JP2012212829A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012212829A
JP2012212829A JP2011078640A JP2011078640A JP2012212829A JP 2012212829 A JP2012212829 A JP 2012212829A JP 2011078640 A JP2011078640 A JP 2011078640A JP 2011078640 A JP2011078640 A JP 2011078640A JP 2012212829 A JP2012212829 A JP 2012212829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
processing
unit
order
processing data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011078640A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5662863B2 (ja
Inventor
Hideo Inoue
英郎 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2011078640A priority Critical patent/JP5662863B2/ja
Priority to US13/431,509 priority patent/US8779394B2/en
Publication of JP2012212829A publication Critical patent/JP2012212829A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5662863B2 publication Critical patent/JP5662863B2/ja
Priority to US15/210,240 priority patent/USRE47922E1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31762Computer and memory organisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31776Shaped beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】データ転送速度を効率的に並列化し、描画のスループットを向上させる装置を提供する。
【解決手段】描画装置100は、送信側ユニット内に配置され、複数の処理データを略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける振り分け処理部40と、各グループに振り分けられた少なくとも1つの処理データが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループの処理データを並列に送信する複数の送信部50,52と、受信側ユニット内に配置され、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを記憶する複数のメモリ70,71と、グループにかかわり無く描画処理順に複数の処理データを複数のメモリから読み出し、出力するデータ順番制御部90と、描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部150と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画データの転送処理を高速に行なう描画装置および方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(電子ビーム)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図4は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
パターンの集積度が増加するのに伴い、マスクへ描画するパターンデータの微細化が進んでいる。パターンデータの微細化が進むとデータ量が増大する。そのため、データ転送が要因となって描画スループットが低下してしまうといった問題があった。
従来、外部から入力された描画データを所定の計算領域毎に複数の計算機に振り分け、複数の計算機で並列的にデータ変換処理することで、データ変換処理時間を短縮することが行われている(例えば、特許文献1参照)。並列にデータ変換処理されたデータは、一度集められ、描画順に並び替え偏向制御用の回路へと転送される。
特開2008−218767号公報
図5は、描画装置のデータ転送を説明するための概念図である。データ変換処理用の各計算機は、それぞれ偏向制御を行なう偏向制御回路へとデータ転送する処理を行うデータ転送用の計算機に接続されている。そして、各データ転送用の計算機1,2には、1つのデータ送信装置が搭載される。一方、受信側の偏向制御回路には、1つの受信装置が配置される。そして、受信されたデータはメモリでバッファリングされ、描画部本体へとデータが進むことになる。かかる構成の描画装置では、まず、計算機1によりデータを準備する。そして、計算機1から描画順に並べたデータを偏向制御回路へ転送する。その際、受信側では、計算機1から受信できるように受信経路のスイッチを計算機1側に接続しておく。計算機1でデータ転送している間、計算機2では、転送するデータの準備を進めておく。そして、準備完了後、計算機1の転送が終了するまで待機する。計算機1のデータ転送が終了後、今度は、受信側にて計算機2から受信できるように受信経路のスイッチを計算機2側に接続を切り替え、計算機2から描画順に並べたデータを偏向制御回路へ転送する。計算機2でデータ転送している間、計算機1では、次に転送するデータの準備を進めておく。このように、計算機1,2のデータを交互に転送し、一方が転送処理を行っている間に他方がデータ準備を行うといった動作が繰り返される。偏向制御回路内では、入力順にメモリにデータが格納され、入力順に描画処理を行っていく。
しかしながら、図5に示す構成のようにデータ転送する場合、データ転送処理が必ず1系列になってしまう。そのため、データ変換処理を並列計算しても、その後が1ラインのデータ転送になってしまう。1ラインのデータ転送能力により転送速度が決まってしまうため、十分な転送速度を得ることが困難になってしまう。その結果、データ量が増加すると、データ転送の遅れが要因となって描画時間を増加させ、描画装置のスループットが低下してしまう。描画装置では、データ変換処理を行う計算機と偏向制御を行なう偏向制御回路とを離して配置することが必要であるため、データ変換処理後のデータ転送を高速化することが望まれている。
そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、データ転送速度を効率的に並列化し描画のスループットを向上させる描画装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画領域が複数の小領域に仮想分割された小領域毎に描画データが並列にデータ変換処理された複数の処理データを送信する送信側ユニットと、
かかる複数の処理データを受信する受信側ユニットと、
送信側ユニット内に配置され、複数の処理データをそれぞれ略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける振り分け部と、
送信側ユニット内に配置され、各グループに振り分けられた少なくとも1つの処理データが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループの処理データを並列に送信する複数の送信部と、
受信側ユニット内に配置され、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを記憶する複数のメモリと、
受信側ユニット内に配置され、グループにかかわり無く描画処理順に複数の処理データを複数のメモリから読み出し、出力する描画順データ出力部と、
描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
また、送信側ユニットを第1の送信側ユニットとした場合に、上述した振り分け部と同様の振り分け部と上述した複数の送信部と同様の複数の送信部とを有する第2の送信側ユニットをさらに備え、
第1の送信側ユニットは、第2の送信側ユニットと並列に、それぞれ有する複数の送信部から複数の処理データを送信し、
複数のメモリは、送信側ユニット毎かつグループ毎に異なるメモリに記憶されるように、並列に送信されてきた複数の送信側ユニットからのそれぞれの複数のグループの処理データを記憶すると好適である。
また、各処理データには、1回の荷電粒子ビームのショットのための少なくとも1つのショットデータが定義され、各ショットデータには、描画処理の順番を示す描画順番情報とショットされる図形の図形データとが定義され、
複数のメモリは、それぞれ対応するグループの処理データのうち、図形データを記憶し、
複数のメモリの1つとそれぞれ組になって、それぞれ対応するグループの処理データのうち、描画順番情報を記憶する複数のファーストインファーストアウト(FIFO)回路をさらに備えると好適である。
また、描画順データ出力部は、FIFO回路から出力される描画順番情報を用いて、グループにかかわり無く描画処理順に複数の処理データを複数のメモリから読み出し、出力すると好適である。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
送信側ユニット内で、描画データが領域毎にそれぞれデータ変換処理された複数の処理データをそれぞれ略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける工程と、
送信側ユニットから、各グループに振り分けられた少なくとも1つの処理データが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループの処理データを並列に送信する工程と、
受信側ユニット内で、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを複数のメモリに記憶する工程と、
受信側ユニット内で、グループにかかわり無く描画処理順に複数の処理データを複数のメモリから読み出し、出力する工程と、
描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、送信側ユニットから受信側ユニットへの複数の処理データを並列におくることで装置のスループットを向上することができる。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1におけるショットデータのフォーマットの一例を示す図である。 実施の形態1におけるショットデータの転送処理を説明するための概念図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。 描画装置のデータ転送を説明するための概念図である。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
制御部160は、複数の制御計算機ユニット110a〜n、複数のデータ転送計算機ユニット120a〜n、偏向制御回路130(偏向演算ユニット)、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140を有している。複数の制御計算機ユニット110a〜n、複数のデータ転送計算機ユニット120a〜n、偏向制御回路130、及び記憶装置140は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
複数の制御計算機ユニット110a〜n内には、それぞれ、複数のCPU10〜14、複数のメモリ20〜24が配置されている。複数のデータ転送計算機ユニット120a〜n内には、それぞれ、複数のメモリ30〜34、振り分け処理部40、複数のメモリ管理部42,44、及び複数のデータ送信部50,52(送信装置の一例)が配置される。複数のメモリ管理部42,44と複数のデータ送信部50,52は、同数配置される。また、振り分け処理部40、及び複数のメモリ管理部42といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。振り分け処理部40、及び複数のメモリ管理部42に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。また、複数のデータ転送計算機ユニット120a〜nは、それぞれ送信側ユニットの一例となる。
偏向制御回路130内には、複数の受信部60〜64(受信装置の一例)、データ順番制御部90、及び偏向量演算部92が配置されている。データ順番制御部90、及び偏向量演算部92といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。データ順番制御部90、及び偏向量演算部92に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
複数の受信部60〜64内には、それぞれ、メモリとファーストインファーストアウト(FIFO)回路とがそれぞれ1組となって配置される。ここでは、受信部60内には、それぞれ、メモリ70とFIFO回路80が配置される。同様に、受信部61内には、それぞれ、メモリ71とFIFO回路81が配置される。同様に、受信部62内には、それぞれ、メモリ72とFIFO回路82が配置される。同様に、受信部63内には、それぞれ、メモリ73とFIFO回路83が配置される。受信部64内の構成について図示を省略している。複数の受信部60〜64の数は、すべてのデータ転送計算機ユニット120a〜n内のデータ送信部50,52の合計数以上が配置されると好適である。偏向制御回路130は、受信側ユニットの一例となる。
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、1段の偏向器或いは3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。
記憶装置140には、複数の図形パターンの位置およびサイズ等が定義された描画データが外部から入力され、記憶される。また、試料101の描画領域は、複数の計算処理単位領域(DPB)に分けられる。また、描画処理は、x方向或いはy方向に主偏向器208で偏向可能な幅で短冊状の複数のストライプ領域に仮想分割され、ストライプ領域毎に描画処理が進められる。そして、ストライプ領域をブロック状のブロック領域に仮想分割したものをDPBとすると好適である。
そして、複数の制御計算機ユニット110a〜n内の各CPU10〜14は、それぞれ、記憶装置140からDB単位で対応する描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。このように、並列にデータ処理を行うことで、高速にデータ処理を行うことができる。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、各制御計算機ユニット110a〜n内の各CPU10〜14は、描画データが示す図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量といった図形データが定義される。ここで、実施の形態1では、さらに、各ショットデータに描画順序を示す描画順番情報をヘッダに定義する。
図2は、実施の形態1におけるショットデータのフォーマットの一例を示す図である。図2において、各ショットデータでは、そのヘッダに描画順番情報が示される。例えば、DPB情報が定義される。かかるDPB情報によって、描画順序が示される。例えば、ストライプ領域毎にDPB情報が定義される場合には、さらに、ストライプ領域情報も定義される。DPB情報として、例えば、DPBアドレスを用いると好適である。そして、例えば、アドレスが示す位置が若い順のDPB毎に描画処理は進められる。或いは、例えば、ストライプ領域毎にアドレスが示す位置がストライプ領域の描画開始位置に近い順のDPB毎に描画処理は進められる。或いは、単に、複数のDPBに対して、それぞれのDPBの描画処理順にあたる番号が定義されてもよい。
そして、ヘッダの後に、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量といった図形データが定義される。各制御計算機ユニット110a〜n内の各CPU10〜14で計算されたショットデータは、各CPUに対応するメモリ20〜24に記憶される。
図3は、実施の形態1におけるショットデータの転送処理を説明するための概念図である。図3では、複数の制御計算機ユニット110a〜nのうちの、制御計算機ユニット110aについて示している。そして、複数のデータ転送計算機ユニット120a〜nのうち、制御計算機ユニット110aに対応するデータ転送計算機ユニット120aについて示している。その他の制御計算機ユニット110b〜nも同様に動作する。そして、その他のデータ転送計算機ユニット120b〜nも同様に動作する。
まず、図3(a)では、制御計算機ユニット110a内のメモリ20〜24の1つに、それぞれ、該当するDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータが記憶され、DB(データブロック)を構成する。例えば、メモリ20aにDB1を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB1データ)が記憶される。メモリ21aにDB2を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB2データ)が記憶される。メモリ22aにDB3を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB3データ)が記憶される。メモリ23aにDB4を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB4データ)が記憶される。メモリ24aにDB5を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB5データ)が記憶される。そして、これらのDBデータは、対応するデータ転送計算機ユニット120a内のメモリ30〜34の1つに転送される。かかる転送は、並列処理される。データ転送計算機ユニット120aは、制御計算機ユニット110aから偏向制御回路130側へ転送されるデータの送信用の計算機ユニットとして機能する。
そして、制御計算機ユニット110a内のメモリからデータ転送計算機ユニット120a内のメモリへと並列転送が済んだ状態が図3(b)に示されている。データ転送計算機ユニット120a内では、メモリ30aにDB1を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB1データ)が記憶される。メモリ31aにDB2を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB2データ)が記憶される。メモリ32aにDB3を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB3データ)が記憶される。メモリ33aにDB4を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB4データ)が記憶される。メモリ34aにDB5を構成する、あるDPB内に配置されるショット図形用の少なくとも1つのショットデータ(DB5データ)が記憶される。そして、データ転送計算機ユニット120aは、描画領域が複数のDPBに仮想分割されたDPB毎に描画データがそれぞれデータ変換処理された複数の処理データ(DBデータ)を偏向制御回路130へと送信することになる。データ転送計算機ユニット120aは、送信側ユニットの一例となる。
データ転送計算機ユニット120a内のメモリ30〜34に各DBデータが格納されると、データ転送計算機ユニット120a内に配置された振り分け処理部40が、複数のDBデータをそれぞれ略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける。振り分け処理部40は振り分け部の一例となる。データ量が略均等なデータ量になるように調整した結果、例えば、DB1,3,5のデータを1つのグループに振り分ける。そして、DB2,4のデータを他の1つのグループに振り分ける。そして、メモリ管理部42aは、振り分け処理部40によって振り分けられた一方のDB群について、描画処理順序が降順になるように、DB群のアドレスとサイズを順に定義する。例えば、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5の順に描画処理を進める場合、メモリ管理部42aは、DB1のアドレスとサイズ、DB3のアドレスとサイズ、DB5のアドレスとサイズといった降順で定義する。DB1のアドレスとサイズ、DB5のアドレスとサイズ、DB3のアドレスとサイズといった描画処理順序が降順になっていない定義の仕方はしない。同様に、メモリ管理部44aは、振り分け処理部40によって振り分けられた他方のDB群について、描画処理順序が降順になるように、DB群のアドレスとサイズを順に定義する。同様に、例えば、DB1、DB2、DB3、DB4、DB5の順に描画処理を進める場合、メモリ管理部44aは、DB2のアドレスとサイズ、DB4のアドレスとサイズといった降順で定義する。DB4のアドレスとサイズ、DB2のアドレスとサイズといった描画処理順序が降順になっていない定義の仕方はしない。
そして、メモリ管理部42aは、自己が対応するデータ送信部50に、定義されたDB順を設定する。言い換えれば、データ送信部50には、DB1、DB3、DB5の順にデータ送信するように設定される。同様に、メモリ管理部44aは、自己が対応するデータ送信部52に、定義されたDB順を設定する。言い換えれば、データ送信部52には、DB2、DB4の順にデータ送信するように設定される。
そして、送信側ユニット内に配置された複数の送信部50a,52aは、各グループに振り分けられた少なくとも1つのDBデータが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループのDBデータを並列に送信する。図3(c)では、送信部50aがDB1データをメモリ30から読み出し、偏向制御回路130側へと送信(転送)し、並行して、送信部52aがDB3データをメモリ31から読み出し、偏向制御回路130側へと送信(転送)している状態を示している。そして、送信側ユニットとなるデータ転送計算機ユニット120aにて送信処理を行なっている間に、制御計算機ユニット110aでは、次のDBデータが計算され、メモリ20〜24に順に格納される。例えば、例えば、メモリ20aにDB6データが記憶される。メモリ21aにDB7データが記憶される。メモリ22aにDB8データが記憶される。メモリ23aにDB9データが記憶される。メモリ24aにDB10データが記憶される。
そして、送信部50aがDB1データをメモリ30から読み出すことで空になったメモリ30には、次のDB6のデータが転送される。同様に、送信部52aがDB2データをメモリ31から読み出すことで空になったメモリ31には、次のDB7のデータが転送される。
送信部50aは、DB1データの送信が終了後、DB3データをメモリ32から読み出し、偏向制御回路130側へと送信(転送)し、DB3データの送信が終了後、DB5データをメモリ34から読み出し、偏向制御回路130側へと送信(転送)する。そして、受信側ユニットとなる偏向制御回路130内では、受信装置60がDB1、DB3、DB5の順にDBデータを受信する。このように、振り分けられたグループ毎に降順でDBデータが送信される。そして、送信部50aの送信処理と並行して、送信部52aは、DB2データの送信が終了後、DB4データをメモリ33から読み出し、偏向制御回路130側へと送信(転送)する。そして、受信側ユニットとなる偏向制御回路130内では、受信装置61がDB2、DB4の順にDBデータを受信する。このように、振り分けられたグループ毎に降順でDBデータが送信される。そして、送信側ユニットとなるデータ転送計算機ユニット120aから送信処理され、空になったメモリ30〜34には、順次、計算済みの次のDBデータが転送されてくる。例えば、メモリ管理部42a,44aは、自己に定義されたDBデータの送信処理が終了すると、送信終了を示す情報を計算機ユニット110aへ送信し、送信済みのDBデータが記憶されていたメモリが空いたことを通知する。そして、計算機ユニット110a側では、空いたメモリの領域に次のDBデータを送信する。
以上のようにして、図3(d)に示すように、次のDBデータ群となるDB6〜10のデータがデータ転送計算機ユニット120a内のメモリ30〜34に格納されると、データ転送計算機ユニット120a内に配置された振り分け処理部40が、複数のDBデータをそれぞれ略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける。データ量が略均等なデータ量になるように調整した結果、例えば、DB6,8,10のデータを1つのグループに振り分ける。そして、DB7,9のデータを他の1つのグループに振り分ける。そして、メモリ管理部42aは、振り分け処理部40によって振り分けられた一方のDB群について、描画処理順序が降順になるように、DB群のアドレスとサイズを順に定義する。ここでは、例えば、DB6、DB7、DB8、DB9、DB10の順に描画処理を進める場合、メモリ管理部42aは、DB6のアドレスとサイズ、DB8のアドレスとサイズ、DB10のアドレスとサイズといった降順で定義する。同様に、メモリ管理部44aは、振り分け処理部40によって振り分けられた他方のDB群について、描画処理順序が降順になるように、DB群のアドレスとサイズを順に定義する。同様に、例えば、メモリ管理部44aは、DB7のアドレスとサイズ、DB9のアドレスとサイズといった降順で定義する。
そして、メモリ管理部42aは、自己が対応するデータ送信部50に、定義されたDB順を設定する。言い換えれば、データ送信部50には、DB6、DB8、DB10の順にデータ送信するように設定される。同様に、メモリ管理部44aは、自己が対応するデータ送信部52に、定義されたDB順を設定する。言い換えれば、データ送信部52には、DB7、DB9の順にデータ送信するように設定される。
そして、送信側ユニット内に配置された複数の送信部50,52は、各グループに振り分けられた少なくとも1つのDBデータが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループのDBデータを並列に送信する。
以上のような制御計算機ユニット110aおよびデータ転送計算機ユニット120a間の処理と、データ転送計算機ユニット120a(第1の送信側ユニット)から受信側ユニットとなる偏向制御回路130への送信処理(転送処理)に並行して、複数の制御計算機ユニット110の他の制御計算機ユニット110b〜nおよび複数のデータ転送計算機ユニット120の他のそれぞれ対応するデータ転送計算機ユニット120b〜n間の処理と、データ転送計算機ユニット120b〜n(第2,3,・・・の送信側ユニット)から受信側ユニットとなる偏向制御回路130への送信処理(転送処理)が行なわれる。図1では、送信部50bから送信されたあるグループのDBデータ群は、偏向制御回路130内の受信装置62が当該グループについて降順で受信する。送信部52bから送信されたあるグループのDBデータ群は、偏向制御回路130内の受信装置63が当該グループについて降順で受信する。データ転送計算機ユニット120aから受信側ユニットとなる偏向制御回路130へ送信されたあるグループのDBデータ群は、偏向制御回路130内の受信装置63が当該グループについて降順で受信する。以上のようにして、受信側ユニットとなる偏向制御回路130は、複数のDBデータを受信する。
そして、各受信装置内の各メモリは、他とは異なるグループのDBデータが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループのDBデータを記憶する。このように、第1の送信側ユニットは、第2以降の各送信側ユニットと並列に、それぞれ有する複数の送信部から複数のDBデータを送信し、受信側ユニット内の複数のメモリは、送信側ユニット毎かつグループ毎に異なるメモリに記憶されるように、並列に送信されてきた複数の送信側ユニットからのそれぞれの複数のグループのDBデータを記憶する。
ここで、各受信装置61〜64内の各メモリは、それぞれ対応するグループのDBデータのうち、図形データを記憶する。一方、各受信装置内の各FIFO回路は、それぞれ対応するグループのDBデータのうち、ヘッダに定義された描画順番情報を記憶する。例えば、受信装置60内のメモリ70は、DB1,3,5の順で各DBデータとなるショットデータのうちの図形データを記憶する。他方、受信装置60内のFIFO回路80は、DB1,3,5の順で各DBデータとなるショットデータのうちのヘッダに定義された描画順番情報を記憶する。同様に、受信装置61内のメモリ71は、DB2,4の順で各DBデータとなるショットデータのうちの図形データを記憶する。他方、受信装置61内のFIFO回路81は、DB2,4の順で各DBデータとなるショットデータのうちのヘッダに定義された描画順番情報を記憶する。以降の受信装置62〜64も同様である。
次に、偏向制御回路130内に配置されたデータ順番制御部90は、グループにかかわり無く描画処理順に複数のDBデータを複数のメモリ70〜73・・・から読み出し、偏向量演算部92に読み出した順に出力する。データ順番制御部90は、描画順データ出力部の一例である。具体的には、データ順番制御部90は、FIFO回路80〜83・・・から出力される描画順番情報を用いて、グループにかかわり無く描画処理順に複数のDBデータを複数のメモリ70〜73・・・から読み出し、出力する。さらに具体的に言えば、以下のように動作する。データ順番制御部90は、まず、FIFO回路80〜83・・・から出力されるDPB情報(ストライプ領域情報を含む場合あり)を入力する。データ順番制御部90は、そのうち、より早く描画順序が到来するDPB情報のDBデータから順に読み出す。例えば、FIFO回路80からは、DB1のヘッダ情報が出力され、FIFO回路81からは、DB2のヘッダ情報が出力される。よって、データ順番制御部90は、DB1の方が、DB2よりも描画処理順序が先であることがわかる。よって、データ順番制御部90は、DB1データをメモリ70から読み出し、偏向量演算部92に出力する。DB1データが読み出されると、FIFO回路80からは、DB3のヘッダ情報が出力される。よって、データ順番制御部90は、今度は、DB2の方が、DB3よりも描画処理順序が先であることがわかる。よって、データ順番制御部90は、DB2データをメモリ71から読み出し、偏向量演算部92に出力する。DB2データが読み出されると、FIFO回路81からは、DB4のヘッダ情報が出力される。よって、データ順番制御部90は、今度は、DB3の方が、DB4よりも描画処理順序が先であることがわかる。よって、データ順番制御部90は、DB3データをメモリ70から読み出し、偏向量演算部92に出力する。以降、同様に、データ順番制御部90は、グループにかかわり無く描画処理順にDBデータを読み出し、出力していく。
以上のように、実施の形態1によれば、複数の計算機ユニット120a〜nから並列に偏向制御回路130へとデータ送信できる。同時に、各計算機ユニット120内でも複数の送信部50,52から並列に偏向制御回路130へとデータ送信できる。このように、実施の形態1によれば、複数の計算機ユニット120a〜n(送信側ユニット)から偏向制御回路130(受信側ユニット)への複数の処理データの転送速度を高速化できる。よって、描画時間を短縮でき、描画装置のスループットを向上できる。
また、振り分け処理部40がDBデータを振り分ける際、データ量が略均等になるようにすることで、データ転送の偏りを無くすことができ、データ量の大きい回線により送信速度が律束しないようにできる。よって、より高速にデータ転送できる。その際、グループ分けした各グループ内のDBデータを降順で送信することで、受信側のFIFO回路で描画処理順にヘッダ出力ができる。そして、複数のDBデータが並列送信された場合でも、データ順番制御部90は、複数のFIFO回路から出力されるヘッダから描画処理順を把握でき、描画処理順にDBデータを読み出すことができる。とうる、たい回路130への送信処理(転送処理)が行なわれる。
そして、偏向量演算部92は、入力順に、当該DPB内のショットデータを用いて、各偏向器の偏向量を演算する。以上のようにして、各位置へビームをショットする際の偏向量が演算される。そして、描画部150は、描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料101に電子ビーム200でパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる(可変成形させる)ことができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208で描画領域を仮想分割したサブフィールド(SF)の基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
10,11,12,13,14 CPU
20,21,22,23,24,30,31,32,33,34 メモリ
70,71,72,73,74 メモリ
40 振り分け処理部
42,44 メモリ管理部
50,52 データ送信部
60,61,62,63,64 受信部
80,81,82,83,84 FIFO回路
90 データ順番制御部
92 偏向量演算部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
120 データ転送計算機ユニット
130 偏向制御回路
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (5)

  1. 描画領域が複数の小領域に仮想分割された小領域毎に描画データが並列にデータ変換処理された複数の処理データを送信する送信側ユニットと、
    前記複数の処理データを受信する受信側ユニットと、
    前記送信側ユニット内に配置され、前記複数の処理データをそれぞれ略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける振り分け部と、
    前記送信側ユニット内に配置され、各グループに振り分けられた少なくとも1つの処理データが描画処理順序に対して降順に送信されるように前記複数のグループの処理データを並列に送信する複数の送信部と、
    前記受信側ユニット内に配置され、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを記憶する複数のメモリと、
    前記受信側ユニット内に配置され、グループにかかわり無く描画処理順に前記複数の処理データを前記複数のメモリから読み出し、出力する描画順データ出力部と、
    描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部と、
    を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記送信側ユニットを第1の送信側ユニットとした場合に、前記振り分け部と同様の振り分け部と前記複数の送信部と同様の複数の送信部とを有する第2の送信側ユニットをさらに備え、
    第1の送信側ユニットは、第2の送信側ユニットと並列に、それぞれ有する複数の送信部から前記複数の処理データを送信し、
    前記複数のメモリは、送信側ユニット毎かつグループ毎に異なるメモリに記憶されるように、並列に送信されてきた前記複数の送信側ユニットからのそれぞれの複数のグループの処理データを記憶することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 各処理データには、1回の荷電粒子ビームのショットのための少なくとも1つのショットデータが定義され、各ショットデータには、描画処理の順番を示す描画順番情報とショットされる図形の図形データとが定義され、
    前記複数のメモリは、それぞれ対応するグループの処理データのうち、前記図形データを記憶し、
    前記複数のメモリの1つとそれぞれ組になって、それぞれ対応するグループの処理データのうち、前記描画順番情報を記憶する複数のファーストインファーストアウト(FIFO)回路をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 前記描画順データ出力部は、前記FIFO回路から出力される前記描画順番情報を用いて、前記グループにかかわり無く描画処理順に前記複数の処理データを前記複数のメモリから読み出し、出力することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  5. 送信側ユニット内で、描画データが領域毎にそれぞれデータ変換処理された複数の処理データをそれぞれ略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける工程と、
    送信側ユニットから、各グループに振り分けられた少なくとも1つの処理データが描画順序に対して降順に送信されるように前記複数のグループの処理データを並列に送信する工程と、
    受信側ユニット内で、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを複数のメモリに記憶する工程と、
    受信側ユニット内で、グループにかかわり無く描画処理順に前記複数の処理データを前記複数のメモリから読み出し、出力する工程と、
    描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する工程と、
    を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
JP2011078640A 2011-03-31 2011-03-31 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 Active JP5662863B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011078640A JP5662863B2 (ja) 2011-03-31 2011-03-31 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US13/431,509 US8779394B2 (en) 2011-03-31 2012-03-27 Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US15/210,240 USRE47922E1 (en) 2011-03-31 2016-07-14 Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011078640A JP5662863B2 (ja) 2011-03-31 2011-03-31 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012212829A true JP2012212829A (ja) 2012-11-01
JP5662863B2 JP5662863B2 (ja) 2015-02-04

Family

ID=46925984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011078640A Active JP5662863B2 (ja) 2011-03-31 2011-03-31 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8779394B2 (ja)
JP (1) JP5662863B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015018902A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2015188014A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
DE102015207647B4 (de) 2014-12-05 2023-03-02 Hyundai Motor Company Klimaanlage eines Fahrzeugs

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5693981B2 (ja) * 2011-01-20 2015-04-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5873275B2 (ja) * 2011-09-12 2016-03-01 キヤノン株式会社 描画装置及び物品の製造方法
JP6547635B2 (ja) * 2016-01-08 2019-07-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193524A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Hitachi Ltd Lsi描画パタ−ン・デ−タ作成装置
JPH0438815A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Toshiba Corp 荷電ビーム描画用データの作成方法及び作成装置
JPH04137614A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Toshiba Corp 荷電ビーム描画方法
JP2000278138A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Hitachi Ltd 圧縮データ復元装置,圧縮データ復元方法、及び、電子線描画システム
JP2001060002A (ja) * 1999-08-24 2001-03-06 Fujitsu Ltd マスクデータファイル作成方法及び装置並びに記録媒体
JP2009278010A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置の描画データ転送方法
JP2009284447A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Sony Corp 信号送信装置及び信号送信方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4467211A (en) * 1981-04-16 1984-08-21 Control Data Corporation Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system
US4390789A (en) * 1981-05-21 1983-06-28 Control Data Corporation Electron beam array lithography system employing multiple parallel array optics channels and method of operation
US4525804A (en) * 1982-10-22 1985-06-25 Halliburton Company Interface apparatus for host computer and graphics terminal
DD225879A3 (de) * 1983-07-01 1985-08-07 Zeiss Jena Veb Carl Verfahren und einrichtung zur korpuskularbestrahlung eines targets
US4698785A (en) * 1983-12-02 1987-10-06 Desmond John P Method and apparatus for detecting control system data processing errors
JPH07118440B2 (ja) * 1986-07-09 1995-12-18 東芝機械株式会社 電子ビ−ム描画装置
JP2559529B2 (ja) * 1990-09-21 1996-12-04 株式会社日立製作所 荷電粒子露光装置
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
JPH10154044A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Advantest Corp 転送データ圧縮展開方式及び転送データ圧縮展開装置
JPH1131219A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Mitsubishi Electric Corp 図形データ作成処理装置
US20070083491A1 (en) * 2004-05-27 2007-04-12 Silverbrook Research Pty Ltd Storage of key in non-volatile memory
US7266661B2 (en) * 2004-05-27 2007-09-04 Silverbrook Research Pty Ltd Method of storing bit-pattern in plural devices
US20060143454A1 (en) * 2004-05-27 2006-06-29 Silverbrook Research Pty Ltd Storage of multiple keys in memory
JP5139658B2 (ja) * 2006-09-21 2013-02-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ処理制御装置
JP2008085120A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法及び荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数更新方法
JP4751353B2 (ja) * 2007-03-06 2011-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5121291B2 (ja) * 2007-04-20 2013-01-16 株式会社ニューフレアテクノロジー データ転送システム
JP5079410B2 (ja) * 2007-07-06 2012-11-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
DE102008062450B4 (de) * 2008-12-13 2012-05-03 Vistec Electron Beam Gmbh Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
JP5586183B2 (ja) * 2009-07-15 2014-09-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および装置
JP5616674B2 (ja) * 2010-04-20 2014-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5525936B2 (ja) 2010-06-30 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193524A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Hitachi Ltd Lsi描画パタ−ン・デ−タ作成装置
JPH0438815A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Toshiba Corp 荷電ビーム描画用データの作成方法及び作成装置
JPH04137614A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Toshiba Corp 荷電ビーム描画方法
JP2000278138A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Hitachi Ltd 圧縮データ復元装置,圧縮データ復元方法、及び、電子線描画システム
JP2001060002A (ja) * 1999-08-24 2001-03-06 Fujitsu Ltd マスクデータファイル作成方法及び装置並びに記録媒体
US6444483B1 (en) * 1999-08-24 2002-09-03 Fujitsu Limited Method and apparatus of producing partial-area mask data files
JP2009278010A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置の描画データ転送方法
JP2009284447A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Sony Corp 信号送信装置及び信号送信方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015018902A (ja) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2015188014A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9478391B2 (en) 2014-03-26 2016-10-25 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
DE102015207647B4 (de) 2014-12-05 2023-03-02 Hyundai Motor Company Klimaanlage eines Fahrzeugs

Also Published As

Publication number Publication date
US20120248340A1 (en) 2012-10-04
JP5662863B2 (ja) 2015-02-04
US8779394B2 (en) 2014-07-15
USRE47922E1 (en) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5662863B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5809419B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US10483087B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP5020745B2 (ja) 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US8471225B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus therefor
JP5693981B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5607413B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR101613712B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
US8755924B2 (en) Charged particle beam writing method and apparatus therefor
US20160103945A1 (en) Method of generating write data, multi charged particle beam writing apparatus, and pattern inspection apparatus
TW201413369A (zh) 帶電粒子束描繪裝置及多重描繪用之帶電粒子束之照射時間分配方法
JP2015095538A (ja) 描画データの作成方法
US10622186B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JP5985852B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR102232515B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP6548982B2 (ja) 描画データの作成方法
JP2017055109A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2015201576A (ja) ショットデータ生成方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP4312205B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012089693A (ja) 描画データの製造方法
JP5357530B2 (ja) 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置
JP5809483B2 (ja) ショットデータの作成方法、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6572347B2 (ja) 描画データの作成方法
JP2016219829A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5687838B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5662863

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250