JP2012243967A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】描画装置100は、チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する分割部70と、複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部78と、データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する外接枠作成部80と、枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部86と、異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する合成部90と、面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部94と、得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割するデータ処理領域分割部と、
少なくとも1つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する枠作成部と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する面積密度合成部と、
面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
チップ領域を複数の第1のデータ処理領域とは異なる複数の第2のデータ処理領域に分割する第2のデータ処理領域分割部と、
第1のデータ処理領域毎に作成された枠に基づいて、各第2のデータ処理領域に複数の第1のデータ処理領域の少なくとも1つを関連付けする関連付部と、
をさらに備え、
照射量演算部は、第2のデータ処理領域毎に、関連付けされた少なくとも1つの第1のデータ処理領域における面積密度の算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも1つの第1のデータ処理領域における面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算すると好適である。
第1のデータ処理領域毎に、当該第1のデータ処理領域のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該第1のデータ処理領域の外側に配置した場合の当該第1のデータ処理領域と最大セルとを取り囲む第2の枠を作成する第2の枠作成部と、
第1のデータ処理領域毎に作成された第2の枠に基づいて、各第2のデータ処理領域に複数の第1のデータ処理領域の少なくとも1つを関連付けする第2の関連付部と、
をさらに備え、
第2の関連付部による関連付けは、第1の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
第1の関連付部は、関連付けの際、第2の枠に基づいて関連付けされた各第2のデータ処理領域に対し、第1の枠に基づいて関連付けし直すと好適である。
第2のデータ処理領域毎に、当該第2のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には第2のデータ処理領域の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域を当該第2のデータ処理領域に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合には第2のデータ処理領域の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域を当該第2のデータ処理領域に関連付けする第2の関連付部をさらに備え、
第2の関連付部による関連付けは、第1の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
第1の関連付部は、関連付けの際、当該第2のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各第2のデータ処理領域の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域が関連付けされた各第2のデータ処理領域に対し、当該第2のデータ処理領域に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各第2のデータ処理領域の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域が関連付けされた各第2のデータ処理領域に対し、枠に基づいて関連付けし直すように構成すると好適である。
チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する工程と、
少なくとも1つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出する工程と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する工程と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する工程と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する工程と、
面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、外接枠50を用いて、仮の関連付けを行ったが、これに限るものではない。実施の形態2では、さらに、簡略化した手法で仮の関連付けを行う構成について説明する。実施の形態2における描画装置100の構成は図1と同様である。
20,40 DPB
30,52 セル
50,60 外接枠
62 メッシュ領域
70,72 分割部
74 外接枠作成部
76 関連付部
78 セル抽出部
80 外接枠作成部
82 関連付部
84 メッシュ分割部
86 面積密度算出部
90 合成部
92 判定部
94 照射量演算部
96 ショットデータ生成部
98 描画制御部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 制御回路
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- チップ領域を複数のデータ処理領域に分割するデータ処理領域分割部と、
少なくとも1つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出するセル抽出部と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する枠作成部と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度算出部と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する面積密度合成部と、
前記面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記複数のデータ処理領域を複数の第1のデータ処理領域とし、前記データ処理領域分割部を第1のデータ処理領域分割部とする場合に、
前記チップ領域を前記複数の第1のデータ処理領域とは異なる複数の第2のデータ処理領域に分割する第2のデータ処理領域分割部と、
前記第1のデータ処理領域毎に作成された枠に基づいて、各第2のデータ処理領域に前記複数の第1のデータ処理領域の少なくとも1つを関連付けする関連付部と、
をさらに備え、
前記照射量演算部は、第2のデータ処理領域毎に、関連付けされた少なくとも1つの第1のデータ処理領域における面積密度の算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも1つの第1のデータ処理領域における面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記枠を第1の枠とし、前記枠作成部を第1の枠作成部とし、前記関連付部を第1の関連付部とする場合に、
第1のデータ処理領域毎に、当該第1のデータ処理領域のいずれかの頂点に基準位置が重なるように、予め設定された最大セルサイズの最大セルを当該第1のデータ処理領域の外側に配置した場合の当該第1のデータ処理領域と最大セルとを取り囲む第2の枠を作成する第2の枠作成部と、
前記第1のデータ処理領域毎に作成された第2の枠に基づいて、各第2のデータ処理領域に前記複数の第1のデータ処理領域の少なくとも1つを関連付けする第2の関連付部と、
をさらに備え、
前記第2の関連付部による関連付けは、前記第1の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
前記第1の関連付部は、前記関連付けの際、前記第2の枠に基づいて関連付けされた各第2のデータ処理領域に対し、前記第1の枠に基づいて関連付けし直すことを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記関連付部を第1の関連付部とする場合に、
第2のデータ処理領域毎に、当該第2のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には第2のデータ処理領域の右上の頂点より左下側に左下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域を当該第2のデータ処理領域に関連付けし、描画方向が右側から左側に進む場合には第2のデータ処理領域の左上の頂点より右下側に右下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域を当該第2のデータ処理領域に関連付けする第2の関連付部をさらに備え、
前記第2の関連付部による関連付けは、前記第1の関連付部による関連付けよりも先に行われ、
前記第1の関連付部は、前記関連付けの際、当該第2のデータ処理領域に向かって描画方向が左側から右側に進む場合には各第2のデータ処理領域の右上の頂点よりそれぞれ左下側に左下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域が関連付けされた各第2のデータ処理領域に対し、当該第2のデータ処理領域に向かって描画方向が右側から左側に進む場合には各第2のデータ処理領域の左上の頂点よりそれぞれ右下側に右下頂点が位置する全ての第1のデータ処理領域が関連付けされた各第2のデータ処理領域に対し、前記枠に基づいて関連付けし直すことを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - チップ領域を複数のデータ処理領域に分割する工程と、
少なくとも1つの図形パターンを含む複数のセルから、データ処理領域毎に、当該データ処理領域にセルの基準位置が位置するセルを抽出する工程と、
データ処理領域毎に、当該データ処理領域と抽出されたセルとを取り囲む枠を作成する工程と、
枠毎に、当該枠内を複数のメッシュ領域に分割して、各メッシュ領域に配置される図形パターンの面積密度を算出する工程と、
異なる複数の枠間における重なるメッシュ領域同士の面積密度を合成する工程と、
前記面積密度を用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量になるように荷電粒子ビームを照射することによって、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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