JP5715856B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態の電子ビーム描画装置は、描画領域内に複数の図形が定義されたレイアウトデータが入力され、このレイアウトデータを記憶するレイアウトデータ記憶部と、図形を試料上に描画する際に、図形を試料の所定の位置に描画するための位置補正情報を記憶する位置補正情報記憶部と、を備える。そして、レイアウトデータを並列してデータ処理する際の単位領域となる複数の主領域を描画領域内に設定する主領域設定部と、上記位置補正情報を用いて、主領域に従属し主領域に隣接する副領域を設定する副領域設定部と、を備えている。そして、主領域と副領域に、複数の図形を分配する図形分配部と、図形を主領域と副領域とがさらに分割されたサブフィールドに分配する図形変換部と、サブフィールドの位置を上記位置補正情報に基づき補正する位置補正部と、を備えている。そして、位置が補正されたサブフィールドと、一回のステージ移動の描画時のデータ単位である描画データストライプとの対応付けを行う対応付け部と、サブフィールドに分配された図形を荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショット変換部と、を備えている。さらに、ショットデータを用いて試料上に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部とを、備えている。
本実施の形態は、副領域の設定方法以外については、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態は、副領域の設定方法以外については、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態は、主領域と副領域を別個の分散処理領域として扱い、サブフィールドの位置補正の前に、2つの領域のデータを併合すること以外については、第3の実施の形態と同様である。したがって、第3の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
本実施の形態は、描画対象となる試料110が、マスクブランクスではなく、PSM(Phase Shift Mask)の1層目がパターニングされたマスクであること以外については、基本的に第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
102 描画部
104 制御部
106 レイアウトデータ記憶部
107 位置補正情報記憶部
110 試料
140 データ処理部
141 主領域情報設定部
142 副領域設定部
143 図形分配部
144 図形変換部
145 位置補正部
146 対応付け部
147 ショット変換部
150 制御回路
Claims (5)
- 描画領域内に複数の図形が定義されたレイアウトデータが入力され、前記レイアウトデータを記憶するレイアウトデータ記憶部と、
前記図形を試料上に描画する際に、前記図形を前記試料の所定の位置に描画するための位置補正情報を記憶する位置補正情報記憶部と、
前記レイアウトデータを並列してデータ処理する際の単位領域となる複数の主領域を前記描画領域内に設定する主領域設定部と、
前記位置補正情報を用いて、前記主領域に従属し前記主領域に隣接する副領域を設定する副領域設定部と、
前記主領域と前記副領域に、前記図形を分配する図形分配部と、
前記図形を前記主領域と前記副領域とがさらに分割されたサブフィールドに分配する図形変換部と、
前記サブフィールドの位置を前記位置補正情報に基づき補正する位置補正部と、
位置が補正された前記サブフィールドが前記主領域に対応する領域内にあるか否かの判断を行い、位置が補正された前記サブフィールドと、描画データストライプとの対応付けを行う対応付け部と、
前記サブフィールドに分配された図形を荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショット変換部と、
前記ショットデータを用いて前記試料上に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部とを、
有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記副領域設定部は、前記位置補正情報から前記描画領域内の最大位置補正量を抽出し、前記最大位置補正量に基づき前記副領域を設定することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記副領域設定部は、前記位置補正情報から前記主領域内の最大位置補正量を抽出し、前記最大位置補正量に基づき前記主領域に従属する前記副領域を設定することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記副領域設定部は、前記位置補正情報から前記主領域周辺の位置補正量を抽出し、前記対応付け部において前記主領域内を主に描画する前記描画データストライプに対応付けられると予想されるサブフィールドに対応する領域を、前記副領域として設定することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 描画領域内に複数の図形が定義されたレイアウトデータが入力され、前記レイアウトデータを記憶するレイアウトデータ記憶工程と、
前記図形を試料上に描画する際に、前記図形を前記試料の所定の位置に描画するための位置補正情報を記憶する位置補正情報記憶工程と、
前記レイアウトデータを並列してデータ処理する際の単位領域となる複数の主領域を前記描画領域内に設定する主領域設定工程と、
前記位置補正情報を用いて、前記主領域に従属し前記主領域に隣接する副領域を設定する副領域設定工程と、
前記主領域と前記副領域に、前記図形を分配する図形分配工程と、
前記図形を前記主領域と前記副領域とがさらに分割されたサブフィールドに分配する図形変換工程と、
前記サブフィールドの位置を前記位置補正情報に基づき補正する位置補正工程と、
位置が補正された前記サブフィールドが前記主領域に対応する領域内にあるか否かの判断を行い、位置が補正された前記サブフィールドと、描画データストライプとの対応付けを行う対応付け工程と、
前記サブフィールドに分配された図形を荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショット変換工程と、
前記ショットデータを用いて前記試料上に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画工程とを、
有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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