JP2012502499A - 外形が形作られた基板を有する薄膜光起電モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄膜光起電モジュールの技術分野に属するものであり、さらに具体的には、本発明は、適切な薄膜光起電基板上に高分子層及び光起電デバイスを組み込んだ薄膜光起電モジュールの技術分野に属する。
本発明は、前記の薄膜光起電デバイス上の母線の上に重なるスペースの形を形作られる外形を有する、例えばガラスのような保護基板を備える、薄膜光起電モジュールを提供する。
本発明の薄膜光起電デバイスは、平坦な面から、下に横たわる光起電デバイスの母線に対してスペース的に補完する窪みとして役立つ、基板に形成された外形を備えた面まで変更された表面を備えた、保護基板を利用している。
time)を増やすることが挙げられる。しかしながら、これらの解決策の各々には欠点がある。
図1において部材12で示される本発明の基板は、本発明の光起電デバイスを形成することができる、適切な基板のいずれかであってもよい。例としては、ガラス、「硬性」の薄膜モジュールを形成する硬性プラチック板材料、例えばポリ(エチレンテレフタレート)、ポリイミド、及びフルオロポリマー等の「柔軟」な薄膜モジュールを形成する薄いプラスチックフィルムが挙げられるが、それらに限定されるものではない。一般的に、前記の基板は、350ナノメーターから1200ナノメーターの領域のほとんどの入射光を伝送することができることが好ましいが、当業者ならば、光が前記の保護基板を透過して前記光起電デバイスに入るというような変形を含め、変形が可能であることを認識するであろう。
図1の部材14で示される本発明の薄膜光起電デバイスは、直接前記の基板上に形成される。典型的なデバイスの製作工程は、第一の伝導性膜の蒸着工程、前記の第一の伝導性膜のエッチング工程、半導体膜の蒸着及びエッチング工程、第二の伝導性膜の蒸着工程、前記の第二の伝導性膜のエッチング工程、及び適用により変更される母線導体及び保護基板を適用する工程を含む。電気的な絶縁膜を任意に前記の第一の伝導性膜と基板との間の前記の基板上に形成することができる。この任意に付設される膜は、例えばシリコン膜であってもよい。
記の保護膜から形成された、電気的に相互に接続された光電池は、本発明の光起電デバイスを形成する。
ポリ(ビニルブチラール)、非可塑性ポリ(ビニルブチラール)、ポリウレタン、ポリ(エチレン−コ−ビニルアセテート)、熱可塑性ポリウレタン、ポリエチレン、ポリオレフィン、ポリ(ビニルクロリド)、シリコン、ポリ(エチレン−コ−エチルアクリレート)、部分的に中和されたエチレン/(メタ)アクリル酸コポリマーのイオノマー(Surlyn(登録商標)という商標名でDuPontより入手可能)、ポリエチレンコポリマー、グリコールで修飾されたポリエチレン(PETG)又は他の適切な高分子材料のいずれかを含む、適切な熱可塑性ポリマーならばいずれも本発明の高分子膜として使用することができる。様々な態様では、前記の高分子は、ポリ(エチレン−コ−ビニルアセテート)(EVA)又は部分的に中和されたエチレン/(メタ)アクリル酸コポリマーのイオノマーを含む。
g/moleまで増やすために、アセタール化工程において少量のジアルデヒド又はトリアルデヒドを添加してもよい(例えば、米国特許第4,902,464号明細書; 米国特許第4,874,814号明細書、米国特許第4,814,529号明細書及び米国特許第4,654,179号明細書を参照されたい)。本明細書で使用されているように、「分子量」という用語は、重量平均の分子量を意味する。
(f)(a)から(e)の前記の樹脂のいずれかの混合物(the
Encyclopedia of Polymer Science and Technology, Volume 6, 1967, Interscience Publishers, N.Y.,
pages 209-271を参照されたい)から選ばれる。
abstracts number 79992-76-0)を含む。前記のマグネシウム塩は、前記の高分子膜の接着を調節するのに有効な量として含まれる。
Science & Technology, 3rd edition, Volume 8, pages 381-399, by
B.E. Wade (2003) に開示された溶媒法を使用することができる。もう一つの態様では、本明細書に開示された水性溶媒法を使用することができる。ポリ(ビニルブチラール)は、様々な形態、例えばButvar(登録商標) resinという名称でSolutia Inc., St.
Louis, Missouriから市販されている。
agent)、及び前記の添加物等の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
図において部材30で示される本発明の保護基板は、前記のモジュールを支えるために使用することができ、しかも前記のように十分な大きさの外形を明示するために加工することができる、適切な基板であればいずれでもよい。例としては、ガラス及び剛性のプラスチックが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記の保護基板は、350ナノメーターから1,200ナノメーターの範囲の入射光の大部分を透過できることが、一般的に好ましいが、当業者は、前記の光起電デバイスに入る光のすべてが前記の基板を通って入るという変形を含め、変形が可能であることを認識するであろう。これらの態様では、前記の保護基板は、透明又はほとんど透明であることを必要としないし、例えば前記の保護基板を通って前記の光起電モジュールから退出する光を防ぐ反射フィルムであってもよい。
本発明の薄膜光起電モジュールの最終組み立ては、基板上に形成された薄膜光起電デバイス(母線とともに)と接触させて高分子膜を蒸着する工程、前記の高分子膜に接触させて基板を蒸着する工程、及び前記の組立部品を薄膜化して前記のモジュールを製作する工程を含む。
bag)プロセス又はリングプロセス(ring process)が使用される。一つの前記のプロセスにおいて、組み立て後、前記の組み立て部品をバキュームバック又はリングに入れ、そして例えば0.7-0.97大気圧のような真空下で、例えば0-60分間のような適切な時間脱空気され、ついでその温度を引き上げ、例えば70-150°Cというような温度で前記のモジュールを完成する。任意に前記のモジュールをオートクレーブして前記のモジュールを完成することもできる。様々な好ましい非オートクレーブを使用する態様では、高分子の水分含量は、例えば0.1-0.35%というように相対的に低く保たれている。
0ミリメーターの厚さの単一の板、焼きなました透明なガラス、公知の薄膜光起電デバイスに一致するパターンの前記の基板に接着された母線から構成されるであろう。
45.72センチメーター(18”)×53.98センチメーター(211/4”)の寸法のモック薄膜光起電パネルを、典型的な光起電パネルにおける厚さの工程の変更の臨界的な大きさ及び位置に近づけるために母線により調製する。
kg/m (30 PLI)及び0.030 m/s (6 fpm)で作動するシングルニップロールアセンブリー(single nip roll assembly)を通して、前記のガラス/ポリ(ビニルブチラール)インタフェースの空気を除き、前記の材料を一緒に結合させ、そして空気が再度侵入するのを防止するため縁をシールする。前記のニップロールアセンブリーを通した後、前記の薄膜化前の組み立て部品(薄膜化前の段階にある)を、前記のラミネート化の典型的な圧力及び温度条件(1.28Mpa(185 psi)及び143°Cで1時間30分サイクル)でオートクレーブする。全ての光学的な試験をパスした、前記の最終の薄膜化物は、泡がなく、結合していない部位がなく、高強度の光線下において顕著な光学的な歪みがない。
45.72センチメーター(18”)×53.98センチメーター(211/4”)の寸法のモック薄膜光起電パネルが、典型的な光起電パネルにおける厚さの工程の変更の臨界的な大きさ及び位置に近づけるために母線とともに製作される。0.38ミリメーターの厚さのポリ(ビニルブチラール)シートの部品は、最終製品の光起電モジュールのサイズより少し大きめに切断され、24℃で相対湿度18%の環境の容器に入れ、およそ12時間放置される。製作されたシートの期待される水分含量は0.39%である。
kg/m (30 PLI)及び0.030 m/s (6 fpm)で作動するシングルニップロールアセンブリー(single nip roll assembly)を通して、前記のガラス/ポリ(ビニルブチラール)インタフェースの空気を除き、前記の材料を一緒に結合させ、そして空気が再度侵入するのを防止するため縁をシールする。前記のニップロールアセンブリーを通ってきた、前記の薄膜化前の組み立て部品(薄膜化前の段階にある)を、前記のラミネート化の典型的な圧力及び温度条件(1.28Mpa(185psi)及び143°Cで1時間30分サイクル)でオートクレーブする。全ての光学的な試験をパスした、前記の最終の薄膜化物は、泡がなく、結合していない部位がなく、高強度の光線下において顕著な光学的な歪みがない。
45.72センチメーター(18”)×53.98センチメーター(211/4”)の寸法のモック薄膜光起電パネルが、典型的な光起電パネルにおける厚さの工程の変更の臨界的な大きさ及び位置に近づけるために母線とともに製作される。
kg/m (30 PLI)及び0.030 m/s (6 fpm)で作動するシングルニップロールアセンブリー(single nip roll assembly)を通して、前記のガラス/ポリ(ビニルブチラール)インタフェースの空気を除き、前記の材料を一緒に結合させ、そして空気が再度侵入するのを防止するため縁をシールする。前記のニップロールアセンブリーを通した後、前記の薄膜化前の組み立て部品(薄膜化前の段階にある)を、前記のラミネート化の典型的な圧力及び温度条件(1.28Mpa(185 psi)及び143°Cで1時間30
分サイクル)でオートクレーブする。全ての光学的な試験をパスした、前記の最終の薄膜化物は、泡がなく、結合していない部位がなく、高強度の光線下において顕著な光学的な歪みがない。
45.72センチメーター(18”)×53.98センチメーター(211/4”)の寸法のモック薄膜光起電パネルが、典型的な光起電パネルにおける厚さの工程の変更の臨界的な大きさ及び位置に近づけるために母線とともに製作される。1.14ミリメーターの厚さのポリ(ビニルブチラール)シートの部品は、最終製品の光起電モジュールのサイズより少し大きめに切断され、24℃で相対湿度3%の環境の容器に入れ、およそ12時間放置される。製作されたシートの期待される水分含量は0.08%である。
kg/m(30 PLI)及び0.030 m/s (6 fpm)で作動するシングルニップロールアセンブリー(single nip roll assembly)を通して、前記のガラス/ポリ(ビニルブチラール)インタフェースの空気を除き、前記の材料を一緒に結合させ、そして空気が再度侵入するのを防止するため縁をシールする。前記のニップロールアセンブリーを通した後、前記の薄膜化前の組み立て部品(薄膜化前の段階にある)を、予め140℃に加熱した対流式オーブン(大気圧下)に入れ、30分間加熱する。ついで、薄膜化物を前記のオーブンから取り出し、冷却する。
Claims (22)
- 薄膜光起電モジュールであって、
基板;
前記の基板と接触して配置された薄膜光起電デバイスであって、前記光起電デバイスが母線を含み、前記母線が、前記デバイスの表面から出っ張っている、デバイス;
前記光起電デバイスと接触するように配置された高分子膜;及び
前記高分子膜と接触するように配置された保護基板であって、前記保護基板が、母線に対向するように配置された窪みを提供するように形作られている、保護基板;
を含む、モジュール。 - 前記基板及び前記保護基板がガラスを含む、請求項1に記載のモジュール。
- 前記高分子膜がポリ(ビニルブチラール)を含む、請求項1に記載のモジュール。
- 前記母線の一つが、前記デバイスの表面から0.0254ミリメーターから0.508ミリメーター出っ張っており、かつ前記窪みが、前記母線の出っ張りのプラス又はマイナス0-20%の深さを有する、請求項1に記載のモジュール。
- 前記窪みが、前記母線の前記出っ張り部分と同じ断面の形態を有する溝の形態である、請求項1に記載のモジュール。
- 前記窪みが、半円形の溝の形態である、請求項1に記載のモジュール。
- 前記高分子膜が2.29ミリメーター未満の厚さを有する、請求項1に記載のモジュール。
- 前記高分子膜が0.508ミリメーター未満の厚さを有する、請求項1に記載のモジュール。
- 前記高分子膜がポリ(エチレン−コ−酢酸ビニル)又は部分的に中和されたエチレン/(メタ)アクリル酸コポリマーのイオノマーを含む、請求項1に記載のモジュール。
- 薄膜光起電モジュールを製造する方法であって、
基板上に形成された薄膜光起電デバイスを備えた基板を供給する工程であって、前記光起電デバイスが母線を含み、前記母線の一部が前記デバイスの表面から出っ張っている、工程、
前記光起電デバイスと接触するように高分子膜を配置する工程、
前記高分子膜と接触するように配置された保護基板を配置する工程であって、前記保護基板が、前記母線に対向するように配置された窪みを提供するために形作られている、工程、及び
前記基板、前記デバイス、前記高分子膜及び前記保護基板を薄膜化して、前記モジュールを形成する工程を含む、方法。 - 前記基板及び前記保護基板がガラスを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記高分子膜がポリ(ビニルブチラール)を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記母線が、前記デバイスの表面から0.0254ミリメーターから0.508ミリメーター出っ張っており、かつ前記窪みが、前記母線の出っ張りのプラス又はマイナス0-25%の深さを有する、請求項1に記載のモジュール。
- 前記窪みが、前記母線の前記出っ張り部分と同じ断面の形態を有する溝の形態である、請求項10に記載の方法。
- 前記窪みが、半円形の溝の形態である、請求項10に記載の方法。
- 前記高分子膜が2.29ミリメーター未満の厚さを有する、請求項10に記載の方法。
- 前記薄膜化工程が、非オートクレーブプロセスを使用して実施される、請求項16に記載の方法。
- 前記非オートクレーブプロセスが、ニップロール非オートクレーブプロセスである、請求項17に記載の方法。
- 前記非オートクレーブプロセスが、真空バッグ又は真空リング非オートクレーブプロセスである、請求項17に記載の方法。
- 前記高分子膜が0.508ミリメーター未満の厚さを有する、請求項10に記載の方法。
- 前記高分子膜がポリ(エチレン−コ−酢酸ビニル)又は部分的に中和されたエチレン/(メタ)アクリル酸コポリマーのイオノマーを含む、請求項10に記載の方法。
- 薄膜光起電モジュールであって、
基板上に形成された薄膜光起電デバイスを備えた基板を供給する工程であって、前記光起電デバイスが母線を含み、前記母線の一部が前記デバイスの表面からの出っ張っている、工程、
前記光起電デバイスと接触するように高分子膜を配置する工程、
前記高分子膜と接触するように配置された保護基板を配置する工程であって、前記保護基板が、前記母線に対向するように配置された窪みを提供するために形作られている、工程、及び
前記基板、前記デバイス、前記高分子膜及び前記保護基板を薄膜化して、前記モジュールを形成する工程を含む方法により製作される、モジュール。
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