JP2012251155A

JP2012251155A - ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料及びそれを用いた絶縁電線

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Publication number: JP2012251155A
Application number: JP2012167882A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Kikuchi; 英行菊池; Daisuke Hino; 大輔日野; Yuji Takano; 雄二高野; Yasuhiro Funayama; 泰弘船山
Original assignee: Hitachi Magnet Wire Ltd
Current assignee: Hitachi Magnet Wire Ltd
Priority date: 2009-08-31
Filing date: 2012-07-30
Publication date: 2012-12-20
Also published as: JP2011068875A; CN102002317A; JP5265633B2; US20110048766A1; US9145505B2

Abstract

【課題】良好な柔軟性を有し、耐プレス成形性に優れた絶縁皮膜が得られるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を用いた絶縁電線を提供する。
【解決手段】溶剤中でイソシアネート成分と酸成分とを合成反応させてなり、導体上にポリアミドイミド皮膜を形成するためのポリアミドイミド樹脂絶縁塗料において、前記イソシアネート成分は、分子中に屈曲構造を有するイソシアネートが２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートからなり、前記２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを５〜５０モル％の範囲で含み、前記ポリアミドイミド皮膜の伸び率が７１％以上であることを特徴とするポリアミドイミド樹脂絶縁塗料である。
【選択図】図１

Description

本発明は、柔軟性の優れた絶縁皮膜が得られるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料及び優れた耐プレス成形性を有する絶縁電線に関するものである。

主にモータやトランスなどのコイルに用いられる絶縁電線、特に導体上に絶縁塗料を塗布、焼付けして絶縁皮膜を形成したエナメル線においては、コイルを形成するための巻回の際に過酷な加工ストレスを受ける。

このようなエナメル線への加工ストレスを低減するために、エナメル線の表面の潤滑性を向上させる方法が用いられている。例えば、エナメル線表面にパラフィン及び脂肪酸エステルを主成分とした潤滑材料を単独あるいは絶縁塗料に添加して塗布または焼付する方法、絶縁塗料に安定化されたイソシアネート及び滑剤を配合したものを焼付する方法、あるいは、絶縁塗料にチタン酸エステルを配合したものを焼付する方法、といったことが知られている（例えば、特許文献１、２）。

特に近年の地球環境保全に対する意識の高まりにより、モータやトランスなどは小型で高効率であることが望まれている。

例えば、モータにおいては、ハイブリッド自動車駆動用モータに代表されるような非常に小さなスペースに高出力のモータが組み込まれる場合が多くなっている。そのため、モータに対するエナメル線の占積率を向上させるべく、コイルを形成するエナメル線に対して、絶縁皮膜が圧縮変形するほどの加工ストレスを与えるプレス成形などが施されるケースが多くなってきた。

このようなプレス成形が施されるエナメル線には、ポリアミドイミド樹脂をベース樹脂とした絶縁塗料からなる絶縁皮膜の耐摩耗性を他の汎用エナメル線よりも向上させたエナメル線が用いられるケースが多い。

例えば、このポリアミドイミド樹脂をベース樹脂とした絶縁塗料において、ポリアミドイミド樹脂のイソシアネート成分に３，３’−ジメチルビフェニル−４，４’−ジイソシアネート（以下、ＴＯＤＩ）を用いることでポリアミドイミド樹脂の樹脂骨格を剛直化させることにより、絶縁皮膜の耐摩耗性を向上させて、プレス成形の際に、絶縁皮膜に亀裂などの損傷が発生するのを防止する。つまり、耐プレス成形性を向上させることが知られている（例えば、特許文献３、４）。

特開平９−４５１４３号公報特開平７−１３４９１２号公報特許第２９３６８９５号公報特開２００７−２７００７４号公報

しかし、従来のようなイソシアネート成分にＴＯＤＩを用いたポリアミドイミド樹脂絶縁塗料では、イソシアネート成分にＴＯＤＩを用いることによってポリアミドイミド樹脂の樹脂骨格を剛直化しているため、このポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜は柔軟性（伸び特性）が不十分となる。

絶縁皮膜に大きな圧縮変形が生じるような加工ストレスが施される最近のより過酷なプレス成形方法においては、上述したような柔軟性が不十分な絶縁皮膜の場合に、圧縮変形に対して絶縁皮膜が追従できず、亀裂などの損傷が発生してしまう場合があるという危惧があった。

そこで、本発明の目的は、良好な柔軟性を有し、耐プレス成形性に優れた絶縁皮膜が得られるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料及びそれを用いた絶縁電線を提供するものである。

上記目的を達成するために請求項１の発明は、溶剤中でイソシアネート成分と酸成分とを合成反応させてなり、導体上にポリアミドイミド皮膜を形成するためのポリアミドイミド樹脂絶縁塗料において、前記イソシアネート成分は、分子中に屈曲構造を有するイソシアネートが２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートからなり、前記２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを５〜５０モル％の範囲で含み、前記ポリアミドイミド皮膜の伸び率が７１％以上であることを特徴とするポリアミドイミド樹脂絶縁塗料である。

請求項２の発明は、前記イソシアネート成分は、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートのうち少なくとも１種からなる請求項１に記載のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料である。

請求項３の発明は、導体上に、溶剤中でイソシアネート成分と酸成分とを合成反応させてなるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布して形成されたポリアミドイミド皮膜を有する絶縁皮膜が形成されている絶縁電線において、前記ポリアミドイミド皮膜は、分子中に屈曲構造を有するイソシアネートが２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートからなり、前記２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを前記イソシアネート成分中５〜５０モル％の範囲で含むポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなり、前記ポリアミドイミド皮膜の伸び率が７１％以上であることを特徴とする絶縁電線である。

請求項４の発明は、前記絶縁皮膜は、圧縮変形したとき外径の変形率が５０％以下であるときに、変形前の絶縁破壊電圧の６０％以上の絶縁破壊電圧を有する請求項３に記載の絶縁電線である。

本発明によれば、良好な柔軟性を有し、耐プレス成形性に優れた絶縁皮膜が得られるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料及びそれを用いた絶縁電線を提供することができる。

本発明の実施の形態に係る絶縁電線の断面図である。本発明の実施の形態の変形例に係る絶縁電線の断面図である。本発明の実施の形態の他の変形例に係る絶縁電線の断面図である。

以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。なお、本発明は、ここで取り上げた実施の形態に限定されることはなく、要旨を変更しない範囲で組合せや改良が適宜可能である。

先ず図１〜図３により、本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼付して皮膜を形成してなるポリアミドイミド皮膜を有する絶縁電線１０を説明する。

図１は、導体１の直上に、本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼付して柔軟性に優れたポリアミドイミド皮膜２を形成した絶縁電線（耐プレス成形性絶縁電線）１０としたものである。

図２は、導体１の直上に他の絶縁皮膜（第１の絶縁皮膜）３を形成し、その絶縁皮膜３の上に本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けすることにより、柔軟性に優れたポリアミドイミド皮膜２を形成して絶縁電線（耐プレス成形性絶縁電線）２０としたものである。

図３は、図２の絶縁電線２０におけるポリアミドイミド皮膜２の上に、他の絶縁皮膜（第２の絶縁皮膜）４を設けて絶縁電線（耐プレス成形性絶縁電線）３０としたものである。

絶縁皮膜３、４の材質は特に限定されるものではなく、エナメル線において汎用の絶縁塗料を用いることができる。例えば、ポリイミド樹脂絶縁塗料、ポリエステルイミド樹脂絶縁塗料、ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料、Ｈ種ポリエステル樹脂絶縁塗料などが挙げられる。導体１直上の絶縁皮膜３と最上層の絶縁皮膜４の材質は、同じであっても異なっても良い。また導体１直上に本発明のポリアミドイミド皮膜２を形成し、その上に他の絶縁皮膜４を形成しても良い。最上層の絶縁皮膜４は自己潤滑層であっても良く、絶縁皮膜３は、導体１とポリアミド皮膜２との密着性を向上させる密着層であっても良い。

以下に本発明におけるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を説明する。

本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料は、原料である芳香族ジイソシアネート成分に、分子中に屈曲構造を有するイソシアネートとして、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（２，４’−ＭＤＩ）を用いることにより、得られる絶縁皮膜（ポリアミドイミド皮膜）の柔軟性（伸び特性）を向上させるとともに、耐熱性などのポリアミドイミド皮膜の一般特性を従来と同等にしたことにある。

具体的に、本発明は、上述のポリアミドイミド樹脂絶縁体塗料を用いて柔軟性に優れたポリアミドイミド皮膜を設けたことにより、絶縁電線をプレス成形し、その変形率が絶縁電線の外径（仕上外径）の５０％になっても、プレス成形前の絶縁破壊電圧の６０％以上の絶縁破壊電圧を維持できる絶縁電線とすることができる。

本発明に用いるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料は、イソシアネート成分の５〜５０モル％に、分子構造中に屈曲構造を有する２，４’−ＭＤＩを使用する。またイソシアネート成分には、直鎖構造を有する４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（４，４’−ＭＤＩ）を併用することが望ましい。一般のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料の優れた特性を損なわずに柔軟性を向上させるために、２，４’−ＭＤＩが最も好適である。なお、４，４’−ＭＤＩの異性体として、３，４’−ＭＤＩ、３，３’−ＭＤＩ、２，３’−ＭＤＩ、２，２’−ＭＤＩがあるが、これらを４，４’−ＭＤＩの替わりに用いても４，４’−ＭＤＩと併用しても良い。

２，４’−ＭＤＩの配合比は５〜５０モル％が望ましく、１０〜４０モル％の範囲がなお望ましい。５モル％未満ではポリアミドイミド皮膜の伸びを改善する効果が低く、５０モル％以上では合成時の反応性が悪化し、特性の低下も伴うので、好ましくない。

その他併用可能なイソシアネート成分としては、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルエーテルジイソシアネート（ＥＤＩ）、ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、フェニレンジイソシアネート（ＰＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、ジフェニルスルホンジイソシアネート（ＳＤＩ）、ビトリレンジイソシアネート（ＴＯＤＩ）やジアニシジジイソシアネート（ＤＡＤＩ）などの芳香族ジイソシアネート類やビフェニル構造を有するもの、及びそれらの異性体が好適であり、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（Ｈ−ＭＤＩ）、水添ＸＤＩなどの脂肪族ジイソシアネート類やまたトリフェニルメタントリイソシアネートなどの多官能イソシアネートやポリメリックイソシアネート、あるいはＴＤＩなどの多量体なども必要に応じ併用することが可能である。

酸成分としては、トリメリット酸無水物（ＴＭＡ）を単独で用いるのが最も好適であるが、必要に応じ、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（Ｓ−ＢＰＤＡ）、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）等の芳香族テトラカルボン酸二無水物及びその異性体類やブタンテトラカルボン酸二無水物や５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物等の脂環式テトラカルボン酸二無水物類、又はトリメシン酸やトリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート（ＣＩＣ酸）などのトリカルボン酸及びその異性体類などを併用しても良いが、耐熱性や伸び特性の改善を阻害しないものが望ましい。

ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料の合成時においては、アミン類やイミダゾール類、イミダゾリン類などの反応触媒を使用しても良いが、塗料の安定性を阻害しないものが望ましい。

以下に本発明における絶縁電線の耐プレス成形性評価方法を説明する。

耐プレス成形性を評価する方法は、特に限定はなく、絶縁電線を圧縮変形したときの変形（成形）量が把握できる方法であれば、どのような方法を用いても良い。例えば、ハードクロムメッキ及び鏡面研磨を施した金属プレートを２枚備えた成形治具をもちいて、絶縁電線を均一にプレス成形できるものが好適である。絶縁電線の変形量を規定できるようにハイトゲージを備えたものや金型が規定値以上にプレスできないような構造を備えたもの、あるいは、ギャップ調整用のプレートを備えたものであれば、なお良い。絶縁電線を所定の変形量となるようにプレス成形した後、この絶縁電線の絶縁破壊電圧を測定することで、耐プレス成形性を評価する。絶縁破壊電圧を測定する際の方法としては、例えば、プレス成形した絶縁電線同士を対よりして２線間で測定する方法やプレス成形した絶縁電線の単線における絶縁皮膜に電極を設けて、導体と電極間に電圧を印加させて測定する方法などがあるが、その方法においても特に限定されるものではない。電極においても、特に限定されるものはなく、電極の機能を果たせば良い。最も好適な用法としては、プレス成形した絶縁電線の単線を液体電極（水銀、低温溶融金属、食塩水、グリセリンと食塩水の混合溶液など）に浸漬させて行う方法が測定精度が高く良い。

以下に実施例１〜１０と比較例１〜８を説明する。
実施例１〜１０、各比較例１〜８は、次のように行った。

ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料は、以下の方法によって合成反応させて作製した。まず、撹拌機、還流冷却管、窒素流入管、温度計を備えたフラスコに表１（実施例１〜１０）、表２（比較例１〜８）に示す原料を投入し、窒素雰囲気中で撹拌しながら約１時間で１３０℃まで加熱し、還元粘度が約０．５ｄ１／ｇのポリアミドイミド樹脂溶液が得られるように、この温度で２時間反応させた後、ポリアミドイミド樹脂１００質量部に対し、溶媒成分３００質量部となるように溶剤希釈にて作製した。

実施例１〜７は、図１で説明した絶縁電線１０であって、導体１上に本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（表１に示した高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を塗布・焼き付けしてポリアミドイミド皮膜２（下層）を形成した絶縁電線としたものである。実施例８は、図３で説明した絶縁電線３０であって、導体１上に絶縁皮膜３として高密着性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜３（下層）を形成し、その高密着性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜３上に、本発明のポリアミドイミド絶縁塗料（表１に示した高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を塗布・焼き付けしてポリアミドイミド皮膜２（中層）を形成し、さらにそのポリアミドイミド皮膜２上に自己潤滑性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼き付けし、絶縁皮膜４（上層）を形成して絶縁電線３０としたものである。実施例９は、図２で説明した絶縁電線２０であって、導体１上に高密着性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜３（下層）を形成し、その高密着性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜３上に本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（表１に示した高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を塗布・焼き付けし、ポリアミドイミド皮膜２（上層）を形成して絶縁電線２０としたものである。実施例１０は、導体１上に本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（表１に示した高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を塗布・焼き付けし、ポリアミドイミド皮膜（下層）を形成し、そのポリアミドイミド皮膜上にポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼き付けし、絶縁皮膜（上層）を形成して絶縁電線としたものである。

比較例１〜５は、導体上に表２に示した組成のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼き付けし、絶縁皮膜（下層）を形成した絶縁電線である。比較例６は、高密着性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼き付けして絶縁皮膜（下層）を形成し、その皮膜上に表２に示したポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布焼き付けし、ポリアミドイミド樹脂の絶縁皮膜（中層）を形成し、さらに自己潤滑性ポリアミドイミド樹脂を塗布・焼き付けして絶縁皮膜（上層）を形成した絶縁電線である。比較例７は、高密着性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布・焼き付けし、絶縁皮膜（下層）を形成し、その皮膜上に表２に示したポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布焼き付けしてポリアミドイミド樹脂の絶縁皮膜（上層）を形成した絶縁電線である。比較例８は、表２に示した組成のポリアミドイミド樹脂の絶縁皮膜（下層）を形成し、その皮膜上にポリアミドイミド樹脂を塗布・焼き付けして絶縁皮膜（上層）を形成した絶縁電線である。

実施例１〜１０及び比較例１〜８における、ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料の性状、ポリアミドイミド皮膜の伸び率、得られた絶縁電線の一般特性について、ＪＩＳＣ３００３に準拠して評価した結果を表１、表２に示す。なお、ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料の性状、ポリアミドイミド皮膜の伸び率について、実施例１〜７、１０、および比較例１〜５，８においては下層、実施例８、および比較例６においては中層、実施例９、および比較例７においては上層を評価した。

また、絶縁電線の耐プレス成形性は、ハードクロムメッキ及び鏡面研磨を施した金属プレートを２枚備えた成形治具をもちいて、プレス機により絶縁電線のプレス成形を行った。そのプレス成形時の変形量は０．３３４ｍｍ（変形率４０％）、０．４３０ｍｍ（変形率５０％）、０．５１６ｍｍ（変形率６０％）とした。その後、プレス成形した後の絶縁電線の絶縁破壊電圧を測定した。絶縁破壊電圧はプレス成形した絶縁電線をグリセリンと飽和食塩水の混合溶液中に浸漬し、商用周波数の電圧を印加し、５００Ｖ／秒ずつ電圧を上昇させ、電流が１０ｍＡになったときを絶縁破壊とみなし、絶縁破壊電圧を測定した。

（実施例１）
イソシアネート成分として１２．５ｇ（０．０５モル）の２，４’−ＭＤＩ（ジフェニルメタンジイソシアネート）と２３７．５ｇ（０．９５モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

上記ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を０．８ｍｍの銅導体上に塗布、焼付けし、皮膜厚３１μｍのエナメル線を得た。

（実施例２）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと２００．０ｇ（０．８０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

（実施例３）
イソシアネート成分として１２５．０ｇ（０．５０モル）の２，４’−ＭＤＩと１２５．０ｇ（０．５０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

上記ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を０．８ｍｍの銅導体上に塗布、焼付けし、皮膜厚３０μｍのエナメル線を得た。

（実施例４）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと１３９．２ｇ（０．８０モル）のＴＤＩ、酸成分として１７２．８ｇ（０．９モル）のＴＭＡと２１．８ｇ（０．１モル）のＰＭＤＡ及び溶剤として９００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、２５０ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

（実施例５）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと１５０．０ｇ（０．６０モル）の４，４’−ＭＤＩ、２５．２ｇ（０．１０モル）のＥＤＩ、２１．０ｇ（０．１０モル）のＮＤＩ、酸成分として１７２．８ｇ（０．９モル）のＴＭＡと３２．２ｇ（０．１モル）のＢＴＤＡ及び溶剤として１０５０ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

（実施例６）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと２００．０ｇ（０．８０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１７２．８ｇ（０．９モル）のＴＭＡと３２．２ｇ（０．１モル）のＢＴＤＡ及び溶剤として１０５０ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

（実施例７）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと２００．０ｇ（０．８０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１５３．６ｇ（０．８モル）のＴＭＡと６２．０ｇ（０．２モル）のＯＤＰＡ及び溶剤として１０５０ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

（実施例８）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと２００．０ｇ（０．８０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

０．８ｍｍの銅導体上に、各種ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けし、３層合計の皮膜厚が３１μｍのエナメル線を得た。構造は下層に高密着ポリアミドイミド皮膜、中間層に上記高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜、上層に自己潤滑性ポリアミドイミド皮膜とした。

（実施例９）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤＩと２００．０ｇ（０．８０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

０．８ｍｍの銅導体上に、各種ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けし、２層合計の皮膜厚が３０μｍのエナメル線を得た。構造は下層に高密着ポリアミドイミド皮膜、上層に上記高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜とした。

（実施例１０）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の２，４’−ＭＤ１と２００．０ｇ（０．８０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料（高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料）を得た。

０．８ｍｍの銅導体上に、各種ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けし、２層合計の皮膜厚が３０μｍのエナメル線を得た。構造は下層に上記高柔軟性ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜、上層に一般的なポリアミドイミド皮膜とした。

（比較例１）
イソシアネート成分として２５０．０ｇ（１．００モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

上記ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を０．８ｍｍの銅導体上に塗布、焼付けし、皮膜厚
３１μｍのエナメル線を得た。

（比較例２）
イソシアネート成分として５．０ｇ（０．０２モル）の２，４’−ＭＤＩと２４５．０ｇ（０．９８モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

（比較例３）
イソシアネート成分として１７５．０ｇ（０．７０モル）の２，４’−ＭＤＩと７５．０ｇ（０．３０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰ、反応触媒としてジメチルイミダゾール２．２ｇを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

（比較例４）
イソシアネート成分として５０．０ｇ（０．２０モル）の４，４’−ＭＤＩと１３９．２ｇ（０．８０モル）のＴＤＩ、酸成分として１７２．８ｇ（０．９モル）のＴＭＡと２１．８ｇ（０．１モル）のＰＭＤＡ及び溶剤として９００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、２５０ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

（比較例５）
イソシアネート成分として２５０．０ｇ（１．０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１７２．８ｇ（０．９モル）のＴＭＡと３２．２ｇ（０．１モル）のＢＴＤＡ及び溶剤として１０５０ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

（比較例６）
イソシアネート成分として２５０．０ｇ（１．０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

０．８ｍｍの銅導体上に、各種ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けし、３層合計の皮膜厚が３１μｍのエナメル線を得た。構造は下層に高密着ポリアミドイミド皮膜、中間層に上記ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜、上層に自己潤滑性ポリアミドイミド皮膜とした。

（比較例７）
イソシアネート成分として２５０．０ｇ（１．０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

０．８ｍｍの銅導体上に、各種ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けし、２層合計の皮膜厚が３０μｍのエナメル線を得た。構造は下層に高密着ポリアミドイミド皮膜、上層に上記ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜とした。

（比較例８）
イソシアネート成分として２５０．０ｇ（１．０モル）の４，４’−ＭＤＩ、酸成分として１９２．０ｇ（１．０モル）のＴＭＡ及び溶剤として１０００ｇのＮＭＰを投入し、合成を行った後、３００ｇのＤＭＦで希釈し、樹脂分濃度２５質量％のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を得た。

０．８ｍｍの銅導体上に、各種ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けし、２層合計の皮膜厚が３０μｍのエナメル線を得た。構造は下層に上記ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなる絶縁皮膜、上層に一般的なポリアミドイミド皮膜とした。

表１に示されたように、実施例１〜実施例１０で得られたエナメル線としての絶縁電線の特性はポリアミドイミド皮膜の伸び率が良好であり、耐プレス成形性も非常に良好であった。

すなわち、実施例１〜１０で得られた絶縁電線では、本発明のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなるポリアミドイミド絶縁皮膜が良好な柔軟性を有することによって耐プレス成形性に優れる結果となったと考えられる。

これに対し、表２に示すように比較例１は、４，４’−ＭＤＩ／ＴＭＡを等モルで合成した一般的なポリアミドイミド皮膜を有する絶縁電線であるが、ポリアミドイミド皮膜の伸び率、耐プレス成形性が実施例１〜１０よりも劣っている。

比較例２は、２，４’−ＭＤＩの配合量（０．０２モル）が少なすぎるため、ポリアミドイミド皮膜の伸び率、耐プレス成形性の向上効果が出ておらず、２，４’−ＭＤＩの配合量（０．７０モル）が多い比較例３は、反応触媒を使っても還元比粘度の上昇が少なく、分子量が上がっていないため、ポリアミドイミド皮膜の伸び率、耐プレス成形性の向上効果が少なかったと推測される。

よって、イソシアネート成分として、屈曲構造を有する２，４’−ＭＤＩの配加量は、５〜５０モル％がよい。

その他の比較例４〜８は、屈曲構造を有する２，４’−ＭＤＩを使用しないためポリアミドイミド皮膜の伸び率、耐プレス成形性が悪い結果となっている。

また、実施例１〜１０において、比較例に示す従来のポリアミドイミド皮膜を有する絶縁電線（例えば、比較例１、４〜８）と比べて、可とう性、耐摩耗性、密着性、熱劣化性は同等の特性を有することが判る。

特に可とう性においては、実施例１〜１０の方が、伸長された場合であっても優れていることが判る。すなわち、実施例１〜１０で得られた絶縁電線は、良好な柔軟性を有するものである。

１導体
２ポリアミドイミド皮膜
１０絶縁電線

Claims

溶剤中でイソシアネート成分と酸成分とを合成反応させてなり、導体上にポリアミドイミド皮膜を形成するためのポリアミドイミド樹脂絶縁塗料において、
前記イソシアネート成分は、分子中に屈曲構造を有するイソシアネートが２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートからなり、前記２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを５〜５０モル％の範囲で含み、
前記ポリアミドイミド皮膜の伸び率が７１％以上であることを特徴とするポリアミドイミド樹脂絶縁塗料。
前記イソシアネート成分は、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ジフェニルエーテルジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートのうち少なくとも１種からなる請求項１に記載のポリアミドイミド樹脂絶縁塗料。
導体上に、溶剤中でイソシアネート成分と酸成分とを合成反応させてなるポリアミドイミド樹脂絶縁塗料を塗布して形成されたポリアミドイミド皮膜を有する絶縁皮膜が形成されている絶縁電線において、
前記ポリアミドイミド皮膜は、分子中に屈曲構造を有するイソシアネートが２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートからなり、前記２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを前記イソシアネート成分中５〜５０モル％の範囲で含むポリアミドイミド樹脂絶縁塗料からなり、
前記ポリアミドイミド皮膜の伸び率が７１％以上であることを特徴とする絶縁電線。
前記絶縁皮膜は、圧縮変形したときの外径の変形率が５０％以下であるときに、変形前の絶縁破壊電圧の６０％以上の絶縁破壊電圧を有する請求項３に記載の絶縁電線。