JP2012222159A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012222159A
JP2012222159A JP2011086690A JP2011086690A JP2012222159A JP 2012222159 A JP2012222159 A JP 2012222159A JP 2011086690 A JP2011086690 A JP 2011086690A JP 2011086690 A JP2011086690 A JP 2011086690A JP 2012222159 A JP2012222159 A JP 2012222159A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection
heat dissipation
semiconductor device
members
heat radiating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011086690A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5585518B2 (ja
Inventor
Keita Fukutani
啓太 福谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2011086690A priority Critical patent/JP5585518B2/ja
Publication of JP2012222159A publication Critical patent/JP2012222159A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5585518B2 publication Critical patent/JP5585518B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】外部接続用端子の放熱部材に対する接続位置の自由度、及び外部接続用端子と放熱部材との電気的な接続信頼性を向上させることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】コレクタ端子５０，エミッタ端子６０は、導電性接続部材９２，９５にて放熱部材３０，２０の一面に接続された接続部５１，６１と、接続部５１，６１から連続的にモールド樹脂８０の外部まで延設された延設部５３，６３と、を有し、延設部５３，６３には、接続部５１，６１から屈曲されて放熱部材３０，２０の一つの側面３３，２３に対向する対向部５２，６２が設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体チップと、半導体チップに接続された放熱部材と、放熱部材に接続された外部接続用端子と、これらを一体的にモールドする絶縁性樹脂と、を備える半導体装置、及びこの半導体装置の製造方法に関するものである。
従来、半導体チップと、半導体チップに接続された放熱部材と、放熱部材に接続された接続端子（外部接続用端子）と、これらを一体的にモールドする絶縁性樹脂と、を備える半導体装置の一例として特許文献１に開示された半導体装置があった。
放熱部材は、半導体チップと電気的に接続されると共に、半導体チップから発せられた熱を放熱するものであり、半導体チップを挟むようにして配置されている。接続端子は、半導体装置と外部装置との電気的接続を行うものであり、各放熱部材に電気的に接続されている。また、半導体チップ、各放熱部材、外部接続用端子は、絶縁性樹脂で一体的にモールドされている。なお、半導体チップと放熱部材、及び放熱部材と外部接続用端子は、導電性接続部材（はんだや導電性接着剤等）で電気的に接続されている。また、各放熱部材の放熱面は、モールド樹脂の外部に露出している。
特開２００７−３０００５９号公報
ところで、この導電性接続部材としては、例えば半田箔などの箔状の部材を用いることが考えられる。この場合、放熱部材と外部接続用端子とが対向する位置に、導電性接続部材としての箔状の部材を配置する。その後、リフロー工程を経て、放熱部材と外部接続用端子とが導電性接続部材で電気的に接続される。
しかしながら、上述の半導体装置においては、導電性接続部材が放熱部材における外部接続用端子との対向面に沿う方向（以下、平行方向とも称する）に移動することを制限するものがない。また、リフロー工程前の導電性接続部材は、箔状の部材であり、溶融状態を経て外部接続用端子と放熱部材とに接続されているわけではない。よって、放熱部材と外部接続用端子との間に配置された導電性接続部材は、リフロー工程前に平行方向に移動する可能性がある。
このように、リフロー前に導電性接続部材が移動してしまうと、放熱部材と外部接続用端子とが正常に接続されずに接続不良になるという問題がある。つまり、放熱部材と外部接続用端子との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材と外部接続用端子とが導電性接続部材によって接続されなかったりすることが起こり得る。
なお、特許文献１における各放熱部材には、製造時における各放熱部材の平行度を確保するためのものであり、半導体装置の動作に直接影響しない吊り端子が導電性接続部材で接続されている。また、特許文献１の第２実施形態には、この吊り端子の先端部に、放熱部材を位置決めするための壁部を設ける例が開示されている（特許文献１の図８（ｂ））。
具体的には、吊り端子の先端部は、放熱部材における放熱面の裏面に対向して導電性接続部材が配置される部位と、この部位から屈曲して放熱部材における二つの側面（放熱面と裏面とを繋ぐ面）の夫々に対向する二つの壁部とを備える。
よって、導電性接続部材として箔状部材を用いたとしても、吊り端子と放熱部材とが対向する領域に配置されたリフロー工程前の導電性接続部材は、壁部によって平行方向における壁部側への移動が制限される。従って、放熱部材と吊り端子との接続不良の抑制を期待することができる。なお、この吊り端子は、半導体装置の動作に直接影響しないものであるため、必ず導電性接続部材によって放熱部材と接続されなければならないというわけではない。
そこで、放熱部材と外部接続用端子との接続不良を抑制するために、外部接続用端子の先端部に対して、このような壁部を設けることが考えられる。ところが、吊り端子は、放熱部材を位置決めするためのものであるため、互いに直交する二つの壁部が必要である。よって、吊り端子は、放熱部材の連続する二つの側面の夫々に各壁部が対向して配置されるため、放熱部材の隅部（四隅のうちの一つ）に接続される。よって、外部接続用端子に上述のような壁部を設けた場合、外部接続用端子は、放熱部材の隅部に導電性接続部材で接続されることになる。つまり、外部接続用端子の放熱部材に対する接続位置が限定されてしまうため好ましくない。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、外部接続用端子の放熱部材に対する接続位置の自由度、及び外部接続用端子と放熱部材との電気的な接続信頼性を向上させることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体装置は、
半導体チップ（１０）と、
半導体チップ（１０）と電気的に接続された放熱部材（２０，３０）と、
放熱部材（２０，３０）と導電性接続部材（９２，９５）にて電気的に接続された外部接続用端子（５０，６０）と、
半導体チップ（１０）、放熱部材（２０，３０）、外部接続用端子（５０，６０）を一体的にモールドする絶縁性樹脂（８０）と、を備える半導体装置（１００）であって、
外部接続用端子（５０，６０）の一部及び放熱部材（２０，３０）の一部は、絶縁性樹脂（８０）の外部に露出されており、
外部接続用端子（５０，６０）は、
導電性接続部材（９２，９５）にて放熱部材（２０，３０）の一面に接続された接続部（５１，６１）と、
接続部（５１，６１）から連続的に絶縁性樹脂（８０）の外部まで延設された延設部（５３，６３）と、を有し、
延設部（５３，６３）には、接続部（５１，６１）から屈曲されて放熱部材（２０，３０）の一つの側面（２３，３３）に対向する対向部（５２，６２）が設けられていることを特徴とする。
このようにすることによって、導電性接続部材（９２，９５）として半田箔などの箔状の部材を用いたとしても、放熱部材（２０，３０）や接続部（５１，６１）と接続する前の導電性接続部材（９２，９５）が、放熱部材（２０，３０）と接続部（５１，６１）との対向領域から対向部（５２，６２）方向へ移動することを制限できる。つまり、導電性接続部材（９２，９５）は、対向部（５２，６２）方向へ移動したとしても、対向部（５２，６２）に接触することで、対向部（５２，６２）よりも外側への移動が制限される。よって、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）とが導電性接続部材（９２，９５）によって接続されなかったりすることを抑制できる。従って、外部接続用端子（５０，６０）と放熱部材（２０，３０）との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
また、外部接続用端子（５０，６０）は、対向部（５２，６２）が放熱部材（２０，３０）の一つの側面（２３，３３）のみに対向している。よって、外部接続用端子（５０，６０）は、放熱部材（２０，３０）との接続位置が、放熱部材（２０，３０）の隅部に限定されることはない。従って、外部接続用端子（５０，６０）の放熱部材（２０，３０）に対する接続位置の自由度を向上させることができる。
また、請求項２に示すように、放熱部材（２０，３０）と接続部（５１，６１）とを電気的に接続している導電性接続部材（９２，９５）は、対向部（５２，６２）と放熱部材（２０，３０）の側面（２３，３３）との間にまで配置されており、
対向部（５２，６２）は、導電性接続部材（９２，９５）にて放熱部材（２０，３０）の側面（２３，３３）に接続されるようにしてもよい。
これによって、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）とは、放熱部材（２０，３０）の一面と接続部（５１，６１）のみならず、放熱部材（２０，３０）の側面（２３，３３）と対向部（５２，６２）でも電気的に接続される。従って、放熱部材（２０，３０）の一面と接続部（５１，６１）のみが電気的に接続されている場合よりも、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との接続領域を増やすことができるので好ましい。
また、請求項３に示すように、半導体チップ（１０）は、両面夫々に放熱部材（２０，３０）が電気的に接続されるものであり、
外部接続用端子（５０，６０）として、各放熱部材（２０，３０）の夫々に接続された二つの外部接続用端子（５０，６０）を含むようにしてもよい。
つまり、外部接続用端子（５０，６０）として、一方の放熱部材（２０）に接続された一つの外部接続用端子（６０）と、他方の放熱部材（３０）に接続されたもう一つの外部接続用端子（５０）とを含むようにしてもよい。このように外部接続用端子（５０，６０）を二つ含む場合であっても、各外部接続用端子（５０，６０）の放熱部材（２０，３０）に対する接続位置の自由度を向上させることができる。よって、各外部接続用端子（５０，６０）の接続先である外部装置の端子位置（端子間隔）に応じて、各外部接続用端子（５０，６０）の位置を決めることができるので好ましい。
また、請求項４に示すように、放熱部材（２０，３０）は、半導体チップ（１０）と対向している面（２１，３１）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位（２４，３４）を有し、
接続部（５１，６１）は、この凹んだ部位（２４，３４）に導電性接続部材（９２，９５）で接続されるようにしてもよい。
つまり、各接続部（５１，６１）は、放熱部材（２０，３０）同士が対向する面に接続される。このような場合、請求項４に示すように、放熱部材（２０，３０）の凹んだ部位（２４，３４）に接続部（５１，６１）を接続させることで、各放熱部材（２０，３０）間の間隔を広くすることができる。よって、各放熱部材（２０，３０）間に絶縁性樹脂（８０）が入り込みやすくすることができる。
しかしながら、請求項５に示すように、外部接続用端子（５０，６０）の接続部（５１，６１）は、放熱部材（２０，３０）における半導体チップ（１０）と対向している面（２１，３１）の反対面（２２，３２）に接続されるようにしてもよい。このようにしても本発明の目的は達成できる。
なお、このようにすることによって、絶縁性樹脂（８０）にてモールドする前の段階であれば、導電性接続部材（９２，９５）の接続・未接続を外観検査で判定しやすくすることができる。特に、半導体チップ（１０）の両面夫々に放熱部材（２０，３０）が電気的に接続され、各放熱部材（２０，３０）に外部接続用端子（５０，６０）が接続される場合に有効である。さらに、このようにすることによって、各放熱部材（２０，３０）間の間隔をより一層広くすることができる。よって、各放熱部材（２０，３０）間に絶縁性樹脂（８０）が入り込みやすくすることができる。
また、請求項６に示すように、放熱部材（２０，３０）は、反対面（２２，３２）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位（２５，３５）を有し、
接続部（５１，６１）は、この凹んだ部位（２５，３５）に導電性接続部材（９２，９５）で接続されるようにしてもよい。
このようにすることによって、放熱部材（２０，３０）から接続部（５１，６１）が突出することを抑制、或いは防止することができる。また、放熱部材（２０，３０）と導電性接続部材（９２，９５）との接続部、及び、接続部（５１，６１）と導電性接続部材（９２，９５）との接続部を絶縁性樹脂（８０）で覆いやすくすることができる。よって、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との接続部位が絶縁性樹脂（８０）の外部に露出することを抑制でき、外部接続用端子（５０，６０）と放熱部材（２０，３０）との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
また、上記目的を達成するために請求項７に記載の発明は、
半導体チップ（１０）と、
半導体チップ（１０）と電気的に接続された放熱部材（２０，３０）と、
放熱部材（２０，３０）と導電性接続部材（９２，９５）にて電気的に接続された外部接続用端子（５０，６０）と、
半導体チップ（１０）、放熱部材（２０，３０）、外部接続用端子（５０，６０）を一体的にモールドする絶縁性樹脂（８０）と、を備える半導体装置（１００）の製造方法であって、
外部接続用端子（５０，６０）の一部及び放熱部材（２０，３０）の一部は、絶縁性樹脂（８０）の外部に露出されており、
外部接続用端子（５０，６０）は、
導電性接続部材（９２，９５）にて放熱部材（２０，３０）の一面に接続される接続部（５１，６１）と、
接続部（５１，６１）から連続的に絶縁性樹脂（８０）の外部まで延設される延設部（５３，６３）と、を有し、
延設部（５３，６３）には、接続部（５１，６１）から屈曲されて放熱部材（２０，３０）の一つの側面（２３，３３）に対向する対向部（５２，６２）が設けられるものであり、
放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との接続位置に箔状の導電性接続部材（９２，９５）を配置する第１工程と、
第１工程後に、放熱部材（２０，３０）と接続部（５１，６１）で導電性接続部材（９２，９５）を挟み込みつつ、側面（２３，３３）と対向部（５２，６２）とを対向させて、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）とを組み付ける第２工程と、
第２工程後に、導電性接続部材（９２，９５）を溶融させて、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）とを電気的に接続する第３工程と、
を有することを特徴とする。
このように第２工程後に第３工程を行うことによって、導電性接続部材（９２，９５）として半田箔などの箔状の部材を用いたとしても、放熱部材（２０，３０）や接続部（５１，６１）と接続する前の導電性接続部材（９２，９５）が、放熱部材（２０，３０）と接続部（５１，６１）との対向領域から対向部（５２，６２）方向へ移動することを制限できる。つまり、導電性接続部材（９２，９５）は、対向部（５２，６２）方向へ移動したとしても、対向部（５２，６２）に接触することで、対向部（５２，６２）よりも外側への移動が制限される。
よって、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）とが導電性接続部材（９２，９５）によって接続されなかったりすることを抑制できる。従って、外部接続用端子（５０，６０）と放熱部材（２０，３０）との電気的な接続信頼性が向上した半導体装置を製造することができる。
また、外部接続用端子（５０，６０）は、対向部（５２，６２）が放熱部材（２０，３０）の一つの側面（２３，３３）のみに対向している。よって、外部接続用端子（５０，６０）は、放熱部材（２０，３０）との接続位置が、放熱部材（２０，３０）の隅部に限定されることはない。従って、外部接続用端子（５０，６０）の放熱部材（２０，３０）に対する接続位置の自由度を向上させることができる。
また、請求項８に示すように、第２工程においては、側面（２３，３３）と対向部（５２，６２）とを、導電性接続部材（９２，９５）の厚さ以下の空隙をあけて組み付け、
第３工程においては、導電性接続部材（９２，９５）を溶融させて、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）とを電気的に接続するようにしてもよい。
このようにすることによって、溶融した状態の導電性接続部材（９２，９５）を、ウィッキングによって側面（２３，３３）と対向部（５２，６２）との間の空隙まで濡れ広がらせることができる。よって、放熱部材（２０，３０）の一面と接続部（５１，６１）のみが電気的に接続されている場合よりも、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との接続領域を増やすことができるので好ましい。従って、放熱部材（２０，３０）と外部接続用端子（５０，６０）との接続領域が増大した半導体装置（１００）を製造することができる。
また、請求項９に示すように、放熱部材（２０，３０）の接続部（５１，６１）との接続予定領域を、放熱部材（２０，３０）の接続部（５１，６１）との接続面に沿う方向において囲う治具（３００ｂ）を用いるものであり、
治具を放熱部材（２０，３０）の接続面側に設置する設置工程を備え、
第１工程、第２工程、第３工程は、治具（３００ｂ）を設置した状態で行なわれるようにしてもよい。
このようにすることによって、溶融する前の箔状の導電性接続部材（９２，９５）が、放熱部材（２０，３０）と接続部（５１，６１）との対向領域から移動することを制限できる。つまり、放熱部材（２０，３０）の接続部（５１，６１）との対向面に沿う向への移動を制限することができる。従って、外部接続用端子（５０，６０）と放熱部材（２０，３０）との電気的な接続信頼性がより一層向上した半導体装置を製造することができる。
また、請求項１０に示すように、外部接続用端子（５０，６０）となる部材を折り曲げて、接続部（５１，６１）、対向部（５２，６２）、延設部（５３，６３）を形成する折曲工程を備えるようにしてもよい。
このようにすることによって、外部接続用端子（５０，６０）となる部材（例えば、リードフレーム）として、対向部（５２，６２）が設けられていないものでも採用することができる。
本発明の第１実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は図１のIIａ−IIａ線に沿う断面図であり、（ｂ）は図１のIIｂ−IIｂ線に沿う断面図である。 （ａ）はコレクタ端子となる部材（リードフレーム）の平面図であり、（ｂ）は図３（ａ）のIIIｂ方向からの側面図であり、（ｃ）はエミッタ端子となる部材の平面図であり、（ｄ）は図３（ｃ）のIIIｄ方向から側面図である。 （ａ）は折曲工程を施したリードフレームの平面図であり、（ｂ）は図４（ａ）のIVｂ方向からの側面図であり、（ｃ）は折曲工程を施したエミッタ端子の平面図であり、（ｄ）は図４（ｃ）のIVｄ方向から側面図である。 （ａ）は配置工程を施したリードフレームと放熱部材との平面図であり、（ｂ）は図５（ａ）のVｂ方向からの側面図であり、（ｃ）は配置工程を施したエミッタ端子の平面図であり、（ｄ）は図５（ｃ）のVｄ方向から側面図である。 （ａ）は搭載工程を施したリードフレームと放熱部材などの平面図であり、（ｂ）は図６（ａ）のVIｂ方向からの側面図である。 （ａ）は組み付け工程を施したリードフレームと放熱部材などの平面図であり、（ｂ）は図７（ａ）のVIIｂ方向からの側面図である。 （ａ）はモールド工程を施した半導体装置の平面図であり、（ｂ）は図８（ａ）のVIIIｂ方向からの側面図（透視図）である。 （ａ）は切断工程を施した半導体装置の平面図であり、（ｂ）は図９（ａ）のIXｂ方向からの側面図（透視図）である。 （ａ）は下治具の平面図であり、（ｂ）は図１０（ａ）のXｂ−Xｂ線に沿う断面図であり、（ｃ）は上治具の平面図であり、（ｄ）は図１０（ｃ）のXｄ方向から側面図である。 （ａ）は下治具に放熱部材と上治具とを設置した状態の平面図であり、（ｂ）は図１１（ａ）のXIｂ−XIｂ線に沿う断面図であり、（ｃ）は導電性接続部材とリードフレームとを設置した状態の平面図であり、（ｄ）は図１１（ｃ）のXIｄ−XIｄ線に沿う断面図である。 本発明の第２実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図であり、（ａ）は図２（ａ）に相当するものであり、（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。 本発明の第２実施形態における半導体装置の製造工程の一部を示す図面であり、下治具にリードフレームと導電性接続部材と放熱部材と上治具を設置した状態の断面図である。 本発明の第３実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図であり、（ａ）は図２（ａ）に相当するものであり、（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。 本発明の第３実施形態におけるコレクタ端子となる部材の概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は折曲工程を施した状態の平面図であり、（ｃ）は図１５（ｂ）のXVｃ−XVｃ線に沿う断面図である。 本発明の第４実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図であり、（ａ）は図２（ａ）に相当するものであり、（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。 本発明の第５実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図であり、（ａ）は図２（ａ）に相当するものであり、（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。 本発明の第６実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は図１８のXIXａ−XIXａ線に沿う断面図であり、（ｂ）は図１８のXIXｂ−XIXｂ線に沿う断面図である。 本発明の第７実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図である。 （ａ）は図２０のXXIａ−XXIａ線に沿う断面図であり、（ｂ）は図１のXXIｂ−XXIｂ線に沿う断面図である。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
まず、図１〜図１１に基づいて、第１実施形態における半導体装置１００に関して説明する。なお、以下の説明における平行方向とは、放熱部材２０，３０の接続面２１，３１に平行な方向を示すものである。換言すると、放熱部材２０，３０の半導体チップ１０と対向する面に対して平行な方向を示すものである。例えば、図１においては、紙面に沿う方向である。また、厚さ方向とは、半導体チップ１０の厚さ方向を示すものである。換言すると、半導体チップ１０の放熱部材２０，３０と対向する面（導電性接続部材９３の接続面や導電性接続部材９１の接続面）に対して垂直な方向を示すものである。例えば、図２（ａ），（ｂ）においては、紙面の上下方向である。
図１，図２に示す半導体装置１００は、例えば車両のインバータ回路に組み入れられ、負荷（例えばモータ等）をＰＷＭ制御するための装置として適用することができる。この半導体装置１００は、主に、半導体チップ１０（ここでは、二つの半導体チップ１０）と、半導体チップ１０と電気的、機械的、且つ熱的に接続された放熱部材２０，３０と、放熱部材２０，３０と導電性接続部材９２，９５にて電気的、機械的に接続された外部接続端子であるコレクタ端子５０及びエミッタ端子６０とを備える。また、これらの半導体チップ１０、放熱部材２０，３０、コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０を一体的にモールドするモールド樹脂（絶縁性樹脂）８０も備えている。
また、半導体装置１００は、半導体装置１００の外部に設けられた外部装置と電気的に接続するために、コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０の一部（延設部５３，６３の一部）がモールド樹脂８０の外部に露出している。なお、このコレクタ端子５０及びエミッタ端子６０は、後ほど説明する小電流用外部接続端子（以下、小電流用端子とも称する）よりも大電流が流れるものであるため、大電流用外部接続端子とも言い換えることができる。つまり、コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０は、半導体チップ１０における大電流が流れる外部接続端子である。一方、小電流用外部接続端子は、半導体チップ１０における小電流が流れる外部接続端子である。
さらに、半導体装置１００は、放熱部材２０，３０の一部（放熱面２２，３２）がモールド樹脂８０の外部に露出している。このように、半導体装置１００は、半導体チップ１０と電気的、機械的、且つ熱的に接続された放熱部材２０，３０の放熱面２２，３２がモールド樹脂８０の外部に露出することで放熱構造が形成されている。よって、半導体装置１００は、放熱構造を有する半導体装置と言い換えることができる。
また、半導体装置１００は、この他にも、例えばゲート用端子、エミッタ用小電流端子、温度センサ用端子などの小電流用端子４１〜４５、小電流用端子４１〜４５と半導体チップ１０（小電流用電極）とを電気的に接続するワイヤ４１ａ〜４５ａを備えている。さらに、半導体装置１００は、ワイヤ４１ａ〜４５ａと放熱部材２０とが接触しないようにするためのブロック体７０なども備えている。そして、この小電流用端子４１〜４５、ワイヤ４１ａ〜４５ａ、ブロック体７０に関しても、上述の半導体チップ１０などと一体的にモールド樹脂８０にてモールドされている。
半導体チップ１０は、シリコンなどの半導体基板に、周知の半導体プロセスによって複数のトランジスタ構造部が形成されている。例えば、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）など、負荷の電力制御に用いられるパワートランジスタ素子が構成されたＩＣチップである。なお、本実施の形態においては、このパワートランジスタ素子としてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を採用する。つまり、本実施の形態における半導体チップ１０は、厚さ方向に電流が流れるように所謂縦型構造を有している。よって、半導体チップ１０は、両面電極構造を有しているとも言い換えることができる。また、半導体チップ１０は、このパワートランジスタ素子を除く素子、例えばダイオード、抵抗、コンデンサ、ＣＭＯＳ、バイポーラトランジスタなどの素子が集積されてなる信号処理回路部（大規模集積回路）が設けられているものを採用することもできる。
図示は省略するが、この半導体チップ１０の両表面（厚さ方向に対して垂直な両面）のそれぞれには、半導体装置１００と半導体装置１００の外部（外部装置）との接続用の電極（例えばＮｉ系材料からなる）が形成されている。この電極としては、ＩＧＢＴにおける大電流が流れる大電流用電極（エミッタ用パッド、コレクタ用パッド）が半導体チップ１０の両表面のそれぞれに設けられている。換言すると、大電流用電極であるエミッタ用パッド及びコレクタ用パッドの一方は、半導体チップ１０の一方の表面に設けられ、他方は表面の反対面に設けられている。例えば、図２（ａ）においては、半導体チップ１０の紙面上側の面（放熱部材２０と対向する面）にエミッタ用パッドが設けられ、半導体チップ１０の紙面下側の面（放熱部材３０と対向する面）にコレクタ用パッドが設けられている。
半導体チップ１０は、エミッタ用パッド（図示省略）に、例えば半田などからなる導電性接続部材９３を介してブロック体７０が電気的、機械的、且つ熱的に接続されている。さらに、ブロック体７０は、半導体チップ１０との接続面の反対面に、例えば半田などからなる導電性接続部材９４を介して放熱部材２０が電気的、機械的、且つ熱的に接続されている。つまり、半導体チップ１０は、エミッタ用パッドに、放熱部材２０が電気的、機械的、且つ熱的に接続されている。なお、放熱部材２０におけるブロック体７０との接続面２１（半導体チップ１０側の接続面）の反対面は、モールド樹脂８０の外部に露出した放熱面２２である。
また、半導体チップ１０は、コレクタ用パッド（図示省略）に、例えば半田などからなる導電性接続部材９１を介して放熱部材３０が電気的、機械的、且つ熱的に接続されている。なお、放熱部材３０における半導体チップ１０との接続面３１（半導体チップ１０側の接続面）の反対面は、モールド樹脂８０の外部に露出した放熱面３２である。このように、半導体チップ１０は、両面夫々に放熱部材２０，３０が電気的、機械的、且つ熱的に接続されている。つまり、半導体装置１００は、両面放熱構造となっている。
また、この放熱部材２０，３０は、例えば共に直方体形状を有するものである。放熱部材２０，３０の接続面２１，３１及び放熱面２２，３２は、平坦面をなしており、半導体チップ１０における放熱部材２０，３０との対向面よりも広い面積を有している。また、符号２３は、放熱部材２０の側面（接続面２１と放熱面２２とを繋ぐ面）を示すものである。同様に、符号３３は、放熱部材３０の側面（接続面３１と放熱面３２とを繋ぐ面）を示すものである。
なお、放熱部材２０，３０及びブロック体７０は、半導体チップ１０の大電流用外部接続端子の一部としての機能を果たすとともに、半導体チップ１０に生じた熱を半導体装置１００の外部に放熱する機能を果たす。放熱部材２０，３０及びブロック体７０は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成される。例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金からなるものを採用することができる。
さらに、図示は省略するが、半導体チップ１０は、エミッタ用パッドが設けられた面に、ワイヤ４１ａ〜４５ａを介して小電流用端子４１〜４５と電気的に接続される小電流用電極が設けられている。なお、この小電流用電極は、半導体チップ１０の縁部の一箇所にまとめて配置されている。このように、半導体チップ１０は、ＩＧＢＴと、ＩＧＢＴにおける大電流が流れるエミッタ用パッド（エミッタ電極）及びコレクタ用パッド（コレクタ電極）と、エミッタ用パッド及びコレクタ用パッドに流れる電流よりも小電流が流れる小電流用電極が設けられている。
図２（ｂ）に示すように、放熱部材２０の接続面２１には、例えば半田などからなる導電性接続部材９５を介して、エミッタ端子６０が電気的、機械的に接続されている。また、図２（ａ）に示すように、放熱部材３０の接続面３１には、例えば半田などからなる導電性接続部材９２を介して、コレクタ端子５０が電気的、機械的に接続されている。このように、本実施形態における半導体装置１００は、本発明の外部接続用端子として、各放熱部材２０，３０の夫々に接続されたエミッタ端子６０とコレクタ端子５０を含む。このコレクタ端子５０及びエミッタ端子６０は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金からなるものを採用することができる。
コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０は、板状の部材を折曲して（折り曲げて）構成されるものである。なお、コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０は、同じ形状を有するものである。よって、以下においては、コレクタ端子５０を用いて説明する。
図１，図２（ａ）に示すように、コレクタ端子５０は、導電性接続部材９２にて放熱部材３０の一面に接続される部位である接続部５１と、この接続部５１から連続的にモールド樹脂８０の外部まで延設される延設部５３とを有する。換言すると、延設部５３は、接続部５１から放熱部材３０における接続面３１の対向領域の外部まで連続的に延設されている。また、この延設部５３には、接続部５１から屈曲されて放熱部材３０の一つの側面３３に対向する対向部５２が設けられている。なお、エミッタ端子６０においては、符号６１が接続部、符号６２が対向部、符号６３が延設部を示す。
接続部５１は、放熱部材３０の接続面３１に対向する平坦面を有する。つまり、接続部５１は、放熱部材３０の接続面３１に対して平行に設けられている。また、対向部５２は、接続部５１から放熱部材３０の側面３３に沿って直角に折り曲げられており、放熱部材３０の側面３３に対向する平坦面を有する。また、対向部５２は、接続部５１に対して、放熱部材３０の側面３３に対向する方向に突出して設けられていると言い換えることができる。つまり、対向部５２は、接続部５１に対して、放熱部材３０の側面３３に沿って突出して設けられていると言い換えることができる。また、対向部５２は、放熱部材３０の側面３３に対して平行に設けられている。
そして、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との距離は、導電性接続部材９５の溶融する前の部材（すなわち、箔状の部材（例えば、半田箔））の厚さ以下となっている。つまり、この対向部５３は、放熱部材３０の側面３３に接触、或いは、放熱部材３０の側面３３との間に箔状の部材の厚さ以下の空隙（隙間）を有して配置されている。
また、コレクタ端子５０におけるモールド樹脂８０から露出される部位は、樹脂モールド成型や電気的な検査などの製造工程における扱いやすさ、沿面距離の問題を考慮すると、上下放熱部材２０，３０間（すなわち半導体装置１００）の厚さ方向における中央に位置することが望ましい。よって、コレクタ端子５０は、図２（ａ）に示すように、接続部５１に対して、放熱部材３０の側面３３に沿うように折り曲げられ、更に、対向部５２に対して、モールド樹脂８０から露出される部位が上下放熱部材２０，３０間（すなわち半導体装置１００）の厚さ方向における中央に位置するように再度折り曲げられている。従って、コレクタ端子５０は、四箇所で折り曲げられている。
上述のように、導電性接続部材９２として半田箔などの箔状の部材を用いて放熱部材３０とコレクタ端子５０（接続部５１）とを接続する場合、まず、放熱部材３０とコレクタ端子５０との対向領域に箔状の部材を配置する。そして、この状態で、箔状の部材（導電性接続部材９２）を溶融することで放熱部材３０とコレクタ端子５０とを接続することができる。ところが、放熱部材３０とコレクタ端子５０との対向領域に配置された箔状の部材（導電性接続部材９２）は、溶融状態を経て放熱部材３０とコレクタ端子５０とに接続されているわけではない。つまり、箔状の部材（導電性接続部材９２）は、単に放熱部材３０とコレクタ端子５０とに接触しているだけである。
よって、対向部５２，６２が設けられていない場合、この箔状の部材（導電性接続部材９２）は、リフロー炉などに搬送する際の振動などによって、リフロー工程前に平行方向に移動する可能性がある。つまり、放熱部材３０と接続部５１との対向領域からずれて、放熱部材３０と接続部５１との対向領域から部分的にはみ出したり、完全にはみ出したりすることが考えられる。
このように、リフロー前に導電性接続部材９２が移動してしまうと、放熱部材３０とコレクタ端子５０とが正常に接続されずに接続不良になる可能性がある。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材３０とコレクタ端子５０とが導電性接続部材９２によって接続されなかったりすることが起こり得る。
しかしながら、本実施形態における半導体装置１００は、上述のように、コレクタ端子５０に対向部５２を設けている。これによって、導電性接続部材９２として半田箔などの箔状の部材を用いたとしても、溶融する前の箔状の部材（導電性接続部材９２）が、放熱部材３０と接続部５１との対向領域から対向部５２方向への移動することを制限できる。つまり、溶融する前の箔状の部材は、対向部５２方向へ移動したとしても、対向部５２に接触することで、対向部５２よりも外側への移動が制限される。
よって、放熱部材３０とコレクタ端子５０との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材３０とコレクタ端子５０とが導電性接続部材９２によって接続されなかったりすることを（すなわち、接続不良を）抑制できる。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０との電気的な接続領域（接続面積）を十分確保することができる。従って、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
特に、放熱部材３０の側面３３と対向部５２を接触させることによって、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との間の隙間をなくすことができる。よって、溶融する前の箔状の部材は、対向部５２方向へ移動したとしても、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との間を通って移動することがないので好ましい。また、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との距離を、溶融する前の箔状の部材の厚さ以下としても、同様に、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との間を通って移動することがないので好ましい。
また、コレクタ端子５０は、対向部５２が放熱部材３０の一つの側面３３にのみ対向している。つまり、対向部５２は、接続部５１に対して、放熱部材３０の一つの側面３３に沿って突出しているのみである。よって、コレクタ端子５０は、放熱部材３０との接続位置が、放熱部材３０の隅部に限定されることはない。従って、コレクタ端子５０の放熱部材３０に対する接続位置の自由度を向上させることができる。つまり、コレクタ端子５０の半導体装置１００における配置位置の自由度を向上させることができる。
例えば、被取付体（例えば車体）における半導体装置１００と外部装置の搭載位置が決まっていることもある。このような場合、コレクタ端子５０の位置が制限（例えば、放熱部材３０の隅部に制限）されると、半導体装置１００と外部装置とを電気的に接続するためには、コレクタ端子５０の形状を半導体装置１００と外部装置との位置関係に対応した形状とする必要がある。しかしながら、本実施形態における半導体装置１００では、コレクタ端子５０の半導体装置１００における配置位置の自由度を向上させることができるため、コレクタ端子５０の形状の自由度を向上させることもできる。
また、放熱部材２０とエミッタ端子６０とが接続される側においても同様の効果（接続信頼性の向上、接続位置の自由度の向上、形状の自由度の向上）を奏することができる。また、本実施形態のように外部接続用端子を二つ（ここでは、コレクタ端子５０とエミッタ端子６０）含む場合であっても、コレクタ端子５０の放熱部材３０に対する接続位置の自由度、及びエミッタ端子６０の放熱部材２０に対する接続位置の自由度を向上させることができる。よって、コレクタ端子５０とエミッタ端子６０の接続先である外部装置の端子位置（端子間隔）に応じて、コレクタ端子５０とエミッタ端子６０の位置（間隔）を決めることができるので好ましい。
また、本実施形態の半導体装置１００においては、放熱部材２０，３０とエミッタ端子６０，コレクタ端子５０の位置関係が部品単体で決まるので好ましい。また、半導体装置１００の製品公差が部品公差のみ（治具公差は含まれない）で決まるので好ましい。つまり、放熱部材２０とエミッタ端子６０の対向部６２、放熱部材３０とコレクタ端子５０の対向部５２とを位置を合わせることで（例えば、放熱部材３０の側面とコレクタ端子５０の対向部５２とを接触させたり、放熱部材２０の側面とエミッタ端子６０の対向部６２とを接触させたりなど）、これら部品の位置関係が部品単体で決まる。そのため、治具（位置決めピンなどを含む）によって、これら部品の位置合わせを行う必要が無く、治具のピンレス化が可能となり、製品公差が部品公差のみとなる。
なお、小電流用端子４１〜４５は、モールド樹脂８０内に配置される部位であり、放熱部材３０の接続面３１に対して平行に設けられたワイヤ４４ａ〜４５ａの接続部（小電流用端子４１の場合は符号４４１）と、この接続部（例えば４４１）から連続的にモールド樹脂８０の外部まで延設される延設部とを有する。この小電流用端子４１〜４５における延設部に関しても、樹脂モールド成型や電気的な検査などの製造工程における扱いやすさ、沿面距離の問題を考慮すると、上下放熱部材２０，３０間の厚さ方向における中央に位置することが望ましい。
ここで、図３〜図１１を用いて、半導体装置１００の製造方法において、特徴的な点に関して説明する。
まず、図３（ａ），（ｂ）に示すように、小電流用端子４１〜４５とコレクタ端子５０となるリードフレーム２００と、図３（ｃ），（ｄ）に示すように、エミッタ端子６０となる部材を用意する。
図３（ａ）に示すように、リードフレーム２００は、連結部２１０で連結されたコレクタ端子５０、小電流用端子４１〜４５、保持部４６を含むものである。保持部４６は、コレクタ端子５０とともに放熱部材３０を保持する部位である。よって、この保持部４６は、半導体装置１００において、電気的な機能を有するものではない。
次に、図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、リードフレーム２００及びエミッタ端子６０となる部材に対して折曲工程を実行する。これは、上述のコレクタ端子５０における接続部５１、対向部５２、延設部５３（図４では符号を省略している）、エミッタ端子６０における接続部６１、対向部６２、延設部６３（図４では符号を省略している）を形成する工程である。なお、この折曲工程においては、小電流用端子４１〜４５におけるワイヤの接続部４４１〜４５１も形成するようにしてもよい。
例えば、プレス加工（曲げ加工）によって、リードフレーム２００やエミッタ端子６０となる部材を折り曲げて、コレクタ端子５０における接続部５１、対向部５２、延設部５３、小電流用端子４１〜４５における接続部４４１〜４５１、エミッタ端子６０における接続部６１、対向部６２、延設部６３を形成する。なお、リードフレーム２００に対してプレス加工を行うことによって、コレクタ端子５０における接続部５１、対向部５２、延設部５３、小電流用端子４１〜４５における接続部４４１〜４５１を一括で形成する。また、エミッタ端子６０となる部材に対してプレス加工を行うことによって、エミッタ端子６０における接続部６１、対向部６２、延設部６３を一括で形成する。
ちなみに、図４（ｂ）における符号４６１は、保持部４６における放熱部材３０との接続部であり、符号４６２は、保持部４６における対向部である。この接続部４６１は、コレクタ端子５０の接続部５１やエミッタ端子６０の接続部６１と同様のものである。一方、対向部４６２は、コレクタ端子５０の対向部５２やエミッタ端子６０の対向部６２と同様のものである。
このように折曲工程を行うことによって、コレクタ端子５０，エミッタ端子６０となる部材（例えば、リードフレーム２００）として、対向部５２，６２が設けられていないものでも採用することができる。
次に、図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、放熱部材３０，２０に対して、導電性接続部材９２，９５，９６、及び折曲工程後のリードフレーム２００、エミッタ端子６０となる部材を配置する配置工程を実行する。
この配置工程では、放熱部材３０におけるコレクタ端子５０との接続位置に箔状の導電性接続部材９２を配置する（第１工程）。同様に、放熱部材２０におけるエミッタ端子６０との接続位置に箔状の導電性接続部材９５を配置する（第１工程）。また、この第１工程においては、放熱部材３０における保持部４６との接続位置に箔状の導電性接続部材９６を配置する。なお、放熱部材２０，３０に導電性接続部材９２，９５，９６を配置する際には、放熱部材２０，３０は、接続面２１，３１が重力とは反対方向に向いている状態であると望ましい。
さらに、この第１工程後に、放熱部材３０と接続部５１で溶融前（箔状）の導電性接続部材９２を挟み込みつつ、側面３３と対向部５２とを対向させ、側面３３と対向部５２との距離が導電性接続部材９２の厚さ以下となるように、放熱部材３０とコレクタ端子５０（リードフレーム２００）とを組み付ける（第２工程）。このとき、放熱部材３０と接続部４６１とで溶融前の導電性接続部材９６が挟み込まれ、側面３３と対向部４６２とが対向し、側面３３と対向部４６２との距離が導電性接続部材９６の厚さ以下となるように、放熱部材３０とコレクタ端子５０（リードフレーム２００）とが組み付けられる。なお、導電性接続部材９２は、放熱部材３０と接続部５１とに接触した状態となる。同様に、導電性接続部材９６は、放熱部材３０と接続部４６１とに接触した状態となる。
換言すると、箔状の導電性接続部材９２，９６が配置された放熱部材３０に対して折曲工程後のリードフレーム２００を配置する。このとき、放熱部材３０上の導電性接続部材９２とコレクタ端子５０の接続部５１、及び放熱部材３０上の導電性接続部材９６と保持部４６の接続部４６１とを位置合わせしつつ、側面３３と対向部５２との距離、及び側面３３と対向部４６２との距離が導電性接続部材９２，９６の厚さ以下となるように、放熱部材３０とコレクタ端子５０となる部材（リードフレーム２００）とを組み付ける（第２工程）。
また、同様に、第１工程後に、放熱部材２０と接続部６１で溶融前（箔状）の導電性接続部材９５を挟み込みつつ、側面２３と対向部６２とを対向させ、側面２３と対向部６２との距離が導電性接続部材９５の厚さ以下となるように、放熱部材２０とエミッタ端子６０（エミッタ端子６０となる部材）とを組み付ける（第２工程）。換言すると、箔状の導電性接続部材９５が配置された放熱部材２０に対して折曲工程後のエミッタ端子６０となる部材を配置する。このとき、放熱部材２０上の導電性接続部材９５とエミッタ端子６０の接続部６１とを位置合わせしつつ、側面２３と対向部６２との距離が導電性接続部材９５の厚さ以下となるように、放熱部材２０とエミッタ端子６０（エミッタ端子６０となる部材）とを組み付ける（第２工程）。なお、導電性接続部材９５は、放熱部材２０と接続部６１とに接触した状態となる。
なお、ここでは、側面３３と対向部５２、及び側面３３と対向部４６２とが接触するように、放熱部材３０とコレクタ端子５０（リードフレーム２００）とを組み付ける例を採用する。同様に、側面２３と対向部６２とが接触するように、放熱部材２０とエミッタ端子６０（エミッタ端子６０となる部材）とを組み付ける例を採用する。
この配置工程を行う際には、図１０に示すような治具（下治具３００ａ、上治具３００ｂ）を用いるようにしてもよい。この下治具３００ａ、上治具３００ｂは、例えば、金属材料を採用することができる。なお、この上治具３００ｂは、本発明における治具に相当するものである。
まず、下治具３００ａは、放熱部材３０の平面形状に対応して周辺よりも窪んだ放熱部材用凹部３１０と、リードフレーム２００の形状（接続部５１に対して窪んでいる部位）に対応して周辺よりも窪んだフレーム用凹部３２０とを備える。この下治具３００ａの放熱部材用凹部３１０及びフレーム用凹部３２０は、放熱部材３０及びリードフレーム２００が配置された状態で、コレクタ端子５０と放熱部材３０とが位置決めされるように形成されている。つまり、下治具３００ａに放熱部材３０及びリードフレーム２００が配置された状態では、放熱部材３０の表面における接続部５１，４６１との接続予定領域に接続部５１，４６１が対向配置されつつ、放熱部材３０の側面３３に対向部５２，４６２が接触配置される。
一方、上治具３００ｂは、放熱部材３０における接続部５１との接続予定領域を、放熱部材３０の接続部５１との接続面に沿う方向において囲うものである。よって、上治具３００ｂの側面は、コレクタ端子５０の接続部５１が配置される部位に周辺の側面より窪んだ端子用凹部３３０が設けられるとともに、保持部４６の接続部４６１が配置される部位に周辺の側面より窪んだ保持部用凹部３４０が設けられている。つまり、端子用凹部３３０は、接続部５１の形状に対応した凹部であり、保持部用凹部３４０は、保持部４６の形状に対応した凹部である。換言すると、上治具３００ｂは、接続部５１の形状に対応して側面が周辺よりも窪んだ端子用凹部３３０と、保持部４６の形状に対応し側面が周辺よりも窪んだ保持部用凹部３４０とを有する。
そして、上述の配置工程を行う際には、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、下治具３００ａの放熱部材用凹部３１０に放熱部材３０を配置するとともに、この放熱部材３０の表面に上治具３００ｂを設置する（設置工程）。つまり、上治具３００ｂを放熱部材３０のコレクタ端子５０との接続面側に設置する（設置工程）。このとき、放熱部材３０の表面（接続面３１）における接続部５１，４６１との接続予定領域は、端子用凹部３３０及び保持部用凹部３４０によって外部に露出している。一方、放熱部材３０の表面（接続面３１）における接続部５１，４６１との接続予定領域以外は、上治具３００ｂで覆われている。
その後、図１１（ｃ），（ｄ）に示すように、放熱部材３０の表面（接続面３１）における接続部５１，４６１との接続予定領域に導電性接続部材９２，９６を配置する。さらに、下治具３００ａにリードフレーム２００を配置する。これによって、放熱部材３０と接続部５１で導電性接続部材９２が挟み込まれ、側面３３と対向部５２とが接触し、且つ、放熱部材３０と接続部４６１で導電性接続部材９６が挟み込まれ、側面３３と対向部４６２とが接触して、放熱部材３０とコレクタ端子５０（リードフレーム２００）とが組み付けられる（第２工程）。
なお、放熱部材２０に対して、導電性接続部材９５、及びエミッタ端子６０を配置する際にも、上述のような治具（上治具、下治具）を用いるようにしてもよい。
そして、この第２工程後に（すなわち第２工程を行った状態で）、導電性接続部材９２，９５を溶融させて、放熱部材２０とエミッタ端子６０（接続部６１）、及び放熱部材３０とコレクタ端子５０（接続部５１）とを電気的に接続する（第３工程）。また、このとき、放熱部材３０と保持部４６の接続部４６１も導電性接続部材９６で機械的に接続される。つまり、導電性接続部材９２，９６を介して配置された第２工程後のリードフレーム２００と放熱部材３０、及び、導電性接続部材９５を介して配置された第２工程後のエミッタ端子６０となる部材と放熱部材２０を、リフロー炉に搬送してリフロー工程を実行する。このように、第１工程、第２工程、第３工程は、上治具３００ｂを設置した状態で行なわれるようにしてもよい。なお、このように放熱部材２０、エミッタ端子６０（エミッタ端子６０となる部材）が一体となったものを第２ユニットとも称する。
このように、上治具３００ｂを用いることによって、溶融する前の箔状の導電性接続部材９２，９５が、放熱部材２０，３０と接続部５１，６１との対向領域から移動することを制限できる。つまり、放熱部材２０，３０の接続部５１，６１との対向面に沿う全ての方向（平行方向）への移動を制限することができる。従って、エミッタ端子６０，コレクタ端子５０と放熱部材２０，３０との電気的な接続信頼性がより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。
その後、図６（ａ），（ｂ）に示すように、放熱部材３０に対して箔状の導電性接続部材９１を介して半導体チップ１０を搭載するとともに、半導体チップ１０に対して箔状の導電性接続部材９３を介してブロック体７０を搭載する搭載工程を実行する。
つまり、放熱部材３０における接続面３１に、箔状の導電性接続部材９１を配置して、この導電性接続部材９１上に半導体チップ１０を搭載する。さらに、半導体チップ１０における放熱部材３０との接続面の反対面に、箔状の導電性接続部材９３を配置して、この導電性接続部材９３上にブロック体７０を搭載する。そして、この状態で、この導電性接続部材９１，９３を溶融させて、コレクタ端子５０と半導体チップ１０、半導体チップ１０とブロック体７０とを接続する。すなわち、この状態で、リフロー炉に搬送してリフロー工程を実行する。
その後、半導体チップ１０の小電流用電極と、リードフレームの小電流用端子４１〜４５となる部位とをワイヤ４１ａ〜４５ａで電気的に接続する。つまり、半導体チップ１０の小電流用電極と、リードフレームの接続部４４１〜４５１とをワイヤ４１ａ〜４５ａでワイヤボンディングする。なお、このように半導体チップ１０、放熱部材３０、ブロック体７０、ワイヤ４１ａ〜４５ａ、リードフレーム２００が一体となったものを第１ユニットとも称する。
その後、ブロック体７０に対して箔状の導電性接続部材９４を配置する。つまり、ブロック体７０における半導体チップ１０との接続面の反対面に箔状の導電性接続部材９４を配置する。そして、図７（ａ），（ｂ）に示すように、第１ユニットと第２ユニットとを接続する（組み付け工程）。このとき、ブロック体７０上に配置した導電性接続部材９４を介して、第１ユニットと第２ユニットとを接続する。つまり、放熱部材２０における接続面２１と、導電性接続部材９４（ブロック体７０）とを対向させて第１ユニットに第２ユニットを乗せる。そして、導電性接続部材９４上に第２ユニットを搭載した状態で、この導電性接続部材９４を溶融させて、第１ユニットと第２ユニットとを接続する（組み付け工程）。すなわち、第１ユニットに第２ユニットを乗せた状態で、リフロー炉に搬送してリフロー工程を実行する。なお、導電性接続部材９１，９３，９４を配置する際には、放熱部材３０は、接続面３１が重力とは反対方向に向いている状態であると望ましい。
その後、図８（ａ），（ｂ）に示すように、導電性接続部材９４で接続された第１ユニットと第２ユニットとをモールド樹脂８０でモールド成形する（モールド工程）。このとき、放熱部材２０，３０の放熱面２２，３２、及びコレクタ端子５０の延設部５３の一部、エミッタ端子６０の延設部６３の一部がモールド樹脂８０から外部に露出するようにモールド成形する。そして、図９（ａ），（ｂ）に示すように、このモールド工程後に、リードフレーム２００の連結部２１０を切断する切断工程を実行する。このようにして半導体装置１００を製造することができる。
上述のように、導電性接続部材９２として半田箔などの箔状の部材を用いて放熱部材３０とコレクタ端子５０（接続部５１）とを接続する場合、まず、放熱部材３０とコレクタ端子５０との対向領域に箔状の部材を配置する。そして、この状態で、箔状の部材（導電性接続部材９２）を溶融することで放熱部材３０とコレクタ端子５０とを接続することができる。ところが、放熱部材３０とコレクタ端子５０との対向領域に配置された箔状の部材（導電性接続部材９２）は、溶融状態を経て放熱部材３０とコレクタ端子５０とに接続されているわけではない。つまり、箔状の部材（導電性接続部材９２）は、単に放熱部材３０とコレクタ端子５０とに接触しているだけである。
よって、上述の第２工程を行わなかった場合、この箔状の部材（導電性接続部材９２）は、リフロー炉などに搬送する際の振動などによって、リフロー工程前に平行方向に移動する可能性がある。つまり、放熱部材３０と接続部５１との対向領域からずれて、放熱部材３０と接続部５１との対向領域から部分的にはみ出したり、完全にはみ出したりすることが考えられる。
このように、リフロー前に導電性接続部材９２が移動してしまうと、放熱部材３０とコレクタ端子５０とが正常に接続されずに接続不良になる可能性がある。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材３０とコレクタ端子５０とが導電性接続部材９２によって接続されなかったりすることが起こり得る。
しかしながら、本実施形態における半導体装置１００の製造方法は、上述のように第２工程後に第３工程を行うことによって、放熱部材３０や接続部５１と接続する前の導電性接続部材９２が、放熱部材３０と接続部５１との対向領域から対向部５２方向へ移動することを制限できる。つまり、導電性接続部材９２は、対向部５２方向へ移動したとしても、対向部５２に接触することで、対向部５２よりも外側への移動が制限される。
よって、放熱部材３０とコレクタ端子５０や放熱部材２０とエミッタ端子６０との電気的な接続領域が狭くなったり、或いは、放熱部材３０とコレクタ端子５０とが導電性接続部材９２によって接続されなかったり、放熱部材２０とエミッタ端子６０とが導電性接続部材９５によって接続されなかったりすることを抑制できる。従って、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性、及びエミッタ端子６０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性が向上した半導体装置を製造することができる。
特に、放熱部材３０の側面３３と対向部５２を接触させることによって、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との間の隙間をなくすことができる。よって、溶融する前の箔状の部材は、対向部５２方向へ移動したとしても、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との間を通って移動することがないので好ましい。また、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との距離を、溶融する前の箔状の部材の厚さ以下とすることによっても、同様に、放熱部材３０の側面３３と対向部５２との間を通って移動することがないので好ましい。なお、放熱部材２０とエミッタ端子６０とが接続される側においても同様の効果を奏することができる。
また、コレクタ端子５０は、対向部５２が放熱部材３０の一つの側面３３にのみ対向している。つまり、対向部５２は、接続部５１に対して、放熱部材３０の一つの側面３３に沿って突出しているのみである。よって、コレクタ端子５０は、放熱部材３０との接続位置が、放熱部材３０の隅部に限定されることはない。従って、コレクタ端子５０の放熱部材３０に対する接続位置の自由度を向上させることができる。つまり、コレクタ端子５０の半導体装置１００における配置位置の自由度を向上させることができる。
例えば、被取付体（例えば車体）における半導体装置１００と外部装置の搭載位置が決まっていることもある。このような場合、コレクタ端子５０の位置が制限（例えば、放熱部材３０の隅部に制限）されると、半導体装置１００と外部装置とを電気的に接続するためには、コレクタ端子５０の形状を半導体装置１００と外部装置との位置関係に対応した形状とする必要がある。しかしながら、本実施形態における半導体装置１００では、コレクタ端子５０の半導体装置１００における配置位置の自由度を向上させることができるため、コレクタ端子５０の形状の自由度を向上させることもできる。
なお、放熱部材２０とエミッタ端子６０とが接続される側においても同様の効果（接続位置の自由度の向上、形状の自由度の向上）を奏することができる。
また、本実施形態においては、上述のようにリードフレーム２００にコレクタ端子５０となる部位を設け、エミッタ端子６０は、このリードフレーム２００とは別部材とすることによって、コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０の製造が容易となる。つまり、コレクタ端子５０となる部材（ここではリードフレーム２００）と、エミッタ端子６０となる部材とを別部材とすることによって、コレクタ端子５０及びエミッタ端子６０の製造が容易となる。例えば、従来技術（特許文献１）の場合、１枚のリードフレームで製造するため、リードフレームを上下方向（異なる方向）にそれぞれ折り曲げる必要があり、折り曲げ加工が複雑となる。また、放熱部材２０，３０とエミッタ端子６０、コレクタ端子５０の厚みが異なり（例えば、エミッタ端子６０、コレクタ端子５０よりも放熱部材２０，３０の厚みが厚い場合など）、且つ、これらの放熱部材２０，３０、エミッタ端子６０、コレクタ端子５０を一枚のリードフレームで製造する場合、異形条を用いて製造する必要がある。このため、放熱部材２０，３０、エミッタ端子６０、コレクタ端子５０の厚さに制約があるばかりか、コストも高くなってしまう。
これに対して、本実施形態の製造方法においては、上述のようにすることで、リードフレーム２００、エミッタ端子６０となる部材の折り曲げ加工を単純化することができる。さらに、従来技術（特許文献１）は、吊り端子が３つ以上必要であるのに対して、本実施形態においては、この吊り端子に相当する保持部４６が２本で済むので好ましい。また、放熱部材２０，３０とエミッタ端子６０、コレクタ端子５０がそれぞれ別部材のため、それぞれの厚さを自由に選択出来る。
また、本実施形態の製造方法においては、放熱部材２０，３０とエミッタ端子６０，コレクタ端子５０の位置関係が部品単体で決まるので好ましい。また、半導体装置１００の製品公差が部品公差のみ（治具公差は含まれない）で決まるので好ましい。つまり、放熱部材２０とエミッタ端子６０の対向部６２、放熱部材３０とコレクタ端子５０の対向部５２とを位置を合わせることで（例えば、放熱部材３０の側面とコレクタ端子５０の対向部５２とを接触させたり、放熱部材２０の側面とコレクタ端子６０の対向部６２とを接触させたりなど）、これら部品の位置関係が部品単体で決まる。そのため、治具（位置決めピンなどを含む）によって、これら部品の位置合わせを行う必要が無く、治具のピンレス化が可能となり、製品公差が部品公差のみとなる。
なお、本実施形態においては、放熱部材３０上に箔状の導電性接続部材９２，９６を配置して、この導電性接続部材９２，９６上にリードフレーム２００（コレクタ端子５０、保持部４６）を配置する例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。対向部５２が形成されたリードフレーム２００（コレクタ端子５０となる部材）に箔状の導電性接続部材９２，９６を配置して、この導電性接続部材９２，９６上に放熱部材３０を配置するようにしてもよい。
上述のように、放熱部材３０の接続面３１は平坦面である。よって、放熱部材３０上に箔状の導電性接続部材９２，９６を配置した時点では、導電性接続部材９２，９６の平行方向における移動は制限されない。これに対して、リードフレーム２００は、折曲工程後であれば対向部５２が形成されている。よって、この折曲工程後のリードフレーム２００に箔状の導電性接続部材９２，９６を配置することによって、箔状の導電性接続部材９２，９６は、接続部５１に配置された時点で対向部５２によって移動が制限されるので好ましい。なお、リードフレーム２００に導電性接続部材９２，９６を配置する際には、リードフレーム２００は、導電性接続部材９２，９６が配置される面が重力とは反対方向に向いている状態であると望ましい。
同様に、放熱部材２０の接続面２１は平坦面である。よって、放熱部材２０上に箔状の導電性接続部材９５を配置した時点では、導電性接続部材９５の平行方向における移動は制限されない。これに対して、エミッタ端子６０となる部材は、折曲工程後であれば対向部６２が形成されている。よって、この折曲工程後のエミッタ端子６０となる部材に箔状の導電性接続部材９５を配置することによって、箔状の導電性接続部材９５は、接続部６１に配置された時点で対向部６２によって移動が制限されるので好ましい。なお、エミッタ端子６０となる部材に導電性接続部材９５を配置する際には、エミッタ端子６０となる部材は、導電性接続部材９５が配置される面が重力とは反対方向に向いている状態であると望ましい。
なお、本実施形態においては、コレクタ端子５０（対向部５２など），エミッタ端子６０（対向部６２など）をプレス加工で製造する例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。この他にも、切削、鋳造など、様々な方法によって製造可能である。
（第２実施形態）
次に、図１２（ａ），（ｂ）、図１３に基づいて、本発明の第２実施形態に関して説明する。なお、本実施形態においては、上述の実施形態と同様な箇所に関しては説明を省略し、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。また、図１２（ａ）は、上述の図２（ａ）に相当するものであり、図１２（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。
上述の実施形態においては、コレクタ端子５０は、接続部５１でのみ放熱部材３０と導電性接続部材９２を介して接続される例を採用した。また、エミッタ端子６０は、接続部６１でのみ放熱部材２０と導電性接続部材９５を介して接続される例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
第２実施形態の半導体装置１００においては、図１２（ａ）に示すように、放熱部材３０とコレクタ端子５０の接続部５１とを接続している導電性接続部材９２は、放熱部材３０の側面３３とコレクタ端子５０の対向部５２との間まで配置されている。そして、コレクタ端子５０の対向部５２は、導電性接続部材９２を介して放熱部材３０の側面３３に接続されている。つまり、コレクタ端子５０は、接続部５１と対向部５２とが導電性接続部材９２を介して放熱部材３０に接続されている。
同様に、図１２（ｂ）に示すように、放熱部材２０とエミッタ端子６０の接続部６１とを接続している導電性接続部材９５は、放熱部材２０の側面２３とエミッタ端子６０の対向部６２との間まで配置されている。そして、エミッタ端子６０の対向部６２は、導電性接続部材９５を介して放熱部材２０の側面２３に接続されている。つまり、エミッタ端子６０は、接続部６１と対向部６２とが導電性接続部材９５を介して放熱部材２０に接続されている。
よって、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の一面（接続面３１）と接続部５１のみならず、放熱部材３０の側面３３と対向部５１でも電気的に接続されている。従って、放熱部材３０の一面（接続面３１）と接続部５１のみが電気的に接続されている場合よりも、放熱部材３０とコレクタ端子５０との接続領域を増やすことができるので好ましい。同様に、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の一面（接続面２１）と接続部６１のみならず、放熱部材２０の側面２３と対向部６１でも電気的に接続されている。従って、放熱部材２０の一面（接続面２１）と接続部６１のみが電気的に接続されている場合よりも、放熱部材２０とエミッタ端子６０との接続領域を増やすことができるので好ましい。なお、本実施形態における半導体装置１００においても上述の実施形態における効果を奏することができる。
ここで、本実施形態における半導体装置１００の製造方法の特徴点に関して説明する。なお、放熱部材３０とリードフレーム２００（コレクタ端子５０となる部材）側の製造方法と、放熱部材２０とエミッタ端子６０（エミッタ端子６０となる部材）側の製造方法とは同様である。よって、ここでは、放熱部材３０とリードフレーム２００とを採用して説明する。
まず、放熱部材３０の側面３３とリードフレーム２００の対向部５２の間に隙間Ｓ１（導電性接続部材９２の厚さ以下）を設けて、放熱部材３０とリードフレーム２００（コレクタ端子５０となる部材）とを組み付ける（第２工程）。つまり、放熱部材３０とリードフレーム２００とを、側面３３と対向部５２との間に導電性接続部材９２の厚さ以下の空隙をあけて組み付ける（第２工程）。なお、放熱部材３０とリードフレーム２００とは、上述のように放熱部材３０上の導電性接続部材９２，９６が配置された状態で組み付ける。また、放熱部材３０の側面３３とリードフレーム２００の対向部４６２との間に隙間Ｓ１を設けて、放熱部材３０とリードフレーム２００とを組み付けるようにしてもよい。また、本実施形態においても、図１３に示すように、下治具３００ａ、上治具３００ｂを用いるようにしてもよい。この場合、フレーム用凹部３２０は、放熱部材３０の側面３３とリードフレーム２００の対向部５２の間に隙間Ｓ１が生じるように設計しておく。
そして、このように、放熱部材３０とリードフレーム２００（コレクタ端子５０となる部材）とを組み付けた状態で、第３工程においては、導電性接続部材９２を溶融させて、放熱部材３０とリードフレーム２００（コレクタ端子５０となる部材）とを電気的に接続する。
このようにすることによって、溶融した状態の導電性接続部材９２を、ウィッキングによって側面３３と対向部５２との間の空隙（隙間Ｓ１）まで濡れ広がらせることができる。よって、放熱部材３０の一面と接続部５１のみが電気的に接続されている場合よりも、放熱部材３０とコレクタ端子５０との接続領域を増やすことができるので好ましい。また、放熱部材２０とエミッタ端子６０の場合でも同様の効果を奏することができる。従って、放熱部材３０とコレクタ端子５０、及び放熱部材２０とエミッタ端子６０の接続領域が増大した半導体装置１００を製造することができる。なお、本実施形態における半導体装置１００の製造方法においても上述の実施形態における効果を奏することができる。
（第３実施形態）
次に、図１４（ａ），（ｂ）、図１５（ａ）〜（ｃ）に基づいて、本発明の第３実施形態に関して説明する。なお、本実施形態においては、上述の実施形態と同様な箇所に関しては説明を省略し、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。また、図１４（ａ）は、上述の図２（ａ）に相当するものであり、図１４（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。
本実施形態におけるコレクタ端子５０は、図１４（ａ）に示すように、貫通孔５２ａを有するものである。この貫通孔５２ａは、コレクタ端子５０の長手方向（紙面左右方向）において、対向部５２を基準として接続部５１の反対方向に設けられている。同様に、エミッタ端子６０は、図１４（ｂ）に示すように、貫通孔６２ａを有するものである。貫通孔６２ａは、エミッタ端子６０の長手方向（紙面左右方向）において、対向部６２を基準として接続部６１の反対方向に設けられている。なお、この貫通孔５２ａ，６２ａは、モールド樹脂８０で満たされている。
ここで、図１５（ａ）〜（ｃ）に基づいて、本実施形態におけるコレクタ端子５０，エミッタ端子６０の製造方法を説明する。なお、図１５（ａ），（ｂ）は、リードフレーム２００におけるコレクタ端子５０部分だけを示すものであり、コレクタ端子５０の放熱部材３０との接続面の反対面側の平面図である。また、コレクタ端子５０の製造方法とエミッタ端子６０の製造方法は同様である。よって、ここではコレクタ端子５０を採用して説明する。
まず、図１５（ａ）に示すように、対向部５２となる部位を部分的に囲う位置に切り込みを入れる。図１５（ａ）における点線で示している部位が切り込みである。つまり、ここでは、コ字形状に切り込みを入れている（より詳細には、図１５（ａ）ではコ字を１８０度回転させた形状に切り込みをいれている）。なお、図１５（ａ）において、一点左遷及び破線は折曲工程時の折り目を示す。具体的には、一点鎖線は、コレクタ端子５０の放熱部材３０との接続面の反対面が谷となるように折り曲げられる谷折部分であり、一方、破線は、コレクタ端子５０の放熱部材３０との接続面の反対面が山となるように折り曲げられる山折部分である。
次に、この図１５（ａ）における一点鎖線及び破線でリードフレーム２００（コレクタ端子５０となる部材）を折り曲げる。これによって、図１５（ｂ），（ｃ）に示すように、接続部５１、対向部５２、及び貫通孔５２ａが形成される。
このようにすることによって、上述の第１実施形態におけるコレクタ端子５０（つまり、リードフレーム２００）よりも、折り曲げ数及び総重量を低減しつつ、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、エミッタ端子６０（つまりエミッタ端子６０となる部材）に関しても同様の効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第２実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０は、接続部５１と対向部５２とが導電性接続部材９２を介して放熱部材３０に接続され、エミッタ端子６０は、接続部６１と対向部６２とが導電性接続部材９５を介して放熱部材２０に接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第２実施形態における効果を奏することができる。
（第４実施形態）
次に、図１６（ａ），（ｂ）に基づいて、本発明の第４実施形態に関して説明する。なお、本実施形態においては、上述の実施形態と同様な箇所に関しては説明を省略し、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。また、図１６（ａ）は、上述の図２（ａ）に相当するものであり、図１６（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。
本実施形態における放熱部材３０は、図１６（ａ）に示すように、半導体チップ１０と対向している面（接続面３１）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位３４（以下、凹部３４とも称する）を有している。そして、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の一面における凹部３４の底面と接続部５１とが導電性接続部材９２で接続される。つまり、放熱部材３０におけるコレクタ端子５０の接続部５１に対向する領域（すなわち導電性接続部材９２が配置される領域）は、周辺よりも凹んだ部位３４となっている。この凹部３４は、接続部５１の平行方向における体格に応じた大きさ（平行方向の幅）を有し、接続部５１の厚みと導電性接続部材９２の厚みとを加えた程度の深さを有する。
同様に、放熱部材２０は、図１６（ｂ）に示すように、半導体チップ１０と対向している面（接続面２１）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位２４（以下、凹部２４とも称する）を有している。そして、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の一面における凹部２４の底面と接続部６１とが導電性接続部材９５で接続される。つまり、放熱部材２０におけるエミッタ端子６０の接続部６１に対向する領域（すなわち導電性接続部材９５が配置される領域）は、周辺よりも凹んだ部位２４となっている。この凹部２４は、接続部６１の平行方向における体格に応じた大きさ（平行方向の幅）を有し、接続部６１の厚みと導電性接続部材９５の厚みとを加えた程度の深さを有する。
これによって、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、溶融する前の箔状の導電性接続部材９２，９５が、放熱部材３０と接続部５１との対向領域や放熱部材２０と接続部６１との対向領域から移動することを制限できる（第２工程後において）。つまり、放熱部材２０，３０の接続部５１，６１との対向面に沿う全ての方向（平行方向）への移動を制限することができる。
従って、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性がより一層向上させることができる。また、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性がより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。同様に、エミッタ端子６０と放熱部材２０との電気的な接続信頼性がより一層向上させることができる。またエミッタ端子６０と放熱部材２０との電気的な接続信頼性がより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。
なお、このように、半導体チップ１０の両面夫々に放熱部材２０，３０が電気的に接続され、各放熱部材２０，３０にエミッタ端子６０，コレクタ端子５０が接続される場合、各接続部６１，５１は、放熱部材２０，３０の互いに対向する面に接続されることがある。このような場合、本実施形態に示すように、放熱部材２０，３０の凹んだ部位２４，３４に接続部６１，５１を接続させることで、各放熱部材２０，３０間の間隔を広くすることができる。よって、各放熱部材２０，３０間にモールド樹脂８０が入り込みやすくすることができる。
また、本実施形態においても、上述の第２実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０は、接続部５１と対向部５２とが導電性接続部材９２を介して放熱部材３０に接続され、エミッタ端子６０は、接続部６１と対向部６２とが導電性接続部材９５を介して放熱部材２０に接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第２実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第３実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０，エミッタ端子６０は、切り込みを入れて折り曲げることによって形成された対向部５２，６２を備えるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第３実施形態における効果を奏することができる。
（第５実施形態）
次に、図１７（ａ），（ｂ）に基づいて、本発明の第５実施形態に関して説明する。なお、本実施形態においては、上述の実施形態と同様な箇所に関しては説明を省略し、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。また、図１７（ａ）は、上述の図２（ａ）に相当するものであり、図１７（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。
本実施形態における放熱部材３０は、図１７（ａ）に示すように、半導体チップ１０と対向している面３１の反対面（すなわち放熱面３２）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位３５（以下、凹部３５とも称する）を有している。そして、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の放熱面３２側における凹部３５の底面と接続部５１とが導電性接続部材９２で接続される。つまり、放熱部材３０におけるコレクタ端子５０の接続部５１に対向する領域（すなわち導電性接続部材９２が配置される領域）は、周辺よりも凹んだ部位３５となっている。この凹部３５は、接続部５１の平行方向における体格に応じた大きさ（平行方向の幅）を有し、接続部５１の厚みと導電性接続部材９２の厚みとを加えた程度の深さを有する。
同様に、放熱部材２０は、図１７（ｂ）に示すように、半導体チップ１０と対向している面２１の反対面（すなわち放熱面２２）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位２５（以下、凹部２５とも称する）を有している。そして、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の放熱面２２側における凹部２５の底面と接続部６１とが導電性接続部材９５で接続される。つまり、放熱部材２０におけるエミッタ端子６０の接続部６１に対向する領域（すなわち導電性接続部材９５が配置される領域）は、周辺よりも凹んだ部位２５となっている。この凹部２５は、接続部６１の平行方向における体格に応じた大きさ（平行方向の幅）を有し、接続部６１の厚みと導電性接続部材９５の厚みとを加えた程度の深さを有する。
これによって、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、溶融する前の箔状の導電性接続部材９２，９５が、放熱部材２０，３０と接続部５１，６１との対向領域から移動することを制限できる（第２工程後において）。つまり、放熱部材２０，３０の接続部５１，６１との対向面に沿う全ての方向（平行方向）への移動を制限することができる。
従って、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性がより一層向上させることができる。また、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性がより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。同様に、エミッタ端子６０と放熱部材２０との電気的な接続信頼性がより一層向上させることができる。また、エミッタ端子６０と放熱部材２０との電気的な接続信頼性がより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。なお、このようにすることによっても、各放熱部材２０，３０間にモールド樹脂８０が入り込みやすくすることができる。
また、このようにすることによって、モールド樹脂８０にてモールドする前の段階であれば、導電性接続部材９２，９５の接続・未接続を外観検査で判定しやすくすることができる。特に、半導体チップ１０の両面夫々に放熱部材２０，３０が電気的に接続され、各放熱部材２０，３０にエミッタ端子６０，コレクタ端子５０が接続される場合に有効である。
さらに、このようにすることによって、放熱部材２０，３０から接続部５１，６１が突出することを抑制、或いは防止することができる。また、放熱部材３０と導電性接続部材９２との接続部、及び、接続部５１と導電性接続部材９２との接続部をモールド樹脂８０で覆いやすくすることができる。よって、放熱部材３０とコレクタ端子５０との接続部位がモールド樹脂８０の外部に露出することを抑制でき、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性をより一層向上させることができる。また、コレクタ端子５０と放熱部材３０との電気的な接続信頼性をより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。
同様に、放熱部材２０と導電性接続部材９５との接続部、及び、接続部６１と導電性接続部材９５との接続部をモールド樹脂８０で覆いやすくすることができる。よって、放熱部材２０とエミッタ端子６０との接続部位がモールド樹脂８０の外部に露出することを抑制でき、エミッタ端子６０と放熱部材２０との電気的な接続信頼性をより一層向上させることができる。また、エミッタ端子６０と放熱部材２０との電気的な接続信頼性をより一層向上した半導体装置１００を製造することができる。
なお、本実施形態の変形例としては、放熱部材３０に凹部３５を設けることなく、コレクタ端子５０の接続部５１は、放熱部材３０における半導体チップ１０と対向している面３１の反対面（すなわち放熱面３２）に接続されるようにしてもよい。同様に、放熱部材２０に凹部２５を設けることなく、エミッタ端子６０の接続部６１は、放熱部材２０における半導体チップ１０と対向している面２１の反対面（すなわち放熱面２２）に接続されるようにしてもよい。
このようにすることによっても、モールド樹脂８０にてモールドする前の段階であれば、導電性接続部材９２，９５の接続・未接続を外観検査で判定しやすくすることができる。特に、半導体チップ１０の両面夫々に放熱部材２０，３０が電気的に接続され、各放熱部材２０，３０にエミッタ端子６０，コレクタ端子５０が接続される場合に有効である。
また、本実施形態においても、上述の第２実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０は、接続部５１と対向部５２とが導電性接続部材９２を介して放熱部材３０に接続され、エミッタ端子６０は、接続部６１と対向部６２とが導電性接続部材９５を介して放熱部材２０に接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第２実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第３実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０，エミッタ端子６０は、切り込みを入れて折り曲げることによって形成された対向部５２，６２を備えるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第３実施形態における効果を奏することができる。
（第６実施形態）
次に、図１８、図１９（ａ），（ｂ）に基づいて、本発明の第６実施形態に関して説明する。なお、本実施形態においては、上述の実施形態と同様な箇所に関しては説明を省略し、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。また、図１８は、上述の図１に相当するものである。図１９（ａ）は、上述の図２（ａ）に相当するものであり、図１９（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。
図１８，図１９（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態においては、コレクタ端子５０は、放熱部材３０における異なる二つの辺に対して設けられている。つまり、本実施形態における半導体装置１００は、二つのコレクタ端子５０を備える。そして、各コレクタ端子５０は、放熱部材３０における異なる二つの辺に対して接続されている。なお、一方、エミッタ端子６０は、上述の実施形態と同様に一つだけ設けられている。このようにすることによっても、上述の第１実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第２実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０は、接続部５１と対向部５２とが導電性接続部材９２を介して放熱部材３０に接続され、エミッタ端子６０は、接続部６１と対向部６２とが導電性接続部材９５を介して放熱部材２０に接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第２実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第３実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０，エミッタ端子６０は、切り込みを入れて折り曲げることによって形成された対向部５２，６２を備えるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第３実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第４実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の一面における凹部３４の底面と接続部５１とが導電性接続部材９２で接続され、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の一面における凹部２４の底面と接続部６１とが導電性接続部材９５で接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第４実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第５実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の放熱面３２における凹部３５の底面と接続部５１とが導電性接続部材９２で接続され、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の放熱面２２における凹部２５の底面と接続部６１とが導電性接続部材９５で接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第５実施形態における効果を奏することができる。
なお、本実施形態における半導体装置１００は、一つのコレクタ端子５０と、二つのエミッタ端子６０とを備えるようにしてもよい。つまり、本実施形態における半導体装置１００は、二つのエミッタ端子６０が、放熱部材２０における異なる二つの辺に対して接続されるようにしてもよい。この場合、コレクタ端子５０は、上述の第１〜第５実施形態と同様に一つだけ設けられる。
（第７実施形態）
ここで、図２０、図２１（ａ），（ｂ）に基づいて、本発明の第７実施形態に関して説明する。なお、本実施形態においては、上述の実施形態と同様な箇所に関しては説明を省略し、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。また、図２０は、上述の図１に相当するものである。図２１（ａ）は、上述の図２（ａ）に相当するものであり、図２１（ｂ）は図２（ｂ）に相当するものである。
図２０，図２１（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態においては、コレクタ端子５０は、放熱部材３０における異なる二つの辺に対して設けられ、エミッタ端子６０は、放熱部材２０における異なる二つの辺に対して設けられている。つまり、本実施形態における半導体装置１００は、二つのコレクタ端子５０と、二つのエミッタ端子６０とを備える。そして、各コレクタ端子５０は、放熱部材３０における異なる二つの辺に対して接続され、各エミッタ端子６０は、放熱部材２０における異なる二つの辺に対して接続されている。このようにすることによっても、上述の第１実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第２実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０は、接続部５１と対向部５２とが導電性接続部材９２を介して放熱部材３０に接続され、エミッタ端子６０は、接続部６１と対向部６２とが導電性接続部材９５を介して放熱部材２０に接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第２実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第３実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、コレクタ端子５０，エミッタ端子６０は、切り込みを入れて折り曲げることによって形成された対向部５２，６２を備えるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第３実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第４実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の一面における凹部３４の底面と接続部５１とが導電性接続部材９２で接続され、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の一面における凹部２４の底面と接続部６１とが導電性接続部材９５で接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第４実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態においても、上述の第５実施形態に示す技術を適用してもよい。つまり、放熱部材３０とコレクタ端子５０とは、放熱部材３０の放熱面３２における凹部３５の底面と接続部５１とが導電性接続部材９２で接続され、放熱部材２０とエミッタ端子６０とは、放熱部材２０の放熱面２２における凹部２５の底面と接続部６１とが導電性接続部材９５で接続されるようにしてもよい。これによって、本実施形態における半導体装置１００においても上述の第５実施形態における効果を奏することができる。
また、本実施形態は、二つのコレクタ端子５０は、放熱部材３０における一つの辺に対して設けられ、二つのエミッタ端子６０は、放熱部材２０における一つの辺に対して設けられるようにしてもよい。
なお、上述の実施形態１〜７においては、半導体チップ１０の両面に放熱部材２０，３０が設けられる例を採用したが本発明はこれに限定されるものではない。半導体チップ１０の片面のみに放熱部材が設けられるものであっても本発明の目的は達成できる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
１０ 半導体チップ、２０，３０ 放熱部材、２１，３１ 接続面、２２，３２ 放熱面、２３，３３ 側面、２４，２５，３４，３５ 凹んだ部位（凹部）、４１〜４５ 小電流用端子、４１１〜４５１ ボンディング部、４１ａ〜４５ａ ワイヤ、４６ 保持部、４６１ 接続部、４６２ 対向部、５０ コレクタ端子、５１ 接続部、５２ 対向部、５２ａ 貫通孔、５３ 延設部、６０ エミッタ端子、６１ 接続部、６２ 対向部、６３ 延設部、７０ ブロック体、８０ モールド樹脂、９１〜９８ 導電性接続部材、１００ 半導体装置、２００ リードフレーム、２１０ 連結部、３００ａ 下治具、３００ｂ 上治具、３１０ 放熱部材用凹部、３２０ フレーム用凹部、３３０ 端子用凹部、３４０ 保持部用凹部、Ｓ１ 隙間

Claims (10)

  1. 半導体チップ（１０）と、
    前記半導体チップ（１０）と電気的に接続された放熱部材（２０，３０）と、
    前記放熱部材（２０，３０）と導電性接続部材（９２，９５）にて電気的に接続された外部接続用端子（５０，６０）と、
    前記半導体チップ（１０）、前記放熱部材（２０，３０）、前記外部接続用端子（５０，６０）を一体的にモールドする絶縁性樹脂（８０）と、を備える半導体装置であって、
    前記外部接続用端子（５０，６０）の一部及び前記放熱部材（２０，３０）の一部は、前記絶縁性樹脂（８０）の外部に露出されており、
    前記外部接続用端子（５０，６０）は、
    前記導電性接続部材（９２，９５）にて前記放熱部材（２０，３０）の一面に接続された接続部（５１，６１）と、
    前記接続部（５１，６１）から連続的に前記絶縁性樹脂（８０）の外部まで延設された延設部（５３，６３）と、を有し、
    前記延設部（５３，６３）には、前記接続部（５１，６１）から屈曲されて前記放熱部材（２０，３０）の一つの側面（２３，３３）に対向する対向部（５２，６２）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記放熱部材（２０，３０）と前記接続部（５１，６１）とを電気的に接続している導電性接続部材（９２，９５）は、前記対向部（５２，６２）と前記放熱部材（２０，３０）の前記側面（２３，３３）との間にまで配置されており、
    前記対向部（５２，６２）は、当該導電性接続部材（９２，９５）にて前記放熱部材（２０，３０）の前記側面（２３，３３）に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記半導体チップ（１０）は、両面夫々に前記放熱部材（２０，３０）が電気的に接続されるものであり、
    前記外部接続用端子（５０，６０）として、各放熱部材（２０，３０）の夫々に接続された二つの外部接続用端子（５０，６０）を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記放熱部材（２０，３０）は、前記半導体チップ（１０）と対向している面（２１，３１）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位（２４，３４）を有し、
    前記接続部（５１，６１）は、該凹んだ部位（２４，３４）に前記導電性接続部材（９２，９５）で接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 前記外部接続用端子（５０，６０）の前記接続部（５１，６１）は、前記放熱部材（２０，３０）における前記半導体チップ（１０）と対向している面（２１，３１）の反対面（２２，３２）に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  6. 前記放熱部材（２０，３０）は、前記反対面（２２，３２）側の縁部に周辺よりも凹んだ部位（２５，３５）を有し、
    前記接続部（５１，６１）は、該凹んだ部位（２５，３５）に前記導電性接続部材（９２，９５）で接続されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
  7. 半導体チップ（１０）と、
    前記半導体チップ（１０）と電気的に接続された放熱部材（２０，３０）と、
    前記放熱部材（２０，３０）と導電性接続部材（９２，９５）にて電気的に接続された外部接続用端子（５０，６０）と、
    前記半導体チップ（１０）、前記放熱部材（２０，３０）、前記外部接続用端子（５０，６０）を一体的にモールドする絶縁性樹脂（８０）と、を備える半導体装置の製造方法であって、
    前記外部接続用端子（５０，６０）の一部及び前記放熱部材（２０，３０）の一部は、前記絶縁性樹脂（８０）の外部に露出されており、
    前記外部接続用端子（５０，６０）は、
    前記導電性接続部材（９２，９５）にて前記放熱部材（２０，３０）の一面に接続される接続部（５１，６１）と、
    前記接続部（５１，６１）から連続的に前記絶縁性樹脂（８０）の外部まで延設される延設部（５３，６３）と、を有し、
    前記延設部（５３，６３）には、前記接続部（５１，６１）から屈曲されて前記放熱部材（２０，３０）の一つの側面（２３，３３）に対向する対向部（５２，６２）が設けられるものであり、
    前記放熱部材（２０，３０）と前記外部接続用端子（５０，６０）との接続位置に箔状の前記導電性接続部材（９２，９５）を配置する第１工程と、
    前記第１工程後に、前記放熱部材（２０，３０）と前記接続部（５１，６１）で前記導電性接続部材（９２，９５）を挟み込みつつ、前記側面（２３，３３）と前記対向部（５２，６２）とを対向させて、前記放熱部材（２０，３０）と前記外部接続用端子（５０，６０）とを組み付ける第２工程と、
    前記第２工程後に、前記導電性接続部材（９２，９５）を溶融させて、前記放熱部材（２０，３０）と前記外部接続用端子（５０，６０）とを電気的に接続する第３工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 前記第２工程においては、前記側面（２３，３３）と前記対向部（５２，６２）とを、前記導電性接続部材（９２，９５）の厚さ以下の空隙を有するように組み付けることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 前記放熱部材（２０，３０）の前記接続部（５１，６１）との接続予定領域を、前記放熱部材（２０，３０）の前記接続部（５１，６１）との接続面に沿う方向において囲う治具を用いるものであり、
    前記治具を前記放熱部材（２０，３０）の接続面側に設置する設置工程を備え、
    前記第１工程、前記第２工程、前記第３工程は、前記治具を設置した状態で行なわれることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記外部接続用端子（５０，６０）となる部材を折り曲げて、接続部（５１，６１）、前記対向部（５２，６２）、前記延設部（５３，６３）を形成する折曲工程を備えることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
JP2011086690A 2011-04-08 2011-04-08 半導体装置及び半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5585518B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011086690A JP5585518B2 (ja) 2011-04-08 2011-04-08 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011086690A JP5585518B2 (ja) 2011-04-08 2011-04-08 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012222159A true JP2012222159A (ja) 2012-11-12
JP5585518B2 JP5585518B2 (ja) 2014-09-10

Family

ID=47273348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011086690A Expired - Fee Related JP5585518B2 (ja) 2011-04-08 2011-04-08 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5585518B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017119226A1 (ja) * 2016-01-05 2018-07-05 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体装置
CN111615747A (zh) * 2017-12-27 2020-09-01 三菱电机株式会社 半导体装置
CN113661567A (zh) * 2019-03-11 2021-11-16 株式会社电装 半导体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52166462U (ja) * 1976-06-09 1977-12-16
JPS5419654A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Hitachi Ltd Electrode structural body of semiconductor devices
JP2006351983A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2007201303A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP2007300059A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52166462U (ja) * 1976-06-09 1977-12-16
JPS5419654A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Hitachi Ltd Electrode structural body of semiconductor devices
JP2006351983A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2007201303A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP2007300059A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017119226A1 (ja) * 2016-01-05 2018-07-05 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体装置
US11011443B2 (en) 2016-01-05 2021-05-18 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Power semiconductor device including a spacer
CN111615747A (zh) * 2017-12-27 2020-09-01 三菱电机株式会社 半导体装置
CN111615747B (zh) * 2017-12-27 2023-10-03 三菱电机株式会社 半导体装置
CN113661567A (zh) * 2019-03-11 2021-11-16 株式会社电装 半导体装置
CN113661567B (zh) * 2019-03-11 2024-01-05 株式会社电装 半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5585518B2 (ja) 2014-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3596388B2 (ja) 半導体装置
JP6028592B2 (ja) 半導体装置
JP5729314B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5149854B2 (ja) 半導体装置
US20100279470A1 (en) Package with multiple dies
KR101614669B1 (ko) 전력용 반도체 장치
JP2014157927A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5585518B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013101993A (ja) 半導体装置
JP5169964B2 (ja) モールドパッケージの実装構造および実装方法
JP5217015B2 (ja) 電力変換装置及びその製造方法
JPWO2019038876A1 (ja) 半導体装置
JP2011018933A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2005045238A (ja) 曲げ強化ベースプレートを備えたパワー半導体モジュール
JP5440427B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2009283656A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2008282867A (ja) 電力半導体装置、電子機器及びリードフレーム部材並びに電力半導体装置の製造方法
JPWO2017037837A1 (ja) 半導体装置およびパワーエレクトロニクス装置
JP2019083292A (ja) 半導体装置
JP4556732B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2016035970A (ja) 半導体モジュールの製造方法、半導体モジュール、自動車用パワーモジュールおよび鉄道車両用パワーモジュール
JP2015149363A (ja) 半導体モジュール
JP7396118B2 (ja) 半導体モジュール
JP6111973B2 (ja) 半導体装置
JP2017028131A (ja) パッケージ実装体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140624

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140630

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140707

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5585518

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees