JP2012222268A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012222268A
JP2012222268A JP2011088900A JP2011088900A JP2012222268A JP 2012222268 A JP2012222268 A JP 2012222268A JP 2011088900 A JP2011088900 A JP 2011088900A JP 2011088900 A JP2011088900 A JP 2011088900A JP 2012222268 A JP2012222268 A JP 2012222268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
general formula
organic
integer
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011088900A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5708176B2 (ja
Inventor
Masaru Ikemizu
大 池水
Noriko Yasukawa
則子 安川
Masahito Nishizeki
雅人 西関
Tatsuo Tanaka
達夫 田中
Tomohiro Oshiyama
智寛 押山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2011088900A priority Critical patent/JP5708176B2/ja
Publication of JP2012222268A publication Critical patent/JP2012222268A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5708176B2 publication Critical patent/JP5708176B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】駆動電圧、寿命、外部取り出し効率が優れ、且つ、所望の発光波長で発光をコントロール可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供を提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
Figure 2012222268

【選択図】なし

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、ELDという)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。
無機エレクトロルミネッセンス素子は、平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
一方、有機EL素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
しかしながら、今後の実用化に向けた有機EL素子においては、更に低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。
特許第3093796号公報では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。
また、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特開昭63−264692号公報)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子等が知られている(例えば、特許文献1参照)。
以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であり、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。
ところが、プリンストン大より励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Baldo et al.,Nature、395巻、151〜154頁(1998年))がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている。
例えば、M.A.Baldo et al.,Nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)、また米国特許第6,097,147号明細書等にも開示されている。
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから照明用途としても注目されている。
例えば、S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)等のように、多くのリン光ドーパントはイリジウム錯体または白金などの遷移金属錯体を中心に検討されている。
また、前述のM.A.Baldo et al.,Nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)のように、ドーパント(発光材料ともいう)の代表例としてトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムを用いた検討がされている。
その他、M.E.Tompson等は、The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてLIr(acac)、例えば、(ppy)Ir(acac)を、またMoon−JaeYoun.0g、Tetsuo Tsutsui等は、やはりThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてトリス(2−(p−トリル)ピリジン)イリジウム(Ir(ptpy)),トリス(ベンゾ[h]キノリン)イリジウム(Ir(bzq))等を用いた検討も行われている(なおこれらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。)。
また、前記S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)や特開2001−247859号公報等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。
これらの錯体は下記でも示すが、発光ホスト材料(または単にホストともいう)と一緒に発光層内に分散・添加されて使用されるため、リン光ドーパントと呼ばれている。
有機ELの性能(発光効率・発光寿命・発光色など)はドーパントのみならずホストによっても大きく変わるため、両者の開発は精力的に行われている。例えば、高い発光効率を得るためにThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)では、Ikai等はホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いている。
また、M.E.Tompson等は各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。
いずれの場合もドーパントとホストを適切に選択することにより、発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光がリン光に由来することから従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の蛍光方式の素子よりも短いという問題点があった。
特に、青色発光素子の場合、その発光寿命は極端に短くなり、発光効率と発光波長及び発光寿命を全て満たす青色ドーパントは未だ見出されておらず、その創出が急務である。
青色リン光ドーパントと、例えばフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている。
しかしながら、これらの配位子を用いた錯体では発光波長が短波化して青色発光は実現され、高効率の発光を達成できる一方、素子の発光寿命は非常に短く、発光波長の短波化と発光寿命のトレードオフの改善が求められていた。
一方、新しい展開としては、配位子としてフェニルピラゾールを有する金属錯体が青色リン光発光に適用できることが知られている。
しかしながら、単純なフェニルピラゾールのイリジウム錯体は室温では全く発光せず、置換基にバンドギャップを小さくするような基を導入してはじめて発光するようになることが知られている(例えば、特許文献6参照)。
しかしながら、この方法は、上記トレードオフを改善するものではなく、結局発光性と発光寿命を改善する為には、π共役系を拡張して発光波長を長波化する必要があり、青色リン光ドーパントの要件を満たすものではなかった。
配位子としてフェニルイミダゾールを有する金属錯体は発光波長が比較的短波な発光材料であることが開示されている(例えば、特許文献2、3参照)。
しかし、更なる短波化と長寿命化が求められる現状においては、大きな課題があった。
配位子としてイミダゾフェナンスリジン錯体を有する金属錯体は発光波長が短波な発光材料であることが開示されている(例えば、特許文献4、5参照)。
しかし、発光効率が低く、低消費電力と長寿命化が求められる現状においては、大きな課題があった。
このように、リン光ドーパントに、(1)発光性、(2)短波長発光、(3)長寿命(=高耐久性)を同時に満足することは至難の業である。
一方、フルオレン化合物は各種有機EL材料のコア部分、もしくは単独で広く利用されているようにその安定性、電荷輸送性は周知のとおりである。
ドーパントとして、骨格内の特定部位にフルオレン構造を有するか、フルオレンを置換基として有する例が知られている(例えば、特許文献7参照)。
しかし、この文献に示す化合物では、更なる長寿命化が求められる現状においては大きな問題があった。
特開2004−315509号公報 国際公開第2006/046980号 米国特許公報第2006/0251923号明細書 国際公開第2007/095118号 国際公開第2008/156879号 国際公開第2004/085450号 特許第4307000号明細書
本発明の目的は、新規な有機エレクトロルミネッセンス素子材料、該素子材料を用いて、初期駆動電圧が低く、半減寿命が長く、ダークスポットの生成がなく、外部取り出し量子効率が高く、且つ、所望の発光波長で発光をコントロール可能な、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供し、併せて、該素子を用いた表示装置及び照明装置を提供することである。
本発明の目的は下記の構成により達成された。
1.下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
Figure 2012222268
〔式中、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aは、6員の芳香族炭化水素基、または、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A〜Aは、各々炭素原子または窒素原子を表す。nは0または1の整数を表す。R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。B、B、B、B、Bで構成される環Bは5員の芳香族複素環基を表す。B、B、B、B、Bは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子またはケイ素原子を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
2.前記一般式(1)で表される化合物が下記一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
Figure 2012222268
〔式中、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aは、6員の芳香族炭化水素基、または、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A〜Aは、各々炭素原子または窒素原子を表す。nは0または1の整数を表す。R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。B、Bと2つの窒素原子及び炭素原子から構成される環Bは5員の芳香族複素環基を表す。B、Bは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子またはケイ素原子を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
3.前記一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(3)で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
Figure 2012222268
〔式中、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aは、6員の芳香族炭化水素基、または、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A〜Aは、各々炭素原子または窒素原子を表す。nは0または1の整数を表す。R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。B、Bと2つの窒素原子及び炭素原子から構成される環Bは5員の芳香族複素環基を表す。B、Bは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子またはケイ素原子を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。R22は、置換基を表し、pは0〜2の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
4.前記一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(4)で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
Figure 2012222268
〔式中、R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。R22は、置換基を表し、pは0〜2の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
5.前記1に記載の一般式(1)、前記2に記載の一般式(2)、前記3に記載の一般式(3)または前記4に記載の一般式(4)で表される化合物のいずれか一つのMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
6.陽極と陰極により挟まれた少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該発光層が、前記1に記載の一般式(1)で表される化合物を少なくとも1つ含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記一般式(1)で表される化合物が、前記2に記載の一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記一般式(1)で表される化合物が、前記3に記載の一般式(3)で表される化合物であることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記一般式(1)で表される化合物が、前記4に記載の一般式(4)で表される化合物であることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.前記1に記載の一般式(1)、前記2に記載の一般式(2)、前記3に記載の一般式(3)または前記4に記載の一般式(4)で表される化合物のいずれか一つのMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする前記6〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.構成層として、前記1に記載の一般式(1)、前記2に記載の一般式(2)、前記3に記載の一般式(3)または前記4に記載の一般式(4)で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする前記6〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12.構成層として、第2の発光層を有し、該第2の発光層が、前記1に記載の一般式(1)、前記2に記載の一般式(2)、前記3に記載の一般式(3)または前記4に記載の一般式(4)で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層することを特徴とする前記6〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13.前記6〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
14.前記6〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
本発明により、新規な有機エレクトロルミネッセンス素子材料、該素子材料を用いて、初期駆動電圧が低く、半減寿命が長く、ダークスポットの生成がなく、外部取り出し量子効率が高く、且つ、所望の発光波長で発光をコントロール可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供し、併せて、該素子を用いた表示装置及び照明装置を提供することができた。
本発明の表示装置の一例を示した模式図である。 表示部Aの模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の模式図である。
本発明においては、請求項1〜6のいずれか1項に規定される構成により、有機エレクトロルミネッセンス素子に有用な有機EL素子材料を分子設計することができた。
次いで、該素子材料を用いることにより、請求項6〜13のいずれか1項に規定される構成により、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができた。また、該素子を備えた表示装置及び照明装置を提供することができた。
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
《有機エレクトロルミネッセンス素子材料》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料(以下、有機EL素子材料ともいう)について説明する。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料は、上記一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物であり、更に詳しくは、金属錯体(金属錯体化合物ともいう)である。
《一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物》
本発明の有機EL素子材料である、一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物について説明する。
本発明者等は、有機EL素子の発光層に用いる有機EL素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる金属錯体化合物について種々検討した。
従来知られているフェニルピラゾールのような骨格を有する金属錯体化合物においては、短波な発光は観測されるが、その発光が室温では非常に弱いかもしくは観測されないような所謂無輻射失活が発光性を支配する場合が多く見られていた。
その中で、本発明者等は、波長の制御と発光性の向上の観点から、分子軌道計算による検討を進め特定の構造もしくは置換基を有する配位子骨格を含有する金属錯体化合物が、非常に高い発光性かつ優れた電荷輸送性を示すことを見出した。
その一例を示せば、本発明にかかるフルオレンを発光ドーパントの置換基として有することにより、従来よりもLUMO準位を容易に制御することが容易になり、そのため、電子輸送性が向上し、発光性の向上に繋がるものと考えられる。
更に、嵩高い置換基を分子内に有することにより、発光ドーパント自体がリジッドとなり、励起状態と基底状態の状態変化が少なくなることによって堅牢性が向上するものと考えられる。
以上のような考察を踏まえ、本発明者等は更に検討を進め、本発明に係る一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)により、初期駆動電圧が低く、半減寿命が長く、ダークスポットの生成がなく、外部取り出し量子効率が高く、且つ、所望の発光波長で発光をコントロール可能な、有機EL素子材料である、発光ドーパントの開発に成功した。
また、本発明に係る一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)においては、遷移金属元素Mに配位している配位子の組み合わせや、また、配位子に置換基を導入することにより、化合物の発光波長を所望の領域に制御することができる。
従って、金属錯体の発光波長を長波な領域(緑〜赤)に制御する機能を付与するための分子設計は、本発明に係る一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物(金属錯体)の基本骨格設計の出発点とすることにより可能である。
本発明に係る一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物(金属錯体)は、各々Mで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。
しかしながら、本発明に記載の効果を好ましく得る観点から、錯体中の配位子の種類は、好ましくは1〜2種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは1種類である。
本発明に係る金属錯体としては、一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物の構造から、遷移金属元素Mを除いた部分(配位子)から構成された化合物が最も好ましく用いられる。
ここで、配位子とは、一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物(金属錯体)から遷移金属元素Mを除いた部分が、各々配位子である。また、本発明に係る金属錯体の形成に用いることのできる、従来公知の配位子については、後に詳細に説明する。
また、本発明に係る一般式(1)で表される化合物(金属錯体)の中でも、好ましいのは、上記一般式(2)、(3)、または(4)で表される化合物(金属錯体)である。
このような金属錯体を有機EL素子材料として用いることにより、初期駆動電圧が低く、半減寿命が長く、ダークスポットの生成がなく、外部取り出し量子効率が高く、且つ、所望の発光波長で発光をコントロール可能な有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)、照明装置及び表示装置を提供することができた。
(電荷輸送層)
本発明に係る電荷輸送層について説明する。
更に、本発明に係る前記一般式(1)、(2)、(3)または(4)で表される化合物(金属錯体)の含有層としては、電荷を輸送する層(電荷輸送層)であれば特に制限はなく、また、電荷輸送層は、発光層よりも陽極側に設けられる場合(第一電荷輸送層という)、発光層よりも陰極側に設けられている場合(第二電荷輸送層ともいう)のどちらの態様もとりうる。
電荷輸送層が発光層よりも陽極側に設けられる場合(第一電荷輸送層ともいう)は、該電荷輸送層が電子阻止層または発光層であることが好ましく、電荷輸送層が発光層よりも陰極側に設けられる場合(第二電荷輸送層ともいう)は、該電荷輸送層が発光層または正孔阻止層であるが好ましく、より好ましくは、該電荷輸送層が発光層または正孔阻止層である場合であり、特に好ましいのは、発光層である。
発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機EL素子の外部取り出し量子効率の効率アップ(高輝度化)や発光寿命の長寿命化を達成することができる。
尚、本発明の有機EL素子の構成層については後に詳細に説明する。
(一般式(1)で表される化合物)
本発明に係る、一般式(1)で表される化合物について説明する。
一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる6員の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。
一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる5員の芳香族複素環基としては、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、イミダゾリニウムカルベニル基、等が挙げられる。
これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。
一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる6員の芳香族複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基等が挙げられる。
尚、これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。
一般式(1)において、R11で表わされる置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基、フルオレニル基等が挙げられる。
尚、これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式(1)において、BからB、B、B、Bで構成される環Bで表わされる5員の芳香族複素環基は、一般式(1)において、環Aで表わされる5員の芳香族複素環基と同義である。
一般式(1)において、R21は水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。また、R21で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表される置換基と同義である。
一般式(1)において、R21で表わされるフルオレニル基としては、下記一般式(5)または(6)で表わされる基が好ましい。
Figure 2012222268
式中、R31、R32、R33は置換基を表すが、該置換基は、一般式(1)におけるR11で表される置換基と同義である。rは0から7の整数を表す。*は結合手を表す。
Figure 2012222268
式中、R31、R33は置換基を表すが、該置換基は、一般式(1)におけるR11で表される置換基と同義である。rは0から8の整数を表す。*は結合手を表す。
一般式(1)において、Jで表わされる連結基として好ましくは、アルキレン基(例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等)、シクロアルキレン基(例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等)、アルケニレン基(例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、1−メチルビニレン基、1−メチルプロペニレン基、2−メチルプロペニレン基、1−メチルペンテニレン基、3−メチルペンテニレン基、1−エチルビニレン基、1−エチルプロペニレン基、1−エチルブテニレン基、3−エチルブテニレン基等)、アルキニレン基(例えば、エチニレン基、1−プロピニレン基、1−ブチニレン基、1−ペンチニレン基、1−ヘキシニレン基、2−ブチニレン基、2−ペンチニレン基、1−メチルエチニレン基、3−メチル−1−プロピニレン基、3−メチル−1−ブチニレン基等)、アリーレン基(例えば、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジイル基、3,3′−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等)、ヘテロアリーレン基(例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等)、アルキルオキシ基から導出される2価の基、アリールオキシ基から導出される2価の基、アルキルチオ基から導出される2価の基、アリールチオ基から導出される2価の基等が挙げられる。
これらの連結基は、一般式(1)で表わされる置換基によりさらに置換されていてもよく、お互いに連結して新たな連結基を形成してもよい。
一般式(1)において、LはMと配位できる任意の配位子としては、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、ピコリン酸、カルベン等が挙げられる。
また、当該業者が周知の配位子を用いることができるが、従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社 H.Yersin著 1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 1982年発行 等に記載の配位子(例えば、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子など)が挙げられる。
一般式(1)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素の中でも、イリジウム、白金が好ましい遷移金属元素として挙げられる。
(一般式(2)で表される化合物)
本発明に係る、一般式(2)で表される化合物について説明する。
一般式(2)において、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aで表される6員の芳香族炭化水素基は、一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる6員の芳香族炭化水素基と同義である。
一般式(2)において、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aで表される5員の芳香族複素環基は、一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる5員の芳香族複素環基と同義である。
一般式(2)において、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aで表される6員の芳香族複素環基は、一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる6員の芳香族複素環基と同義である。
一般式(2)において、R11で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表わされる置換基と同義である。
一般式(2)において、B、Bと2つの窒素原子及び炭素原子から構成される環Bで表される5員の芳香族複素環基としては、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)において、R11で表わされる置換基を有していてもよい。
一般式(2)において、R21で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表される置換基と同義であり、また、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよいが、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。
更に、該フルオレニル基は、一般式(1)において、R21で表わされるフルオレニル基の好ましい態様である、上記一般式(5)または(6)で表される基が好ましい。
一般式(2)において、Jで表わされる連結基は、一般式(1)において、Jで表わされる連結基と同義である。
一般式(2)において、Lで表される配位子は、一般式(1)において、Lで表される配位子と同義である。
一般式(2)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素は、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。
(一般式(3)で表される化合物)
本発明に係る、一般式(3)で表される化合物について説明する。
一般式(3)において、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aで表される6員の芳香族炭化水素基は、一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる6員の芳香族炭化水素基と同義である。
一般式(3)において、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aで表される5員の芳香族複素環基は、一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる5員の芳香族複素環基と同義である。
一般式(3)において、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aで表される6員の芳香族複素環基は、一般式(1)において、CからA、A、A、A、Aで構成される環Aで表わされる6員の芳香族複素環基と同義である。
一般式(3)において、R11で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表わされる置換基と同義である。
一般式(3)において、B、Bと2つの窒素原子及び炭素原子から構成される環Bで表される5員の芳香族複素環基としては、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等が挙げられる。
これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)において、R11で表わされる置換基を有していてもよい。
一般式(3)において、R21で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表される置換基と同義であり、また、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよいが、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。
更に、該フルオレニル基は、一般式(1)において、R21で表わされるフルオレニル基の好ましい態様である、上記一般式(5)または(6)で表される基が好ましい。
一般式(3)において、Jで表わされる連結基は、一般式(1)において、Jで表わされる連結基と同義である。
一般式(3)において、Lで表される配位子は、一般式(1)において、Lで表される配位子と同義である。
一般式(3)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素は、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。
(一般式(4)で表される化合物)
本発明に係る、一般式(4)で表される化合物について説明する。
一般式(4)において、R11で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表わされる置換基と同義である。
一般式(4)において、R21で表わされる置換基は、一般式(1)において、R11で表される置換基と同義であり、また、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよいが、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。
更に、該フルオレニル基は、一般式(1)において、R21で表わされるフルオレニル基の好ましい態様である、上記一般式(5)または(6)で表される基が好ましい。
一般式(4)において、Jで表わされる連結基は、一般式(1)において、Jで表わされる連結基と同義である。
一般式(4)において、Lで表される配位子は、一般式(1)において、Lで表される配位子と同義である。
一般式(4)において、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素は、Mで表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。
以下、本発明に係る前記一般式(1)、(2)、(3)または(4)のいずれかひとつで表される化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
本発明に係る前記一般式(1)、(2)、(3)または(4)のいずれかひとつで表される化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、Organic Letter誌、vol8、No.3、415〜418頁(2006)、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vi)陽極//正孔輸送層/陽極バッファー層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vii)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
発光層は、ユニットを形成して発光層ユニットにすることもある。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよく、中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
以下、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層を設けることができる。
電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料、電子注入材料も含む)としては陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが可能である。
電子輸送層に用いられる従来公知の材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、を含むアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す。
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。
また、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア・ブロジェット(Langmuir Blodgett法)等を挙げることができる。))等により、製膜して形成することが好ましい。
有機EL素子の構成層の形成法については、有機EL素子の作製方法のところで詳細に説明する。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5000nm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この電子輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
以下、本発明の白色有機EL素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物(電子輸送材料)の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
尚、本発明の有機EL素子の電子輸送層形成により好ましく用いられるのは下記の化合物(R−1)から導出される部分構造を有する化合物である。
Figure 2012222268
式中、Rrはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基を表し、詳細な説明は、一般式(1)において、R11で表される置換基として挙げられているアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、宝庫有象複素環基の具体例と同様なものが挙げられる。
からGは炭素原子もしくは窒素原子を表し、GからGのうち少なくとも一つは窒素原子である。Rsは置換基を表し、該置換基は、一般式(1)において、R11で表される置換基と同義である。
Rsとしては、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基が好ましく、更に好ましくは芳香族炭化水素基、芳香族複素環基である。
zは1から7の整数を表す。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、5nm〜100nmの範囲である。
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア・ブロジェット(Langmuir Blodgett法)等を挙げることができる。))等により製膜して形成することができる。本発明の化合物を発光層に用いる場合、ウェットプロセスで作製することが好ましい。
本発明の有機EL素子の発光層には、発光ドーパント(リン光発光性ドーパント(リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいう)や蛍光ドーパント等)化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。
(発光性ドーパント化合物)
発光性ドーパント化合物(発光ドーパントともいう)について説明する。
発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができる。
(リン光ドーパント(リン光発光ドーパントともいう))
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、1つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう1つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
本発明の有機EL素子に係る発光ドーパントとして特に好ましいものは、上記一般式(1)で表される金属錯体であり、具体例としては、化合物d−1〜d−25を挙げることができる。
また、本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている化合物等を併用してもよい。
例えば、国際公開第00/70655号、特開2002−280178号公報、特開2001−181616号公報、特開2002−280179号公報、特開2001−181617号公報、特開2002−280180号公報、特開2001−247859号公報、特開2002−299060号公報、特開2001−313178号公報、特開2002−302671号公報、特開2001−345183号公報、特開2002−324679号公報、国際公開第02/15645号、特開2002−332291号公報、特開2002−50484号公報、特開2002−332292号公報、特開2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、特開2002−338588号公報、特開2002−170684号公報、特開2002−352960号公報、国際公開第01/93642号、特開2002−50483号公報、特開2002−100476号公報、特開2002−173674号公報、特開2002−359082号公報、特開2002−175884号公報、特開2002−363552号公報、特開2002−184582号公報、特開2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、特開2002−226495号公報、特開2002−234894号公報、特開2002−235076号公報、特開2002−241751号公報、特開2001−319779号公報、特開2001−319780号公報、特開2002−62824号公報、特開2002−100474号公報、特開2002−203679号公報、特開2002−343572号公報、特開2002−203678号公報等である。
(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
また本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。
ここで、発光ドーパントとして、本発明に係る一般式(1)で表される金属錯体と併用して用いてもよい従来公知の発光ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
(発光ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
本発明においてホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機EL素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも1つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられる。
本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
また、本発明においては、発光ホストとして(本発明の化合物及び/または公知の発光ホスト)を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。
発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。
また、前記リン光ドーパントとして用いられる公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(重合性発光ホスト)でもよく、このような化合物を一種または複数種用いても良い。
公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
以下、本発明の有機EL素子の発光層の発光ホストとして用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
本発明の有機EL素子の発光層の発光ホストとして特に好ましいものは、下記一般式(2)で表される化合物である。
Figure 2012222268
〔式中、XはOまたはSを表し、Y〜Yは水素原子、置換基または下記一般式(A)で表される基を表し、Y〜Yのうち少なくとも1つは下記一般式(A)で表され、一般式(A)で表される基のうち少なくとも1つはArがカルバゾリル基である。〕
Figure 2012222268
〔式中、Lは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される2価の連結基を表す。nは0または1〜3の整数を表し、nが2以上の場合複数のLは同じでも異なっていてもよい。*は一般式(1)との連結部位を表す。Arは下記一般式(A′)で表される基を表す。〕
Figure 2012222268
〔式中、XはN(R)、OまたはSを表し、E〜EはC(R)またはNを表し、R及びRは水素原子、置換基またはLとの連結部位を表す。*はLとの連結部位を表す。〕
上記一般式(2)で表される化合物においては、好ましくは、Y〜Yのうち少なくとも2つは前記一般式(A)で表され、より好ましくはYが前記一般式(A)で表されかつ前記一般式(A)のArが置換基を有していてもよいカルバゾリル基を表し、更に好ましくはYが前記一般式(A)で表されかつ前記一般式(A)のArが置換基を有していてもよいN位でLと連結したカルバゾリル基を表す。
また、Yが一般式(A)で表されることが好ましく、更にYが水素原子であることが好ましい。
以下に、本発明の有機EL素子の発光層のホスト化合物(発光ホストともいう)として好ましく用いられる一般式(2)で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の一種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述の電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)を含有することが好ましい。
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。
更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高占有軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述の正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは3nm〜30nmである。
《注入層:電子注入層(陰極バッファー層)、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123頁〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化ナトリウムやフッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
また、陽極バッファー層及び陰極バッファー層に用いられる材料は、他の材料と併用して用いることも可能であり、例えば正孔輸送層や電子輸送層中に混合して用いることも可能である。
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。
尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。
好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10−3ml/(m・24h・MPa)以下、水蒸気透過度が、10−5g/(m・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。
ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。
《有機EL素子の製造方法》
有機EL素子の製造方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層(電子注入層)/陰極からなる素子の製造方法について説明する。
まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。
次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
本発明のリン光発光性の有機EL素子においては、少なくとも陰極と該陰極に隣接する電子輸送層は、湿式法により塗布・成膜される。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。
本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。
また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m・24h・MPa)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m・24h)以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。
これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、中でも、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。
プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。
《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング(株)製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/mでのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。
《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機EL素子を具備したものである。
本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。
また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。
得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。
制御部Bは表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
図2は表示部Aの模式図である。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。
画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機EL素子を有する。
本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
また、本発明の有機EL材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。
また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。
発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図3、図4に示すような照明装置を形成することができる。
図3は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。)。
図4は、照明装置の断面図を示し、図6において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例に用いる化合物の構造を以下に示す。
Figure 2012222268
Figure 2012222268
Figure 2012222268
実施例1
《合成例1:例示化合物5−3の合成》
下記の工程(1−A)、工程(1−B)、工程(1−C)、工程(2)工程(3)及び工程(4)を経て、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料の一例である例示化合物5−3を合成した。
工程(1−A):1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazoleの合成
Figure 2012222268
9−ブロモ−9−フェニルフルオレン20g(0.06226モル)とイミダゾール12.7g(0.1868モル)をジオキサン100ml中、3時間還流させた。
反応液を冷却後、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層をクロロホルムで抽出し、数回水洗後、抽出液を濃縮し、反応粗製物を得た。
この粗製物をフラッシュクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール)で精製し、所望の1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazoleを6.14g得た。収率31%
工程(1−B):2−bromo−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazoleの合成
Figure 2012222268
1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazole 6g(0.01946モル)を脱水テトラヒドロフランに溶解し、反応液を−78℃まで冷却後、n−ブチルリチウム12ml(1.6M)を30分かけて滴下し、滴下後さらに1時間、−78℃で攪拌した。
その反応溶液に臭素3.73g(0.02335モル)を滴下した後、反応溶液を室温まで2時間かけて上昇させた。
反応液をチオ硫酸ナトリウムおよび食塩水を加え、余分な臭素を除去した後、反応液を酢酸エチルで希釈し、有機層と水槽を分離した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、2−bromo−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazoleを6.17g得た。
この化合物は特に分離精製の必要なく、次の工程(1−C)にそのまま用いた。
工程(1−C):2−phenyl−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazole(配位子)の合成
Figure 2012222268
2−bromo−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazole 6g(0.01549モル)とフェニルボロン酸3.78g(0.03099モル)をテトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム1.8g共存下、エチレングリコールジメチルエーテルおよび水の混合溶媒中、炭酸カリウムを塩基として用い、5時間還流した。
反応液を酢酸エチルで希釈し、有機層と水槽を分離した。
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、2−phenyl−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazoleの粗製物を5.7g得た。
この粗製物をフラッシュクロマトグラフィー(酢酸エチル/トルエン)で精製し、所望の2−phenyl−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazoleを4.6g得た。収率78%
工程(2):ジクロロダイマー(A)の合成
Figure 2012222268
2−phenyl−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazole 3g(0.007803モル)、塩化イリジウム(III)3水和物1.10g(0.003121モル)、2−エトキキシエタノール30mlおよび純水10mlを反応容器に加え、窒素バブリングを行いながら36時間加熱還流した。
反応溶液を冷却後、得られた結晶を濾別、メタノールで洗浄したのち乾燥し、目的のジクロロダイマー(A)を2.67g(収率86%)得た。
工程(3):アセチルアセトナト錯体(B)の合成
Figure 2012222268
ジクロロダイマー(A)2.67g(0.002013モル)、アセチルアセトン 0.54g(0.005369モル)、炭酸ナトリウム2.67g及び2−エトキキシエタノール45mlを反応容器に加え、窒素バブリングを行いながら2時間加熱還流した。
反応溶液を冷却後、反応液をメタノールで希釈したのち得られた結晶を濾別した。
結晶をよく水で洗い、炭酸ナトリウムの残査を除いた後、メタノールで洗浄、乾燥し目的のアセチルアセトナト錯体(2)を2.13g(収率75%)得た。
工程(4):例示化合物5−3の合成
Figure 2012222268
アセチルアセトナト錯体(2)1.0g(0.0009450モル)、2−phenyl−1−(9−phenyl−9H−fluoren−9−yl)−1H−imidazole 1.09g(0.002835モル)およびグリセリン45mlを反応容器に加え、窒素バブリングを行いながら加熱し、内温150℃で3時間反応させた。
反応終了後反応液を冷却し、反応液をメタノールで希釈したのち得られた結晶を濾別した。結晶をよくメタノールで洗浄、乾燥したのち、フラッシュカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/トルエン)により精製し、目的の例示化合物5−3を0.53g(42%)得た。
上記化合物の構造は、H−NMR、13C−NMR、MASS(質量)スペクトルの測定により決定した。
尚、その他の、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料である例示化合物についても同様の方法にて合成、構造を確認した。
実施例2
《有機EL素子1−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてHOST−14を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに比較化合物1を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。
更に、HOST−14と比較化合物1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの発光層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
更に、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。
その上に、更に、Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。
《有機EL素子1−2〜1−9の作製》
有機EL素子1−1の作製において、表1に記載のように発光ドーパント材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−9を作製した。
《有機EL素子1−1〜1−9の評価》
作製後の各有機EL素子1−1〜1−9の評価は、各素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
図3は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている(尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。
図4は、照明装置の断面図を示し、図2において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
有機EL素子1−1〜1−9を用いて得られた各照明装置について、下記に示すようにして、発光寿命及びダークスポットの評価を行った。
《発光寿命》
有機EL素子1−1〜1−9を用いて得られた各照明装置を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。
尚、発光寿命は有機EL素子1−1を100と設定する相対値で表した。
《初期駆動電圧》
有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動した時の初期駆動電圧を測定した。初期駆動電圧は比較の有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表示した。値が小さいほど初期駆動電圧が低いことを示す。
《ダークスポット》
有機EL素子1−1〜1−9を用いて得られた各照明装置を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続点灯10時間後の発光面を、無作為に抽出した10人による目視により下記のようにランク評価を行った。
×:ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合
△:ダークスポットを確認した人数が1−4人の場合
○:ダークスポットを確認した人数が0人の場合
得られた評価結果を表1に示す。
Figure 2012222268
表1から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、寿命が長いことが明らかである。さらに、これらの素子は、初期駆動電圧も低く、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
これは、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料である化合物を用いることで発光層内の電子注入、輸送性が上がったことにより、キャリアバランスが向上したためと考えられる。
実施例3
《有機EL素子2−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。
この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、3mgの正孔輸送材料1と40mgの正孔輸送材料2とを10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。
更に180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層とした。
この第2正孔輸送層上に、100mgのHost−9と10mgの比較化合物1とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて600rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約70nmの発光層とした。
次に、この発光層上に、50mgのET−40を10mlのヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。
更に、60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に、アルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。
《有機EL素子2−2〜2−8の作製》
実施例2の有機EL素子1−1の作製において、Host−9、比較化合物1及びET−40を表2に記載の化合物に変えた以外は同様にして、有機EL素子2−2〜2−8を各々作製した。
尚、有機EL素子2−8に関しては、100mgの例示化合物6−2を10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて発光層を形成した。
《有機EL素子2−1〜2−8の評価》
得られた有機EL素子2−1〜2−8を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−7と同様に、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
次いで、下記の評価を行った。
《発光寿命》
発光寿命については、実施例1と同様の方法で評価した。尚、有機EL素子2−1の発光寿命を100と設定する相対値で表した。
《電力効率》
分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いて、各有機EL素子の中央部の正面輝度及び輝度角度依存性を測定し、正面輝度1000cd/mにおける電力効率を求めた。尚、電力効率は有機EL素子2−1の電力効率を100と設定する相対値で表した。
以上の評価結果を表2に示す。
Figure 2012222268
表2から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、発光寿命が長いことが明らかである。更に、これらの素子は、比較の素子に比べ、電力効率が高いことも明らかである。
実施例4
《有機EL素子3−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにHOST−25を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにET−11を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにD−26を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにD−6を100mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。
更に、HOST−25とD−26の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの第1発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
更に、HOST−25とD−6の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で第1発光層上に共蒸着して、膜厚10nmの第2発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
更に、ET−11の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚30nmの正孔阻止層兼電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続きフッ化リチウム2.0nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3−1を作製した。
《有機EL素子3−2〜3−4の作製》
有機EL素子3−1の作製において、ドーパントD−6を表3に記載の化合物に変えた以外は同様にして、有機EL素子3−2〜3−4を作製した。
《有機EL素子3−1〜3−4の評価》
得られた有機EL素子3−1〜3−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子と同様に封止し、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
次いで、下記の評価を行った。
《外部取り出し量子効率》
実施例3と同様の方法で外部取り出し量子効率(ηext)を算出した。外部取り出し量子効率は有機EL素子3−1を100とする相対値で表した。
《初期駆動電圧》
有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動した時の初期駆動電圧を測定した。初期駆動電圧は比較の有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表示した。
《白色官能評価》
有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動した時に得られる発光を目視で評価し、白色発光が得られている場合には白色、赤色発光が強い場合には赤色と示した。
得られた評価結果を表3に示す。
Figure 2012222268
表3から、比較の有機エレクトロルミネッセンス素子材料である、D−6、D−10を各々用いて第2発光層を形成した比較の有機EL素子3−1、3−2は、ドーパントとして用いたD−6、D−10の電子トラップ性が強く主に赤色発光しているのに対し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料である、5−13、5−18を各々用いて第2発光層を形成した本発明の有機EL素子3−3、3−4は、第2発光層が良好な電子注入性と輸送性を示すことにより、外部取り出し量子効率が高く、駆動電圧が低く、且つ、白色発光する有機EL素子が得られていることが明らかである。
実施例5
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素1−1において、比較化合物1を例示化合物1−17に変更した以外は同様にして、青色発光素子を作製し、これを青色発光素子とした。
(緑色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子1−1において、比較化合物1を例示化合物5−17に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として用いた。
(赤色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子1−1において、比較化合物1を例示化合物5−13に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。
上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機EL素子を同一基板上に並置し、図1に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。
即ち、同一基板上に複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。
前記複数画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されるとデータ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
このフルカラー表示装置は駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。
実施例6
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
実施例1の透明電極基板の電極を20mm×20mmにパターニングし、その上に実施例1と同様に正孔注入/輸送層としてα−NPDを25nmの厚さで成膜し、更に、HOST−25の入った前記加熱ボートと例示化合物1−17の入ったボート及びD−6の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるHOST−25と発光ドーパントとして例示化合物1−17、及びD−6の蒸着速度が100:5:0.6になるように調節し、膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
次いで、BAlqを10nm成膜して正孔阻止層を設けた。更に、Alqを40nmで成膜し電子輸送層を設けた。
次に、実施例2と同様に電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着、成膜した。
この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図3、図4に示すような平面ランプを作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。
実施例7
《白色の有機EL素子の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。
この基板を窒素雰囲気下に移し、50mgの市販のADS254BE(American Dye Source, Inc製)を10mlのトルエンに溶解した溶液を2500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、第2正孔輸送層を形成した。
次に、HOST−16(100mg)、例示化合物5−16(0.5mg)、比較化合物1(16mg)を酢酸ブチル10mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。60℃で1時間真空乾燥し発光層とした。
更に、ET−10(25mg)をヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP) 5mlに溶解した溶液を用い、2000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した後、60℃で1時間真空乾燥し第1電子輸送層とした。
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにET−7を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、ET−7の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚20nmの第2電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子を作製した。
この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図3、図4に示すような平面ランプを作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤

Claims (14)

  1. 下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
    Figure 2012222268
    〔式中、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aは、6員の芳香族炭化水素基、または、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A〜Aは、各々炭素原子または窒素原子を表す。nは0または1の整数を表す。R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。B、B、B、B、Bで構成される環Bは5員の芳香族複素環基を表す。B、B、B、B、Bは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子またはケイ素原子を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
  2. 前記一般式(1)で表される化合物が下記一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
    Figure 2012222268
    〔式中、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aは、6員の芳香族炭化水素基、または、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A〜Aは、各々炭素原子または窒素原子を表す。nは0または1の整数を表す。R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。B、Bと2つの窒素原子及び炭素原子から構成される環Bは5員の芳香族複素環基を表す。B、Bは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子またはケイ素原子を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
  3. 前記一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(3)で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
    Figure 2012222268
    〔式中、C、A、A、A、A及びAで構成される環Aは、6員の芳香族炭化水素基、または、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A〜Aは、各々炭素原子または窒素原子を表す。nは0または1の整数を表す。R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。B、Bと2つの窒素原子及び炭素原子から構成される環Bは5員の芳香族複素環基を表す。B、Bは、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ホウ素原子、リン原子またはケイ素原子を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。R22は、置換基を表し、pは0〜2の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
  4. 前記一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(4)で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
    Figure 2012222268
    〔式中、R11は水素原子または置換基を表し、mは2から4の整数を表す。R21は、水素原子または置換基を表し、複数のR21は互いに同一でもよく異なっていてもよい。但し、R21のうち少なくとも一つはフルオレニル基を表す。0は1から3の整数を表す。Jは連結基を表し、qは0または1の整数を表す。R22は、置換基を表し、pは0〜2の整数を表す。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1から3の整数を表し、m2は0から2の整数を表す。〕
  5. 請求項1に記載の一般式(1)、請求項2に記載の一般式(2)、請求項3に記載の一般式(3)または請求項4に記載の一般式(4)で表される化合物のいずれか一つのMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
  6. 陽極と陰極により挟まれた少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    該発光層が、請求項1に記載の一般式(1)で表される化合物を少なくとも1つ含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 前記一般式(1)で表される化合物が、請求項2に記載の一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記一般式(1)で表される化合物が、請求項3に記載の一般式(3)で表される化合物であることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記一般式(1)で表される化合物が、請求項4に記載の一般式(4)で表される化合物であることを特徴とする、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 請求項1に記載の一般式(1)、請求項2に記載の一般式(2)、請求項3に記載の一般式(3)または請求項4に記載の一般式(4)で表される化合物のいずれか一つのMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 構成層として、請求項1に記載の一般式(1)、請求項2に記載の一般式(2)、請求項3に記載の一般式(3)または請求項4に記載の一般式(4)で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 構成層として、第2の発光層を有し、該第2の発光層が、請求項1に記載の一般式(1)、請求項2に記載の一般式(2)、請求項3に記載の一般式(3)または請求項4に記載の一般式(4)で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層することを特徴とする請求項6〜11のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 請求項6〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
  14. 請求項6〜12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
JP2011088900A 2011-04-13 2011-04-13 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Active JP5708176B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011088900A JP5708176B2 (ja) 2011-04-13 2011-04-13 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011088900A JP5708176B2 (ja) 2011-04-13 2011-04-13 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012222268A true JP2012222268A (ja) 2012-11-12
JP5708176B2 JP5708176B2 (ja) 2015-04-30

Family

ID=47273437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011088900A Active JP5708176B2 (ja) 2011-04-13 2011-04-13 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5708176B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103193717A (zh) * 2013-04-24 2013-07-10 南京工业大学 一种间苯联双嘧啶化合物、合成方法及应用
WO2014097866A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2015038195A (ja) * 2013-07-17 2015-02-26 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた発光素子
JP2016032111A (ja) * 2014-07-25 2016-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
WO2016185183A1 (en) * 2015-05-15 2016-11-24 Cambridge Display Technology Limited Light-emitting compound
WO2016198144A1 (en) 2015-06-10 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
CN107759593A (zh) * 2017-11-08 2018-03-06 长春海谱润斯科技有限公司 一种有机电致发光材料及其有机发光器件
WO2019117069A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、遷移金属錯体、及び、インク組成物
US10381577B2 (en) 2015-07-27 2019-08-13 Heesung Material Ltd. Hetero-cyclic compound and organic light emitting device using the same
JP2020138934A (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友化学株式会社 金属錯体及び前記金属錯体を含む組成物
CN116333334A (zh) * 2023-04-12 2023-06-27 重庆师范大学 多孔mof非稀土转光材料及其制法与在制备红光-近红外光器件中的应用

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007029461A1 (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置及び照明装置
WO2008090795A1 (ja) * 2007-01-26 2008-07-31 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2008149617A1 (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
WO2010032663A1 (ja) * 2008-09-17 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2010061989A1 (en) * 2008-11-27 2010-06-03 Cheil Industries Inc. Organometallic complex compounds for photoelectric device and photoelectric device including the same
JP2010165768A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2011106344A1 (en) * 2010-02-25 2011-09-01 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
JP2012214463A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機金属錯体、発光素子、表示装置、電子機器、及び照明装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007029461A1 (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、該有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置及び照明装置
WO2008090795A1 (ja) * 2007-01-26 2008-07-31 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2008149617A1 (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
WO2010032663A1 (ja) * 2008-09-17 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2010061989A1 (en) * 2008-11-27 2010-06-03 Cheil Industries Inc. Organometallic complex compounds for photoelectric device and photoelectric device including the same
JP2010165768A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2011106344A1 (en) * 2010-02-25 2011-09-01 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
JP2013520508A (ja) * 2010-02-25 2013-06-06 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション リン光発光体
JP2012214463A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機金属錯体、発光素子、表示装置、電子機器、及び照明装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014097866A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JPWO2014097866A1 (ja) * 2012-12-18 2017-01-12 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
CN103193717A (zh) * 2013-04-24 2013-07-10 南京工业大学 一种间苯联双嘧啶化合物、合成方法及应用
JP2015038195A (ja) * 2013-07-17 2015-02-26 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた発光素子
JP2016032111A (ja) * 2014-07-25 2016-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
WO2016185183A1 (en) * 2015-05-15 2016-11-24 Cambridge Display Technology Limited Light-emitting compound
CN107531735A (zh) * 2015-05-15 2018-01-02 剑桥显示技术有限公司 发光化合物
WO2016198144A1 (en) 2015-06-10 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
US10381577B2 (en) 2015-07-27 2019-08-13 Heesung Material Ltd. Hetero-cyclic compound and organic light emitting device using the same
CN107759593A (zh) * 2017-11-08 2018-03-06 长春海谱润斯科技有限公司 一种有机电致发光材料及其有机发光器件
WO2019117069A1 (ja) * 2017-12-15 2019-06-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、遷移金属錯体、及び、インク組成物
JP2020138934A (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友化学株式会社 金属錯体及び前記金属錯体を含む組成物
WO2020174838A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友化学株式会社 金属錯体及び前記金属錯体を含む組成物
EP3932927A4 (en) * 2019-02-28 2022-12-21 Sumitomo Chemical Company Limited METAL COMPLEX AND COMPOSITION COMPRISING SAID METAL COMPLEX
JP7298187B2 (ja) 2019-02-28 2023-06-27 住友化学株式会社 金属錯体及び前記金属錯体を含む組成物
CN116333334A (zh) * 2023-04-12 2023-06-27 重庆师范大学 多孔mof非稀土转光材料及其制法与在制备红光-近红外光器件中的应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP5708176B2 (ja) 2015-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5629980B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5304010B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5531446B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置および照明装置
JP5724204B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
JP5857754B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP5659478B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5747555B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5577650B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP5782836B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、並びに化合物
JP5708176B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5652083B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5569531B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP5652235B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5692011B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、並びに照明装置
JP2014017493A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
JP5846119B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP5629970B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2013168552A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された表示装置及び照明装置
JP5482313B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
JP5488053B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
WO2013027633A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5359088B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5272608B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置
JP5320881B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
JP6044695B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された表示装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130918

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20140207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140722

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140903

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5708176

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350