JP2012227507A - セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた積層セラミック電子部品、及びその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた積層セラミック電子部品、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012227507A JP2012227507A JP2011234773A JP2011234773A JP2012227507A JP 2012227507 A JP2012227507 A JP 2012227507A JP 2011234773 A JP2011234773 A JP 2011234773A JP 2011234773 A JP2011234773 A JP 2011234773A JP 2012227507 A JP2012227507 A JP 2012227507A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- layer
- metal nanostructure
- electronic component
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 155
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1657—Electroless forming, i.e. substrate removed or destroyed at the end of the process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/006—Nanostructures, e.g. using aluminium anodic oxidation templates [AAO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/02—Layer formed of wires, e.g. mesh
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/94—Products characterised by their shape
- C04B2235/945—Products containing grooves, cuts, recesses or protusions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/123—Metallic interlayers based on iron group metals, e.g. steel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/124—Metallic interlayers based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
- C04B2237/348—Zirconia, hafnia, zirconates or hafnates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/407—Copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/408—Noble metals, e.g. palladium, platina or silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/59—Aspects relating to the structure of the interlayer
- C04B2237/597—Aspects relating to the structure of the interlayer whereby the interlayer is continuous but porous, e.g. containing hollow or porous particles, macro- or micropores or cracks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/706—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the metallic layers or articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/708—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12049—Nonmetal component
- Y10T428/12056—Entirely inorganic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた積層セラミック電子部品、及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品は、セラミック層と、上記セラミック層上に形成された金属層と、上記金属層と接触し、上記金属層から上記セラミック層内部に突出した金属ナノ構造物と、を含む。本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品を用いた積層セラミック電子部品は、電極間の間隔が減少し、電気容量が増加するため、高容量積層セラミック電子部品が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品は、セラミック層と、上記セラミック層上に形成された金属層と、上記金属層と接触し、上記金属層から上記セラミック層内部に突出した金属ナノ構造物と、を含む。本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品を用いた積層セラミック電子部品は、電極間の間隔が減少し、電気容量が増加するため、高容量積層セラミック電子部品が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた高容量の積層セラミック電子部品、及びその製造方法に関する。
近年、電子製品の小型化に伴い、積層セラミック電子部品における小型化、大容量化が求められている。これにより、誘電体と内部電極の薄膜化、多層化が様々な方法で試されており、最近では誘電体層が薄層化し、積層数が多い積層セラミック電子部品が製造されている。
しかしながら、より大きい静電容量を有する積層セラミック電子部品を製造するためには、新たな技術を用いてセラミックと内部電極層の間の構造をより効率的にデザインする必要がある。
このような要求に応じ、電極の表面積を増加させるとともに、電極間の間隔を減少させる努力が続けられてきた。
本発明の目的は、セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた高容量の積層セラミック電子部品、及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様によると、セラミック層と、上記セラミック層上に形成された金属層と、上記金属層と接触し、上記金属層から上記セラミック層内部に突出した金属ナノ構造物と、を含むセラミック電子部品用セラミックシート製品が提供される。
上記金属ナノ構造物の高さは上記セラミック層の高さより低く形成されることができる。
また、上記金属ナノ構造物は円柱状であり、その断面が星形であることができる。
上記金属ナノ構造物は、上記金属層と同種の材質からなることができる。
本発明の他の態様は、金属ナノ構造物を設けるステップと、上記金属ナノ構造物をセラミック層が形成されたセラミックグリーンシートにセラミック層内部に突出するように転写(transfer)するステップと、上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように金属層を形成するステップと、を含むセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法を提供する。
上記金属ナノ構造物の高さは上記セラミック層の高さより低く形成されることができる。
上記金属ナノ構造物を設けるステップは、高分子マトリックス(matrix)上にナノインプリンティング(nanoimprinting)方法によりパターニング(patterning)した後、金属ナノ構造物を成長させて行われることができる。
上記金属ナノ構造物を成長させるステップは電気化学法または蒸着法により行われることができる。
上記金属ナノ構造物は、上記金属層と同種の材質からなることができる。
本発明の他の態様によると、複数の誘電体層と複数の内部電極層が交互に積層されたセラミック素体と、上記内部電極層と接触し、上記内部電極層から上記誘電体層内部に突出した金属ナノ構造物と、上記セラミック素体の外側に形成され、内部電極と電気的に接続された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品が提供される。
上記金属ナノ構造物の高さは上記セラミック層の高さより低く形成されることができる。
また、上記金属ナノ構造物は円柱状であり、その断面が星形であることができ、上記金属層と同種の材質からなることができる。
一方、本発明の他の態様によると、金属ナノ構造物を設けるステップと、上記金属ナノ構造物を誘電体層が形成されたセラミックグリーンシートに誘電体層内部に突出するように転写(transfer)するステップと、上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように内部電極層を設けるステップと、上記誘電体層、誘電体層上に形成された内部電極層、及び内部電極層と接触し誘電体層内部に突出した金属ナノ構造物が形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成するステップと、上記積層体を圧着及び切断してグリーンチップを製造するステップと、上記グリーンチップを焼成してセラミック素体を製造するステップと、を含む積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
上記金属ナノ構造物の高さは上記セラミック層より低く形成されることができる。
上記金属ナノ構造物を成長させるステップは電気化学法または蒸着法により行われることができる。
上記金属ナノ構造物を設けるステップは、高分子マトリックス(matrix)上にナノインプリンティング(nanoimprinting)方法によりパターニング(patterning)した後、金属ナノ構造物を成長させて行われることができる。
上記金属ナノ構造物の材質は上記金属層と同種であることができる。
本発明によるセラミック電子部品用セラミックシート製品及びそれを用いた高容量のセラミック電子部品は、内部電極間の間隔が減少し、電気容量が増加するという効果を有する。
本発明の実施形態は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態のみに限定されるわけではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における構成要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張することもあり、図面上において同一の符号で示される構成要素は同一の構成要素である。
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
図1は、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品を概略的に示す断面図である。
図1を参照すると、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品10は、セラミック層1と、上記セラミック層上に形成された金属層2と、上記金属層2と接触し、上記金属層2から上記セラミック層1の内部に突出した金属ナノ構造物3とを含むことができる。
本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品10は、積層セラミック電子部品に製造する前の状態であり、キャリアフィルム4上に形成して完成することができる。
上記セラミック層1は、一般的に用いられる材料であれば特に限定されないが、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)などで形成され、その厚さが2μm以下に形成されることができる。
上記金属層2は、銀(Ag)、鉛(Pb)、白金(Pt)などの貴金属材料及びニッケル(Ni)、銅(Cu)のうち一種の物質で形成されるか、または、2種以上の物質が混合されて形成されることができる。
上記金属層2の厚さは0.3μm〜1.0μmに形成されることができる。
本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品10は、上記金属層2と接触し、上記金属層2から上記セラミック層1の内部に突出した金属ナノ構造物3を含むことができる。
上記金属ナノ構造物3の高さは、本発明の一実施形態によって様々に変化し、上記セラミック層1より低い高さを有することができる。
上記セラミックシート製品の積層時、上記金属ナノ構造物の高さが上記セラミック層と同じ高さの場合は、上記セラミック層と接触する下部金属層(図示せず)と接触してショートを起こす恐れがあるため、上記セラミック層の高さより低く形成することができる。
また、上記金属ナノ構造物3は、ショートを防止するために上記セラミック層1の厚さより小さい2μm未満の高さに形成されることができる。
また、上記金属ナノ構造物3は、その形状において制限はなく、例えば、円柱状であることができ、その断面が星形であることができる。
特に、上記金属ナノ構造物3の断面が星形である場合は、金属の表面積がより増加し、電気容量の上昇効果がさらに大きくなる。
また、上記金属ナノ構造物3の材質は一般的な金属であれば制限なく使用できるが、上記金属層2と同種の材質からなることができる。
本発明の一実施形態によると、上記セラミックシート製品10が上記金属ナノ構造物3を含むことによって金属の表面積が増加するため、上記金属層2と同種の材質からなることができる。
特に、電気容量の上昇効果を最大限に引き出すために、上記金属ナノ構造物3は上記金属層2と同種の材質からなることができる。
一方、上記金属ナノ構造物3の形成位置は特に制限されないが、例えば、セラミックシート製品10が積層される場合、セラミック層1の上部及び下部に形成される金属層2のそれぞれに接触し、上記各金属層2から上記セラミック層1の内部に突出することができる。
この場合、ショートを防止するためには、上記金属ナノ構造物3が上記セラミック層1の内部で互いに接触しないようにする。
本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品10は、上記金属層2から上記セラミック層1の内部に突出した金属ナノ構造物3を含み、これによって、上記製品の積層時、金属層間の間隔が減少し、電気容量が増加するようになる。
電気容量は下記式から得られる。
ここで、Cは電気容量、εは誘電率、Aは金属の表面積、dは金属層間の間隔である。
即ち、電気容量は、上記式より、金属層間の間隔dが減少するほど、金属の表面積Aが増加するほど増加することが分かる。
よって、本発明の一実施形態によると、上記製品を積層する場合、金属層間の間隔が減少し、電気容量が増加するようになる。
図2は、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造工程図である。
図3は、本発明の一実施形態による金属ナノ構造物を製造する工程フローチャートである。
図2及び図3を参照すると、本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法は、金属ナノ構造物13を設けるステップS1と、上記金属ナノ構造物13をセラミック層が形成されたセラミックグリーンシートにセラミック層内部に突出するように転写(transfer)するステップS2と、上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように金属層を形成するステップS3と、を含むことができる。
本発明の一実施形態によるセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法は、先ず、高分子マトリックス(matrix)12上にナノインプリンティング(nanoimprinting)方法によりパターニング(patterning)した後、金属ナノ構造物を成長させることで、金属ナノ構造物を設けることができる(S1)。
図3は、上記金属ナノ構造物13を設ける工程フローチャートである。
図3を参照すると、金属ナノ構造物を設ける工程はナノインプリンティング方法により行われることができる。
具体的には、基板11の表面上に高分子マトリックス12をコーティングする。
上記高分子マトリックス12は特に制限されないが、例えば、ポリメチルメタクリレート(PMMA)が挙げられる。
その次、上記基板表面上の高分子マトリックスに対してナノインプリントリソグラフィー(Nanoimprint lithography;NIL)技術を用いてパターニングする。
具体的には、ポリメチルメタクリレートのガラス転移温度以上の高温条件である140℃〜180℃の温度で凸凹状のスタンプを用いて高圧で押し付けた後、100℃以下に冷却させて分離する。
これにより、ナノパターンが基板上に上記凸凹状が反映された陰刻で転写される。
その次、銀(Ag)、鉛(Pb)、白金(Pt)などの貴金属材料及びニッケル(Ni)、銅(Cu)などの金属の1種または2種以上が結合された金属を上記基板1の上面全体に対して均一に形成して金属ナノ構造物13を成長させる。
上記金属ナノ構造物13を成長させる方法は特に制限されないが、例えば、電気化学法または蒸着法により行われることができる。
上記工程の後、熱硬化及びエッチング工程を経てナノパターンを除いた高分子マトリックス12を除去する。
上記のようにすることで、基板11上に形成された金属ナノ構造物13が設けられる。
図4は、ナノインプリントリソグラフィー(NIL)後の高分子マトリックス(a)及び金属ナノ構造物(b)(c)の走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。
図4を参照すると、図4の(a)には基板上の高分子マトリックスに対してナノインプリントリソグラフィー(NIL)が行われた後のSEMイメージが示されており、高分子マトリックスにナノパターンが陰刻で転写されていることが分かる。
また、図4の(b)(c)には、基板上に金属ナノ構造物が形成されたSEMイメージが示されている。
次いで、上記金属ナノ構造物13をセラミック層が形成されたセラミックグリーンシートにセラミック層内部に突出するように転写(transfer)することができる(S2)。
セラミック層が形成されたセラミックグリーンシートは公知の方法により製作されることができる。
上記金属ナノ構造物13は、その高さがセラミック層の高さより低い高さを有するように予め設計され形成されるため、セラミック層が形成された下部キャリアフィルムとは接触しない。
上記工程の後、基板11を除去することにより、金属ナノ構造物13がセラミック層内部に突出して形成されたセラミックグリーンシートが設けられる。
次いで、上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように金属層を形成することができる(S3)。
上記金属層の形成は一般的な方法を用いることができ、例えば、導電性ペーストをディスペンシング(dispensing)し、スキージ(squeegee)を一側方向に移動しながら形成することができる。
セラミックシート製品の製造方法を除いては、上述した本発明の一実施形態によるセラミックシート製品の特徴と同一である。
図5は、本発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサを概略的に示した斜視図である。
図6は、図5のB−B’に沿って切断した断面図である。
図5及び図6を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、複数の誘電体層1と複数の内部電極層2が交互に積層されたセラミック素体5と、上記内部電極層2と接触し、上記内部電極層2から上記誘電体層1の内部に突出した金属ナノ構造物3と、上記セラミック素体5の外側に形成され、内部電極と電気的に接続された外部電極6a、6bと、を含むことができる。
以下では、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品のうち、積層セラミックコンデンサ100について説明するが、これに制限されるものではない。
また、セラミックシート製品のセラミック層は積層セラミック電子部品における誘電体層に対応し、セラミックシート製品の金属層は積層セラミック電子部品における内部電極層に対応するものであって、同じ対象の異なる表現に過ぎない。
本発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ100は、複数の誘電体層1と複数の内部電極層2が交互に積層されたセラミック素体5と、上記セラミック素体5の外側に形成され、内部電極と電気的に接続された外部電極6a、6bとを含むことができる。
特に、上記内部電極層2と接触し、上記内部電極層2から上記誘電体層1の内部に突出した金属ナノ構造物3を含むことができる。
図6に示したように、上記セラミック素体5は、その内部に複数の誘電体層1と複数の内部電極層2のみならず、上記金属ナノ構造物3を含んで積層されることができる。
これにより、上記内部電極間の間隔が減少し、電気容量が増加するようになる。
即ち、本発明の一実施形態によると、上記誘電体層1と内部電極層2の界面で上記内部電極層2と接触し、上記内部電極層2から上記誘電体層1の内部に突出した金属ナノ構造物3が形成され、これらの層が交互に積層されることによって、高容量の積層セラミックコンデンサが提供される。
金属ナノ構造物3の高さ、材質及び形状などは上述したセラミックシート製品における特徴と同一であり、ここでは省略する。
また、誘電体層及び内部電極層の材質及び厚さなどは特に制限されず、上述したセラミックシート製品における説明と同一である。
図7は、本発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサの製造工程図である。
図7を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、金属ナノ構造物を設けるステップと、上記金属ナノ構造物を誘電体層が形成されたセラミックグリーンシートに誘電体層内部に突出するように転写(transfer)するステップと、上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように内部電極層を形成するステップと、上記誘電体層、誘電体層上に形成された内部電極層、及び内部電極層と接触し誘電体層内部に突出した金属ナノ構造物が形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成するステップと、上記積層体を圧着及び切断してグリーンチップを製造するステップと、上記グリーンチップを焼成してセラミック素体を製造するステップと、を含むことができる。
以下では、上述した本発明の一実施形態であるセラミックシート製品の製造方法に関する説明と重複する部分については省略し、積層セラミック電子部品のうち、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
先ず、セラミック層1と、上記セラミック層上に形成された金属層2と、上記金属層2と接触し、上記金属層2から上記セラミック層1の内部に突出した金属ナノ構造物3とを含む複数のグリーンシートを設ける。
上記複数のグリーンシートをキャリアフィルム4から分離させた後、複数のグリーンシートを重ね合わせて積層して積層体を形成する。
次いで、グリーンシート積層体を高温、高圧で圧着させた後、切断工程を経て所定の大きさに切断してコンデンサ本体を製造する。
その後、か焼、焼成、研磨し、外部電極及びめっき工程などを経て積層セラミックコンデンサを完成する。
以下、比較例及び実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに制限されない。
本発明の一実施例による積層セラミックコンデンサ(実施例)及び従来技術による積層セラミックコンデンサ(比較例)を下記のように製造した。
実施例の場合、先ず、ポリメチルメタクリレート(PMMA)がコーティングされた基板表面上の高分子マトリックスに対してナノインプリントリソグラフィー(Nanoimprint lithography;NIL)技術を用いてパターニングした。
次いで、ニッケル金属を蒸着法によりパターニングされた上記表面に塗布し上記金属を成長させた後、熱硬化及びエッチング工程を経て400nmの高さを有する金属ナノ構造物を形成した。
その次、厚さ600nmのセラミック層が形成されたセラミックグリーンシートを設けた後、上記金属ナノ構造物をスクリーンプリンティング法によりセラミックグリーンシートにセラミック層内部に突出するように形成した。
上記セラミック層はチタン酸バリウム(BaTiO3)粉末を用いて通常の方法で形成し、上記金属ナノ構造物はその高さがセラミック層の高さより低いため、セラミック層が形成された下部キャリアフィルムとは接触しない。
上記工程の後、基板を除去し、上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように金属層を一般的な方法で形成した。
上記金属層は、セラミック層内部に突出したニッケルナノ構造物と同じ材質である導電性ニッケルペーストを塗布して形成し、ニッケルナノ構造物と接触するように形成される。
上記セラミックグリーンシートを積層した後、圧着、切断、焼成などの工程を経て、本発明の一実施例である積層セラミックコンデンサを製作した。
比較例は、金属ナノ構造物を含まないものであり、積層セラミックコンデンサの大きさ及び厚さなどの他の条件は実施例と同じにして製造した。
上記実施例及び比較例では、積層セラミックコンデンサ内部の誘電体層の厚さが600nm、内部電極層の厚さが1μm、角600nm×2mmの1つのユニットをそれぞれ切断してシミュレーションすることで電気容量を比較した。
実施例の場合、上記600nmの厚さを有する誘電体層内部に突出した厚さ400nmのニッケルナノ構造物が、誘電体層と内部電極層の界面で誘電体層内部に突出して形成されている。
シミュレーションは、下記式から始め、最終的には電気容量を求めて行われた。
上記式において、Wはエネルギー密度、Eは電場、dvは微分体積要素、εは誘電率である。
印加電圧0.1Vに対して上記式を計算した結果、比較例のWは1.77×10−14[J]で、実施例のWは5.12×10−14[J]であった。
上記各W値を上述した電気容量式に代入して求めた結果を以下の表1に示す。
上記シミュレーションの結果、本発明の一実施例によると、比較例に比べ電気容量が290%増加したことが分かる。
したがって、本発明の一実施例による積層セラミックコンデンサは、従来に比べて電極間の間隔が減少し、電気容量が増加することが分かる。
本発明は上述した実施形態及び添付された図面により限定されるものではなく、添付された請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは当技術分野の通常の知識を有した者に自明であり、これも請求範囲に記載された技術的事項に属する。
1:誘電体(セラミック)層
2:内部電極(金属)層
3、13:金属ナノ構造物
4:キャリアフィルム
5:セラミック素体
6a、6b:外部電極
10:セラミックシート製品
11:基板
12:高分子マトリックス
14:セラミックグリーンシート
100:積層セラミックコンデンサ
2:内部電極(金属)層
3、13:金属ナノ構造物
4:キャリアフィルム
5:セラミック素体
6a、6b:外部電極
10:セラミックシート製品
11:基板
12:高分子マトリックス
14:セラミックグリーンシート
100:積層セラミックコンデンサ
Claims (20)
- セラミック層と、
上記セラミック層上に形成された金属層と、
上記金属層と接触し、上記金属層から上記セラミック層内部に突出した金属ナノ構造物と、
を含むセラミック電子部品用セラミックシート製品。 - 上記金属ナノ構造物の高さは、上記セラミック層の高さより低いことを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品。
- 上記金属ナノ構造物の形状は円柱状であることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品。
- 上記金属ナノ構造物は断面が星形になっていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品。
- 上記金属ナノ構造物の材質は上記金属層と同種の材質からなることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品。
- 金属ナノ構造物を設けるステップと、
上記金属ナノ構造物をセラミック層が形成されたセラミックグリーンシートにセラミック層内部に突出するように転写(transfer)するステップと、
上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように金属層を形成するステップと、
を含むセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法。 - 上記金属ナノ構造物の高さは上記セラミック層の高さより低いことを特徴とする請求項6に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法。
- 上記金属ナノ構造物を設けるステップは、高分子マトリックス(matrix)上にナノインプリンティング(nanoimprinting)方法によりパターニング(patterning)した後、金属ナノ構造物を成長させて行われることを特徴とする請求項6に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法。
- 上記金属ナノ構造物を成長させるステップは電気化学法または蒸着法により行われることを特徴とする請求項6に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法。
- 上記金属ナノ構造物は上記金属層と同種の材質からなることを特徴とする請求項6に記載のセラミック電子部品用セラミックシート製品の製造方法。
- 複数の誘電体層と複数の内部電極層が交互に積層されたセラミック素体と、
上記内部電極層と接触し、上記内部電極層から上記誘電体層内部に突出した金属ナノ構造物と、
上記セラミック素体の外側に形成され、内部電極と電気的に接続された外部電極と、
を含む積層セラミック電子部品。 - 上記金属ナノ構造物の高さは上記誘電体層の高さより低いことを特徴とする請求項11に記載の積層セラミック電子部品。
- 上記金属ナノ構造物の形状は円柱状であることを特徴とする請求項11に記載の積層セラミック電子部品。
- 上記金属ナノ構造物は断面が星形になっていることを特徴とする請求項11に記載の積層セラミック電子部品。
- 上記金属ナノ構造物は上記内部電極層と同種の材質からなることを特徴とする請求項11に記載の積層セラミック電子部品。
- 金属ナノ構造物を設けるステップと、
上記金属ナノ構造物を誘電体層が形成されたセラミックグリーンシートに誘電体層内部に突出するように転写(transfer)するステップと、
上記セラミックグリーンシート上に、上記金属ナノ構造物と接触するように内部電極層を設けるステップと、
上記誘電体層、誘電体層上に形成された内部電極層、及び内部電極層と接触し誘電体層内部に突出した金属ナノ構造物が形成されたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成するステップと、
上記積層体を圧着及び切断してグリーンチップを製造するステップと、
上記グリーンチップを焼成してセラミック素体を製造するステップと、
を含む積層セラミック電子部品の製造方法。 - 上記金属ナノ構造物の高さは上記誘電体層の高さより低いことを特徴とする請求項16に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 上記金属ナノ構造物を設けるステップは、高分子マトリックス(matrix)上にナノインプリンティング(nanoimprinting)方法によりパターニング(patterning)した後、金属ナノ構造物を成長させて行われることを特徴とする請求項16に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 上記金属ナノ構造物を成長させるステップは電気化学法または蒸着法により行われることを特徴とする請求項16に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 上記金属ナノ構造物は上記内部電極層と同種の材質からなることを特徴とする請求項16に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0037261 | 2011-04-21 | ||
KR1020110037261A KR101320166B1 (ko) | 2011-04-21 | 2011-04-21 | 세라믹 전자부품용 세라믹 시트 제품, 이를 이용한 적층 세라믹 전자 부품 및 이의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227507A true JP2012227507A (ja) | 2012-11-15 |
Family
ID=47021180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011234773A Pending JP2012227507A (ja) | 2011-04-21 | 2011-10-26 | セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた積層セラミック電子部品、及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8755167B2 (ja) |
JP (1) | JP2012227507A (ja) |
KR (1) | KR101320166B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102212640B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2021-02-05 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
KR20210074610A (ko) * | 2019-12-12 | 2021-06-22 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168745A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-13 | Ind Technol Res Inst | 集積回路素子の容量を増加させる方法 |
US20040131774A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-07-08 | Kellar Scot A. | Ultra-high capacitance device based on nanostructures |
JP2008103687A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007562A (ja) | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
KR100530765B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2005-11-23 | 이규왕 | 나노 다공성 유전체를 이용한 플라즈마 발생장치 |
US20050195556A1 (en) | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Shah Rajendra R. | Method of building multi-layer ceramic chip (MLCC) capacitors |
JP5157350B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-03-06 | Tdk株式会社 | 積層フィルムおよび積層セラミック電子部品の製造方法 |
KR101013885B1 (ko) | 2009-07-03 | 2011-02-14 | 한국기계연구원 | 유기 발광다이오드 및 유기 발광다이오드의 제조방법 |
KR101141417B1 (ko) * | 2010-11-22 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
JP5313289B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2013-10-09 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101539808B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2015-07-28 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
-
2011
- 2011-04-21 KR KR1020110037261A patent/KR101320166B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-26 JP JP2011234773A patent/JP2012227507A/ja active Pending
- 2011-11-04 US US13/289,454 patent/US8755167B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168745A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-13 | Ind Technol Res Inst | 集積回路素子の容量を増加させる方法 |
US20040131774A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-07-08 | Kellar Scot A. | Ultra-high capacitance device based on nanostructures |
JP2008103687A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101320166B1 (ko) | 2013-10-23 |
US20120268861A1 (en) | 2012-10-25 |
KR20120119382A (ko) | 2012-10-31 |
US8755167B2 (en) | 2014-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5930705B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
KR101240751B1 (ko) | 미세 금속 분말의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 미세 금속 분말 | |
JP2013149936A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2013149939A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2022034017A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2022009749A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 | |
JP2013222958A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2014123695A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2013115422A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2014154543A (ja) | 導電性ペースト組成物、これを用いた積層セラミックキャパシタ及びこれを用いた積層セラミックキャパシタの製造方法 | |
JP2013115425A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP6261855B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP5405424B2 (ja) | 金属粉末の製造方法及びこれを用いる積層コンデンサ用内部電極の製造方法 | |
JP2012227507A (ja) | セラミック電子部品用セラミックシート製品とそれを用いた積層セラミック電子部品、及びその製造方法 | |
JP5532460B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
KR100765180B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
JP5512634B2 (ja) | セラミック電子部品用多層薄膜フィルム及びその製造方法 | |
JP2000331865A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
JP2013149855A (ja) | 積層セラミックコンデンサ用の導電ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
US8630082B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
JP5429299B2 (ja) | 扁平形状のNi粒子の製造方法 | |
US20240145173A1 (en) | Multilayer electronic component and method of manufacturing multilayer electronic component | |
JP2001085264A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP4573025B2 (ja) | セラミックグリーンシートの製造方法および当該セラミックグリーンシートを用いた電子部品の製造方法 | |
KR101933403B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130319 |