JP6475251B2 - 有機発光表示装置及び視野角特性を改善したトップエミッション型oled装置 - Google Patents
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Description
OLED装置は、発光位置に従って、ボトムエミッション型OLED(Bottom Emitting OLED、BEOLEDと略称される)とトップエミッション型OLED(Top Emitting OLED、TEOLEDと略称される)の二種類に分けられる。BEOLEDは、透明な酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxides、ITOと略称される)又は酸化インジウム亜鉛(Indium Zinc Oxides、IZOと略称される)電極で被覆したガラス基板にOLEDを作製する。OLEDに電圧を印加すると、OLEDから発した光は透明なITO(又はIZO)電極及びガラス基板を通過して底部から出射する。BEOLED構造において、透明なITO(又はIZO)電極は、OLEDを駆動する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFTと略称される)に接続されるが、OLEDの発光面積がTFTで損なわれるという問題が存在するため、装置の開口率(Aperture Ratio)が低くなる。
トップエミッション型OLEDは、全反射電極及び半透明電極を含み、このような構造は微小共振器効果を形成することができる。この微小共振器効果により強いマルチビーム干渉が発生し、光源に対して選択、狭窄化及び増強などの作用を果たすので、常に装置の色度を高め、特定の波長の発光強度を増強し、装置の発光色を変更するなどに用いることができる。その一方で、微小共振器効果の存在は装置の視野角特性に影響し、すなわち、視野角のシフトにつれて、発光ピークがシフトするので、ディスプレイの輝度の差異及び色度のドリフトなどの問題をもたらす。
しかし、マルチビーム干渉の抑制につれて、微小共振器効果における別の広角干渉が作用するようになり、上記解決手段は広角干渉の問題を解决できない。つまり、上記解決手段では、OLED装置における微小共振器効果への抑制作用が限られ、視野角特性を効果的に改善できないという問題を有する。
ここで、前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含むとともに、前記正孔注入層は、前記第1の電極に近接しかつ前記第1の電極の上に位置し、前記発光層は、それぞれ赤色、緑色及び青色画素領域に位置する赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を含むことを特徴とする。
また、本発明の有機発光表示装置では、緑色及び赤色画素領域において、前記正孔注入層と正孔輸送層との間に位置する光学補償層をさらに含み、前記光学補償層が少なくとも二層構造であることを特徴とする。
また、上記有機発光表示装置では、緑色画素領域の前記光学補償層は第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVである。また、赤色画素領域の前記光学補償層は第1の光学補償層、第2の光学補償層、第3の光学補償層及び第4の光学補償層を含む。前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであり、前記第3の光学補償層に用いられる材料が前記第1の光学補償層の材料と同じであり、前記第4の光学補償層に用いられる材料及び厚さが前記第2の光学補償層と同じであることを特徴とする。
又は
であることを特徴とする。
上記有機発光表示装置は、前記緑色画素領域及び赤色画素領域の第2の光学補償層の材料の一般化学式が、
であることを特徴とする。
上記有機発光表示装置は、前記緑色画素領域及び赤色画素領域の第2の光学補償層の材料がHAT(CN)であり、その分子構造が、
であることを特徴とする。
上記有機発光表示装置において、前記正孔注入層は二層構造であり、第1の電極の上に位置する第1の正孔注入層と該第1の正孔注入層の上に位置する第2の正孔注入層とを含み、該第1の正孔注入層の材料は前記第1の光学補償層に用いられる材料と同じであり、該第2の正孔注入層の材料は前記第2の光学補償層に用いられる材料と同じである。
上記有機発光表示装置において、前記第1の正孔注入層と第1の電極との間に第3の正孔注入層が設けられ、該第3の正孔注入層に用いられる材料は第2の正孔注入層と同じである。
及び
とのドーピング構造であり、そのドーピング比が100:1〜5:1であり、或いは、前記第1の光学補償層の材料は、
及び、
とのドーピング構造であり、そのドーピング比が100:1〜5:1である。
本発明において、赤色及び緑色光装置の光学補償層の厚さは異なり、それぞれのスペクトル共振周期の光路長要件を満たす。同時に、本発明の有機発光表示装置の構造を採用すると、装置の各項の光学的及び電気的性能を効果的に改善し、かつ広い材料選択範囲を得ることができる。
上記技術課題を解決するために、本発明は以下の技術手段を採用する。
本発明は、基板と、基板に積層して設けられた第1の電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第2の電極、光出力結合層とを含み、前記第2の電極の光透過率が25%以上であり、前記正孔注入層の屈折率が1.8以上である視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置を提供する。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置において、前記第2の電極は酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛又は金属銀である。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置において、前記第2の電極は第1の金属層及び第2の金属層を含み、第1の金属層がアルカリ金属又はその合金、アルカリ土類金属又はその合金であり、第2の金属層が金属銀である。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置において、前記第2の電極の厚さは10nm〜30nmである。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置において、前記発光層の発光波長が赤色波長帯にある場合、前記正孔注入層の屈折率N≧1.8である。
である。
ここで、R2、R3、R4、R5はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基から選択され、
R1は
又は
又は
であり、L1とL2はアセン化合物であり、その分子式はそれぞれ
及び
である。
又は
又は
又は
又は
又は
又は
である。
前記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、緑色及び赤色画素領域において前記正孔注入層と正孔輸送層との間に位置する光学補償層をさらに含み、前記光学補償層は少なくとも二層構造であることを特徴とする。
前記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、緑色画素領域における前記光学補償層は第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであり、赤色画素領域における前記光学補償層は第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであることを特徴とする。
前記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、緑色画素領域における前記光学補償層は第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVである。また、赤色画素領域における前記光学補償層は第1の光学補償層、第2の光学補償層、第3の光学補償層及び第4の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであり、前記第3の光学補償層に用いられる材料が前記第1の光学補償層の材料と同じであり、前記第4の光学補償層に用いられる材料及び厚さが前記第2の光学補償層と同じであることを特徴とする。
又は
であることを特徴とする。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、前記緑色画素領域及び赤色画素領域における第2の光学補償層の材料の一般化学式は、
であることを特徴とする。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置は、前記緑色画素領域及び赤色画素領域における第2の光学補償層の材料はHAT(CN)であり、その分子構造は、
であることを特徴とする。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置において、前記正孔注入層は二層構造であり、第1の電極の上に位置する第1の正孔注入層と該第1の正孔注入層の上に位置する第2の正孔注入層とを含み、該第1の正孔注入層の材料は前記第1の光学補償層に用いられる材料と同じであり、該第2の正孔注入層の材料は前記第2の光学補償層に用いられる材料と同じである。
上記視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置において、前記第1の正孔注入層と第1の電極との間に第3の正孔注入層が設けられ、該第3の正孔注入層に用いられる材料は第2の正孔注入層と同じである。
及び、
とのドーピング構造であり、そのドーピング比が100:1〜5:1であり、
或いは、前記第1の光学補償層の材料は、
及び、
とのドーピング構造であり、そのドーピング比が100:1〜5:1である。
である。
ここで、R2、R3、R4、R5がそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基から選択され、
R1が
又は
又は
であり、L1とL2がアセン化合物であり、それらの分子式はそれぞれ、
及び、
であることを特徴とする。
又は
又は
又は
又は
又は
又は
であることを特徴とする。
(1)本発明の視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、まず光透過率が25%以上の第2の電極を用いて、微小共振器効果におけるマルチビーム干渉の作用を抑制し、視野角特性を改善する。ここで、マルチビーム干渉が抑制されると、微小共振器効果における広角干渉が作用するようになるので、この広角干渉を抑制するため、本発明は高屈折率の有機材料を正孔注入層として用いる、つまり、前記正孔注入層の屈折率は1.8以上である。高屈折率の正孔注入層は極薄の第2の電極構造に合わせ、第1の電極の反射光と発光層の出射光との干渉の増強を抑制する。こうして、OLED装置における広角干渉を軽減し、微小共振器効果を抑制し、OLED装置の視野角特性を改善することができる。同時に、正孔注入層の屈折率が向上するので、正孔注入層の厚さが低下し、さらに装置全体の厚さが低下することにより、装置の生産で材料及び作業時間を節約することができる。
(2)本発明の視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、さらに光出力結合層を補助とする。前記光出力結合層の材料は、低光吸収率のバソクプロイン材料又はZnSe、ZnSなどの高屈折率の材料から選択される。この構成により、半透明金属電極の反射を減少し、内部光の出力効率を増加し、装置の視野角特性をさらに改善することができる。
(3)本発明の視野角特性を改善したトップエミッション型OLED装置では、赤色及び緑色光装置の光学補償層の厚さが異なり、それぞれのスペクトル共振周期の光路要件を満たす。同時に、本発明の有機発光表示装置の構造を採用すると、装置の各要素の光学的及び電気的性能を効果的に改善し、かつ広い材料選択範囲を得ることができる。
により、赤色光装置の有機層の厚さが最も厚く、緑色光装置の有機層の厚さがその次で、青色光装置が最も薄くなる。式(1)中、λは発光スペクトルのピーク値で、Φ1は反射層の位相角で、Φ2は陰極の位相角で、dmは有機層における各層及びITO(酸化インジウムスズ)層(すなわち反射層と第2の電極との間の各層)の厚さ(合計厚さd=Σdm)で、nmは各層に対応する屈折率で、θ0は各層に対応する出射光角度で、kは定数である。
第1の光学補償層はHOMO(最高占有分子軌道エネルギ準位)≧−5.4eVであり、かつトリフェニルアミングループを含有する材料である。第2の光学補償層は厚さが5〜15nmで、LUMO(最低非占有分子軌道エネルギ準位)≦−5.2eVである材料である。また、正孔輸送層(HTL)5もHOMO≧−5.4eVであって、トリフェニルアミノ基を含有する材料である。図2に示すように、第1の光学補償層及びHTLのHOMOエネルギ準位から第2の光学補償層のLUMOエネルギ準位を引くと、≧−0.2eVであるので、HTLと第1の光学補償層との界面で電子と正孔との分離が発生する。このため、第1の光学補償層と第2の光学補償層との界面で有效な電荷交換が行われることにより、有機層の厚さの厚すぎによる電圧上昇問題を解消できる。
を有し、また具体的には
を含む。
を有し、具体的には、
を含む。
第2の光学補償層は以下に示すHAT(CN)
であってもよい。
なお、本発明の第1の光学補償層は、上記第1の光学補償層の材料と第2の光学補償層の材料とのドーピング構造であってよく、そのドーピング比は100:1〜5:1である。
但し、以上は本発明の好ましい実施例であって、本発明の保護範囲を限定するものではない。
本実施例において、前記第1の電極2は陽極であり、全反射作用を果たす第1のAg層と前記第1のAg層に設けられた透明なITO層とを含み、第1のAg層の厚さは150nmであり、ITO層の厚さは20nmである。
また、前記第2の電極8は陰極であり、ITO、IZO又は金属銀であってよい。また、前記第2の電極8は、金属層がアルカリ金属又はその合金である第1の金属層と、アルカリ土類金属又はその合金である第2の金属層とを含む複合構造であってもよい。本実施例では、好ましくは前記第2の電極が前記の第1の金属層及び第2の金属層を含み、前記第1の金属層はMg:Ag層であり、前記第2の金属層は金属銀である。また、Mg:Ag材料層の厚さは2nmであり、MgとAgの比率関係は4:1であり、金属銀の厚さは14nmである。
前記発光層7が励起されると発光し、発した光が第1の電極2及び第2の電極8の方向へ射出する。射出した光は第1の電極2により反射された後に、正孔注入層3、正孔輸送層5、発光層7、及び電子輸送層6を通過して第2の電極8にまで至る。
本実施例に係る発光層7の発光波長は青色光波長帯にあり、すなわち発光波長が460nmである。前記正孔注入層の屈折率はN≧2.0であるが、本実施例では前記正孔注入層の屈折率として2.04を選択した。前記正孔注入層の厚さは100nm〜105nmであるが、この厚さは実際の要求に応じて選択できる。本実施例における前記正孔注入層3の厚さは好ましくは103nmである。本実施例における他の各層の厚さについては、前記正孔輸送層の厚さは20nmであり、前記発光層の厚さは20nmであり、前記電子輸送層の厚さは35nmである。
である。
また、前記正孔輸送層の材料は、前記正孔注入層の材料と同じであってよく、他の構造式の三級アミン系化合物であってよい。本実施例に係る正孔輸送層の材料の構造式は、
である。
また、発光層から発する光が可視光の波長帯にある場合、発光層の材料は発光波長帯に基づいて選択することができる。本願において発光層の発光波長帯が青色光波長帯、緑色光波長帯及び赤色光波長帯にある場合、発光層に選択される材料は従来技術の材料でよい。
但し、発光層に選択される材料は本願の着眼点の要点ではないので、本願の各々の実施例では、その説明を省略する。
本実施例は実施例5に比べると、前記発光層7の発光波長が異なるので、前記発光層に用いる材料が異なる。本実施例では、正孔注入層の厚さを変更したが、他の各層の厚さはいずれも実施例5と同じである。
であり、
前記正孔輸送層の材料の構造式は、
である。
本実施例において、極薄の第2の電極8の光透過率は25%以上であり、微小共振器効果におけるマルチビーム干渉作用を抑制し、光取り出し効率及び透過率を向上させる。さらに、同様に正孔注入層3の屈折率を向上させて、第1の電極2の反射光と発光層7の出射光との干渉の増強を抑制することにより、OLED装置の視野角特性を効果的に改善する。また、光出力結合層は、半透明金属電極の反射を減少し、内部光の出力効率を増加するので、表示装置の光学的性質をさらに改善することができる。
本実施例において、前記正孔注入層の材料の構造式は、
であり、
前記正孔輸送層の材料の構造式は、
である。
本実施例では、正孔注入層の厚さだけを変更したが、他の各層の厚さはいずれも実施例5と同じである。
本実施例において極薄の第2の電極8の光透過率は25%以上であり、微小共振器効果におけるマルチビーム干渉作用を抑制し、光取り出し効率及び透過率を向上させる。さらに、正孔注入層3の屈折率をも向上させ、第1の電極反射光と発光層の出射光との干渉の増強を抑制することにより、OLED装置の視野角特性を効果的に改善した。また、光出力結合層は半透明金属電極の反射を減少し、内部光の出力効率を増加するので、装置の視野角特性をさらに改善することができる。
前記正孔注入層3と正孔輸送層5の材料は三級アミン系化合物であり、その構造式は、
である。
前記正孔輸送層の厚さは20nmであり、前記発光層の厚さは20nmであり、前記電子輸送層の厚さは35nmである。
前記正孔輸送層3と正孔輸送層5の材料は三級アミン系化合物であり、その構造式は、
である。
前記正孔輸送層3と正孔輸送層5の材料は三級アミン系化合物であり、その構造式は、
である。
前記正孔輸送層3と正孔輸送層5の材料は三級アミン系化合物であり、その構造式は、
である。
である。
上記材料は、波長が460nmの場合、屈折率が1.8である。
である。
上記材料は、波長が510nmの場合、屈折率が1.73である。
である。
上記材料は、波長が620nmの場合、屈折率が1.67である。
また、図5は、本発明で選択した三級アミン系化合物の屈折率が波長に応じて変化する曲線及び4,4’,4’’−トリス[フェニル(m−トリル)アミノ]トリフェニルアミンの屈折率が波長に応じて変化する曲線を示す。図面から分かるように、可視光の波長帯(波長が300nmから600nmまでである)の場合、本願で選択された三級アミン系化合物の屈折率は、常に4,4’,4’’−トリス[フェニル(m−トリル)アミノ]トリフェニルアミンの屈折率より大きい。そのため、正孔注入層に本発明で選択した材料を用いると、空穴注入層の屈折率を効果的に向上させ、第1の電極2の反射光と発光層7の出射光との干渉の増強を効果的に抑制することにより、OLED装置の視野角特性を効果的に改善することができる。
Claims (7)
- 基板と、
反射性を有する第1の電極と、
半透過半反射性を有する第2の電極と、
前記第2の電極の上に位置する光出力結合層と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置する有機層とを含み、
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含み、前記正孔注入層は、前記第1の電極に近接しかつ前記第1の電極の上に位置し、前記発光層は、それぞれ赤色、緑色及び青色画素領域に位置する赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を含む有機発光表示装置であって、
前記緑色及び赤色画素領域において、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間に位置する光学補償層をさらに含み、前記光学補償層が少なくとも二層構造であることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記緑色画素領域における前記光学補償層は、第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであり、
前記赤色画素領域における前記光学補償層は、第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記緑色画素領域における前記光学補償層は、第1の光学補償層及び第2の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであり、
前記赤色画素領域における前記光学補償層は、第1の光学補償層、第2の光学補償層、第3の光学補償層及び第4の光学補償層を含み、前記第1の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第2の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−0.2eVであり、前記第3の光学補償層に用いられる材料が前記第1の光学補償層の材料と同じであり、前記第4の光学補償層に用いられる材料及び厚さが前記第2の光学補償層と同じであることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。 - 前記緑色画素領域及び前記赤色画素領域における前記第1の光学補償層の材料の一般化学式は、
又は
であることを特徴とする請求項2又は3に記載の有機発光表示装置。 - 前記緑色画素領域及び前記赤色画素領域における前記第2の光学補償層の材料の一般化学式は、
であることを特徴とする請求項2又は3に記載の有機発光表示装置。 - 前記緑色画素領域及び前記赤色画素領域における前記第2の光学補償層の材料はHAT(CN)であり、分子構造が、
であることを特徴とする請求項2又は3に記載の有機発光表示装置。 - 前記正孔注入層は二層構造であり、前記第1の電極の上に位置する第1の正孔注入層と前記第1の正孔注入層の上に位置する第2の正孔注入層とを含み、
前記第1の正孔注入層の材料は前記第1の光学補償層に用いられる材料と同じであり、
前記第2の正孔注入層の材料は前記第2の光学補償層に用いられる材料と同じであることを特徴とする請求項2又は3に記載の有機発光表示装置。
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