JP2012249457A - 半導体モジュール、及び、それを用いた駆動装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 高周波電流による放射磁界の発生を抑制する半導体モジュール、及び、それを用いた駆動装置を提供する。
【解決手段】 三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）インバータ回路を構成するＭＯＳ８１〜８６を備えるパワーモジュール６０Ａにおいて、Ｕ相用の半導体ユニットを例に取ると、電源側導体５５２は、上ＭＯＳ８１が搭載される第１幅広部５６と、第１幅広部５６から電源電圧端子６５２まで延びる第１幅狭部５７とを有する。第１幅狭部５７は、第１幅広部５６のグランド側導体５５３寄りに、グランド側導体５５３と隣接して設けられる。これにより、電源電圧端子６５２からグランド端子６５３へ至る電流経路Ｒｉを可及的に短くし、高周波電流のループ面積を可及的に小さくすることができる。よって、ＭＯＳ８１、８４のスイッチング動作に起因して流れる高周波電流による放射磁界の発生を抑制することができる。
【選択図】 図５

Description

本発明は、半導体モジュール、及び、それを用いた駆動装置に関する。
従来、トランジスタ等の半導体素子のオンおよびオフを切り替えることにより直流電力から交流電力を作出するインバータ装置が知られている。例えば特許文献１には、三相交流電力を作出する半導体素子、正極直流端子、負極直流端子、出力端子等を一体化した半導体装置が開示されている。
特許第３６３３４３２号公報
特許文献１の半導体装置では、正極直流端子と負極直流端子とで電流経路を並列化する（図２参照）ことによりインダクタンスを低減している。しかしながら、半導体スイッチのスイッチング動作に起因して流れる高周波電流から発生する放射磁界に対しての配慮は何らなされていない。すなわち、正極直流端子および負極直流端子は、端子部の幅と半導体スイッチが搭載される搭載部の幅とが略同等である。このような構成では、大電流に対応する場合、端子部および搭載部の幅を同程度に拡張することとなる。そのため、正極直流端子から負極直流端子に至る電流経路が長くなり、周波数によっては、発生する放射磁界が増加する場合がある。
放射磁界が発生すると、例えば半導体モジュールが接続される基板に他に接続されるコネクタ、導電部材（バスバー等）、コイルやコンデンサ等の電子部品等との間で磁気結合が生じ、機器の誤動作や他機器へのノイズ流出を引き起こすおそれがある。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、スイッチング素子のスイッチング動作に起因して流れる高周波電流による放射磁界の発生を抑制する半導体モジュール、及び、それを用いた駆動装置を提供することにある。
請求項１に記載の半導体モジュールは、直流電流を交流電流に変換するインバータを構成する複数のスイッチング素子を備える半導体モジュールである。
この半導体モジュールは、高電位側に設けられる高電位側スイッチング素子、低電位側に設けられる低電位側スイッチング素子、高電位側導体、負荷側導体、低電位側導体、第１接続導体、第２接続導体およびモールド部を備える。
高電位側導体は、高電位源に接続する高電位端子を有し、高電位側スイッチング素子が搭載され、電位側スイッチング素子のドレインまたはドレイン相当電極と接続する。
負荷側導体は、負荷に接続する負荷端子を有し、低電位側スイッチング素子が搭載され、低電位側スイッチング素子のドレインまたはドレイン相当電極と接続する。
低電位側導体は、高電位端子と同方向に延び低電位源に接続する低電位端子を有する。
第１接続導体は、高電位側導体上の高電位側スイッチング素子のソースまたはソース相当電極と負荷側導体とを接続する。
第２接続導体は、負荷側導体上の低電位側スイッチング素子のソースまたはソース相当電極と低電位側導体とを接続する。
モールド部は、高電位側スイッチング素子、低電位側スイッチング素子、高電位側導体、負荷側導体、低電位側導体、第１接続導体および第２接続導体を一体にモールドする。
そして、高電位側導体は、高電位側スイッチング素子が搭載される第１幅広部と、当該第１幅広部から高電位端子まで延びる第１幅狭部とを有し、第１幅狭部は、第１幅広部の低電位側導体寄りに設けられる。
ここで、「ドレインまたはドレイン相当電極」および「ソースまたはソース相当電極」については、例えば、スイッチング素子がＭＯＳＦＥＴ等の場合には「ドレイン」および「ソース」に該当し、スイッチング素子がＩＧＢＴ等の場合には「エミッタ」が「ドレイン相当電極」に、「コレクタ」が「ソース相当電極」に相当する。
この構成により、高電位端子は第１幅広部の低電位側導体寄りに設けられるため、高電位側端子から低電位側端子へ至る電流経路を可及的に短くし、高周波電流のループ面積を可及的に小さくすることができる。よって、スイッチング素子のスイッチング動作に起因して流れる高周波電流による放射磁界の発生を抑制することができる。その結果、半導体モジュールが接続される基板に他に接続されるコネクタ、導電部材、電子部品等との間の磁気結合を抑制し、機器の誤動作や他機器へのノイズ流出を回避することができる。
請求項２に記載の発明では、高電位側導体の第１幅狭部は、低電位側導体と隣接して設けられる。
これにより、高電位側端子から低電位側端子へ至る電流経路を一層短くし、高周波電流のループ面積を一層小さくすることができる。よって、放射磁界の発生をさらに抑制することができる。
さらに請求項３に記載の発明では、負荷側導体は、低電位側導体に対して高電位側導体と同じ側に低電位側導体と隣接して設けられ、低電位側スイッチング素子が搭載される第２幅広部と、当該第２幅広部から負荷端子まで延びる第２幅狭部とを有する。
仮に、負荷側導体を低電位側導体に対して高電位側導体と反対側に設けると、第２接続導体は負荷側導体をジャンプするように配線する必要がある。そこで、請求項３に記載の構成とすることで、第２接続導体をジャンプ配線とすることを回避することができる。
請求項４に記載の発明では、負荷端子は、高電位端子および低電位端子と同方向に延びる。ここで、請求項４が請求項３を引用する場合には、負荷側導体の第２幅広部は、高電位側導体の第１幅広部よりも幅広に形成され、第２幅狭部は、高電位側導体の第１幅狭部に対し低電位側導体の反対側に設けられることとなる。したがって、低電位端子、高電位端子、負荷端子がこの順に配列される。
低電位端子、高電位端子、負荷端子を同一方向にまとめることにより、例えば、これらの端子を１枚のパワー基板に接続し、スペースを集約したり作業性を向上したりすることができる。或いは、負荷端子を負荷に接続する導電部材に溶接することとしてもよい。
請求項５〜７に記載の発明では、第１接続導体および第２接続導体の具体的な構成を特定する。第１接続導体および第２接続導体の少なくともいずれか一方は、請求項５に記載の発明ではボンディングワイヤであり、請求項６に記載の発明では銅クリップであり、請求項７に記載の発明ではシャント抵抗である。
銅クリップは、ボンディングワイヤに比べて断面積が大きく、電流の抵抗を小さくすることができる。シャント抵抗は、負荷に供給される電流を検出することができる。
請求項８に記載の発明では、高電位側スイッチング素子、低電位側スイッチング素子、高電位側導体、負荷側導体、低電位側導体、第１接続導体および第２接続導体から構成される半導体ユニットを複数備える。
例えば、三相ブラシレスモータを駆動するためのインバータを構成する半導体モジュールは、３組の半導体ユニットを備えればよい。
請求項９に記載の発明では、高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子の制御信号が入力される制御端子が、高電位端子および低電位端子の設けられる側と反対側に設けられる。
これにより、半導体モジュールの一方の側に、高電位端子および低電位端子が接続されるパワー基板を配置し、半導体モジュールの他方の側に、制御端子が接続される制御基板を配置するレイアウトに好適である。
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体モジュールを用いた駆動装置に係る発明である。駆動装置は、モータとコントロールユニットとを備える。コントロールユニットは、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体モジュール、半導体モジュールが搭載され発熱を受容可能なヒートシンク、及び、半導体モジュールと電気的に接続される基板を有し、モータの軸方向の一側に設けられる。ここで、半導体モジュールの「負荷」はモータ巻線である。
これにより、本発明の半導体モジュールを用いた駆動装置において、放射磁界の発生を抑制することができる。
本発明の第１実施形態のパワーステアリング装置の構成を説明する概略構成図である。 本発明の第１実施形態による駆動装置の斜視図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールの模式的な側面図である。 図３のＩＶ方向矢視図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールの内部構造および電流経路を示す模式図である。 本発明の第２実施形態によるパワーモジュールの内部構造および電流経路を示す模式図である。 比較例によるパワーモジュールの内部構造および電流経路を示す模式図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による半導体モジュールが適用される駆動装置について、図１、図２を参照して説明する。駆動装置１は、車両のステアリング操作をアシストするための電動パワーステアリング装置（以下、「ＥＰＳ」という。）に適用される。駆動装置１は、モータ２およびコントロールユニット３を備える。
まず、ＥＰＳの電気的構成を図１に基づいて説明する。
図１に示すように、駆動装置１は、車両のステアリング５の回転軸たるコラム軸６に取り付けられたギア７を介しコラム軸６に回転トルクを発生させ、ステアリング５による操舵をアシストする。具体的には、ステアリング５が運転者によって操作されると、当該操作によってコラム軸６に生じる操舵トルクをトルクセンサ８によって検出し、また、車速情報を図示しないＣＡＮ（Controller Area Network）から取得して、運転者のステアリング５による操舵をアシストする。もちろん、このような機構を利用すれば、制御手法によっては、操舵のアシストのみでなく、高速道路における車線キープ、駐車場における駐車スペースへの誘導など、ステアリング５の操作を自動制御することも可能である。
モータ２は、ギア７を正逆回転させる三相ブラシレスモータである。モータ２は、コントロールユニット３により電流の供給および駆動が制御される。コントロールユニット３は、モータ２を駆動する駆動電流が通電されるパワー部１００、および、モータ２の駆動を制御する制御部９０から構成される。
パワー部１００は、電源７５から電源ラインに介在するチョークコイル７６、コンデンサ７７、および、二組のインバータ８０、８９を有している。インバータ８０とインバータ８９とは、同様の構成であるので、ここではインバータ８０について説明する。
一方のインバータ８０は、電界効果トランジスタの一種であるＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor、以下、「ＭＯＳ」という。）８１〜８６を有している。ＭＯＳ８１〜８６は、ゲート電位により、ソース−ドレイン間がオン（導通）またはオフ（遮断）される。
ＭＯＳ８１は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがＭＯＳ８４のドレインに接続されている。ＭＯＳ８４のソースは、シャント抵抗９９１を介して接地されている。ＭＯＳ８１とＭＯＳ８４との接続点は、モータ２のＵ相巻線に接続されている。
ＭＯＳ８２は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがＭＯＳ８５のドレインに接続されている。ＭＯＳ８５のソースは、シャント抵抗９９２を介して接地されている。ＭＯＳ８２とＭＯＳ８５との接続点は、モータ２のＶ相巻線に接続されている。
ＭＯＳ８３は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがＭＯＳ８６のドレインに接続されている。ＭＯＳ８６のソースは、シャント抵抗９９３を介して接地されている。ＭＯＳ８３とＭＯＳ８６との接続点は、モータ２のＷ相巻線に接続されている。
また、高電位側に接続されるＭＯＳ８１〜８３を「上ＭＯＳ」、低電位側に接続されるＭＯＳ８４〜８６を「下ＭＯＳ」という。上ＭＯＳ８１〜８３および下ＭＯＳ８４〜８６は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「高電位側スイッチング素子」および「低電位側スイッチング素子」に相当する。
また、インバータ８０は、電源リレー８７、８８を有している。電源リレー８７、８８は、ＭＯＳ８１〜８６と同様のＭＯＳＦＥＴにより構成される。電源リレー８７、８８は、上ＭＯＳ８１〜８３と電源７５との間に設けられ、異常時に電流が流れるのを遮断可能である。なお、電源リレー８７は、断線故障やショート故障等が生じた場合にモータ２側へ電流が流れるのを遮断するために設けられる。また、電源リレー８８は、コンデンサ７８等の電子部品が誤って逆向きに接続された場合に逆向きの電流が流れないように、逆接保護のために設けられる。
シャント抵抗９９１〜９９３は、下ＭＯＳ８４〜８６とグランドとの間に電気的に接続される。シャント抵抗９９１〜９９３に印加される電圧または電流を検出することにより、Ｕ相巻線、Ｖ相巻線、Ｗ相巻線に通電される電流を検出する。
チョークコイル７６およびコンデンサ７７は、電源７５と電源リレー８７との間に電気的に接続されている。チョークコイル７６およびコンデンサ７７は、フィルタ回路を構成し、電源７５を共有する他の装置から伝わるノイズを低減する。また、駆動装置１から電源７５を共有する他の装置へ伝わるノイズを低減する。
コンデンサ７８は、上下ＭＯＳ及びシャント抵抗と並列に、電源側とグランド側との間に電気的に接続されている。コンデンサ７８は、電荷を蓄えることで、ＭＯＳ８１〜８６への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。
本実施形態のコンデンサ７７、７８は、アルミ電解コンデンサであり、コンデンサ７８は、コンデンサ７７よりも電気的な容量が大きいものが用いられる。なお、コンデンサ７７、７８は、アルミ電解コンデンサに限らず、容量等に応じて適宜選択可能である。
制御部９０は、プリドライバ９１、カスタムＩＣ９２、回転角センサ９３、および、マイコン９４を備えている。カスタムＩＣ９２は、機能ブロックとして、レギュレータ部９５、回転角センサ信号増幅部９６、および、検出電圧増幅部９７を含む。
レギュレータ部９５は、電源を安定化する安定化回路である。レギュレータ部９５は、各部へ供給される電源の安定化を行う。例えばマイコン９４は、このレギュレータ部９５により、安定した所定電圧（例えば５Ｖ）で動作することになる。
回転角センサ信号増幅部９６には、回転角センサ９３からの信号が入力される。回転角センサ９３は、モータ２の回転位置信号を検出し、検出された回転位置信号は、回転角センサ信号増幅部９６に送られる。回転角センサ信号増幅部９６は、回転位置信号を増幅してマイコン９４へ出力する。
検出電圧増幅部９７は、シャント抵抗９９１〜９９３の両端電圧を検出し、当該両端電圧を増幅してマイコン９４へ出力する。
マイコン９４には、モータ２の回転位置信号、および、シャント抵抗９９１〜９９３の両端電圧が入力される。また、マイコン９４には、コラム軸６に取り付けられたトルクセンサ８から操舵トルク信号が入力される。さらにまた、マイコン９４には、ＣＡＮを経由して車速情報が入力される。マイコン９４は、操舵トルク信号および車速情報が入力されると、ステアリング５による操舵を車速に応じてアシストするように、回転位置信号に合わせてプリドライバ９１を介してインバータ８０を制御する。具体的には、マイコン９４は、プリドライバ９１を介してＭＯＳ８１〜８６のゲート電圧を変化させ、オン／オフを切り替えることにより、インバータ８０を制御する。
また、マイコン９４は、検出電圧増幅部９７から入力されるシャント抵抗９９１〜９９３の両端電圧に基づき、モータ２へ供給する電流を正弦波に近づけるべくインバータ８０を制御する。なお、制御部９０は、インバータ８９についてもインバータ８０と同様に制御する。
次に、駆動装置１の構造について、図２に基づいて説明する。図２に示すように、駆動装置１は、モータ２およびコントロールユニット３を備える。本実施形態の駆動装置１では、モータ２の軸方向の一側にコントロールユニット３が設けられており、モータ２とコントロールユニット３とが積層構造になっている。なお、図２は、コントロールユニット３の外郭を形成するカバーを外した状態を示している。
モータ２は、三相ブラシレスモータであって、その外郭はモータケース１０により形成される。モータケース１０は、鉄等により筒状に形成される。モータケース１０の内部には、図示しないステータ、ロータ、シャフト等が収容され、ステータに巻回された巻線に通電される回転磁界を受けて、ロータおよびシャフトが一体となって回転する。ステータに巻回される巻線は、Ｕ相巻線、Ｖ相巻線、Ｗ相巻線からなる三相巻線を構成している。
取出線２３は、巻線の６箇所から取り出される。取出線２３は、モータケース１０の２箇所から３本ずつコントロールユニット３側へ引き出され、後述する制御基板４０およびパワーモジュール６０Ａの径方向外側の領域を通ってパワー基板７０側まで延びて形成される。図２の手前側に示されるモータケース１０の一方の穴から引き出される３本の取出線２３は、それぞれＵ相巻線、Ｖ相巻線、Ｗ相巻線に対応する。また、図２の奥側に示される３本の取出線２３は、それぞれＵ相巻線、Ｖ相巻線、Ｗ相巻線に対応する。
シャフトのコントロールユニット３の反対側の端部には、出力端２９が設けられる。また、シャフトのコントロールユニット３の反対側には、内部にギア７（図１参照）を有する図示しないギアボックスが設けられる。ギア７は、出力端２９と連結され、モータ２の駆動力によって回転駆動される。
コントロールユニット３は、「半導体モジュール」としてのパワーモジュール６０Ａ、ヒートシンク５０、並びに「基板」としての制御基板４０およびパワー基板７０等を備える。
コントロールユニット３は、外部の電子部品との接続に係るコネクタ４５、７９等の部品以外のほとんどの構成がモータケース１０を軸方向に投影した領域であるモータケース領域に収まるように設けられている。コントロールユニット３は、軸方向において、モータ２側から、制御基板４０、ヒートシンク５０およびパワーモジュール６０Ａ、パワー基板７０がこの順で配列されている。すなわち、軸方向において、モータケース１０、制御基板４０、ヒートシンク５０およびパワーモジュール６０Ａ、パワー基板７０が、この順で配列されている。
制御基板４０は、例えばガラスエポキシ基板により形成される４層基板であって、モータケース領域内に収まる板状に形成される。制御基板４０は、ヒートシンク５０に螺着される。
制御基板４０には、制御部９０を構成する各種電子部品が実装されている。制御基板４０のモータ２側と反対側の面には、プリドライバ９１、カスタムＩＣ９２、マイコン９４（図１参照）が実装されている。また、制御基板４０のモータ２側の面には、回転角センサ９３が実装されている。
制御基板４０には、外縁に沿って、パワーモジュール６０Ａの制御端子６４と接続するためのスルーホールが形成されている。また、制御基板４０には、制御コネクタ４５が接続されている。制御コネクタ４５は、モータ２の径方向外側から配線を接続可能に設けられ、トルクセンサやＣＡＮなどの信号が入力される。
ヒートシンク５０は、例えばアルミ等の熱伝導性のよい材料で形成される。ヒートシンク５０には、パワーモジュール６０Ａが螺着される幅広面を有する受熱部５２が形成される。受熱部５２は、モータケース１０から略垂直に立ち上がる方向に形成される。互いに平行に形成される２つの受熱部５２に沿って、２つのパワーモジュール６０Ａがそれぞれ配置され、ねじ６８、６９により螺着される。
パワーモジュール６０Ａは、略長方形状のモールド部６１から図２の上方向にパワー端子６５が突出し、図２の下方向に制御端子６４が突出する。パワーモジュール６０Ａは、軸方向において制御基板４０とパワー基板７０との間であって、モータ２の径方向においてヒートシンク５０の外側に縦配置される。２つのパワーモジュール６０Ａは、モータ２の回転中心線を延長した線を挟んで反対側に配置される。
ここでパワーモジュール６０Ａと図１に示す回路構成との関係に言及すると、一方のパワーモジュール６０Ａがインバータ８０に対応し、図１に示すＭＯＳ８１〜８６、電源リレー用ＭＯＳ８７、８８、およびシャント抵抗９９１〜９９３を有している。すなわち本実施形態では、ＭＯＳ８１〜８６、電源リレー用ＭＯＳ８７、８８、およびシャント抵抗９９１〜９９３が１つのパワーモジュールとして一体に樹脂モールドされている。
また、他方のパワーモジュール６０Ａがインバータ８９に対応し、インバータ８９を構成するＭＯＳ、電源リレー用ＭＯＳ、およびシャント抵抗を有し、１つのパワーモジュールとして一体に樹脂モールドされている。また、１つの受熱部５２に対して、１つの駆動系統を構成する１つのパワーモジュール６０Ａが配置されている。
パワーモジュール６０Ａの詳細については後述する。
パワー基板７０は、例えばガラスエポキシ基板で形成されるパターン銅箔が厚い４層基板であって、モータケース領域内に収まる板状に形成され、ヒートシンク５０に螺着されている。パワー基板７０には、巻線に供給される巻線電流が通電されるパワー配線が形成される。
パワー基板７０には、パワーモジュール６０Ａのパワー端子６５と接続するためのスルーホールが形成される。また、パワー基板７０のパワー端子６５が挿通されるスルーホールの外側には、取出線２３と接続するためのスルーホールが形成される。スルーホールに挿通されるパワー端子６５および取出線２３は、はんだ等により、パワー基板７０と電気的に接続される。これにより、取出線２３は、パワー基板７０を介してパワーモジュール６０Ａと接続される。
パワー基板７０のモータ２側の面には、チョークコイル７６、および、コンデンサ７７、７８が実装されている（図１参照）。チョークコイル７６、および、コンデンサ７７、７８は、ヒートシンク５０の内側に形成される空間に配置される。また、軸方向において、チョークコイル７６、コンデンサ７７、７８、および、パワーコネクタ７９は、パワー基板７０と制御基板４０との間に設けられる。
パワー基板７０には、パワーコネクタ７９が接続されている。パワーコネクタ７９は、制御基板４０と接続される制御コネクタ４５と隣り合って設けられる。パワーコネクタ７９は、モータ２の径方向外側から配線を接続可能に設けられ、バッテリ等の電源７５と接続される。これにより、パワー基板７０には、パワーコネクタ７９内のターミナル７９１を経由して電源７５から電力が供給される。また、電源７５からの電力は、パワーコネクタ７９、パワー基板７０、パワーモジュール６０Ａ、および取出線２３を経由して、モータ２のステータに巻回された巻線へ供給される。
次に、駆動装置１の作動を説明する。
制御基板４０上のマイコン９４は、回転角センサ９３、トルクセンサ８、シャント抵抗９９等からの信号に基づき、車速に応じてステアリング５の操舵をアシストするように、プリドライバ９１を介してＰＷＭ制御により作出されたパルス信号を生成する。このパルス信号は、制御端子６４を経由して、パワーモジュール６０Ａにより構成される２系統のインバータ８０、８９に出力され、ＭＯＳ８１〜８６のオン／オフの切り替え動作を制御する。これにより、モータ２の巻線の各相には、位相のずれた正弦波電流が通電され、回転磁界が生じる。この回転磁界を受けてロータおよびシャフトが一体となって回転する。そして、シャフトの回転により、出力端２９からコラム軸６のギア７に駆動力が出力され、運転者のステアリング５による操舵をアシストする。
次に、パワーモジュール６０Ａの詳細について、図３〜図５を参照して説明する。なお、図３〜図５では、インバータ８０に対応するパワーモジュール６０Ａについて示しているが、インバータ８９に対応するパワーモジュール６０Ａについても同様の構成である。
図３に示すように、パワーモジュール６０Ａとヒートシンク５０との間には、放熱シート６７が設けられる。パワーモジュール６０Ａは、放熱シート６７を挟んで、ねじ６８、６９によりヒートシンク５０に螺着され、ヒートシンク５０に保持される。これにより、パワーモジュール６０Ａへの通電により発生する熱が放熱シート６７を介してヒートシンク５０に放熱される。
また、放熱シート６７は、絶縁材料で形成され、パワーモジュール６０Ａとヒートシンク５０との絶縁を確保する。さらに、放熱シート６７をパワーモジュール６０Ａとヒートシンク５０との間に設けることにより、パワーモジュール６０Ａとヒートシンク５０との密着性を高めている。
図３〜図５に示すように、パワー端子６５および制御端子６４は、モールド部６１の上下の面から突出して設けられる。パワー端子６５および制御端子６４は、パワーコネクタ７９側から順に、電源リレー用、Ｕ相巻線用、Ｖ相巻線用、Ｗ相巻線用の各端子群に大別される。
パワー端子６５は、パワー基板７０側の第１面６２に設けられる。パワー端子６５は、パワー基板７０に形成されるスルーホールに挿通され、はんだ等によりパワー基板７０と電気的に接続される。パワー端子６５には、パワー基板７０および取出線２３を経由してモータ２の巻線に供給される巻線電流が通電される。パワーモジュール６０Ａ内のＭＯＳ８１〜８８のオン／オフを切り替えることにより、巻線電流が制御される。
本実施形態のパワー端子６５は、電源リレー用としてリレー前端子６４９およびリレー後端子６５０、Ｕ相巻線用としてモータ端子６５１、電源電圧端子６５２、グランド端子６５３、Ｖ相巻線用としてモータ端子６５４、電源電圧端子６５５、グランド端子６５６、Ｗ相巻線用としてモータ端子６５７、電源電圧端子６５８、グランド端子６５９の計１１本から構成される。
制御端子６４は、制御基板４０側の第２面６３に設けられる。制御端子６４は、制御基板４０のスルーホールに挿通され、はんだ等により制御基板４０と電気的に接続される。この制御端子６４を介して、制御基板４０からの制御信号がパワーモジュール６０Ａへ出力される。
本実施形態では、制御基板４０側には、モータ２の駆動制御に係る程度の小さい電流（例えば２００ｍＡ）しか通電されない。一方、パワー基板７０側には、モータ２を駆動するための大電流（例えば８０Ａ）が通電される。そのため、パワー端子６５は、制御端子６４よりも太く形成されている。
本実施形態の制御端子６４は、電源リレー用として端子４５０、４８７、４８８、Ｕ相巻線用として端子４５１、４５３、４８１、４８４、４９１、４９４、Ｖ相巻線用として端子４５４、４５６、４８２、４８５、４９２、４９５、Ｗ相巻線用として端子４５７、４５９、４８３、４８６、４９３、４９６の計２１本から構成される。
次に、パワーモジュール６０Ａの内部構造を図５に基づいて説明する。
図５に示すように、パワーモジュール６０Ａは、＜１＞ＭＯＳ８１〜８８、＜２＞リレー前端子６４９、リレー後端子６５０を有する導体６４９、６５０、＜３）モータ端子６５１、６５４、６５７を有するモータ側導体５５１、５５４、５５７、＜４＞電源電圧端子６５２、６５５、６５８を有する電源側導体５５２、５５５、５５８、＜５＞グランド端子６５３、６５６、６５９を有するグランド側導体５５３、５５６、５５９、＜６＞銅クリップ９００、９０３、９０４、９０５、＜７＞シャント抵抗９９１、９９２、９９３、及び、＜８＞モールド部６１を備える。
モータ端子６５１等、電源電圧端子６５２等、グランド端子６５３等、モータ側導体５５１等、電源側導体５５２等、グランド側導体５５３等は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「負荷端子」、「高電位端子」、「低電位端子」、「負荷側導体」、「高電位側導体」、「低電位側導体」、に相当する。
また、上ＭＯＳ８１、８２、８３のソースとモータ側導体５５１、５５４、５５７とを接続する銅クリップ９０３、９０４、９０５は、特許請求の範囲に記載の「第１接続導体」に相当する。下ＭＯＳ８４、８５、８６のソースとグランド側導体５５３、５５６、５５９とを接続するシャント抵抗９９１、９９２、９９３は、特許請求の範囲に記載の「第２接続導体」に相当する。
モールド部６１は、ＭＯＳ８１〜８８および各導体等を一体に樹脂モールドする。
パワーモジュール６０Ａのヒートシンク５０側の面には、各導体５４９〜５５９の一部が金属放熱部としてパワーモジュール６０Ａのモールド部６１から露出している（図示しない）。すなわち、本実施形態のパワーモジュール６０Ａは、所謂ハーフモールド型のモジュールである。本実施形態では、金属放熱部が放熱シート６７を介してヒートシンク５０の受熱部５２に接触することにより、効率よく放熱することができる。
ＭＯＳ８１〜８８を構成する半導体チップは、図５にＭＯＳ８３を例として示すように、８３１がゲートであり、８３２がソースである。ＭＯＳ８３のドレインは、半導体チップの裏面に形成され、導体５４９〜５５９に搭載される。
他のＭＯＳ８１、８２、８４〜８８についても同様である。
導体５４９〜５５９は、銅もしくは銅合金の板材により配線パターンが形成される。
導体５４９〜５５９、導体に搭載されるＭＯＳ８１〜８８、並びに、ＭＯＳ同士またはＭＯＳと導体とを接続する銅クリップ９００、９０３、９０４、９０５およびシャント抵抗９９１、９９２、９９３は、上述の「電源リレー用、Ｕ相巻線用、Ｖ相巻線用、Ｗ相巻線用の各端子群」に対応し、「電源リレー用、Ｕ相巻線用、Ｖ相巻線用、Ｗ相巻線用の各半導体ユニット」として大別される。
電源リレー用半導体ユニットは、導体５４９、５５０、ＭＯＳ８７、８８、銅クリップ９００等から構成される。
導体５４９は、チョークコイル７６を介して電源７５に接続するリレー前端子６４９を第１面６２側に有する。導体５４９には、電源リレー用ＭＯＳ８７が搭載される。
導体５５０は、リレー後端子６５０を第１面６２側に有し、リレー後電圧モニタ用の制御端子４５０を第２面６３側に有する。リレー後端子６５０は、パワー基板７０の配線を経由して、Ｕ、Ｖ、Ｗ相の各電源電圧端子６５２、６５５、６５８に接続する。導体５５０には、逆接防止用の電源リレー用ＭＯＳ８８が搭載される。ＭＯＳ８７のソースとＭＯＳ８８のソースとは、銅クリップ９００により接続される。
以上の構成により、電源７５から供給される直流電流は、リレー前端子６４９、導体６４９、ＭＯＳ８７、銅クリップ９００、ＭＯＳ８８、導体６５０、リレー後端子６５０およびパワー基板７０を経由して、Ｕ、Ｖ、Ｗ相の各電源電圧端子６５２、６５５、６５８に供給される。
その他、第２面６３側に設けられる制御端子について、制御端子４８７は、ボンディングワイヤ（以下、「ワイヤ」という。）により電源リレー用ＭＯＳ８７のゲートと接続され、制御端子４８８は、ワイヤにより電源リレー用ＭＯＳ８８のゲートと接続される。
制御部９０は、モータ２またはコントロールユニット３の異常時等に制御端子４８７、４８８を経由してＭＯＳ８７、８８のゲート電圧を切り替え、ＭＯＳ８７、８８をオフすることで、インバータ回路８０への電力供給を遮断する。
Ｕ相巻線用半導体ユニットは、電源側導体５５２、モータ側導体５５１、グランド側導体５５３、上ＭＯＳ８１、下ＭＯＳ８４、銅クリップ９０３およびシャント抵抗９９１等から構成される。
Ｖ相巻線用半導体ユニットは、電源側導体５５５、モータ側導体５５４、グランド側導体５５６、上ＭＯＳ８２、下ＭＯＳ８５、銅クリップ９０４およびシャント抵抗９９２等から構成される。
Ｗ相巻線用半導体ユニットは、電源側導体５５８、モータ側導体５５７、グランド側導体５５９、上ＭＯＳ８３、下ＭＯＳ８６、銅クリップ９０５およびシャント抵抗９９３等から構成される。
上記三相の半導体ユニットの構成は同様であるため、以下、Ｕ相巻線用半導体ユニットを代表として詳細な構成を説明する。
電源側導体５５２は、リレー後端子６５０に接続する電源電圧端子６５２を第１面６２側に有する。電源側導体５５２は、上ＭＯＳ８１が搭載される第１幅広部５６と、第１幅広部５６から電源電圧端子６５２まで延びる第１幅狭部５７とを有する。第１幅広部５６は、パワーモジュール６０Ａの第１面６２寄りに設けられる。第１幅狭部５７は、第１幅広部５６のグランド側導体５５３寄りに、グランド側導体５５３と隣接して設けられる。
上ＭＯＳ８１のソースは、銅クリップ９０３によりモータ側導体５５１と接続される。
モータ側導体５５１は、モータ２のＵ相巻線に接続するモータ端子６５１を第１面６２側に有し、電圧モニタ用の制御端子４５１を第２面６３側に有する。モータ側導体５５１は、下ＭＯＳ８４が搭載される第２幅広部５８と、第２幅広部５８からモータ端子６５１まで延びる第２幅狭部５９とを有する。第２幅広部５８は、電源側導体５５２の第１幅広部５６に対し第２面６３側に設けられ、第２幅広部５８の幅は、第１幅広部５６の幅よりも広い。また、第２幅狭部５９は、第２幅広部５８のグランド側導体５５３と反対側に設けられる。
下ＭＯＳ８４のソースは、シャント抵抗９９１によりグランド側導体５５３と接続される。
グランド側導体５５３は略直線状であり、グランドに接続するグランド端子６５３を第１面６２側に有し、電圧モニタ用の制御端子４５３を第２面６３側に有する。
以上の構成により、ＭＯＳ８１、８４のスイッチング動作に起因する高周波電流は、電源電圧端子６５２、電源側導体５５２、上ＭＯＳ８１、銅クリップ９０３、モータ側導体５５１、下ＭＯＳ８４、シャント抵抗９９１、グランド側導体５５３およびグランド端子６５３を経由する電流経路Ｒｉを流れる。
その他、第２面６３側に設けられる制御端子について、制御端子４８１は、ワイヤにより上ＭＯＳ８１のゲートと接続され、制御端子４８４は、ワイヤにより下ＭＯＳ８４のゲートと接続される。制御端子４８１、４８４を経由して上ＭＯＳ８１、下ＭＯＳ８４のゲート電圧を切り替えることでスイッチングが制御される。
制御端子４９１、４９４は、シャント抵抗９９１の両端に接続され、電圧信号を出力する。この電圧信号に基づいて、Ｕ相巻線に供給される電流の大きさが検出される。
ここで、比較例のパワーモジュール６０Ｃについて図７を参照して説明する。図７において、上ＭＯＳ８１〜８３、下ＭＯＳ８４〜８６、銅クリップ９０１〜９０３、シャント抵抗９９１〜９９３等、本発明の第１実施形態に係る構成と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。また、電源リレー用ＭＯＳ８７、８８に対応する導体等の構成に関しては比較ポイントではないため、説明を省略する。
図７に示すように、比較例のパワーモジュール６０Ｃは、Ｕ相用の電源電圧端子１２２、モータ端子１２３、グランド端子１２４、Ｖ相用の電源電圧端子１２６、モータ端子１２５、グランド端子１２４、Ｗ相用の電源電圧端子１２６、モータ端子１２７、グランド端子１２８を有している。また、各端子１２２〜１２８は、対応する導体１６２〜１６８に設けられている。
パワーモジュール６０Ｃは、グランド端子１２４およびグランド側導体１６４をＵ相用とＶ相用とで共用し、電源電圧端子１２６および電源側導体１６６をＶ相用とＷ相用とで共用することを特徴とする。そのため、必然的に、電源電圧端子とグランド端子との間にモータ端子が配置されることとなる。
しかも、電源電圧端子１２２は、電源側導体１６２の幅広部５６のグランド側導体１２４寄りではなく、幅広部５６の略中央に設けられている。また、電源電圧端子１２６は、電源側導体１６６の幅広部５６のグランド側導体１２４寄り（若しくはグランド側導体１２８寄り）ではなく、幅広部５６の略中央に設けられている。
続いて、本実施形態のパワーモジュール６０Ａの効果について、Ｕ相用半導体ユニットを代表として、比較例と対比しつつ説明する。なお、Ｖ相用、Ｗ相用の半導体ユニットについても同様である。
（１）比較例では、電源電圧端子１２２からグランド端子１２４に至る電流経路Ｒｉが長くなり、高周波電流のループ面積が大きくなる。したがって、放射磁界が発生し、図７に太いブロック矢印Ｍ０で示すようにパワー基板７０に接続されたパワーコネクタ７９等との間で磁気結合が生じる。その結果、機器の誤動作や他機器へのノイズ流出を引き起こすおそれがある。
それに対し、本実施形態では、電源電圧端子６５２は、電源側導体５５２の第１幅広部５６のグランド側導体５５３寄りに、グランド端子６５３に隣接して設けられるため、電源電圧端子６５２からグランド端子６５３へ至る電流経路Ｒｉを可及的に短くし、高周波電流のループ面積を可及的に小さくすることができる。よって、ＭＯＳ８１、８４のスイッチング動作に起因して流れる高周波電流による放射磁界の発生を抑制することができる。その結果、図４に細いブロック矢印Ｍ１で示すように、パワーコネクタ７９等との間の磁気結合を抑制し、機器の誤動作や他機器へのノイズ流出を回避することができる。
（２）本実施形態では、モータ側導体５５１は、グランド側導体５５３に対して電源側導体５５２と同じ側に設けられる。これにより、シャント抵抗９９２をジャンプ配線とすることを回避することができる。
（３）モータ側導体５５１の第２幅狭部５９は、第２幅広部５８のグランド側導体５５３と反対側に設けられる。そのため、モータ端子６５１は、電源電圧端子６５２およびグランド端子６５３と同方向である第１面６２側へ延び、１枚のパワー基板７０に接続される。これにより、スペースを集約し、作業性を向上することができる。
（４）上ＭＯＳ８１のソースとモータ側導体５５１とを接続する「第１接続導体」として銅クリップ９０１が用いられるため、ボンディングワイヤに比べて断面積が大きく、電流の抵抗を小さくすることができる。
（５）下ＭＯＳ８４のソースとグランド側導体５５３とを接続する「第２接続導体」としてシャント抵抗９９１が用いられるため、モータ２の巻線に供給される電流を検出することができる。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について図６を参照して説明する。第２実施形態のパワーモジュール６０Ｂは、第１実施形態に対し、主に電源側導体とモータ側導体との配置が異なる。その他、第１実施形態に係る構成と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。また、電源リレー用ＭＯＳ８７、８８に対応する導体等の構成に関しては説明を省略する。
図６に示すように、第２実施形態のパワーモジュール６０Ｂは、Ｕ相用の電源電圧端子６０３、モータ端子６０４、グランド端子６０５、Ｖ相用の電源電圧端子６０８、モータ端子６０７、グランド端子６０６、Ｗ相用の電源電圧端子６０９、モータ端子６１０、グランド端子６１１を有している。また、各端子６０３〜６０９は、対応する導体５０４〜５１２に設けられている。
各導体、ＭＯＳ、銅クリップおよびシャント抵抗は、第１実施形態と同様、相毎に半導体ユニットを構成する。上記三相の半導体ユニットの構成は同様であるため、代表としてＵ相巻線用半導体ユニットについて詳細な構成を説明する。
導体は、パワーコネクタ７９側から順に、電源側導体５０４、モータ側導体５０５、グランド側導体５０６の順に配置される。
電源側導体５０４は、上ＭＯＳ８１が搭載される第１幅広部５６のグランド側導体５０６寄りに、電源電圧端子６０３が延びる第１幅狭部５７が設けられる。グランド側導体５０６は、第１実施形態のグランド側導体５５３と類似する略直線状であり、第１面６２側にグランド端子６０５が設けられる。モータ側導体５０５から第１面６２側に延びるモータ端子６０４は、電源電圧端子６０３とグランド端子６０５との間に設けられる。
この構成では、電源電圧端子６０３からグランド端子６０５に至る電流経路Ｒｉは、間にモータ端子６０４を挟む分、第１実施形態に比べて長くなる。しかし、上述の比較例のパワーモジュール６０Ｃと比べると、「電源電圧端子６０３が電源側導体５０４の第１幅広部５６のグランド側導体５０６寄りに設けられている」点が異なる。そのため、間にモータ端子６０４を挟みながらも、電源電圧端子６０３とグランド端子６０５との距離を可及的に短くすることができる。したがって、第１実施形態に準ずる程度に電流経路Ｒｉを可及的に短くし、高周波電流のループ面積を可及的に小さくすることができる。よって、ＭＯＳのスイッチング動作に起因して流れる高周波電流による放射磁界の発生を抑制することができる。
（他の実施形態）
（ア）上記実施形態のパワーモジュール６０Ａ等では、電源リレー用のＭＯＳ８７、８８、及び、三相巻線に対応するＭＯＳ８１〜８６の計８つのＭＯＳが、パワーコネクタ７９側から、電源リレー用ＭＯＳ８７、８８、Ｕ相ＭＯＳ８１、８４、Ｖ相ＭＯＳ８２、８５、Ｗ相ＭＯＳ８３、８６の順に設けられている。他の実施形態では、この順に限らず、電源リレーおよび各相ＭＯＳをどのような順番で配置してもよい。
また、パワーモジュールは、電源リレー用を含まなくてもよい。
（イ）上記実施形態のパワーモジュール６０Ａ等は、上ＭＯＳおよび下ＭＯＳを各１個含む半導体ユニットを３組備え、三相ブラシレスモータに適用される。他の実施形態では、半導体ユニットの数は３組に限らず何組であってもよい。例えば、ブラシ付きモータを駆動するためのブリッジ回路に適用されるパワーモジュールは、２組の半導体ユニットを備えるようにしてもよい。
（ウ）上記実施形態では、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを用いているが、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴ以外の電界効果トランジスタ、或いは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等を用いてもよい。
ＩＧＢＴ等を用いる場合は、「エミッタ」が「ドレイン相当電極」に該当し、「コレクタ」が「ソース相当電極」に該当する。
（エ）上記実施形態では、上ＭＯＳのソースとモータ側導体とを銅クリップにより接続しているが、他の実施形態では、銅クリップに代えて、例えば電気抵抗を同等とするように複数のボンディングワイヤ等で接続してもよい。
また、上記実施形態では、下ＭＯＳのソースとグランド側導体とをシャント抵抗により接続しているが、他の実施形態では、シャント抵抗に代えて、ボンディングワイヤまたは銅クリップ等で接続してもよい。
（オ）上記実施形態では、「高電位端子」としての電源電圧端子は電源７５の電圧が供給され、「低電位端子」としてのグランド端子は接地される。その他の実施形態では、「高電位端子」および「低電位端子」は、電源およびグランド以外に設定される高電位源および低電位源に、それぞれ接続されてもよい。
（カ）モータ端子（負荷端子）は、電源電圧端子（高電位端子）およびグランド端子（低電位側端子）に対して、パワーモジュールの反対側に設けられてもよい。
（キ）上記実施形態の駆動装置１は、制御基板４０およびパワー基板７０の２枚の基板を備えているが、他の実施形態では、基板を１枚としてもよい。また、モータ２への取出線２３とパワーモジュールとをパワー基板を介さずに溶接等により接続してもよい。
（ク）上記実施形態の駆動装置１では、パワーモジュール６０Ａ等は、ヒートシンク５０に当接する側の面に、モールド部６１から露出する金属放熱部を有している。他の実施形態では、パワーモジュールは、モールド部から露出する金属放熱部を有しない所謂フルモールド型のモジュールとしてもよい。なお、この場合、放熱シート６７は、絶縁性を有するものでなくてもよい。
（ケ）本発明の半導体モジュールは、車両の電動パワーステアリング装置用の三相交流モータの駆動装置に限らず、他の駆動装置等に適用してもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
１ ・・・駆動装置
２ ・・・モータ
３ ・・・コントロールユニット
４０ ・・・制御基板（基板）
５０ ・・・ヒートシンク
５５１、５５４、５５７・・・モータ側導体（負荷側導体）
５５２、５５５、５５８・・・電源側導体（高電位側導体）
５５３、５５６、５５９・・・グランド側導体（低電位側導体）
５６ ・・・第１幅広部
５７ ・・・第１幅狭部
５８ ・・・第２幅広部
５９ ・・・第２幅狭部
６０ ・・・パワーモジュール（半導体モジュール）
６１ ・・・モールド部
６２ ・・・第１面
６３ ・・・第２面
６４ ・・・制御端子
６５ ・・・パワー端子
６５１、６５４、６５７・・・モータ端子（負荷端子）
６５２、６５５、６５８・・・電源電圧端子（高電位端子）
６５３、６５６、６５９・・・グランド端子（低電位端子）
７０ ・・・パワー基板（基板）
７９ ・・・パワーコネクタ
８１、８２、８３・・・上ＭＯＳ（高電位側スイッチング素子）
８４、８５、８６・・・下ＭＯＳ（低高電位側スイッチング素子）
８７、８８・・・電源リレー、電源リレー用ＭＯＳ
９０３〜９０５・・・銅クリップ（第１接続導体）
９９１〜９９３・・・シャント抵抗（第２接続導体）
Ｒｉ ・・・電流経路

Claims (10)

  1. 直流電流を交流電流に変換するインバータを構成する複数のスイッチング素子を備える半導体モジュールであって、
    高電位側に設けられる高電位側スイッチング素子と、
    低電位側に設けられる低電位側スイッチング素子と、
    高電位源に接続する高電位端子を有し、前記高電位側スイッチング素子が搭載され、前記高電位側スイッチング素子のドレインまたはドレイン相当電極と接続する高電位側導体と、
    負荷に接続する負荷端子を有し、前記低電位側スイッチング素子が搭載され、前記低電位側スイッチング素子のドレインまたはドレイン相当電極と接続する負荷側導体と、
    前記高電位端子と同方向に延び低電位源に接続する低電位端子を有する低電位側導体と、
    前記高電位側導体上の前記高電位側スイッチング素子のソースまたはソース相当電極と前記負荷側導体とを接続する第１接続導体と、
    前記負荷側導体上の前記低電位側スイッチング素子のソースまたはソース相当電極と前記低電位側導体とを接続する第２接続導体と、
    前記高電位側スイッチング素子、前記低電位側スイッチング素子、前記高電位側導体、前記負荷側導体、前記低電位側導体、前記第１接続導体および前記第２接続導体を一体にモールドするモールド部と、
    を備え、
    前記高電位側導体は、前記高電位側スイッチング素子が搭載される第１幅広部と、当該第１幅広部から前記高電位端子まで延びる第１幅狭部とを有し、
    前記第１幅狭部は、前記第１幅広部の前記低電位側導体寄りに設けられることを特徴とする半導体モジュール。
  2. 前記高電位側導体の前記第１幅狭部は、前記低電位側導体と隣接して設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
  3. 前記負荷側導体は、前記低電位側導体に対して前記高電位側導体と同じ側に前記低電位側導体と隣接して設けられ、前記低電位側スイッチング素子が搭載される第２幅広部と、当該第２幅広部から前記負荷端子まで延びる第２幅狭部とを有することを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
  4. 前記負荷端子は、前記高電位端子および前記低電位端子と同方向に延びることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  5. 前記第１接続導体および前記第２接続導体の少なくともいずれか一方は、ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  6. 前記第１接続導体および前記第２接続導体の少なくともいずれか一方は、銅クリップであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  7. 前記第１接続導体および前記第２接続導体の少なくともいずれか一方は、シャント抵抗であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  8. 前記高電位側スイッチング素子、前記低電位側スイッチング素子、前記高電位側導体、前記負荷側導体、前記低電位側導体、前記第１接続導体および前記第２接続導体から構成される半導体ユニットを複数備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  9. 前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子の制御信号が入力される制御端子が、前記高電位端子および前記低電位端子の設けられる側と反対側に設けられることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  10. モータと、
    前記モータの巻線と電気的に接続される請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体モジュール、前記半導体モジュールが搭載され発熱を受容可能なヒートシンク、及び前記半導体モジュールと電気的に接続される基板を有し、前記モータの軸方向の一側に設けられるコントロールユニットと、
    を備え、
    前記負荷はモータ巻線であることを特徴とする駆動装置。
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