 2012505535
 を有し、その際、特に、Ｓｉ及びＺから形成された環は次の式を有するシロールが開示されている。
Figure 2012505535
シロールのホール遮断材料として又はマトリックス材料としての使用は、JP 2001- 172285 Aには言及されていない。
JP 2001-172284には、有機発光ダイオードにおけるホール輸送化合物としてシロールの使用が開示されている。このシロールは次の式を有する。
Figure 2012505535
特に、JP 2001-172284 Aでは、次の構造を有するシロールが開示されている。
Figure 2012505535
JP 2001-172284で挙げられたシロールのホール遮断材料又はマトリックス材料としての使用は、JP 2001-172284 Aには開示されていない。JP 2001-172284 Aの実施例によると、このシロールは、通常ではＯＬＥＤ中のホール輸送材料として使用されるＴＰＤ及びＰＶＫの代替として使用される。
X. Zhan et al.著, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 9021 - 9029は、１，１−ジアリール−２，３，４，５−テトラフェニルシロールの電子工学的構造の実験的及び理論的特性決定を開示している。X. Zhan et al.によるとこれらの化合物は、有機エレクトロニクスにおける使用のための電子輸送材料である。X. Zhan et al.が開示したシロールのホール遮断材料又はマトリックス材料としての適性は言及されていない。
JP 2003-243178 Aでは、良好なルミネッセンス及び長いルミネッセンス寿命を有しかつ発光層中のマトリックスとして又は電子輸送材料層中で次の一般式のシロールを有する有機発光ダイオードが開示されている。
Figure 2012505535
有利なシロールは、例えば次の一般式を有する。
Figure 2012505535
JP 2003-243178 Aの実施例によると次の式のシロールが使用される：
Figure 2012505535
JP 2003-243178 Aによりマトリックス材料として開示されている多種多様なシロールの中には、Ｓｉに、Ｏ、Ｓ、Ｎ及びＰから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する縮合した三環系で置換されているシロールは開示されていない。
EP 1 740 019 A1は、マトリックスとして少なくとも１種のシリカシクロペンタジエン誘導体及びドーパント材料として少なくとも１種のアミンを有する発光層を有する有機発光ダイオードに関する。このシリカシクロペンタジエン誘導体は次の式を有する。
Figure 2012505535
特に、Ｘ1及びＸ2は３〜５０個の炭素原子を有するヘテロ環であることができ、その際、しかしながらEP 1 740 019 A1では、Ｘ1及びＸ2について３つの縮合環を有するヘテロ環は言及されていない。EP 1 740 019 A1の全ての例示化合物において、Ｘ1及びＸ2はフェニル又はアルキル、特にメチルを意味している。
EP 0 754 691 A2若しくはEP 1 143 538 A1において、シラシクロペンタジエン誘導体及び有機発光ダイオード中でのその使用が開示されている。EP 0 754 691 A2によるこのシラシクロペンタジエン誘導体は次の一般式を有する。
Figure 2012505535
Ｘ及びＹは、特にヘテロ環であることができるが、その際、縮合された三環式ヘテロ環は言及されていない。
EP 0 754 691 A2中の実施例において、主に３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン又は９，９′−シラスピロビフルオレンが使用されている。EP 0 754 691 A2によると、上記シラシクロペンタジエンは、発光層の電子輸送層中で又はホール用の遮断層の中で使用することができる。
従って、先行技術から、シロール化合物が有機発光ダイオードの多様な層中で使用できることは明らかである。この場合、ＯＬＥＤ中の多様な層中でのシロール化合物の使用が言及されている。
上述の先行技術に対する本発明の課題は、ＯＬＥＤ及び有機エレクトロニクス中での他の用途において使用するために更に適した材料を提供することである。特に、ＯＬＥＤ中で使用するためのホール遮断材料並びにマトリックス材料を提供することである。これらの材料は、特に、少なくとも１種の燐光性エミッター、特に少なくとも１種の緑色エミッター又は少なくとも１種の青色エミッターを有するＯＬＥＤのために適しているべきである。従って、特に、高い三重項エネルギーを有するＯＬＥＤ用のマトリックス材料及び／又はホール遮断材料を提供するべきである。更に、この材料は、ＯＬＥＤの良好な効率、良好な運転寿命並びに温度負荷に対する高い安定性並びに低いしきい電圧及び低い作動電圧を保証するＯＬＥＤの提供のために適しているべきである。
上記課題は、有利に、スイッチング素子、例えば有機トランジスター、例えば有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴ、有機ソーラーセル及び有機発光ダイオードから選択される有機エレクトロニクス用途における、一般式（Ｉ）の化合物の使用により解決される
Figure 2012505535
上記式中、
Ａは、少なくとも３つ、有利に３または４つ、特に有利に３つの縮合環から構成される縮合環系を意味し、これらの環は相互に無関係に４〜１０、有利に５〜７、特に有利に５又は６の環原子を有しかつ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和の、並びに非置換であるか又は１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、上記置換基はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、例えばアルコキシ、アミノ、ハロゲン又は擬ハロゲンから選択され、その際、上記縮合環系は、この縮合環系自体中に又は少なくとも１つの置換基中に、特に縮合環系自体中に、有利にＯ、Ｓ、Ｎ及びＰ、特に有利にＯ、Ｓ及びＮ、更に特に有利にＳ又はＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有し；
Figure 2012505535
 は、４〜１０個、有利に５〜７個、特に有利に５又は６個の、更に特に有利に５個の環原子を有するＳｉ含有環であり、その際、この環は、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であってもよく、Ｓｉ原子の他に、有利にＯ、Ｓ及びＮ、特に有利にＯ及びＮから選択される１つ又は複数の他のヘテロ原子を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記Ｓｉ含有環は、更に、少なくとも２つ、有利に２つ又は３つ、特に有利に３つの環から構成される縮合環系の部分であることができ、その際、上記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１個又は数個の置換基で置換されていてもよく、かつ有利にＯ、Ｓ及びＮ、特に有利にＳ及びＮから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有することができ；
Ｒ1は、Ａ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリール、特に有利にメチル、フェニル、ナフチル、インデニル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、フェナントロリニル又はフルオレニル、更に特に有利にメチル、フェニル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はアザカルバゾリルを表し、；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよい。
その際、上記式（Ｉ）の化合物は有機発光ダイオード中で、有利にマトリックス材料及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料として使用される。
上記式（Ｉ）の化合物（この場合、縮合環系を有するシロール単位は、少なくとも３つの縮合環から構成され、その際、この縮合環系は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、ＳＯ、ＳＯ2及びＰから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する基を有する）が、特に電荷キャリア伝導性が必要とされる用途における使用のために、特に、スイッチング素子、例えば有機トランジスター、例えば有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選択される有機エレクトロニクス用途における使用のために良好に適していて、その際、式（Ｉ）の化合物は、ＯＬＥＤ中でマトリックス材料及び／又はホール遮断材料及び／又は励起子遮断材料としての使用のために、殊に燐光性エミッターとの組合せにおいて特に適していることが見出された。式（Ｉ）の化合物を使用する場合に、良好な効率及び長い寿命を有する有機発光ダイオードが得られる。ＯＬＥＤ中でのマトリックス材料としての及び／又はホール遮断材料及び／又は励起子遮断材料としての一般式（Ｉ）の化合物のこの優れた適性は、特に、一般式（Ｉ）の化合物に近縁のシロール誘導体のホール輸送材料としての使用が開示されているJP 2001-172284 Aを考慮して意外である。
上述の有機エレクトロニクス用途で使用される、縮合環系で置換された、本発明による式（Ｉ）のシロールは、有機エレクトロニクス用途での使用のために、特にＯＬＥＤ中でのマトリックスとして及び／又はホール／励起子ブロッカーとして優れた適性を特徴とする。特に、本発明により使用される式（Ｉ）のシロール化合物は、薄層中で高い非晶質性を示し、かつ容易に入手可能である。それにより、有機エレクトロニクス用途の、特にＯＬＥＤの最適な性能が達成される。本発明により提供された一般式（Ｉ）シロール化合物は、特に良好な効率及び長い寿命を有するＯＬＥＤの提供のために適している。更に、本発明による使用された式（Ｉ）のシロール化合物は、有利に、電子的に励起された三重項状態Ｔ1と基底状態Ｓ0との間で十分に大きなエネルギー差を有し、従って、この化合物は、例えば青色エミッター及び緑色エミッター用のマトリックスとして又はホール／励起子遮断材料としての使用にとって考慮の対象となる。更に、式（Ｉ）のシロール化合物は、スイッチング素子及び有機太陽電池から選択される有機エレクトロニクス用途における導体材料／補足的材料として使用することができる。
本発明の範囲内で、非置換の又は置換されたアリール基（又は残基）、非置換の又は置換されたヘテロアリール基（又は残基）、非置換の又は置換されたアルキル基（又は残基）、非置換の又は置換されたシクロアルキル基（又は残基）、非置換の又は置換されたヘテロシクロアルキル基（又は残基）、非置換の又は置換されたアルケニル基（又は残基）、非置換の又は置換されたアルキニル基（又は残基）、非置換の又は置換されたアラルキル基（又は残基）、及びドナー作用及び／又はアクセプター作用を有する基の概念は次の意味を有する：
アリール基（又は残基）とは、６〜３０個の炭素原子、有利に６〜１８個の炭素原子の基本骨格を有し、１つの芳香環又は複数の縮合された芳香環から構成されている基であると解釈される。適切な基本骨格は、例えばフェニル、ナフチル、アントラセニル又はフェナントレニル、インデニル又はフルオレニルである。この基本骨格は非置換であるか（つまり置換可能な全ての炭素原子は水素原子を有するか）又はこの基本骨格の１つ、複数又は全ての置換可能な位置が置換されていてもよい。適切な置換基は、例えば重水素、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルバゾイル基、シリル基、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4（この場合、適当なシリル基ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4は後記されている）、アルキル基、有利に１〜８個の炭素原子を有するアルキル基、特にメチル、エチル又はｉ−プロピル、アリール基、有利にＣ6−アリール基（これはまた置換されているか又は非置換であってもよい）、ヘテロアリール基、有利に少なくとも１つの窒素原子を有するヘテロアリール基、特に有利にピリジル基及びカルバゾリル基、アルケニル基、有利に１つの二重結合を有するアルケニル基、特に有利に１つの二重結合を有しかつ１〜８個の炭素原子を有するアルケニル基、アルキニル基、有利に１つの三重結合を有するアルキニル基、特に有利に１つの三重結合を有しかつ１〜８個の炭素原子を有するアルキニル基又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基である。ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する適切な基は後記されている。更に特に有利に、置換されたアリール基は、メチル、エチル、イソプロピル、アルコキシ、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン及びアミノ、有利にアリールアミノからなるグループから選択される置換基を有する。有利に、アリール基又はアリール残基は、Ｃ6〜Ｃ18−アリール基、特に有利にＣ6−アリール基であり、これは場合により上述の置換基の少なくとも１つ又は複数で置換されている。特に有利に、Ｃ6〜Ｃ18−アリール基、有利にＣ6−アリール基は、上述の置換基を有していないか、上述の置換基の１、２、３又は４つを有する、更に特に有利に、上述の置換基を有していないか又は上述の置換基の１つ又は２つを有する。
ヘテロアリール基又はヘテロアリール残基とは、アリール基の基本骨格中で少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子に置き換えられていること並びにヘテロアリール基の基本骨格は有利に５〜１８個の環原子を有することが上述のアリール基とは異なる基であると解釈される。有利なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。特に有利に適切なヘテロアリール基は、窒素含有ヘテロアリール基である。更に特に有利に、基本骨格の１又は２つの炭素原子はヘテロ原子、有利に窒素により置き換えられている。特に有利には、この基本骨格は、ピリジン、ピリミジン及び５員環のヘテロ芳香族、例えばピロール、フラン、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、トリアゾールのような系から選択されている。更に、このヘテロアリール基は、縮合環系、例えばベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾピロリル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることができる。この基本骨格は、基本骨格の１つ、複数又は全ての置換可能な位置が置換されていてもよい。適切な置換基は、既にアリール基に関して挙げられた置換基である。
アルキル基又はアルキル残基とは、１〜２０個の炭素原子、有利に１〜１０個の炭素原子、特に有利に１〜８個の、更に特に有利に１〜４個の炭素原子を有する基であると解釈される。このアルキル基は分枝又は非分枝であることができ、場合により１つ又は複数のヘテロ原子、有利にＳｉ、Ｎ、Ｏ又はＳ、有利にＮ、Ｏ又はＳで中断されていてもよい。更に、このアルキル基は、アリール基に関して挙げられた置換基の１つ又は複数で置換されていてもよい。同様に、このアルキル基は、１つ又は複数の（ヘテロ−）−アリール基を有することも可能である。本発明の範囲内で、例えばベンジル基は従って置換されたアルキル基である。この場合、上述の（ヘテロ−）アリール基の全てが適している。メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル及びｔｅｒｔ−ブチルからなるグループから選択されるアルキル基が特に有利であり、メチル及びエチルが更に特に有利である。
シクロアルキル基又はシクロアルキル残基とは、３〜２０個の炭素原子、有利に３〜１０個の炭素原子、特に有利に３〜８個の炭素原子を有する基であると解釈される。この基本骨格は非置換であるか（つまり置換可能な全ての炭素原子は水素原子を有するか）又はこの基本骨格の１つ、複数又は全ての置換可能な位置が置換されていてもよい。適切な置換基は、既にアリール基に関して挙げられた基である。同様に、このシクロアルキル基は、１つ又は複数の（ヘテロ）−アリール基を有することも可能である。適切なシクロアルキル基の例は、シクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。
ヘテロシクロアルキル基又はヘテロシクロアルキル残基とは、シクロアルキル基の基本骨格において少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子により置き換えられていることが上述のシクロアルキル基とは異なる基であると解釈される。有利なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。更に特に有利に、シクロアルキル基の基本骨格の１又は２つの炭素原子が、ヘテロ原子により置き換えられている。適切なヘテロシクロアルキル基の例は、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、テトラヒドロフラン、ジオキサンから誘導された基である。
アルケニル基又はアルケニル残基とは、少なくとも２つの炭素原子を有する上述のアルキル基において、このアルキル基の少なくとも１つのＣ−Ｃ単結合がＣ−Ｃ二重結合により置き換えられていることが異なる基であると解釈される。有利に、アルケニル基は１つ又は２つの二重結合を有する。
基ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4とはシリル基であると解釈され、この場合、
Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個の環、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、有利に、縮合環系が存在する場合には、３つの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは、この縮合環系を形成し、第３の基は上述の意味の１つを有する。
特に有利な基ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4は次の式を有し、
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｒ′は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
Ｒ″、Ｒ″′は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味し；
Ｚ′は、結合を意味するか又はＮＲ″″、ＣＲ″″′2、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
Ｒ″″は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
Ｒ″″′は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
ｏ、ｐは、相互に無関係に、０、１、２、３又は４、有利に０、１又は２、特に有利に０を意味する。
ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基又は置換基とは、本発明の範囲内で次の基であると解釈される：ドナー作用を有する基とは、＋Ｉ−効果及び／又は＋Ｍ−効果を有する基であると解釈され、アクセプター作用を有する基とは、−Ｉ−効果及び／又は−Ｍ−効果を有する基であると解釈される。有利な適切な基は、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、Ｃ6〜Ｃ30−アリールオキシ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキルチオ、Ｃ6〜Ｃ30−アリールチオ、ＳｉＲ20Ｒ21Ｒ22、ハロゲン基、ハロゲン化されたＣ1〜Ｃ20−アルキル基、カルボニル（−ＣＯ（Ｒ20））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ20））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ20））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（Ｒ20））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ20））、アミノ（−ＮＲ20Ｒ21）、擬ハロゲン基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ20））、−ＮＲ20Ｃ＝Ｏ（Ｒ21）、ホスホナート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ20）2、ホスファート（−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ20）2）、ホスフィン（−ＰＲ20Ｒ21）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ20 2）、スルファート（−ＯＳ（Ｏ）2ＯＲ20）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ20）、スルホナート（−Ｓ（Ｏ）2ＯＲ20）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）2Ｒ20）、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）2ＮＲ20Ｒ21）、ＮＯ2、ボロン酸基（−ＯＢ（ＯＲ20）2）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ20Ｒ21））、ボラン基、スタナン基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシミン、アラン、ゲルマン、ボロキシム及びボラジンから選択される。
上述のドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基に挙げられた基Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は相互に無関係に次の意味を有する：
置換された又は非置換のＣ1〜Ｃ20−アルキル又は置換された又は非置換のＣ6〜Ｃ30−アリール、この場合、適切でかつ有利なアルキル基及びアリール基は上記されている。特の有利に、基Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は、Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、例えばメチル、エチル又はｉ−プロピル又はフェニルを意味する。有利な実施態様において、ＳｉＲ20Ｒ21Ｒ22の場合に、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は有利に相互に無関係に置換された又は非置換のＣ1〜Ｃ20−アルキル又は置換された又は非置換のアリール、有利にフェニルを意味する。
ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する有利な置換基は次のものからなるグループから選択される：
Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、有利にＣ1〜Ｃ6−アルコキシ、特に有利にエトキシ又はメトキシ；Ｃ6〜Ｃ30−アリールオキシ、有利にＣ6〜Ｃ10−アリールオキシ、特に有利にフェニルオキシ；ＳｉＲ20Ｒ21Ｒ22（その際、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は、有利に相互に無関係に置換された又は非置換のアルキル又は置換された又は非置換のアリール、特にフェニルを表し；特に有利に基Ｒ20、Ｒ21又はＲ22の少なくとも１つは置換された又は非置換のフェニル、更に特に有利に基Ｒ20、Ｒ21及びＲ22の少なくとも１つは置換されたフェニルであり、その際、適切な置換基は上述されている）；ハロゲン基、有利にＦ、Ｃｌ、特に有利にＦ、ハロゲン化されたＣ1〜Ｃ20−アルキル基、有利にハロゲン化されたＣ1〜Ｃ6−アルキル基、更に特に有利にフッ素化されたＣ1〜Ｃ6−アルキル基、例えばＣＦ3、ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2又はＣ2Ｆ5；アミノ、有利にジメチルアミノ、ジエチルアミノ又はジアリールアミノ、特に有利にジアリールアミノ；擬ハロゲン基、有利にＣＮ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ1〜Ｃ4−アルキル、有利に−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｒ2、有利にＰ（Ｏ）Ｐｈ2。
ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する更に特に有利な置換基は、メトキシ、フェニルオキシ、ハロゲン化されたＣ1〜Ｃ4−アルキル、有利にＣＦ3、ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2、Ｃ2Ｆ5、ハロゲン、有利にＦ、ＣＮ、ＳｉＲ20Ｒ21Ｒ22（その際、適切な基Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は既に挙げられている）、ジアリールアミノ（ＮＲ20Ｒ21，その際、Ｒ20、Ｒ21はそれぞれＣ6〜Ｃ30−アリールを表す）、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ1〜Ｃ4−アルキル、有利に−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｐｈ2からなるグループから選択される。
ハロゲン基とは、有利にＦ、Ｃｌ及びＢｒ、特に有利にＦ及びＣｌ、更に特に有利にＦであると解釈される。
擬ハロゲン基とは、有利にＣＮ、ＳＣＮ及びＯＣＮ、特に有利にＣＮであると解釈される。
上述のドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基は、更に、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基の上述のリスト中に記載されていない、本願発明に挙げられた基及び置換基がドナー作用若しくはアクセプター作用を有することを排除しない。
これらのアリール基（又は残基）、ヘテロアリール基（又は残基）アルキル基（又は残基）、シクロアルキル基（又は残基）、ヘテロシクロアルキル基（又は残基）、アルケニル基（又は残基）及びドナー作用及び／又はアクセプター作用を有する基は、上述のように、置換されているか又は非置換であってもよい。非置換の基とは、本発明の範囲内で、この基の置換可能な原子が水素原子を有する基であると解釈される。置換された基とは、本発明の範囲内で、置換可能な１つ以上の原子が少なくとも１つの位置で水素原子に代えて置換基を有する基であると解釈される。適切な置換基は、アリール基（又は残基）に関して上述された基である。
本願発明においてこの化合物中で同じ番号を有する基が数回現れる場合には、この基はそれぞれ相互に無関係に上述の意味を有することができる。
一般式（Ｉ）のシロール化合物中の基Ａは、少なくとも３つ、有利に３又は４つ、特に有利に３つの縮合環から構築された縮合環系であり、これらの環は相互に無関係に４〜１０、有利に５〜７、特に有利に５又は６個の環原子を有し、かつ飽和又は１箇又は数箇所不飽和の、並びに非置換であるか又は１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、上記置換基は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン、アルコキシ、アミノ及びＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4から選択され、その際、上記縮合環系は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、ＳＯ、ＳＯ2及びＳｉ、特に有利にＯ、Ｓ及びＮ、更に特に有利にＯ及びＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する基を、上記縮合環系自体中に又は少なくとも１つの置換基中に、有利に縮合環系自体中に有する。
有利に、この縮合環系は３つの縮合環から構成され、これらの縮合環は、相互に無関係に、５又は６つの環原子を有し、その際、これらの縮合環の少なくとも１つは少なくとも２箇所不飽和を有し、その際、この縮合環系は、Ｓ、Ｏ、Ｎ、ＳＯ、ＳＯ2及びＰ、有利にＳ、Ｏ及びＮ、特に有利にＳ及びＯからなるグループから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含有する基を有する。この縮合環系は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン、アルコキシ、アミノ及びＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4から選択される上述の置換基を有することができる。
特に有利に、縮合環系Ａは次の一般式Ａａを有する
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ5、ＳＯ、ＳＯ2又はＰＲ6、有利にＳ、Ｏ又はＮＲ5、特に有利にＳ又はＯを意味し；
Ｙは、結合又はＮＲ5、ＣＲ7Ｒ8、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮＲ5、Ｓ又は結合、特に有利に結合を意味し；
Ｒ5、Ｒ6は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；
Ｒ7、Ｒ8は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキルを意味し；及び
Figure 2012505535
 は、それぞれ相互に無関係に、既に上述の二重結合の他に１つ又は複数の二重結合を有することができ、かつ非置換であるか又は１つ又は複数の置換基で、有利に１つ又は２つの置換基で置換されていてもよい５〜６個の環原子を有する縮合環を有することができ、上記置換基は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン、アルコキシ、アミノ及びＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4から選択され、その際、５又は６個の環原子を有する上記縮合環は、更に５又は６個の環原子を有する１つ又は複数の縮合環で環付加されていてもよく；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよい。
更に特に有利に式（Ｉ）中の基Ａは次の式Ａａａを有する：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ5、ＳＯ、ＳＯ2又はＰＲ6、有利にＳ、Ｏ又はＮＲ5、特に有利にＳ又はＯを意味し；
Ｙは、結合又はＮＲ5、ＣＲ7Ｒ8、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利に結合又ＮＲ5は、特に有利に結合を意味し；
Ｑ1〜Ｑ8は、相互に無関係にＣＲ9、Ｎ、有利に相互に無関係にＣＲ9を意味し、その際、基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8の１つを介して、基
Figure 2012505535
 のＳｉ原子への結合が行われ、これらの基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8はＣを意味し；
Ｒ5、Ｒ6は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；
Ｒ7、Ｒ8は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキルを意味し；
Ｒ9は、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利に水素、アルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン、アルコキシ、アミノ又はＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4を意味し；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよい。
有利な実施態様の場合には、式Ａａａの基中において基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6及びＱ8中のＲ9は、水素を意味し、基Ｑ3中のＲ9は、水素又はＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4を意味し、Ｑ7はＣを意味し、基
Figure 2012505535
 のＳｉ原子と結合している。
式（Ａａ）及び（Ａａａ）の基中の有利な実施態様中に存在する基アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基についての有利な実施態様は、前記されている。
更に特に有利に、式Ａａａの基は次の意味を有する：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮＲ5、有利にＯ又はＳを意味し；
Ｒ5は、アリール又はヘテロアリール、有利にフェニルを意味し；
Ｑ3、Ｃ−Ｈ又は
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｒ′は、相互に無関係に、アルキル又はアリールを意味し；
Ｒ″、Ｒ″′は、相互に無関係に、アルキル又はヘテロアリール、又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味し；
Ｚ′は、結合又はＮＲ″″、ＣＲ″″′2、Ｏ、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
Ｒ″″は、相互に無関係に、アルキル又はアリールを意味し；
Ｒ″″′は、相互に無関係に、水素、アルキル又はアリールを意味し；
ｏ′、ｐ′、相互に無関係に、０、１又は２、有利に０を意味する。
式（Ｉ）のシロール化合物における基
Figure 2012505535
 は、Ｓｉ含有環であり、この環は、４〜１０個、有利に５〜７個、特に有利に５又は６個の、更に特に有利に５個の環原子を有し、その際、この環は、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であってもよく、Ｓｉ原子の他に、有利にＯ、Ｓ及びＮ、特に有利にＯ及びＮから選択される１つ又は複数の他のヘテロ原子を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記Ｓｉ含有環は、更に、少なくとも２つ、有利に２つ又は３つ、特に有利に３つの環から構成される縮合環系の部分であることができ、その際、Ｓｉ含有環の他に、上記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１個又は数個の置換基で置換されていてもよく、かつ有利にＯ、Ｓ及びＮ、特に有利にＳ及びＮから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有することができる。
有利な実施態様の場合に、一般式（Ｉ）中の基
Figure 2012505535
 は、５又は６個の環原子を有するＳｉ含有環であり、前記環は少なくとも２箇所不飽和であり、Ｓｉ原子の他に、他のヘテロ原子を有しないか又はＳ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、有利にＯ及びＮから選択される１個の他のヘテロ原子を有する基を有し、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つまたは複数の置換基で置換されていてもよく、上記Ｓｉ含有環は、２又は３個の、有利に３個の環から構成された縮合環系の一部であることができ、Ｓｉ含有環の他に、上記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和の、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、かつＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、有利にＳ及びＮから選択される１つ又は２つのヘテロ原子を有していてもよい。
特に有利に、式（Ｉ）中の基
Figure 2012505535
 は、次の式（Ｓｉａ）を有し：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｚは、結合を意味するか又はＮＲ14、ＣＲ15Ｒ16、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
Ｒ10〜Ｒ13は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又はＲ10及びＲ11及び／又はＲ12及びＲ13及び／又はＲ10及びＲ12は、それぞれ相互に無関係に、これらが結合している式（Ｓｉａ）中のＳｉ含有環の両方のそれぞれの炭素原子と一緒になって、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、前記環式基は、１、２又は３つの二重結合を有することができ、かつＮ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１つ又は２つのヘテロ原子を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、５又は６個の環原子を有する上記環式基は、更に５又は６個の環原子を有する１つ又は複数の他の環式基と縮合されていてもよく；
Ｒ14は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；かつ
Ｒ15、Ｒ16は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にフェニル又はアルキルを意味する。
更に特に有利に、式（Ｉ）中の基
Figure 2012505535
 は、次の式（Ｓｉａａ）を有し：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｚは、結合を意味するか又はＮＲ14、ＣＲ15Ｒ16、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
Ｒ14は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；かつ
Ｒ15、Ｒ16は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキルを意味し；
Ｒ17、Ｒ18は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又は２つの隣接する基Ｒ17及び／又は２の隣接する基Ｒ18は、それぞれ相互に無関係に、これらが結合している２つのそれぞれの炭素原子と一緒に、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、上記環式基は、１、２又は３個の二重結合を有することができ、かつＮ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１又は２つのヘテロ原子を有する基を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
ｎ、ｍは、相互に無関係に、０、１、２、３又は４、有利に０、１又は２、特に有利に０又は１、更に特に有利に０を意味する。
上述の基のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基は、一般式（Ｓｉａ）及び（Ｓｉａａ）中で上述の意味を有する。
式（Ｉ）中の特に有利な基
Figure 2012505535
 は次のものが挙げられる
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｒ17、Ｒ18は、相互に無関係に、アルキル又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味し；
ｎ、ｍは、相互に無関係に、０又は１、有利に０を意味する。
式（Ｉ）中のＲ1は、Ａ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリール、特に有利にアルキル、フェニル、ナフチル、インデニル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、フェナントロリニル又はフルオレニル、更に特に有利にメチル、フェニル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はアザカルバゾリルを表す。上述の基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基からなるグループから選択される置換基で１箇所又は数箇所置換されていてもよい。
上述の基及び残基のＡ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ハロゲン及び擬ハロゲンに関する有利な実施態様は、上述されている。
有利な実施態様の場合に、従って、本発明は式（Ｉａ）の化合物の使用に関し：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ5、ＳＯ、ＳＯ2又はＰＲ6、有利にＳ、Ｏ又はＮＲ5、特に有利にＳ又はＯを意味し；
Ｙは、結合、ＮＲ5、ＣＲ7Ｒ8、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利に結合又はＮＲ5、特に有利に結合を意味し；
Ｑ1〜Ｑ8は、相互に無関係に、ＣＲ9又はＮ、有利に相互に無関係にＣＲ9を意味し、その際、基Ｑ1〜Ｑ8の１つを介して基
Figure 2012505535
 のＳｉ原子への結合が行われ、この基はＣを意味し；
Ｒ5、Ｒ6は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；
Ｒ7、Ｒ8は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
Ｒ9は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利に水素、アルキル、ヘテロアリール、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基又はＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4を意味し；
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
Ｚは、結合を意味するか又はＮＲ14、ＣＲ15Ｒ16、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
Ｒ14は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリール、特に有利にフェニルを意味し；
Ｒ15、Ｒ16は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
Ｒ17、Ｒ18は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又は２つの隣接する基Ｒ17及び／又は２の隣接する基Ｒ18は、それぞれ相互に無関係に、これらが結合している２つのそれぞれの炭素原子と一緒に、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、上記環式基は、１、２又は３個の二重結合を有することができ、かつＮ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１又は２つのヘテロ原子を有する基を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
ｎ、ｍは、相互に無関係に、０、１、２、３又は４、有利に０、１又は２、特に有利に０又は１、更に特に有利に０を意味し；
Ｒ1は、
Figure 2012505535
 アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリール、特に有利にアルキル、フェニル、ナフチル、インデニル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、フェナントロリニル又はフルオレニル、更に特に有利にメチル、フェニル又はジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はアザカルバゾリル。
式（Ｉａ）中に挙げられた基及び残基の有利な実施態様は、相応する基及び残基に関して上述の実施態様である。
式（Ｉ）の更に特に有利な化合物は、次の一般式を有する：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2又はＮＲ5、有利にＯ又はＳを意味し；
Ｒ5は、アリール又はアルキル、有利にフェニルを意味し；
Ｑ3、Ｃ−Ｈ又は
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｒ′は、アルキル又はアリールを意味し；
Ｒ″、Ｒ″′は、相互に無関係に、アルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味し；
Ｚ′は、結合を意味するか又はＮＲ″″、ＣＲ″″′、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
Ｒ″″は、相互に無関係に、アルキル又はアリールを意味し；
Ｒ″″′は、相互に無関係に、水素、アルキル又はアリールを意味し；
ｏ′、ｐ′、相互に無関係に、０、１又は２、有利に０を意味し、
Ｒ17、Ｒ18は、相互に無関係に、アルキル又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味し；
Ｒ19は、相互に無関係に、アルキル又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又は２つの隣接する基Ｒ19は、一緒になって、有利に５又は６個、特に有利に５個の環原子を有する環を形成し、その際、全ての環原子は炭素原子であってもよく、又は１又は２個の、有利に１個の環原子は、Ｏ、Ｓ又はＮから選択されるヘテロ原子であり、残りの環原子は炭素原子であり、その際、上述の環は非置換であるか又はアリール基に関して上述の１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、及び／又は１つ又は複数の、有利に１つの他の環と縮合されていてもよく、この環は、有利にベンゼン縮合されていて、特に有利にこの環は、ベンゼン縮合された５員環であり、この環は５員環中でＯ、Ｓ及びＮから選択される１つのヘテロ原子を有し；
ｎ、ｍは、相互に無関係に、０、１又は２、有利に０又は１、特に有利に０を意味し；
ｓは、０、１又は２、有利に０又は２つの隣接する基Ｒ19が環を形成する場合には２である。
式（Ｉ）の適当な化合物の例は次のものである：
Figure 2012505535
Figure 2012505535
Figure 2012505535
Figure 2012505535
Figure 2012505535
Figure 2012505535
Figure 2012505535
Figure 2012505535
式（Ｉ）の更に特に有利な化合物の例は次のものである：
Figure 2012505535
Figure 2012505535
式（Ｉ）の上記のシロール化合物は、有機エレクトロニクス用途のためのマトリックス材料として及び／又はホール遮断／励起子遮断材料として特に適していることが見出された。一般式（Ｉ）のシロール化合物はＯＬＥＤ中の使用のために特に適していて、このシロール化合物は、青色光又は緑色光を放射するＯＬＥＤを提供する場合に、特に有利にマトリックス材料及び／又はホール遮断／励起子遮断材料として使用することができる。
一般式（Ｉｂ）を有する一般式（Ｉ）のシロール化合物の基は、先行技術において公知ではなかった。
従って、本発明の他の主題は、一般式（Ｉｂ）のシロール化合物に関する
Figure 2012505535
 上記式中、
Ａ′は、少なくとも３つ、有利に３または４つ、特に有利に３つの縮合された環から構成される縮合環系を有し、これらの環は相互に無関係に４〜１０、有利に５〜７、特に有利に５又は６の環原子を有しかつ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和の、並びに非置換であるか又は１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、上記置換基はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択され、その際、上記縮合環系は、この縮合環系自体中に又は少なくとも１つの置換基中に、有利に縮合環系自体中に、有利にＯ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、ＳＯ、ＳＯ2及びＳｉ、特に有利にＯ、Ｓ及びＮ、更に特に有利にＳ又はＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する基を有し；
Figure 2012505535
 は、それぞれＳｉ含有環であり、この環は、４〜１０個、有利に５〜７個、特に有利に５又は６個の、更に特に有利に５個の環原子を有し、その際、この環は、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であってもよく、Ｓｉ原子の他に、有利にＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、特に有利にＯ及びＮから選択される１つ又は複数の他のヘテロ原子を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記Ｓｉ含有環は、更に、少なくとも２つ、有利に２つ又は３つ、特に有利に３つの縮合した環から構成される縮合環系の部分であることができ、その際、Ｓｉ含有環の他に、上記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１個又は数個の置換基で置換されていてもよく、かつ有利にＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、特に有利にＳ及びＮから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有することができ；
Ｒ1、Ｒ1′は、相互に無関係に、Ａ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリール、特に有利にアルキル、フェニル、ナフチル、インデニル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、フェナントロリニル又はフルオレニル、更に特に有利にメチル、フェニル又はジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はアザカルバゾリルを意味し、その際、上記の基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
Ａは、少なくとも３つの縮合環から構成された縮合環系を意味し、これらの環は相互に無関係に、４〜１０個の環原子を有し、かつ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であり、並びに非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記の縮合環系は、縮合環系自体中又は少なくとも１つの置換基中に少なくとも１つのヘテロ原子を有する。
有利な基のＡ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基は、上述されている。
有利な基Ａ′は、上述の基Ａに相当し、その際、この基Ａ′は、基Ａとは反対に、それぞれＳｉ含有環と２つの結合箇所を有する。Ａ′は、従って、特に有利に
Figure 2012505535
 を意味し、
上記式中、
Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ5、ＳＯ、ＳＯ2又はＰＲ6、有利にＳ、Ｏ又はＮＲ5、特に有利にＳ又はＯを意味し；
Ｙは、結合又はＮＲ5、ＣＲ7Ｒ8、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利に結合又はＮＲ5、特に有利に結合を意味し；
Ｑ1〜Ｑ8は、相互に無関係にＣＲ9又はＮ、有利に相互に無関係にＣＲ9を意味し、その際、基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3又はＱ4の１つを介して及び基Ｑ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8の１つを介して、基
Figure 2012505535
 のそれぞれのＳｉ原子への結合が行われ、これらの基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3又はＱ4並びに基Ｑ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8はＣを意味し；
Ｒ5、Ｒ6は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；
Ｒ7、Ｒ8は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
Ｒ9は、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利に水素、アルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味する。
特に有利に、基
Figure 2012505535
 のＳｉ原子に対する結合は、相応してＣを意味する基Ｑ7を介して行われ、基
Figure 2012505535
 のＳｉ原子に対する結合は、相応してＣを意味する基Ｑ3を介して行われる。残りの基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6及びＱ8は、特に有利な実施態様の場合に、水素を意味する。
一般式（Ｉｂ）の基
Figure 2012505535
 の有利な実施態様は、基
Figure 2012505535
 の有利な実施態様に相当する。
式（Ｉｂ）中の基Ｒ1及びＲ1′の有利な実施態様は、式（Ｉ）中の基Ｒ1に相当する。
式（Ｉｂ）の更に有利な化合物は、一般式（Ｉｂａ）を有する：
Figure 2012505535
式（Ｉｂａ）中に挙げられた基は、基及び残基のＸ、Ｙ、Ｑ1〜Ｑ8、Ｚ、Ｒ1、Ｒ1′、Ｒ17、Ｒ18、ｎ及びｍについて式（Ｉ）の化合物に関して挙げられた意味を有し、その際、上記されたように、基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3又はＱ4及びＱ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8の基のそれぞれ１つはＣを意味し、かつそれぞれのＳｉ含有環のＳｉ原子への結合を有する。式（Ｉｂａ）中に挙げられた基及び残基Ｚ′、Ｒ17′、Ｒ18′、ｍ′、ｎ′は、無関係に基Ｚ、Ｒ17、Ｒ18、ｍ及びｎについて挙げられた意味を有する。
式（Ｉｂａａ）の更に特に有利な化合物を次に挙げる：
Figure 2012505535
式中、基Ｘ、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ17′、Ｒ18′、ｎ、ｍ、ｎ′及びｍ′は、上述の意味を有する。
式（Ｉ）の化合物の製造は、当業者に公知の方法により、例えば
（ｉ） 化合物
Ａ−Ｈａｌ
（式中、Ａは、上述の意味を有し、Ｈａｌはハロゲン、有利にＢｒ又はＩを意味する）の、当業者に公知の方法により、例えばＭｇ、ｎ−ＢｕＬｉ、ｓｅｃ−ＢｕＬｉ又はｔｅｒｔ−ＢｕＬｉを用いた金属交換反応による、及び
（ｉｉ） 引き続きこの金属交換された化合物と、式
Figure 2012505535
 （式中、Ｒ１及び
Figure 2012505535
 は上述の意味を有する）のクロロシロール化合物との反応により行う。
金属交換及び更なる反応のために適した方法条件は、当業者に公知であり、例えばシロールの製造についてJ. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 9021-9029, p. 9023及びChem. Lett. 2007, 36, 1 138に挙げられている。
適当なハロゲン化された化合物Ａ−Ｈａｌは、当業者に公知の方法により製造することができる。適当な方法は、例えばＮ−フェニルカルバゾールについては、M. Park, J. R. Bueck, CJ. Rizzo, Tetrahedron, 1998, 54, 12707-12714及びジベンゾチオフェンについては、W. Yang et al., J. Mater. Chem. 2003, 13, 1351及びMeille et al., J. Catal. 1997, 170, 29に記載されている。２，８−ジブロモジベンゾフランの合成も同様に実施することができる。４−ブロモジベンゾフランの合成は、DJ. Cram et al, J. Am. Chem. Soc, 1984, 106, 3286に記載されている。３−ブロモジベンゾフランの合成は、Cullinane, Padfield, J. Chem. Soc. 1935, 1131に記載されている。２−ブロモジベンゾフランの合成は、J. Org. Chem. 1997, 62, 1348に記載されている。更に、いくつかの臭素化化合物Ａ−Ｈａｌ、例えば、Ｘ（基Ａ中の）＝ＮＨ（CAS 6825-20-3）、ＮＰｈ（CAS 57103-20-5）及びＳ（CAS 31574-87-5）を意味する化合物は市販されている。
適切なクロロシロール化合物の合成は、同様に当業者に公知の方法により又は当業者に公知の方法と同様に行う。例えば、５−クロロ−５−フェニルジベンゾシロール及び５，５−ジクロロジベンゾシロールの合成は、J. Am. Chem. Soc, 1958, 80, 1883に記載されていて、５，５−ジクロロジベンゾシロールの合成は、更に、Chem. Lett, 2007, 36, 1138及びJ.Am.Chem.Soc. 2002, 124, 49に記載されている。
置換されたシロールの合成は、特に、Murakami著、Org. Lett. 2007, 9, 133及びOrg. Lett. 2007, 9, 93に記載されていて、その際、適切な前駆体の合成は当業者に公知である。
更に、適切な置換されたシロールは、例えば次の方法により製造することができる：
Figure 2012505535
 上記式中、
Ｒa、Ｒa′は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
Ｒb、Ｒcは、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又はＲa及びＲa′は、これらが結合しているＳｉ含有環の両方のそれぞれの炭素原子と一緒になって、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、上記基は１、２又は３つの二重結合を有することができかつＮ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１又は２つのヘテロ原子を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１又は複数の置換基で置換されていてもよく、５又は６個の環原子を有する上記環式基は、更に５又は６個の環原子を有する１つ又は複数の他の環式基と縮合されていてもよく；
Ｒdは、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味する。
適切なＰｄ触媒、塩基、溶剤及び配位子、例えばホスファン配位子、並びに適当な反応条件は、当業者に公知である。
式（Ｉ）の本発明により使用されるシロール化合物又は式（Ｉｂ）の本発明によるシロール化合物は、本発明の場合に、スイッチング素子、例えば有機トランジスター、例えば有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選択される有機エレクトロニクス用途に使用され、その際、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物はＯＬＥＤ中でマトリックス材料及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料として使用される。有利な実施態様の場合に、本願発明はＯＬＥＤ中でのマトリックス材料及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料としての式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物の使用に関する。有機エレクトロニクス用途の適切な構造は当業者に公知である。
この有機トランジスターは、一般に、ホール輸送能及び／又は電子輸送能を有する有機相から形成されている半導体層；導電性層から形成されるゲート電極；及び上記半導体層と上記導電性層との間に導入された絶縁層とを有する。トランジスター素子を製造するために、この装置にソース電極及びドレイン電極が取り付けられる。その他に、有機トランジスター中には、当業者に公知の他の層が存在することができる。式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物は、上記有機トランジスターのそれぞれ任意の層中に存在することができる。
この有機太陽電池（光電変換素子）は、一般に、２つの平行に配置されたプレート状の電極間に存在する有機相を有する。この有機相は、櫛形の電極に構成されていることができる。この有機相の位置に関して特別な制限はなく、かつ電極の材料に関して特別な制限はない。しかしながら、プレート状の平行に配置された電極を使用する場合には、少なくとも一方の電極は、有利に透明な電極、例えばＩＴＯ電極又はフッ素ドープされた酸化スズ電極から形成される。この有機相は、２つの副層から形成され、つまり、ｐ型半導体特性を有するか又はホール輸送能を有する層、並びにｎ型半導体特性を有するか又は電子輸送能を有する層から形成される。その他に、有機太陽電池中には、当業者に公知の他の層が存在することができる。式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物は、上記有機太陽電池のそれぞれ任意の層中に存在することができる。
有利に、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物はマトリックス材料として及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）中で使用される。ＯＬＥＤの適切な層順序は当業者に公知であり、後に記載する。
他の実施態様の場合には、本発明は、式（Ｉ）又は式（Ｉｂ）のシロール化合物がマトリックス材料として、有利にＯＬＥＤの発光層中で使用される有機発光ダイオードに関する。
他の実施態様の場合には、本発明は、式（Ｉ）又は式（Ｉｂ）のシロール化合物がホール遮断材／励起子遮断材として、有利にホール用の遮断層中で使用される有機発光ダイオードに関する。
式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物は、発光層（マトリックスとして）中にも、ホール用の遮断層中にも存在することが同様に可能である。
更に、ＯＬＥＤの他の層は（発光層及び／又はホール用の遮断層の他に）式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の１つ又は複数の化合物を含有していてもよい。
本発明の他の主題は、従って、有機発光ダイオード中のマトリックス材料として及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料としての式（Ｉ）のシロール化合物又は式（Ｉｂ）のシロール化合物の使用である。有利に、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物は、発光ダイオードにおいて、発光層中で及び／又はホール／励起子用の遮断層中で使用される。
本発明の他の主題は、アノードＡｎと、カソードＫａと、上記アノードＡｎと上記カソードＫａとの間に配置された発光層Ｅと、場合により少なくとも１つのホール／励起子用の遮断層とを有する有機発光ダイオードであり、上記発光ダイオードは式（Ｉ）もしくは式（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物を含有し、上記化合物は発光層中に及び／又は、存在する場合に、ホール／励起子用の少なくとも１つの遮断層中に存在する。
本発明によるＯＬＥＤの構造
本発明による有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、従って次の構造を有する：
アノード（Ａｎ）、カソード（Ｋａ）、上記アノード（Ａｎ）と上記カソード（Ｋａ）との間に配置された発光層Ｅ、場合によりホール／励起子用の少なくとも１つの遮断層。
本発明によるＯＬＥＤは、例えば、有利な実施態様の場合には次の層から構成されていてもよい：
１． アノード
２． ホール伝導層
３． 発光層
４． ホール／励起子用の遮断層
５． 電子伝導層
６． カソード
上記の構造とは異なる層順序も可能であり、この層順序は当業者に公知である。例えば、ＯＬＥＤは上記の層の全ては有していなくてもよく、例えば、層（１）（アノード）、層（３）（発光層）及び層（６）（カソード）を有するＯＬＥＤを有するが、層（２）（ホール伝導層）及び層（４）（ホール／励起子用の遮断層）及び層（５）（電子伝導層）の機能は隣接する層によって引き受けられるＯＬＥＤも同様に適している。層（１）、（２）、（３）及び（６）又は層（１）、（３）、（４）、（５）及び（６）を有するＯＬＥＤも同様に適している。更に、このＯＬＥＤは、アノード（１）とホール伝導層（２）との間に電子／励起子用の遮断層を有していてもよい。
更に、上述の機能（電子／励起子遮断、ホール／励起子遮断、ホール注入、ホール伝導、電子注入、電子伝導）のいくつかを１つの層に統合することができ、例えば、この層中に存在する唯一の材料に引き受けさせることができる。例えば、ホール伝導層中に使用された材料は、１実施態様の場合に同時に励起子及び／又は電子を遮断することができる。
更に、ＯＬＥＤの上述の層の１つを２つ又はそれ以上の層から構成することもできる。例えば、このホール伝導層を、電極からホールが注入される層と、このホールが注入される層からホールを発光層に輸送する層から構成することができる。この電子伝導層は、同様に複数の層から形成することができ、例えば電子が電極を通して注入される層と、電子注入層から電子を得てかつ発光層に輸送する層とからなることができる。これらの上記の層は、それぞれ、エネルギー準位、温度耐性及び電荷キャリア移動度のようなファクター応じて、及び有機層又は金属電極を有するこれらの上記の層のエネルギー差に応じて選択される。当業者は、本発明の場合にエミッター物質として使用される有機化合物に最適に適合されるようにＯＬＥＤの構造を選択することができる。
これらの上述の層が本発明によるＯＬＥＤ中に存在する限り、特に有効なＯＬＥＤを得るために、例えばホール伝導層のＨＯＭＯ（最高被占軌道）をアノードの仕事関数で補償し、電子伝導層のＬＵＭＯ（最低空軌道）をカソードの仕事関数で補償するのが好ましい。
このアノード（１）は、正電荷を準備する電極である。これは、例えば、金属、異なる金属の混合物、金属合金、金属酸化物又は異なる金属酸化物の混合物を有する材料から構成することができる。これとは別に、アノードは、導電性ポリマーであることができる。適切な金属は、元素の周期表のＩｂ、ＩＶａ、Ｖａ及びＶＩａ族の金属並びにＶＩＩＩａの遷移金属を含む。アノードが光透過性である場合、一般に、元素の周期表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）のＩＩｂ、ＩＩＩｂ及びＩＶｂ族の混合金属酸化物、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用される。このアノード（１）は、有機材料、例えば、 Nature, Vol. 357, p. 477 - 479 (11. Juni 1992)に記載されているようなポリアニリンを含有することも同様に可能である。生成された光を外方放射させために、少なくともアノードか又はカソードかは、少なくとも部分的に透明であるのが好ましい。有利に、アノード（１）用の材料としてＩＴＯが使用される。
本発明によるＯＬＥＤの層（２）用の適切なホール伝導性材料は、例えばKirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technologie, 第４版, Vol. 18, p. 837 - 860, 1996に開示されている。ホール輸送する分子もポリマーも、ホール輸送材料として使用することができる。通常使用されるホール輸送分子は、トリス−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（フェニルアミノ）］トリフェニルアミン（１−ＮａｐｈＤＡＴＡ）、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１′−（３，３′−ジメチル）ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル）（４−メチル−フェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン（β−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＮＰＢ）、２，２′，７，７′−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９′−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＡＤ）、９，９−ビス［４−Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−Ｎ，Ｎ′−ビス−フェニル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＢＡＰＦ）、２，２′，７，７′−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）−アミノ］−９，９′−スピロビフルオレン（スピロ−２ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＰＡＰＢ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロ−ビフルオレン−２−イル）−アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−５）、２，２′−ビス［Ｎ、Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２′−スピロ−ＤＢＰ）、２，２′−ビス（Ｎ、Ｎ−ジ−フェニル−アミノ）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＢＰＡ）、２，２′，７，７′−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル）アミノ−スピロ−ビフルオレン（スピロ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン（ＴＮＢ）、ポルフィリン化合物及びフタロシアニン、例えば銅フタロシアニンからなるグループから選択される。通常使用されたホール輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン及びポリアニリンからなるグループから選択される。同様に、ホール輸送ポリマーは、ポリスチレン及びポリカーボネートのようなポリマー中にホール輸送分子をドーピングすることにより得ることができる。これについての例は、ポリスチレンスルホナートでドープされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）である。適切なホール輸送分子は、既に上述した分子である。
更に、１実施態様の場合に、カルベン錯体がホール伝導性材料として使用することができ、この場合、少なくとも１つのホール伝導性材料の禁制帯は一般に、使用されたエミッター材料の禁制帯よりも大きい。この場合、禁制帯とは、本発明の意味範囲で、三重項エネルギーであると解釈される。適切なカルベン錯体は、例えば、WO 2005/019373 A2, WO 2006/056418 A2, WO 2005/1 13704, WO 2007/115970, WO 2007/1 15981及びWO 2008/000727に記載されたようなカルベン塩錯体である。適切なカルベン錯体の例は、式：
Figure 2012505535
 を有するＩｒ（ｄｐｂｉｃ）3であり、これは例えばWO2005/019373に開示されている。
この発光層（３）は少なくとも１つのエミッター材料を有する。これは、基本的に蛍光エミッター又は燐光エミッターであることができ、この場合、適切なエミッター材料は当業者に公知である。有利に、少なくとも１つのエミッター材料は燐光エミッターである。有利に使用される燐光エミッター化合物は金属錯体に基づき、この場合、金属Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ及びＰｔの金属の錯体、特にＩｒの錯体が重要である。式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物は、ホール／励起子用の遮断層中での使用の他に、発光層中のマトリックスとして使用することができる。
本発明によるＯＬＥＤ中で使用するための適切な金属錯体は、例えば文献WO 02/60910 A1, US 2001/0015432 A1, US 2001/0019782 A1, US 2002/0055014 A1, US 2002/0024293 A1, US 2002/0048689 A1, EP 1 191 612 A2, EP 1 191 613 A2, EP 1 211 257 A2, US 2002/0094453 A1, WO 02/02714 A2, WO 00/70655 A2, WO 01/41512 A1, WO 02/15645 A1, WO 2005/019373 A2, WO 2005/1 13704 A2, WO 2006/1 15301 A1, WO 2006/067074 A1, WO 2006/056418, WO 2006121811 A1, WO 20070951 18 A2, WO 2007/1 15970, WO 2007/1 15981及びWO 2008/000727に記載されている。
他の適切な金属錯体は、市場で入手可能な金属錯体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2’）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−２′−ベンゾ−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ3’）（アセチルアセトナト）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2）ピコリナト、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトナト）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（ジ−ベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトナト）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）−（アセチルアセトナト）及びトリス（３−メチル−１−フェニル−４−トリメチル−アセチル−５−ピラゾリン）テルビウム（ＩＩＩ）である。
更に、次の市場で入手可能な材料が適している：トリス（ジベンゾイルアセトナト）−モノ（フェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（５−アミノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ−２−ナフトイルメタン）−モノ（フェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（４−ブロモベンゾイルメタン）−モノ（フェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ−ビフェニル−メタン）−モノ（フェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（４，７−ジフェニル−フェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（４，７−ジ−メチルフェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（４，７−ジメチル−フェナントロリン−ジスルホン酸）−ユーロピウム（ＩＩＩ）−二ナトリウム塩、トリス［ジ（４−（２−（２−エトキシ−エトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］−モノ（フェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）及びトリス［ジ［４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ−（５−アミノフェナントロリン）−ユーロピウム（ＩＩＩ）。
適切な三重項エミッターは、例えばカルベン錯体である。本発明の実施態様の場合に、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物は発光層中でマトリックス材料として、三重項エミッターとしてのカルベン錯体と一緒に使用される。適切なカルベン錯体は当業者に公知であり、例えばWO 2005/019373 A2, WO 2006/056418 A2, WO 2005/113704, WO 2007/1 15970, WO 2007/115981及びWO 2008/000727に記載されている。
この発光層は、エミッター材料の他に他の成分を有することができる。例えば、エミッター材料の発光色を変更するために、この発光層中に蛍光染料が存在していてもよい。更に、有利な実施態様の場合には、マトリックス材料を使用することができる。このマトリックス材料は、ポリマー、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）又はポリシランであることができる。しかしながら、このマトリックス材料は、同様に小分子、例えば４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）又は第３級芳香族アミン、例えばＴＣＴＡであることができる。本発明の有利な実施態様の場合に、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１つの化合物がマトリックス材料として使用される。
有利な実施態様の場合に、この発光層は、上述のエミッター材料の少なくとも１種２〜２０質量％、有利に５〜１７質量％、及び上述のマトリックス材料の少なくとも１種（一実施態様の場合に式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物）８０〜９８質量％、有利に８３〜９５質量％から構成され、その際、エミッター材料とマトリックス材料との総和は１００質量％である。
本発明の実施態様の場合に、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物は、ホール／励起子遮断材料として、三重項エミッターとしてのカルベン錯体と一緒に使用される。この式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物は、更に、上述のように、マトリックス材料として、並びにホール／励起子遮断材料として、三重項エミッターとしてのカルベン錯体と一緒に使用することができる。
ＯＬＥＤ中のマトリックス材料として及び／又はホール／励起子遮断材料としての式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物と一緒に使用するために適切な金属錯体は、従って、例えばWO 2005/019373 A2, WO 2006/056418 A2, WO 2005/113704, WO 2007/1 15970, WO 2007/115981及びWO 2008/000727に記載されたようなカルベン錯体でもある。上述のＷＯ出願の開示に関してこの場合に明確に参照され、この開示は本願の内容に取り込まれるとみなされる。
ホール／励起子用の遮断層（４）が、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物を含有しない場合には、ＯＬＥＤは、ホール用の遮断層が存在する場合に、通常のＯＬＥＤ中で使用されたホール遮断材料、例えば２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン（ｍＣＰｙ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン、（ＢＣＰ））、ビス−（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニル−フェニラト）−アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡＩｑ）、フェノチアジン−Ｓ，Ｓ−二酸化物誘導体及び１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンジルイミダゾール）−ベンゼン）（ＴＰＢＩ）を有し、その際、ＴＰＢＩは電子伝導性材料としても適している。他の実施態様の場合には、WO2006/100298に開示されているようなカルボニル基を有する基を介して結合された芳香族環又はヘテロ芳香族環を有する化合物、例えば出願番号PCT/EP2008/058207及びPCT/EP2008/058106の未公開のＰＣＴ出願に挙げられているようなジシリルカルバゾール、ジシリルベンゾフラン、ジシリルベンゾチオフェン、ジシリルベンゾホスホレン、ジシリルベンゾチオフェン−Ｓ−オキシド及びジシリルベンゾチオフェン−Ｓ，Ｓ−ジオキシドからなるグループから選択されるジシリル化合物、並びにWO2008/034758に開示されているようなジシリル化合物は、ホール／励起子用の遮断層（４）として又は発光層（３）中のマトリックス材料として使用される。
有利な実施態様の場合に、本発明は、層（１）アノード、（２）ホール伝導層、（３）発光層、（４）ホール／励起子用のブロック層、（５）電子伝導層及び（６）カソード、並びに場合により他の層を有し、上記ホール／励起子用のブロック層又は発光層は式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物を含有する本発明によるＯＬＥＤに関する。
他の有利な実施態様の場合に、本発明は、層（１）アノード、（２）ホール伝導層、（３）発光層、（４）ホール／励起子用のブロック層、（５）電子伝導層及び（６）カソード、並びに場合により他の層を有し、上記発光層（３）は式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物を含有し、かつ上記ホール／励起子用のブロック層は式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物を含有する本発明によるＯＬＥＤに関する。
本発明によるＯＬＥＤの層（５）用の適切な電子伝導性材料は、オキシノイド化合物でキレート化された金属、例えば２，２′，２″−（１，３，５−フェニレン）トリス−［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（ＴＰＢＩ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＡＩｑ３）、フェナントロリンベースの化合物、例えば２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）又は４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）及びアゾール化合物、例えば２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）及び３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）、４、７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡＩｑ）、１，３−ビス［２−（２，２′−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、６，６′−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２′−ビピリジル（ＢＰ−ＯＸＤ−Ｂｐｙ）、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ＮＴＡＺ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、２，７，−ビス［２−（２，２′−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｂｙ−ＦＯＸＤ）、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリン（２−ＮＰＩＰ）、２−フェニル−９，１０，−ジ（ナフタレン−２−イル）−アントラセン（ＰＡＤＮ）、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１、１０、フェナントロリン（ＨＮＢｐｈｅｎ）である。この場合、層（５）は、電子輸送を達成するためにも、ＯＬＥＤの層の界面での励起子の消光を抑制するために緩衝層又は遮断層としても利用することができる。有利に、層（５）は、電子の移動度を改善し、かつ励起子の消光を低下させる。有利な実施態様の場合に、ＴＰＢＩは電子伝導性材料として使用される。
ホール伝導性材料及び電子伝導性材料として上述の材料により、いくつかの複数の機能が満たされる。例えば、電子を伝導する材料のいくつかは、これらが深いＨＯＭＯを有する場合には、同時にホールを遮断する材料である。これらは、例えばホール／励起子用の遮断層（４）中で使用することができる。しかしながら、同様に、層（５）のホール／励起子遮断材としての機能を引き受けることができるため、この層（４）を省略することができる。
この電荷輸送層は、使用された材料の輸送特性を改善するため、一方で層厚を大きくするため（ピンホール／短絡を抑制するため）及び他方でデバイスの作動電圧を最小化するために、電子的にドープされていてもよい。例えば、このホール伝導性材料は電子アクセプターでドープされていてもよい、例えばフタロシアニン又はアリールアミン、例えばＴＰＤ又はＴＤＴＡは、テトラフルオロ−テトラシアンキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）で又はＭｏＯ3又はＷＯ3でドープされていてもよい。この電子伝導性材料は、例えばアルカリ金属でドープされていてもよく、例えばＡｌｑ3はリチウムでドープされていてもよい。更に、電子伝導体は塩、例えばＣｓ2ＣＯ3でドープされていてもよい。この電子工学的ドーピングは当業者に公知であり、例えば、W. Gao, A. Kahn著, J. Appl. Phys., Vol. 94, No. 1 , 1 JuIy 2003 (ｐ型ドープされた有機層); A. G. Werner, F. Li, K. Harada, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo著. Appl. Phys. Lett, Vol. 82, No. 25, 23 June 2003及びPfeiffer et al.著, Organic Electronics 2003, 4, 89 - 103に開示されている。例えば、ホール伝導層はカルベン錯体のほかに、例えばＩｒ（ｄｐｂｉｃ）3はＭｏＯ3又はＷＯ3でドープされていてもよい。
前記カソード（６）は、電子又は負電荷の導入のために用いられる電極である。このカソードのための適切な材料は、元素の周期表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）のＩａ族のアルカリ金属、例えばＬｉ、Ｃｓ、ＩＩａ族のアルカリ土類金属、例えばカルシウム、バリウム又はマグネシウム、ＩＩｂ族の、ランタニド及びアクチニドを含む金属、例えばサマリウムからなるグループから選択される。更に、金属、例えばアルミニウム又はイリジウム、並びに上述の全ての金属の組み合わせを使用することもできる。更に、作動電圧（Operating Voltage）を低下させるために、リチウムを含有する有機金属化合物又はＬｉＦを、有機層とカソードとの間に設けることもできる。
本発明によるＯＬＥＤは、更に当業者に公知の他の層を有することができる。例えば、層（２）と発光層（３）との間に、正電荷の輸送を容易にする及び／又は層の禁制帯を相互に適合させる層を設けることができる。これとは別に、この他の層を保護層として利用することができる。同様の方法で、負電荷の輸送を容易にし及び／又は層の間の禁制帯を相互に適合させるために、発光層（３）と層（４）との間に付加的な層を存在させることができる。これとは別に、この層を保護層として利用することができる。
有利な実施態様の場合に、本発明によるＯＬＥＤは、層（１）〜（６）の他に更に、次に記載する他の層の少なくとも１つを有する。
− アノード（１）とホール輸送層（２）との間のホール注入層；
− ホール輸送層（２）と発光層（３）との間の電子用の遮断層；
− 電子輸送層（５）とカソード（６）との間の電子注入層。
ホール注入層のための材料は、銅フタロシアニン、４，４′，４″−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ−（１ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン（１Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン（ＮＡＴＡ）、酸化チタンフタロシアン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ、Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２′−ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ、Ｎ′−ジ−フェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル−アミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ジ−フェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−フェニル−アミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（β−ＮＰＰ）から選択することができる。
電子注入層用の材料として、例えばＬｉＦ、Ｃｓ2ＣＯ3又はＬｉ3ＰＯ4を選択することができる。
どのように（例えば、電気化学的試験に基づき）適切な材料を選択しなければならないかは当業者に公知である。個々の層のための適切な材料は当業者に公知であり、例えばWO 00/70655に開示されている。
更に、電荷キャリア輸送の効率を高めるために、本発明によるＯＬＥＤ中で使用される層のいくつかは表面処理されていることも可能である。それぞれの上記の層のための材料の選択は、有利に高い効率及び寿命を有するＯＬＥＤを得ることにより決定される。
本発明によるＯＬＥＤの製造は、当業者に公知の方法により行うことができる。一般に、本発明によるＯＬＥＤは、適切な基材上での個々の層を積み重ねる次の蒸着（vapor deposition）により製造される。適切な基材は、例えばガラス、無機半導体又はポリマーフィルムである。蒸着のために、熱蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）等のような通常の技術を使用することができる。別の方法の場合に、ＯＬＥＤの有機層は、適当な溶剤中の溶液又は分散液から塗布され、当業者に公知の被覆技術が使用される。
一般に、これらの多様な層は次の厚さを有する：アノード（１）５０〜５００ｎｍ、有利に１００〜２００ｎｍ；ホール伝導層（２）５〜１００ｎｍ、有利に２０〜８０ｎｍ、発光層（３）１〜１００ｎｍ、有利に１０〜８０ｎｍ、ホール／励起子用の遮断層（４）２〜１００ｎｍ、有利に５〜５０ｎｍ、電子伝導層（５）５〜１００ｎｍ、有利に２０〜８０ｎｍ、カソード（６）２０〜１０００ｎｍ、有利に３０〜５００ｎｍ。本発明によるＯＬＥＤにおいて、カソードとの関連でのホールと電子との再結合領域の相対的位置、従ってＯＬＥＤの発光スペクトルは、特にそれぞれの層の相対的厚さにより影響される。これは、電子輸送層の厚さは、再結合領域の位置がダイオードの光学的共振子特性に、ひいてはエミッターの発光波長に合わせられるように選択されるのが特に好ましいことを意味している。ＯＬＥＤ中の個々の層の層厚の比率は、使用された材料に依存する。場合により使用された付加的な層の層厚は、当業者に公知である。電子伝導層及び／又はホール伝導層は、これらが電子的にドープされている場合には、記載された層厚よりも大きな厚さを有することも可能である。
発光層中及び／又はホール／励起子用の遮断層中で式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物の使用により、高い効率及び寿命を有するＯＬＥＤを得ることができる。このＯＬＥＤの効率は、更にＯＬＥＤの他の層の最適化によって改善することができる。例えば、極めて効率的なカソード、例えばＣａ又はＢａを、場合によりＬｉＦからなる中間層と組み合わせて使用することもできる。作動電圧の低減又は量子効率の向上に作用する、形成された基材及びホール輸送材料は、本発明によるＯＬＥＤ中に同様に使用可能である。更に、多様な層のエネルギー準位を調節しかつエレクトロルミネッセンスを容易にするために、ＯＬＥＤ中に付加的な層が存在してもよい。
このＯＬＥＤは、更に少なくとも１つの第２の発光層を有していてもよい。ＯＬＥＤの全体の放射は、少なくとも２つの発光層の放射から構成させることもでき、白色光を有することもできる。
本発明の他の主題は、式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１種のシロール化合物及び少なくとも１種のエミッター材料を有する発光層である。式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の有利なシロール化合物並びに適切でかつ有利なエミッター材料並びにエミッター材料及び式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物の有利な量は上記されている。
本発明の他の主題は、本発明による発光層を有するＯＬＥＤである。
このＯＬＥＤは、エレクトロルミネッセンスが利用されている全ての装置において使用することができる。適切な装置は、有利に据え置き型及びモバイル型のディスプレー及び照明ユニットから選択される。据え置き型のディスプレーは、例えばコンピュータのディスプレー、テレビジョン、プリンター、キッチン器具及び広告ボード中のディスプレー、照明及び表示ボードである。モバイル型のディスプレーは、例えば携帯電話、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、自動車中のディスプレー並びにバス及び電車の目的地表示である。
更に、反転する構造を有するＯＬＥＤ中で式（Ｉ）又は（Ｉｂ）のシロール化合物を使用することができる。この反転型ＯＬＥＤ中での本発明により使用された式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の化合物は、ホール遮断材料／励起子遮断材料として有利に使用される。反転型ＯＬＥＤの構造及び通常ここで使用される材料は、当業者に公知である。
更に、本発明は、少なくとも１種の本発明による有機発光ダイオード又は少なくとも１種の本発明による発光層を有する、据え置き型のディスプレー、例えばコンピュータのディスプレー、テレビジョン、プリンター、キッチン器具及び広告ボード中のディスプレー、照明、表示ボード及びモバイル型のディスプレー、例えば携帯電話、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、自動車中のディスプレー並びにバス及び電車の目的地表示並びに照明ユニットからなるグループから選択された装置に関する。
次の実施例及び図面は本発明を更に説明する。
ダイオード実施例３のＯＬＥＤのａ）電圧曲線及びｂ）電流効率曲線を示す。 ダイオード実施例４のＯＬＥＤのａ）電圧曲線及びｂ）電流効率曲線を示す。 ダイオード実施例５のＯＬＥＤのａ）電圧曲線及びｂ）電流効率曲線を示す。 ダイオード実施例６のＯＬＥＤのａ）電圧曲線及びｂ）電流効率曲線を示す。
実施例
Ａ合成例：
実施例１：式（１）のシロールの製造
Figure 2012505535
９−フェニル−３，６−ジブロモ−９Ｈ−カルバゾール（Tetrahedron, 1998, 54, 12707- 12714）（２．１ｇ、５．１ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（１００ｍＬ）中の溶液に、−７８℃でアルゴン下でゆっくりとｎ−ブチルリチウム（ヘキサン中で１．６Ｍ、８．０ｍＬ、１２．８ｍｍｏｌ）を添加し、−７８℃で１時間撹拌する。５−クロロ−５−フェニルジベンゾシロール（J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1883）（４．６１ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（２５ｍＬ）中の溶液を−７８℃で添加した後にこの混合物を一晩中撹拌しながら室温に温める。過剰のブチルリチウムを飽和塩化アンモニウム溶液で加水分解する。この生じた生成物を濾別し、入念にＣＨ2Ｃｌ2で洗浄する。この合わせたＣＨ2Ｃｌ2濾液をＨ2Ｏで洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥し、濃縮する。この残留物をエタノール中に分散させ、濾過し、乾燥する。収率（１）：６０％。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）：δ＝７．３２（ｍ，８Ｈ）、７．４２−７．５２（ｍ，１３Ｈ）、７．６３（ｄ，２Ｈ）、７．６８（ｄ，４Ｈ）、７．８２（ｄ，４Ｈ）、７．９０（ｄ，４Ｈ）、８．３８（ｓ，２Ｈ）。
実施例２：式（２）のシロールの製造
Figure 2012505535
２，８−ジブロモジベンゾチオフェン（J. Catal. 1997, 170, 29）（１．８ｇ、５．３ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（２５ｍｌ）中の溶液に、−７８℃でアルゴン下でゆっくりとｎ−ブチルリチウム（ヘキサン中で１．６Ｍ、８．４ｍｌ、１３．４ｍｍｏｌ）を添加し、−７８℃で１時間撹拌する。５−クロロ−５−フェニルジベンゾシロール（J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1883）（４．８２ｇ、１６．１ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（２０ｍＬ）中の溶液を−７８℃で添加した後にこの混合物を一晩中撹拌しながら室温に温める。この混合物にＭｅＯＨ及びＨ2Ｏを添加し、ＣＨ2Ｃｌ2で抽出する。この合わせた有機相をＨ2Ｏで洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥し、濃縮する。この残留物をエタノール中に分散させ、濾過し、乾燥する。フラッシュカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ2、シクロヘキサンからシクロヘキサン／ＣＨ2Ｃｌ2 ４：１に勾配）収率（２）：６０％。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）：δ＝７．２４（ｍ，８Ｈ）、７．４３（ｔ，２Ｈ）、７．５１（ｄｄ，４Ｈ）、７．６７（ｍ，６Ｈ）、７．８１（ｍ，６Ｈ）、７．９２（ｄ，４Ｈ）、８．３１（ｓ，２Ｈ）。
実施例３：式（３）のシロールの製造
Figure 2012505535
２，８−ジブロモジベンゾフラン（同様にJ. Catal. 1997, 170, 29）（８．７３ｇ、２６．８ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（５００ｍｌ）中の溶液に、−７８℃でアルゴン下でゆっくりとｎ−ブチルリチウム（ヘキサン中で１．６Ｍ、４１．８ｍｌ、６６．９ｍｍｏｌ）を添加し、−７８℃で１時間撹拌する。５−クロロ−５−フェニルジベンゾシロール（J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1883）（２３．７ｇ、８０．３ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（８０ｍＬ）中の溶液を−７８℃で添加した後にこの混合物を一晩中撹拌しながら室温に温める。この混合物にＭｅＯＨ及びＨ2Ｏを添加し、ＣＨ2Ｃｌ2で抽出する。この合わせた有機相をＨ2Ｏで洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥し、濃縮する。フラッシュカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ2、シクロヘキサンからシクロヘキサン／ＣＨ2Ｃｌ2 ４：１に勾配） 収率（３）：４３％。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）：δ＝７．３３（ｍ，８Ｈ）、７．４２（ｔ，２Ｈ）、７．５０（ｄｄ，４Ｈ）、７．５５（ｄ，２Ｈ）、７．６４（ｄ，２Ｈ）、７．７２（ｄ，４Ｈ）、７．８１（ｄ，４Ｈ）、７．９３（ｄ，４Ｈ）、８．２２（ｓ，２Ｈ）。
実施例４：式（４）のシロールの製造
Figure 2012505535
２−ブロモジベンゾフラン（J. Org. Chem. 1997, 62, 1348）（１．９７ｇ、７．９６ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（７０ｍｌ）中の溶液に、−７８℃でアルゴン下でゆっくりとｎ−ブチルリチウム（ヘキサン中で１．６Ｍ、５．７ｍｌ、９．２ｍｍｏｌ）を添加し、−７８℃で１時間撹拌する。５，５−ジクロロジベンゾシロール（Chem. Lett. 2007, 36, 1 138）（１．０ｇ、４．０ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ（１０ｍＬ）中の溶液に−７８℃で添加した後に、この混合物を一晩中撹拌しながら室温にまで温める。この混合物に飽和ＮＨ4Ｃｌ溶液を添加し、ＣＨ2Ｃｌ2で抽出する。この合わせた有機相をＨ2Ｏで洗浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥し、濃縮する。フラッシュカラムクロマトグラフィー（ＳｉＯ2、シクロヘキサンからシクロヘキサン／ＣＨ2Ｃｌ2 ４：１に勾配） 収率（４）：４８％。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）：δ＝７．３２（ｄｄ，２Ｈ）、７．３８（ｄｄ，２Ｈ）、７．４４（ｄｄ，２Ｈ）、７．５４（ｍ，４Ｈ）、７．５９（ｄ，２Ｈ）、７．７７（ｄ，２Ｈ）、７．９１（ｄ，４Ｈ）、７．９６（ｄ，２Ｈ）、８．３０（ｓ，２Ｈ）。
副生成物として単離された：
Figure 2012505535
 収率：５．９％
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、４００ＭＨｚ）：δ＝０．８２（ｔ，３Ｈ）、１．３８（ｍ，６Ｈ）、７．３２（ｍ，３Ｈ）、７．４５（ｍ，３Ｈ）、７．５６（ｄｄ，２Ｈ）、７．６２（ｄ，１Ｈ）、７．７２（ｄ，２Ｈ）、７．８８（ｄ，２Ｈ）、７．９４（ｄ，１Ｈ）、８．１９（ｓ，１Ｈ）。
Ｂ ダイオード実施例：
実施例１：化合物（１）（合成例１）及び化合物（２）（合成例２）をマトリックス材料として有するＯＬＥＤの製造
アノードとして使用したＩＴＯ基板を、まずＬＣＤ製品用の市販の洗浄剤（Deconex(登録商標) 20NS及び中和剤25ORGAN-ACID(登録商標)）で、引き続きアセトン／イソプロパノール混合物中で超音波浴で洗浄する。場合による有機残留物を除去するために、この基板をオゾン炉中で更に２５分間連続するオゾン流にさらす。この処理は、更にＩＴＯのホール注入特性を改善する。
その後、次に挙げる有機材料を約０．５〜５ｎｍ／ｍｉｎの速度で、約１０-8ｍｂａｒで清浄化された基板に蒸着させる。ホール伝導体として、５０％のＩｒ（ｄｐｂｉｃ）3及び５０％のＭｏＯ3からなる混合物を、上記の基板上に３５ｎｍの厚さで設ける。引き続き、２０ｎｍの厚さのドープされていない層Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）3を設ける。
Figure 2012505535
（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）3の製造のために、出願WO 2005/019373中のＩｒ錯体（７）を参照）。
引き続き、エミッターのＩｒ（ｐｐｙ）3
Figure 2012505535
 １５質量％及び化合物（１）又は化合物（２）８５％からなる混合物を、２０ｎｍの厚さで蒸着させ、この場合、前者の化合物のＩｒ（ｐｐｙ）3はエミッターとして、後者の両方の化合物はそれぞれマトリックスとして機能する。
Figure 2012505535
引き続き、この材料ｍＣＰｙを１０ｎｍの厚さで、励起子遮断材及びホール遮断材として蒸着させる。
Figure 2012505535
次に、電子輸送材のＡｌｑ3を５０ｎｍの厚さで、０．７５ｎｍの厚さのフッ化リチウム層及び引き続き１１０ｎｍの厚さのＡｌ電極を蒸着させる。
ＯＬＥＤの特性決定のために、エレクトロルミネッセンススペクトルを多様な電流又は電圧で記録する。更に、電流−電圧−特性曲線を、放射された光出力と組み合わせて測定する。この光出力は、輝度計で校正することにより測光的大きさに換算することができる。
この記載されたＯＬＥＤについて、次の電気光学データが得られる：
表１
Figure 2012505535
実施例２：化合物（１）（合成例１）又は化合物（２）（合成例２）又は化合物（３）（合成例３）又は化合物（４）（合成例４）を遮断材料及び／又はマトリックス材料として有するＯＬＥＤの製造
アノードとして使用したＩＴＯ基板を、まずＬＣＤ製品用の市販の洗浄剤（Deconex(登録商標) 20NS及び中和剤25ORGAN- ACI D(登録商標)）で、引き続きアセトン／イソプロパノール混合物中で超音波浴で洗浄する。場合による有機残留物を除去するために、この基板をオゾン炉中で更に２５分間連続するオゾン流にさらす。この処理は、更にＩＴＯのホール注入特性を改善する。
その後、次に挙げる有機材料を約０．５〜５ｎｍ／ｍｉｎの速度で、約１０-8ｍｂａｒで清浄化された基板に蒸着させる。ホール伝導体として、５０％のＩｒ（ｄｐｂｉｃ）3及び５０％のＭｏＯ3からなる混合物を、上記の基板上に３５ｎｍの厚さで設ける。引き続き、２０ｎｍの厚さのドープされていない層Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）3を設ける。
Figure 2012505535
（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）3の製造のために、出願WO 2005/019373中のＩｒ錯体（７）を参照）。
引き続き、エミッターの
Figure 2012505535
１０質量％及び化合物ＳｉＣｚ（対照）又は化合物（１）、（２）、（３）又は（４）９０％からなる混合物を、２０ｎｍの厚さで蒸着させ、この場合、前者の化合物のＨＢＥ−１はエミッターとして、後者の化合物はそれぞれマトリックスとして機能する。
Figure 2012505535
Figure 2012505535
引き続き、この材料ｍＣＰｙ（対照）又は（３）又は（４）を１０ｎｍの厚さで、励起子遮断材及びホール遮断材として蒸着させる。
Figure 2012505535
次に、電子輸送材のＡｌｑ3を５０ｎｍの厚さで、０．７５ｎｍの厚さのフッ化リチウム層及び引き続き１１０ｎｍの厚さのＡｌ電極を蒸着させる。
ＯＬＥＤの特性決定のために、エレクトロルミネッセンススペクトルを次に記載する表２中に挙げた多様な電流又は電圧で記録する。この表２中に挙げた本発明によるダイオードのデータは、対照ダイオード（マトリックス：ＳｉＣｚ；ホール及び励起子遮断材：ｍＣＰｙ）のデータに相対的に記載する。この対照ダイオードの値は、１００に設定する。
表２
Figure 2012505535
実施例３：緑色燐光エミッターのためのマトリックス材料として化合物（２）を有するＯＬＥＤ
ＩＴＯアノード上に２０ｎｍの厚さのホール注入層、１０ｎｍの厚さのホール伝導層、１０ｎｍの厚さの赤色発光層、５ｎｍの厚さの緑色発光層、３ｎｍの厚さのホール及び励起子用の遮断層、３０ｎｍの厚さの電子伝導層、２０ｎｍの厚さの電子注入層及び２００ｎｍの厚さのアルミニウムカソードを有するＯＬＥＤを製造する。
ホール注入層は、例えば三酸化モリブデン１０質量％及びＮＰＢ（Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン））９０質量％を有する。ホール伝導層はこの実施例の場合にはＮＰＢを含有する。赤色発光層は、例えばＮＰＢ７０質量％、ＴＰＢｉ（２，２′，２″−（１，３，５−ベンジントリル）−トリス（１−フェニル）−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）２０質量％及びイリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ−［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトナト）（化合物５）１０質量％を有する。
Figure 2012505535
緑色発光層は、マトリックスとして化合物（２）及び燐光性緑色エミッターとしてＩｒ（ｐｐｙ）3 １０質量％を有する。
遮断層は、化合物（６）の材料を含有する：
Figure 2012505535
電子伝導層はＴＰＢｉを含有し、電子注入層はＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）５０質量％及び炭酸セシウム５０％を含有する。
遮断層、ホール伝導層及び緑色発光層のマトリックス材料についてのこれらの材料の組み合わせは、燐光性緑色エミッターとの関連で、高い量子効率値、高い出力効率値、低い電圧及び高い寿命を達成することができる。この高い量子効率値及び出力効率値は、発光層に隣接して遮断層を配置し、この遮断層が電荷キャリア、例えばホールを、発光しない層又はあまり発光しない層へ輸送することを抑制し、かつ隣接する層中での電荷キャリアの損失を抑制することによっても可能となる。更に、緑色発光層中でのエミッター及びマトリックスの選択により、発光層内でのそれぞれのエネルギー準位の関係、例えば三重項レベルを合わせることができる。
これらの材料の特別な選択により、ホールと電子との放射する再結合が少なくとも部分的に緑色発光層中で行われる。これは、このマトリックス中でエミッター分子の凝集及び消滅効果は抑制されるために、燐光性の緑色エミッターがこのマトリックス中に良好に含めることができ、かつマトリックス材料からエミッターへの良好なエネルギー伝達を可能にするマトリックスとの固溶体を形成することができることを意味する。これにより、エミッター用のひいては長波長光を放射するエミッター用のマトリックスの三重項レベルは十分である。
更に、化合物（２）及び（６）はＨＯＭＯ（最高被占軌道）とＬＵＭＯ（最低空軌道）との間の禁制帯を有し、この場合、発光層中のマトリックス材料の化合物（２）よりも遮断層の化合物（６）は低いＨＯＭＯ値及び高いＬＵＭＯ値を有する。この両方の化合物は、更に、その類似の構造に基づき化学的に似ている。これにより、ブロック層から緑色発光層への良好な電子注入を生じ、かつ緑色発光層から由来するホールに対して良好な遮断特性を生じる。従って、化合物（２）は、緑色エミッターのために適したマトリックスであり、このことは白色光を発するＯＬＥＤの製造のためにも有利である。
図１ａ）は、緑色発光層中に化合物（２）及びＩｒ（ｐｐｙ）3との組合せを有しかつ遮断層中に化合物（６）を有する実施例３によるＯＬＥＤの電圧曲線を示す。電流ＩはｍＡ／ｃｍ2で、Ｖで示す電流Ｕに対してプロットされている。
図１ｂ）は、上記発光層中に化合物（２）及びＩｒ（ｐｐｙ）3との組合せを有しかつ遮断層中に化合物（６）を有する上述のＯＬＥＤの外部量子効率曲線を示す。この外部量子効率（ＥＱＥ）は％で、ｃｄ／ｍ2で示す輝度Ｌに対してプロットされている。ＥＱＥの測定のために、ＯＬＥＤに関して定義された電流を供給し、スペクトルを測定する。この外部量子効率は、発光層中での注入された電荷キャリア当たり、素子の外側でどれくらい多くのフォトンが生じるかを示す。１０００ｃｄ／ｍ2の輝度の場合、上述の例示したＯＬＥＤについてＥＱＥ１２．５％に達することができる。
これとは別に、上述の構造を有するＯＬＥＤは、赤色発光層及び緑色発光層を有することもでき、この場合、赤色エミッターも、緑色エミッターも１つのマトリックス中に配置されており、このマトリックスは完全に又は部分的に化合物（２）を含有する。
実施例３のＯＬＥＤと同様に、他の単色ＯＬＥＤも製造できる。例えば、発光層中に明青色燐光性エミッターを有する明青色光を発するＯＬＥＤを製造することができる。
実施例４：遮断層中の材料として化合物（２）を有する白色光を発するＯＬＥＤ
ＩＴＯアノード上に２０ｎｍの厚さのホール注入層、１０ｎｍの厚さのホール伝導層、１０ｎｍの厚さの赤色発光層、３ｎｍの厚さの緑色発光層、１０ｎｍの厚さの青色発光層、３ｎｍの厚さのホール及び励起子用の遮断層、１０ｎｍの厚さの電子伝導層、２０ｎｍの厚さの電子注入層及び２００ｎｍの厚さのアルミニウムカソードを有する白色光を発するＯＬＥＤを製造することができる。
ホール注入層、ホール伝導層、赤色発光層、電子伝導層及び電子注入層は、この場合、実施例３に従って形成される。
この緑色発光層は、緑色燐光性エミッターＩｒ（ｐｐｙ）3 １０質量％及び化合物（７）９０質量％を有する。
Figure 2012505535
この青色発光層は、第１のマトリックスとして化合物（８）、第２のマトリックスとして化合物（７）、燐光性青色エミッターとして化合物（９）を３５：６０：５の比率で含有する。
Figure 2012505535
青色発光層に隣接する遮断層は、化合物（２）の材料を含有する。
図２ａ中では、上記ＯＬＥＤについての電圧曲線を、図２ｂでは、外部量子効率を示す。ブロック層用の材料として化合物（２）を有する白色光を発するＯＬＥＤは、良好な効率（１０００ｃｄ／ｍ2でＥＱＥ１５．２％）及び低い電圧を有し、これはこの層中での十分な電子輸送能により生じる。これは、青色発光層中で、化合物（２）は、マトリックスとしての化合物（７）及び（８）を用いた場合、青色エミッタ（９）との関連で遮断層用の良好な材料であることを示す。
実施例５：緑色燐光性エミッター及び青色燐光性エミッター用のマトリックスとして化合物（２）を有する白色光を発するＯＬＥＤ
ＩＴＯアノード上に２０ｎｍの厚さのホール注入層、１０ｎｍの厚さのホール伝導層、１０ｎｍの厚さの赤色発光層、５ｎｍの厚さの緑色発光層、１０ｎｍの厚さの青色発光層、５ｎｍの厚さのホール及び励起子用の遮断層、３０ｎｍの厚さの電子伝導層、２０ｎｍの厚さの電子注入層及び２００ｎｍの厚さのアルミニウムカソードを有する白色光を発するＯＬＥＤを製造することができる。
ホール注入層、ホール伝導層、赤色発光層、電子伝導層及び電子注入層は、この場合、例えば実施例３に従って形成される。
この緑色発光層は、緑色燐光性エミッターＩｒ（ｐｐｙ）3 １０質量％及びマトリックスとして化合物（２）９０質量％を有する。
この青色発光層は、マトリックスとして化合物（２）を、青色エミッターとして化合物（９）を有し、この青色エミッターは上記層中に１０質量％で存在している。
この遮断層は、化合物（６）の材料を含有する。
この実施例は、異なる色のエミッターを有する２つの積層された発光層用のマトリックス材料として化合物（２）が適していて、それにより、良好な効率及び色（１０００ｃｄ／ｍ2の輝度でのＣＩＥは０．４５／０．４４）を有する白色光を発するＯＬＥＤを製造できることを示す。
図３ａ及び３ｂは、この実施例について電流効率曲線及び外部量子効率（１０００ｃｄ／ｍ2でＥＱＥは１７．８％）を示す。
これとは別に、上述の構造を有するＯＬＥＤは、赤色発光層及び緑色発光層を有することもでき、この場合、赤色エミッターも、緑色エミッターも１つのマトリックス中に配置されており、このマトリックスは完全に又は部分的に化合物（２）を含有する。又は、このＯＬＥＤは、赤色発光層及び青色発光層を有することもでき、この場合、赤色エミッターも、青色エミッターも１つのマトリックス中に配置されており、このマトリックスは完全に又は部分的に化合物（２）を含有する。ＯＬＥＤ中にマトリックスとして化合物（２）を有する全ての３つの発光層が存在することもでき、この場合、化合物（２）は単独で又は他のマトリックス材料と組み合わせて使用される。
実施例６：緑色燐光性エミッター用のマトリックスとして及び青色燐光性エミッター用のマトリックス成分として化合物（２）を有する白色光を発するＯＬＥＤ
ＩＴＯアノード上に２０ｎｍの厚さのホール注入層、１０ｎｍの厚さのホール伝導層、１０ｎｍの厚さの赤色発光層、３ｎｍの厚さの緑色発光層、１０ｎｍの厚さの青色発光層、３ｎｍの厚さのホール及び励起子用の遮断層、３０ｎｍの厚さの電子伝導層、２０ｎｍの厚さの電子注入層及び２００ｎｍの厚さのアルミニウムカソードを有する白色光を発するＯＬＥＤを製造することができる。
ホール注入層、ホール伝導層、赤色発光層、緑色発光層、遮断層、電子伝導層及び電子注入層は、この場合、例えば実施例５に従って形成される。
この青色発光層は、第１のマトリックスとして化合物（２）を６０質量％で、第２のマトリックスとして化合物（８）を３５質量％で、層中で５質量％で存在する青色燐光エミッターとして化合物（９）を含有する。
この実施例は、化合物（２）が２つの積層された発光層のためのマトリックス材料として適していることを示す。この場合、化合物（２）は緑色発光層中で唯一のマトリックス材料として存在し、青色発光層中で他のマトリックス材料との混合物として存在する。このＯＬＥＤは、電流密度、ひいては輝度が変化する場合でも高い効率及び高い色安定性により優れている（１００〜３０００ｃｄ／ｍ2の間でＣＩＥ０．４４／０．４２）。従って、化合物（２）は有効な白色光を発するＯＬＥＤ用のマトリックスとして適している。
図４ａ及び４ｂは、この実施例について電流効率曲線及び外部量子効率（１０００ｃｄ／ｍ2でＥＱＥは１８．５％）を示す。
これとは別に、上述の構造を有するＯＬＥＤは、赤色発光層及び緑色発光層を有することもでき、この場合、赤色エミッターも、緑色エミッターも１つのマトリックス中に配置されており、このマトリックスは完全に又は部分的に化合物（２）を含有する。これとは別に、このＯＬＥＤは、赤色発光層及び青色発光層を有することもでき、この場合、赤色エミッターも、青色エミッターも１つのマトリックス中に配置されており、このマトリックスは完全に又は部分的に化合物（２）を含有する。他の実施態様の場合には、このＯＬＥＤは、緑色発光層及び青色発光層を有することもでき、この場合、緑色エミッターも、青色エミッターも１つのマトリックス中に配置されており、このマトリックスは完全に又は部分的に化合物（２）を含有する。マトリックスとして化合物（２）を有する全ての３つの発光層が構成されていてもよく、この場合、化合物（２）は単独で又は他のマトリックス材料と組み合わせて存在してもよい。
上述の実施例３〜６について、個々の層のための材料は可変であってもよい。
例えば、燐光性緑色エミッターとして、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）
ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユーロピウム（ＩＩＩ）
オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラト）ジフェニルメチルホスフィン
オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾール）ジメチルフェニルホスフィン
オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラト）ジメチルフェニルホスフィン
ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
オスミウム（ＩＩ）ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）−ピラゾラト）ジメチルフェニルホスフィン
トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス［３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
トリス［４，４′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２′）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）
イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（２′−ベンゾ−チエニル）ピリジナトＮ，Ｃ３′）（アセチル−アセトナト）
トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）
ビス（１−フェニルイソキノリン）−（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
イリジウム（ＩＩＩ）ビス（ジベンゾ［ｆ，ｈ］−キノキサリン）（アセチルアセトナト）
ビス（２−（９，９−ジブチルフルオレニル）−１−イソキノリン（アセチルアセトナト）
イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ−［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトナト）
ビス（２−（９，９−ジヘキシルフルオレニル）−１−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）
トリス（３−メチル−１−フェニル−４−トリメチル−アセチル−５−ピラゾリン）テルビウム（ＩＩＩ）を使用することができる。
更に、遮断層及び／又はホール伝導層のための材料として、Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン
Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン
Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン
Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−２，２−ジメチルベンジジン
Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン
２，２′，７，７′−テトラキス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９′−スピロビフルオレン
Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン
Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン
Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン
Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン
Ｎ，Ｎ′−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン
ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジチオリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン
２，２′，７，７′−テトラ（Ｎ、Ｎ−ジ−トリル）アミノ−スピロ−ビフルオレン
９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン
２，２′，７，７′−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）−アミノ］−９，９−スピロビフルオレン
２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロ−ビフルオレン−２−イル）−アミノ］−９，９−スピロビフルオレン
２，２′−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン
Ｎ，Ｎ′−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）−ベンジジン
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン
２，２′−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−フェニル−アミノ）−９，９−スピロビフルオレン
９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン
９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ′−ビス−ナフタレン−２−イル−Ｎ，Ｎ′−ビス−フェニル−アミノ）−フェニル］−９Ｈ−フルオレン
酸化チタンフタロシアニン
銅フタロシアニン
２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシアノ−キノジメタン
４，４′，４″−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン（ホール伝導層中のドーパントとして）
４，４′，４″−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン
４，４′，４″−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン
４，４′，４″−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン
ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン
２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン
２，２′−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン
Ｎ，Ｎ′−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン
Ｎ，Ｎ′−ジ−フェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル−アミノ）フェニル］ベンジジン
Ｎ，Ｎ′−ジ−フェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−フェニル−アミノ）フェニル］ベンジジンを使用することができるか、
又は遮断層及び／又は電子伝導層として、
２，２′，２″−（１，３，５−ベンジントリル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）
２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール
２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン
８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム
４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール
１，３−ビス［２−（２，２′−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン
４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン
３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム
６，６′−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２′−ビピリジル
２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−アントラセン
２，７−ビス［２−（２，２′−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン
１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン
２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン
２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン
トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン
１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリンを使用することができる。
更に、異なる色の光を発する複数の単色のＯＬＥＤを、実施例３のＯＬＥＤと一緒に互いに積層し、「電荷発生層」（charge generation layer、ＣＧＬ）を用いて相互に結合することにより、実施例３のＯＬＥＤは白色光を発する素子用に使用することができる。このＣＧＬは、ＯＬＥＤの電荷キャリアをその上又はその下に配置されたＯＬＥＤに輸送することができる。
白色光を発する素子を実現するために、実施例３のＯＬＥＤは、異なる色の光を発する複数の単色のＯＬＥＤの他に配置することもできる。
実施例３〜６において、アノード及び／又はカソードとして、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｐｈ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｇ、Ｙｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化ジルコニウム）及びこれらの組み合わせを有するグループから選択される材料を使用することができる。更に、電極用の材料として、主族の金属、遷移金属、ランタノイド及び、これらの金属、遷移金属及びランタノイドの合金が適している。
更に、実施例１〜６のＯＬＥＤは、透明なＯＬＥＤとして構成することができる。実施例１〜６のＯＬＥＤは、更に上面発光型又は下面発光型ＯＬＥＤとして構成することができる。上面発光型ＯＬＥＤの場合に、基板と反対側の電極が透明に構成されるため、発光はこの電極を通して行われる。下面発光型ＯＬＥＤの場合に、基板及びこの基板上に配置された電極が透明に構成されるため、発光は基板を通して行われる。透明なＯＬＥＤの場合には、両方とも透明に構成されている基板及び基板と反対側の電極を通して両面発光が可能である。

Claims (20)

  1. 有機エレクトロニクス用途での、一般式（Ｉ）
    Figure 2012505535
     ［上記式中、
    Ａは、少なくとも３つの縮合環から構成された縮合環系を意味し、これらの環は相互に無関係に、４〜１０個の環原子を有し、かつ飽和若しくは１箇所若しくは数箇所不飽和であり、並びに非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記の縮合環系は、縮合環系自体中に又は少なくとも１つの置換基中に少なくとも１つのヘテロ原子を有し；
    Figure 2012505535
     は４〜１０個の環原子を有するＳｉ含有環であり、前記環は飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であることができ、Ｓｉ原子の他に１つ若しくは複数の他のヘテロ原子を有することができ、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよく、前記Ｓｉ含有環は、更に少なくとも２つの環から構成される縮合環系の部分であることができ、前記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１個若しくは数個の置換基で置換されていてもよく、かつ１つ又は複数のヘテロ原子を有することができ；
    Ｒ1は、Ａ又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリールを意味し；
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個の環、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよい］の化合物の使用。
  2. 式（Ｉ）の化合物を、マトリックス材料及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料として使用することを特徴とする、請求項１記載の使用。
  3. 式（Ｉ）中の基Ａは次の意味を有する
    Ａは、３つの縮合環から構成される縮合環系を構成し、前記縮合環は相互に無関係に５又は６個の環原子を有し、前記３つの縮合環の少なくとも１つは少なくとも２箇所不飽和であり、前記縮合環系は、Ｓ、Ｏ、Ｎ、ＳＯ、ＳＯ2及びＰ、有利にＳ、Ｏ及びＮ、特に有利にＳ及びＯからなるグループから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を有する基を有することを特徴とする、請求項１又は２記載の使用。
  4. 式（Ｉ）中の基Ａは次の式Ａａａを有し、
    Figure 2012505535
     上記式中、
    Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ5、ＳＯ、ＳＯ2又はＰＲ6、有利にＳ、Ｏ又はＮＲ5、特に有利にＳ又はＯを意味し；
    Ｙは、結合又はＮＲ5、ＣＲ7Ｒ8、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利に結合又はＮＲ5、特に有利に結合を意味し；
    Ｑ1〜Ｑ8は、相互に無関係にＣＲ9、Ｎ、有利に相互に無関係にＣＲ9を意味し、その際、基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8の１つを介して、基
    Figure 2012505535
     のＳｉ原子への結合が行われ、これらの基Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6、Ｑ7又はＱ8はＣを意味し；
    Ｒ5、Ｒ6は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；
    Ｒ7、Ｒ8は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキルを意味し；
    Ｒ9は、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利に水素、アルキル、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン、アルコキシ、アミノ又はＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4を意味し；
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを意味し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個の環、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよいことを特徴とする、請求項３記載の使用。
  5. Ｑ1、Ｑ2、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ6及びＱ8中のＲ9は、水素を意味し、Ｑ3中のＲ9は水素又はＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4を意味し、Ｑ7はＣを意味し、基
    Figure 2012505535
     のＳｉ原子と結合されていることを特徴とする、請求項４記載の使用。
  6. 式（Ｉ）中の基
    Figure 2012505535
     は、次の意味：
    ５又は６個の環原子を有するＳｉ含有環、前記環は少なくとも２箇所不飽和であり、Ｓｉ原子の他に、他のヘテロ原子を有しないか又はＳ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、有利にＯ及びＮから選択される１個の他のヘテロ原子を有する基を有し、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよく、前記Ｓｉ含有環は、２又は３個の、有利に３個の環から構成された縮合環系の部分であることができ、Ｓｉ含有環の他に、上記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和の、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよく、かつＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、有利にＳ及びＮから選択される１つ又は２つのヘテロ原子を有する基を有していてもよいを有することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の使用。
  7. 式（Ｉ）中の基
    Figure 2012505535
     は、次の式（Ｓｉａ）
    Figure 2012505535
     を有し、
    上記式中、
    Ｚは、結合を意味するか又はＮＲ14、ＣＲ15Ｒ16、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
    Ｒ10〜Ｒ13は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又はＲ10及びＲ11及び／又はＲ12及びＲ13及び／又はＲ10及びＲ12は、それぞれ相互に無関係に、これらが結合している式（Ｓｉａ）中のＳｉ含有環の両方のそれぞれの炭素原子と一緒になって、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、前記環式基は１、２又は３つの二重結合を有することができ、かつＮ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１つ又は２つのヘテロ原子を有する基を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、前記５又は６個の環原子を有する環式基は、更に５又は６個の環原子を有する１つ又は複数の他の環式基と縮合されていてもよく；
    Ｒ14は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；かつ
    Ｒ15、Ｒ16は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にフェニル又はアルキルを意味することを特徴とする、請求項６記載の使用。
  8. 式（Ｉ）中の基
    Figure 2012505535
     は、次の式（Ｓｉａａ）
    Figure 2012505535
     を有し、
    上記式中、
    Ｚは、結合を意味するか又はＮＲ14、ＣＲ15Ｒ16、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
    Ｒ14は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；かつ
    Ｒ15、Ｒ16は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキルを意味し；
    Ｒ17、Ｒ18は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又は２つの隣接する基Ｒ17及び／又は２の隣接する基Ｒ18は、それぞれ相互に無関係に、これらが結合している２つのそれぞれの炭素原子と一緒に、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、上記環式基は、１、２又は３個の二重結合を有することができ、かつＮ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１又は２つのヘテロ原子を有する基を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
    ｎ、ｍは、相互に無関係に、０、１、２、３又は４、有利に０、１又は２、特に有利に０又は１、更に特に有利に０を意味することを特徴とする、請求項７記載の使用。
  9. 式（Ｉ）の化合物は次の式（Ｉａ）を有し：
    Figure 2012505535
     上記式中、
    Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＲ5、ＳＯ、ＳＯ2又はＰＲ6、有利にＳ、Ｏ又はＮＲ5、特に有利にＳ又はＯを意味し；
    Ｙは、結合、ＮＲ5、ＣＲ7Ｒ8、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利に結合又はＮＲ5、特に有利に結合を意味し；
    Ｑ1〜Ｑ8は、相互に無関係に、ＣＲ9又はＮ、有利に相互に無関係にＣＲ9を意味し、その際、基Ｑ1〜Ｑ8の１つを介して基
    Figure 2012505535
     のＳｉ原子への結合が行われ、この基はＣを意味し；
    Ｒ5、Ｒ6は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアリール又はアルキル、特に有利にフェニルを意味し；
    Ｒ7、Ｒ8は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
    Ｒ9は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利に水素、アルキル、ヘテロアリール、ドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基又はＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4を意味し；
    Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールを表し、その際、これらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4又はこれらの基Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の２つは更に一緒になって２〜６個の環、有利に２〜３個の環からなる縮合環系を形成することができ、これらの環はそれぞれ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
    Ｚは、結合を意味するか又はＮＲ14、ＣＲ15Ｒ16、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｉ又はＳ、有利に結合を意味し；
    Ｒ14は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリール、特に有利にフェニルを意味し；
    Ｒ15、Ｒ16は、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル又はアリールを意味し；
    Ｒ17、Ｒ18は、相互に無関係にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール又はドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又は２つの隣接する基Ｒ17及び／又は２の隣接する基Ｒ18は、それぞれ相互に無関係に、これらが結合している２つのそれぞれの炭素原子と一緒に、５又は６個の環原子を有する環式基を形成し、上記環式基は、１、２又は３個の二重結合を有することができ、かつＮ、Ｏ、ＳＯ、ＳＯ2又はＳ、有利にＮから選択される１又は２つのヘテロ原子を有する基を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
    ｎ、ｍは、相互に無関係に、０、１、２、３又は４、有利に０、１又は２、特に有利に０又は１、更に特に有利に０を意味し；
    Ｒ1は、
    Figure 2012505535
     アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリール、特に有利にアルキル、フェニル、ナフチル、インデニル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、フェナントロリニル又はフルオレニル、更に特に有利にメチル、フェニル又はジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はアザカルバゾリルを意味する
    ことを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の使用。
  10. 式（Ｉｂ）
    Figure 2012505535
     ［上記式中、
    Ａ′は、少なくとも３つ、有利に３または４つ、特に有利に３つの縮合された環から構成される縮合環系を有し、これらの環は相互に無関係に４〜１０、有利に５〜７、特に有利に５又は６の環原子を有しかつ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和の、並びに非置換であるか又は１つ若しくは複数の置換基で置換されていてもよく、上記置換基はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基、有利にアルキル、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択され、その際、上記縮合環系は、この縮合環系自体中に又は少なくとも１つの置換基中に、有利に縮合環系自体中に、有利にＯ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、ＳＯ、ＳＯ2及びＳｉ、特に有利にＯ、Ｓ及びＮ、更に特に有利にＳ又はＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を有する基を有し；
    Figure 2012505535
     は、相互に無関係に、それぞれ４〜１０個、有利に５〜７個、特に有利に５又は６個の、更に特に有利に５個の環原子を有するＳｉ含有環を意味し、その際、この環は、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であってもよく、Ｓｉ原子の他に、有利にＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、特に有利にＯ及びＮから選択される１つ又は複数の他のヘテロ原子を有する基を有することができ、かつ非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する置換基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記Ｓｉ含有環は、更に、少なくとも２つ、有利に２つ又は３つ、特に有利に３つの縮合した環から構成される縮合環系の部分であることができ、その際、Ｓｉ含有環の他に、上記縮合環系中の他の環は、相互に無関係に、飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和でありかつ非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１個又は数個の置換基で置換されていてもよく、かつ有利にＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2及びＮ、特に有利にＳ及びＮから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有する基を有することができ；
    Ｒ1、Ｒ1′は、相互に無関係に、Ａ、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘテロアリール、有利にアルキル、アリール又はヘテロアリール、特に有利にアルキル、フェニル、ナフチル、インデニル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、アザカルバゾリル、フェナントロリニル又はフルオレニル、更に特に有利にメチル、フェニル又はジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル又はアザカルバゾリルを意味し、その際、上記の基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく；
    Ａは、少なくとも３つの縮合環から構成された縮合環系を意味し、これらの環は相互に無関係に、４〜１０個の環原子を有し、かつ飽和又は１箇所若しくは数箇所不飽和であり、並びに非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4及びドナー作用若しくはアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基で置換されていてもよく、その際、上記の縮合環系は、縮合環系自体又は少なくとも１つの置換基中に少なくとも１つのヘテロ原子を有する］の化合物。
  11. 有機エレクトロニクス用途での請求項１０記載の式（Ｉｂ）の化合物の使用。
  12. 式（Ｉｂ）の化合物を、マトリックス材料及び／又はホール遮断材料／励起子遮断材料として使用する、請求項１１記載の使用。
  13. 有機エレクトロニクス用途が、有機発光ダイオードであることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の使用。
  14. アノードＡｎ及びカソードＫａ及び前記アノードＡｎと前記カソードＫａとの間に配置された第１の発光層Ｅ並びに場合により他の層として少なくとも１つのホール／励起子用の遮断層とを有する有機発光ダイオードにおいて、前記有機発光ダイオードが請求項１から９までのいずれか１項記載の式（Ｉ）又は請求項１０記載の式（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物を含有し、前記化合物は、これらが存在する限り、発光層中及び／又は少なくともホール／励起子用のブロック層中に存在することを特徴とする、有機発光ダイオード。
  15. 少なくとも１つの第２の発光層を有し、前記第２の発光層は前記アノードＡｎとカソードＫａとの間に配置されている、請求項１４記載の発光ダイオード。
  16. 前記第２の発光層は、請求項１から９までのいずれか１項記載の式（Ｉ）又は請求項１０に記載の式（Ｉｂ）の化合物を含有する、請求項１５記載の発光ダイオード。
  17. 前記第１の発光層Ｅの放射と、前記第２の発光層の放射とから構成される全体の放射を有する、請求項１６記載の発光ダイオード。
  18. 前記全体の放射が白色光を有する、請求項１７記載の発光ダイオード。
  19. 少なくとも１種のエミッター材料と式（Ｉ）又は（Ｉｂ）の少なくとも１種の化合物とを有する、発光層。
  20. 請求項１４から１８までのいずれか１項記載の少なくとも１つの有機発光ダイオードを有する、据え置き型ディスプレー、例えばコンピュータのディスプレー、テレビジョン、印刷機のディスプレー、台所器具のディスプレー及び広告ボード、照明、表示ボード並びにモバイル型ディスプレー、例えば携帯電話のディスプレー、ラップトップコンピュータのディスプレー、デジタルカメラのディスプレー、自動車のディスプレー、バス及び電車の目的地表示からなるグループから選択される装置。
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