JP2012220702A5 - - Google Patents
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また、プリズム1の屈折率npと誘電体グリッド3bのs偏光に対する有効屈折率nTMが以下の条件(4)を満足することが望ましい。これにより、ワイヤーグリッド3aがプリズム1に隣接している場合に比べてs偏光に対する反射率特性を向上させることができる。
np>nTM (4)
さらに、誘電体グリッド3bの格子厚d[nm]およびs偏光に対する有効屈折率nTMと、入射光の中心波長λ[nm]と、入射光に含まれる光線がプリズム1と誘電体グリッド3bの界面の法線となす角度θ[゜]とが以下の条件(5)を満足することが望ましい。これにより、s偏光に対する反射率をより効果的に向上させることができる。
0.2<(nTM×cosθ)d/λ<0.3 (5)
(nTM×cosθ)d/λの値が条件(5)の上限を超えるように格子厚dが大きくなると、格子幅に対する格子厚の比が大きくなるため、誘電体グリッド3bの強度が低くなりすぎ、製造も困難となる。また、(nTM×cosq)d/λの値が条件(5)の下限を下回るように格子厚dが小さいと、反射率や透過率の変化が小さくなり、十分な性能を得ることができない。このため、s偏光を効率的に反射させるために、条件(5)を満足することが好ましい。
np>nTM (4)
さらに、誘電体グリッド3bの格子厚d[nm]およびs偏光に対する有効屈折率nTMと、入射光の中心波長λ[nm]と、入射光に含まれる光線がプリズム1と誘電体グリッド3bの界面の法線となす角度θ[゜]とが以下の条件(5)を満足することが望ましい。これにより、s偏光に対する反射率をより効果的に向上させることができる。
0.2<(nTM×cosθ)d/λ<0.3 (5)
(nTM×cosθ)d/λの値が条件(5)の上限を超えるように格子厚dが大きくなると、格子幅に対する格子厚の比が大きくなるため、誘電体グリッド3bの強度が低くなりすぎ、製造も困難となる。また、(nTM×cosq)d/λの値が条件(5)の下限を下回るように格子厚dが小さいと、反射率や透過率の変化が小さくなり、十分な性能を得ることができない。このため、s偏光を効率的に反射させるために、条件(5)を満足することが好ましい。
図12には、本発明の実施例3である偏光分離素子10の構成を示している。また、図13には、本実施例の偏光分離素子における偏光分離部3の構成を示している。本実施例の偏光分離素子10は、光入射側から光透過射出側に順に、プリズム1と、誘電体グリッド3bと、ワイヤーグリッド3aと、誘電体グリッド3cと、プリズム2とから構成されている。誘電体グリッド3b,3cの構成は互いに同じである。
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