JP2012502495A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 有機半導体材料を、共有結合により結合する少なくとも１つの電子吸引置換基を有し、かつ、前記有機半導体材料の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）からフラーレン誘導体の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）への電子移動を可能にする前記ＬＵＭＯを有する前記フラーレン誘導体によりドープすることを含む、半導体材料を製造する方法であって、前記フラーレン誘導体の前記ＬＵＭＯのエネルギー準位が、非誘導体化フラーレンのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも少なくとも０．５ｅＶ低い、方法。
- 前記ドープすることは、前記有機半導体材料を溶液中で前記フラーレン誘導体と混合して、その結果、それらの混合物を得るようにすることを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記混合物を、スピンコーティング、印刷、蒸発、浸漬およびドクターブレーディングからなる群から選択される手順によって基体に適用することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
- 前記ドープすることが、蒸着によって達成される、請求項１に記載の方法。
- 前記ドープすることは、前記有機半導体材料および前記フラーレン誘導体を２つの別個の供給源から共蒸発させ、基体上に堆積させることを含む、請求項４に記載の方法。
- 前記ドープすることは、前記フラーレン誘導体を前記有機半導体材料の事前に適用された層に蒸着することを含む、請求項４に記載の方法。
- 共有結合により結合する少なくとも１つの電子吸引置換基を有し、かつ、前記有機半導体材料の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）からフラーレン誘導体の最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）への電子移動を可能にする前記ＬＵＭＯを有する前記フラーレン誘導体によりドープされる有機半導体材料を含む半導体組成物であって、前記フラーレン誘導体の前記ＬＵＭＯのエネルギー準位が、非誘導体化フラーレンのＬＵＭＯのエネルギー準位よりも少なくとも０．５ｅＶ低い、組成物。
- 液体形態である、請求項７に記載の組成物。
- 請求項７に記載の組成物を含む電子デバイス。
- 前記フラーレン誘導体の前記ＬＵＭＯのエネルギー準位が前記有機半導体材料の前記ＨＯＭＯのエネルギー準位を１．７５ｅＶ未満で超える、請求項１〜９のいずれかに記載の方法、組成物またはデバイス。
- 前記有機半導体材料対前記フラーレン誘導体の比率が、約８０対２０重量パーセントから、約９９．９９対０．０１重量パーセントにまで及ぶ、請求項１〜９のいずれかに記載の方法、組成物またはデバイス。
- 前記フラーレン誘導体は下記の一般式Ｉを有する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法、組成物またはデバイス：
式中、ｎおよびｍは、前記フラーレンにおけるＲ置換基に対する炭素原子の比率を表す整数である；
Ｒは電子吸引置換基であり；
前記フラーレンは、球状フラーレン、管状フラーレン、線状フラーレンおよび平面状フラーレンからなる群から選択される。 - 前記電子吸引置換基はハロゲンであり、前記フラーレン誘導体はハロゲン化フラーレン誘導体である、請求項１２に記載の方法、組成物またはデバイス。
- 前記ハロゲン化フラーレン誘導体はハロゲン化球状フラーレン誘導体である、請求項１３に記載の方法、組成物またはデバイス。
- 前記ハロゲン化球状フラーレン誘導体はＣ６０Ｆ３６ 及びＣ ７０ Ｆ ５４ からなる群から選択される、請求項１４に記載の方法、組成物またはデバイス。
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