JP2012212770A - 発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液 - Google Patents

発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液 Download PDF

Info

Publication number
JP2012212770A
JP2012212770A JP2011077386A JP2011077386A JP2012212770A JP 2012212770 A JP2012212770 A JP 2012212770A JP 2011077386 A JP2011077386 A JP 2011077386A JP 2011077386 A JP2011077386 A JP 2011077386A JP 2012212770 A JP2012212770 A JP 2012212770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
wavelength
light emitting
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011077386A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5617737B2 (ja
Inventor
Yoshihito Taguchi
禄人 田口
Takuji Hatano
卓史 波多野
Takashi Washisu
貴志 鷲巣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Advanced Layers Inc
Original Assignee
Konica Minolta Advanced Layers Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Advanced Layers Inc filed Critical Konica Minolta Advanced Layers Inc
Priority to JP2011077386A priority Critical patent/JP5617737B2/ja
Publication of JP2012212770A publication Critical patent/JP2012212770A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5617737B2 publication Critical patent/JP5617737B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Abstract

【課題】出射光の色むらの発生を抑制できる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の第1の波長の光を出射するLED素子3と、第1の波長の光の照射により第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部6と、を有する発光装置100の製造方法であって、蛍光体粒子と、蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子とを溶媒に分散させて第1の混合液51を調製する工程と、第1の混合液51をLED素子3上に塗布して加熱することにより、LED素子3上に波長変換層を形成する工程と、透光性のセラミック前駆体を溶媒に分散させた第2の混合液52を波長変換層上に塗布して加熱することにより、LED素子3上に波長変換部6を形成する工程と、を備えている。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液に関する。
近年、窒化ガリウム(GaN)系の青色LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)チップの近傍にYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体等の蛍光体を配置し、青色LEDチップから出射される青色光と、蛍光体が青色光を受けて二次発光することにより出射される黄色光との混色により白色光を得る白色発光装置が広く用いられている。また、青色光を出射する青色LEDチップと、青色光を受けた時に赤色光を出射する蛍光体及び緑色光を出射する蛍光体とを用いてそれぞれの光の混色により白色光を得る白色発光装置も用いられている。
上記のような白色発光装置は様々な用途に適用されており、その代表的なものとしては、従来の蛍光灯や白熱電灯の代替品としての用途が挙げられる。これらの用途に加えて、近年では、自動車のヘッドライト等のような非常に高い輝度が求められる照明装置への適用も検討されている。自動車用ヘッドライトにおいては、遠方の対象物(例えば、道路標識等)を照らして当該対象物を視認できるようするため、出射光の色の均一性が高い発光装置が求められる。
従来、白色発光装置を製造するにあたって、蛍光体粒子を分散させた透明樹脂を用いてLEDチップや実装部を封止する方法が採用されているが、蛍光体粒子の比重は透明樹脂の比重よりも大きいため、透明樹脂が硬化する前に蛍光体粒子が沈降してしまう。このため、発光装置の出射光には色むらが発生して、出射光の色の均一性が低い。
これに対し、蛍光体粒子の沈降を抑制して色むらの発生を防止する方法が種々提案されている。例えば、特許文献1には、樹脂硬化時の粘度が100mPa・s〜10000mPa・sのシリコーン樹脂を封止体として用いることにより、蛍光体粒子の沈降や偏析を抑制する技術が記載されている。また、特許文献2には、液状の透光性封止材料に添加する蛍光体粒子の沈降防止剤として、粘土鉱物を主とする層状化合物に有機カチオンを添加してなる親油性化合物を用いる技術が記載されている。
特許文献1,2に記載の技術によれば、蛍光体粒子の沈降を防止して出射光の色むらの発生をある程度抑制することが可能である。しかしながら、これらの技術は何れも蛍光体粒子を樹脂材料内に分散させる技術であり、高輝度のLEDを用いた場合、LED自体の発熱や励起された蛍光体粒子の発光による発熱等により樹脂材料が劣化する場合がある。樹脂材料が劣化すると、樹脂材料が着色して透過率が低下したり、樹脂材料が変形して色むらや表面散乱を引き起こしたりする場合がある。また、高輝度のLEDを用いなくても、長時間の使用に伴い、このような問題が少なからず発生する場合があった。
これに対し、特許文献3には、金属アルコキシド又はセラミック前駆体組成物からなる液状の塗布型ガラス材料に蛍光体粒子を混合し、これをLEDに塗布して加熱することにより、LED表面を封止するガラス層を形成する技術が記載されており、これにより蛍光体粒子の劣化を抑制し、且つ発光装置の耐熱性及び紫外線耐性等を向上させている。更に、特許文献3には、この塗布型ガラス材料に沈降防止剤として無機粒子を添加することで、蛍光体粒子の沈降を防止する技術が記載されている。
特開2002−314142号公報 特開2004−153109号公報 特開平11−251640号公報
しかしながら、特許文献3に記載の技術にあっては、沈降防止剤として無機粒子をガラス材料に添加したとしても、上記したような出射光に関して高い色の均一性が求められる用途において使用できる程度に出射光の色むらを低減させることはできない。具体的には、沈降防止剤として無機粒子を大量に添加した場合には、無機粒子による散乱等により透過率が低下したり、蛍光体粒子を含有するガラス層の表面の平滑性が損なわれて表面散乱を引き起こしたりする場合がある。一方、沈降防止剤としての無機粒子の添加量を低減させた場合には、蛍光体の沈降を十分に抑制することができず色むらを十分に解消することはできない。
ここで、本願発明の発明者らは、特許文献3に記載の技術に、特許文献1,2に記載の技術を適用することを検討した。
まず、特許文献1に記載の技術は、粘度の高い樹脂を用いることを特徴とするものであり、特許文献3に記載の技術に適用することはできなかった。
これに対し、特許文献3に記載の金属アルコキシドやセラミック前駆体組成物からなる液状の塗布型ガラス材料に、特許文献2に記載の層状化合物を沈降防止剤として添加した場合、蛍光体粒子の分散性は向上したが、塗布型ガラス材料が硬化する前に蛍光体粒子が沈降してしまうため、結果的に色むらを低減させることはできなかった。
そこで、本発明は、主に、出射光の色むらの発生を抑制できる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子とを溶媒に分散させて第1の混合液を調製する工程と、
前記第1の混合液を前記発光素子上に塗布して加熱することにより、前記発光素子上に波長変換層を形成する工程と、
透光性のセラミック前駆体を溶媒に分散させた第2の混合液を前記波長変換層上に塗布して加熱することにより、前記発光素子上に前記波長変換部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子とを溶媒に分散させて第1の混合液を調製する工程と、
前記第1の混合液を透光性の無機材料からなる基板上に塗布して加熱することにより、前記基板上に波長変換層を形成する工程と、
透光性のセラミック前駆体を溶媒に分散させた第2の混合液を前記波長変換層上に塗布して加熱することにより、前記基板上に前記波長変換部を形成する工程と、
前記基板を前記発光素子上に設置する工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子と、透光性のセラミック前駆体とを溶媒に分散させて第3の混合液を調製する工程と、
前記第3の混合液を前記発光素子上に塗布して加熱することにより、前記発光素子上に前記波長変換部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子と、透光性のセラミック前駆体とを溶媒に分散させて第3の混合液を調製する工程と、
前記第3の混合液を透光性の無機材料からなる基板上に塗布して加熱することにより、前記基板上に前記波長変換部を形成する工程と、
前記基板を前記発光素子上に設置する工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
上記発光装置の製造方法で製造されたことを特徴とする発光装置が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、
上記発光装置の製造方法における前記第1の混合液又は前記第2の混合液として使用される蛍光体粒子分散液が提供される。
本発明によれば、波長変換部を形成する蛍光体粒子混合液の粘度がフッ化物粒子により増大されており、蛍光体粒子の沈降を抑制して色むらの発生を抑制することができる。フッ化物粒子により蛍光体粒子混合液の粘度を増大させているので、樹脂材料を使用する必要がなく、耐熱性に優れた波長変換部を形成することができる。更に、波長変換部の形成に当たってセラミック前駆体を用いているので、波長変換部の耐久性が向上されている。
第1の実施形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。 図1に示す発光装置を製造する方法を概略的に説明するための模式図である。 第2の実施形態に係る発光装置の概略構成を示す断面図である。
以下に、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
[第1の実施形態]
図1に示す通り、発光装置100は断面凹状のパッケージ1を有している。パッケージ1の凹部(底部)にはメタル部2(配線)が設けられ、メタル部2上に直方体状のLED素子(発光素子)3が配置されている。LED素子3は所定波長の光を出射する発光素子の一例である。LED素子3のメタル部2に対向する面には突起電極4が設けられており、メタル部2とLED素子3とが突起電極4を介して接続されている(フリップチップ型)。
ここでは、1つのパッケージ1に対して、1つのLED素子3が設けられる構成を図示しているが、1つのパッケージ1の凹部に複数のLED素子3が設けられても良い。
本実施形態では、LED素子3として青色LED素子を用いている。青色LED素子は、例えばサファイア基板上にn−GaN系クラッド層、InGaN発光層、p−GaN系クラッド層、及び透明電極を積層してなる。
パッケージ1の凹部にはLED素子3の周囲を封止するように波長変換部6が形成されている。波長変換部6は、LED素子3から出射される所定波長の光を、これとは異なる波長の光に変換する部分である。波長変換部6には、LED素子3からの所定波長の光により励起され励起波長とは異なる波長の蛍光を出射する蛍光体粒子が含有されている。
続いて、発光装置100の製造装置10について説明する。
図2に示す通り、製造装置10は、前後に移動可能なベルトコンベヤ式の移動台20を有している。移動台20の上方にはその移動方向に沿って、2台のスプレー装置30,40が配置されている。
製造装置10によれば、LED素子3があらかじめ実装された複数のパッケージ1が移動台20に載置された状態で移動台20の移動に伴い搬送され、その搬送中に波長変換部6が製造される。
スプレー装置30は塗布液を噴出可能な構成を有している。
詳しくは、スプレー装置30はエアーが送り込まれるノズル32を有しており、ノズル32にはエアーを送り込むためのエアーコンプレッサー(図示略)が接続されている。ノズル32の先端部の孔径は20μm〜2mmであり、好ましくは0.1〜1.5mmである。ノズル32は上下、左右、前後に移動可能となっている。
例えば、ノズル32としてはアネスト岩田社製スプレーガンW-101-142BPGが、コンプレッサーとしてはアネスト岩田社製OFP-071Cがそれぞれ使用される。
ノズル32は角度調整も可能であり、移動台20(又はこれに設置されるパッケージ1)に対し傾斜させることができるようになっている。被吐出物(パッケージ1やLED素子3)に対するノズル32の角度は、水平方向を0°とした場合に、0〜90°の範囲で調整可能である。
ノズル32には連結管34を介してタンク36が接続されている。タンク36には蛍光体粒子とフッ化物粒子とを含有する第1の混合液51(後述参照)が貯留されている。タンク36には撹拌子が入っており、第1の混合液51が常に撹拌されている。第1の混合液51を撹拌すれば、比重の大きい蛍光体粒子の沈降を抑止することができ、蛍光体粒子が第1の混合液51中で分散した状態を保持することができる。
例えば、タンクとしてはアネスト岩田社製PC-51が使用される。
スプレー装置40は、基本的にはスプレー装置30と同様の構成を有している。ただ、スプレー装置40のタンク36にはセラミック前駆体を含有する第2の混合液52が貯留されている。
なお、スプレー装置30のタンク36には、第1の混合液51の代わりに第3の混合液53が貯蓄されていても良い。第3の混合液は、蛍光体粒子、フッ化物粒子及びセラミック前駆体等を含有する分散液である。この場合、発光装置100の製造に当たってスプレー装置40は作動しないものとしても良いし、スプレー装置40自体が設けられていなくとも良い。
続いて、発光装置100の製造方法について説明する。
発光装置100の製造方法の一例として、製造装置10を使用して発光装置100を製造する場合について説明する。
発光装置100の製造方法によれば、LED素子3を予め実装した複数のパッケージ1を移動台20に載置して一定の速度で順次搬送させながら(A)〜(C)の処理を実行する。
(A)溶媒中に蛍光体粒子及びフッ化物粒子等を分散させ、第1の混合液51を調製する。
(B)スプレー装置30により第1の混合液51をLED素子3上に塗布し、加熱することにより、LED素子3上に波長変換層を形成する。
(C)スプレー装置40により、セラミック前駆体等を分散させた第2の混合液52をLED素子3の波長変換層上に塗布し、加熱することにより、LED素子3上に波長変換部6を形成する。
なお、(A)の工程において、第1の混合液51の代わりに、上記第3の混合液53を調製するものとしても良い。この場合、(B)の工程を行うことによってLED素子3上に波長変換部6が形成され、(C)の工程を行う必要はない。
また、上記(B),(C)の工程によれば、スプレー装置30,40により第1の混合液51及び第2の混合液52を塗布するものとしたが、これに限られるものではなく、他の方法により第1の混合液51及び第2の混合液52を塗布するものとしても良い。
はじめに、(A)の工程で使用する蛍光体粒子、フッ化物粒子その他の材料(例えば、無機粒子等)や処理内容等について説明し、続いて(B)の工程の処理内容及び(C)の工程の処理内容等について説明する。
(A−1)蛍光体粒子
蛍光体粒子は、LED素子3からの出射光の波長(励起波長)により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出射するものである。本実施形態では、青色LED素子から出射される青色光(波長420nm〜485nm)を黄色光(波長550nm〜650nm)に変換するYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体を使用している。
このような蛍光体は、Y、Gd、Ce、Sm、Al、La、Gaの酸化物、又は高温で容易に酸化物となる化合物を使用し、それらを化学量論比で十分に混合して混合原料を得る。或いは、Y、Gd、Ce、Smの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶液をシュウ酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を得る。そして、得られた混合原料にフラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して加圧し、成形体を得る。得られた成形体を坩堝に詰め、空気中1350〜1450℃の温度範囲で2〜5時間焼成し、蛍光体の発光特性を持つ焼結体を得る。
なお、本実施形態ではYAG蛍光体を使用しているが、蛍光体の種類はこれに限定されるものではなく、例えばCeを含まない非ガーネット系蛍光体等の他の蛍光体を使用することもできる。また、蛍光体の粒径が大きいほど発光効率(波長変換効率)は高くなる反面、有機金属化合物との界面に生じる隙間が大きくなって形成されたセラミック層の膜強度が低下する。従って、発光効率と有機金属化合物との界面に生じる隙間の大きさを考慮し、体積平均粒径が1μm以上50μm以下のものを用いることが好ましい。蛍光体の体積平均粒径は、例えばコールターカウンター法やレーザー回折・散乱式粒径測定装置によって測定することができる。
(A−2)フッ化物粒子
フッ化物粒子は、溶媒中に分散させることにより液体を増粘させる効果を有する。フッ化物粒子を溶媒に分散させることにより、混合液の粘度が増加するため、蛍光体粒子の沈降を抑制することができる。
波長変換部6のフッ化物粒子の含有量は、0.5〜70重量%が好ましい。波長変換部6におけるフッ化物粒子の含有量が0.5重量%未満になると、混合液中の蛍光体粒子などの固形分成分の割合が多くなり、塗布の際にハンドリング性が悪化し、色度の均一な塗布が困難になる。更にこの場合、蛍光体粒子の界面の隙間を十分に埋めることができず、膜強度が低下する。また、波長変換部6におけるフッ化物粒子の含有量が70重量%を超えると、フッ化物粒子による励起光の散乱が多く発生し、波長変換部6の発光輝度が低下する。従って、フッ化物粒子の含有量は0.5重量%〜70重量%とすることが好ましいが、より好ましくは0.5重量%〜65重量%であり、最も好ましくは1重量%〜60重量%である。
上記したようにフッ化物粒子には増粘効果があるが、混合液におけるフッ化物粒子の含有量を増大させるほど粘度が増大するというものではなく、フッ化物粒子の含有量の最適値は、上記した範囲内において、溶媒や蛍光体粒子等の他の成分との割合によって定まる。
また、フッ化物粒子は、塗布液内での分散性を考慮して、体積平均粒径10nm〜1μmのものを用いることが好ましい。
また、フッ化物粒子としては、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ナトリウム、フッ化アルミニウム、及びヘキサフルオロアルミン酸ナトリウムなどの粒子を用いることができる。セラミック前駆体や溶媒との相溶性を考慮して、フッ化物粒子の表面には、例えば、シランカップリング剤やチタンカップリング剤等により表面修飾を施しても良い。
(A−3)溶媒
第1の混合液51(又は第3の混合液53)に用いられる溶媒として、水、有機溶媒、水と有機溶媒の混合液のうち何れかの溶媒を使用することができる。
溶媒として水と有機溶媒の混合液を用いる場合、有機溶媒は水との相溶性に優れたメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類等を用いるのが好ましい。
また、溶媒として有機溶媒を用いる場合には、水難溶性の有機溶媒を用いることができる。なお、溶媒として沸点の高い有機溶媒を用いると、混合液のポットライフやスプレー塗布時のスプレー先端ノズルのつまり防止等の点で優位性がある。
(A−4)無機粒子
無機粒子は、蛍光体粒子塗布液に混合されることで、蛍光体粒子及びフッ化物粒子との界面に生じる隙間を埋める効果と粘性を増大させる効果があり、混合液の粘度調整や屈折率調整などの目的で含有させることができる。含有させる無機粒子の粒径は広範な分布をもつもの、比較的狭い分布をもつもののどちらでもよい。一次粒径の中心粒径が0.001μm以上1μm以下であり、蛍光体粒子より小さいものが好ましい。
無機粒子としては、例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛などの酸化物粒子などを用いることができる。また、セラミック前駆体や溶媒との相溶性を考慮して、無機粒子の表面には、例えば、シランカップリング剤やチタンカップリング剤等により表面修飾を施しても良い。
(A−5)第1の混合液51(又は第3の混合液53)の調製
第1の混合液51の調製手順としては、フッ化物粒子を溶媒に分散させて予備混合し、その後に蛍光体粒子を混合し、必要に応じて無機粒子を更に混合する。これにより、フッ化物粒子を均一に混合して増粘効果をより高めることができ、蛍光体粒子を均一に分散させることができる。第1の混合液の好ましい粘度は、20〜800mPa・sであり、更に好ましい粘度は25〜600mPa・sである。これら粘度は、例えば、振動式粘度計(VM−10A−L、CBC社製)を用いて測定される。
なお、第3の混合液53を調製する場合には、フッ化物粒子を溶媒に分散させて予備混合し、その後にセラミック前駆体を混合し、最後に蛍光体粒子を混合し、必要に応じて無機粒子を更に混合する。
(B)処理内容
スプレー装置30を所定の位置にセッティングしてノズル32にエアーを送り込み、第1の混合液51を、ノズル32の先端部から搬送中のパッケージ1のLED素子3に向けて噴射・塗布する。
その後、パッケージ1を移送しながら、第1の混合液51を50℃程度の温度で所定時間加熱する。これにより、LED素子3上に波長変換層(図示略)が形成される。
なお、図2に示す通り、(B)の工程では、第1の混合液51を塗布する前にスプレー装置30のノズル32とパッケージ1との間にマスク部材90を配置して第1の混合液51の塗布領域を制御し、第1の混合液51を塗布した後にマスク部材90を回収するようにしても良い。マスク部材90を回収すれば、高価な蛍光体粒子を回収・再利用することができる。
マスク部材90の回収を(C)の工程の後に行うと、マスク部材90上に第2の混合液52が付着して蛍光体粒子の回収が困難になるが、マスク部材90の回収を(C)の工程の前に行えば、マスク部材90からの蛍光体粒子の回収が容易になる。即ち、回収したマスク部材90を溶解又は焼却するという単純な作業で、蛍光体粒子を回収することができる。
(C−1)第2の混合液52
第2の混合液52は、セラミック前駆体としての有機金属化合物又は無機ポリマーを有機溶媒に分散させた分散液であり、透光性のセラミックスを形成することができれば金属の種類に制限はない。セラック前駆体を用いることにより、波長変換部6の表面を封止することができ、ガスバリア性や膜強度を得ることができる。
なお、第2の混合液52には、上記した無機粒子を含有させても良く、これにより波長変換部6の屈折率等の特性を調整することが可能である。
(C−1.1)有機金属化合物
セラミック前駆体として用いられる有機金属化合物は、例えば、金属アルコキシド、金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート等が挙げられるが、加水分解と重合反応によりゲル化し易い金属アルコキシドが好ましい。金属アルコキシドとしては、例えば、テトラエトキシシランのような単分子のものでも良いし、有機シロキサン化合物が鎖状又は環状に連なったポリシロキサンでも良い。なお、透光性のガラス体を形成可能であれば金属の種類に制限はないが、形成されるガラス体の安定性や製造の容易性の観点から、ケイ素を含有していることが好ましい。また、複数種の金属を含有していても良い。上記金属化合物の他に、加水分解用の水、溶媒、触媒等を適宜含有させることが好ましい。溶媒としては、例えば、エタノール、メタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類が挙げられる。触媒としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、弗酸、アンモニア等が挙げられる。
有機金属化合物としてテトラエトキシシランを用いる場合は、テトラエトキシシラン100質量部に対して、エタノール138質量部、純水52質量部とすることが好ましい。
有機溶媒に対する有機金属化合物の含有量が5重量%未満になると混合液の粘性を増加させることが困難となり、有機金属化合物の含有量が50重量%を超えると重合反応が必要以上に速く進んでしまう。そのため、有機溶媒に対する有機金属化合物の含有量は5重量%以上50重量%以下が好ましく、8重量%以上40重量%以下がより好ましい。
(C−1.2)無機ポリマー
セラミック前駆体として用いられる無機ポリマーとしては、下記一般式(i)で表されるポリシラザンが挙げられる。
(RSiNR・・・(i)
式(i)中、R1、R2、及びR3はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基、アリール基、ビニル基、シクロアルキル基を表し、R1、R2、R3のうち少なくとも1つは水素原子であり、好ましくはすべてが水素原子であり、nは1〜60の整数を表す。
ポリシラザンの分子形状はいかなる形状であってもよく、例えば、直鎖状又は環状であってもよい。
上記式(i)に示すポリシラザンと必要に応じた反応促進剤を、適切な溶媒に溶かして塗布し、加熱やエキシマ光処理、UV光処理を行うことで硬化し、耐熱性、耐光性の優れたセラミック膜を作成することができる。
反応促進剤としては、酸、塩基等を用いることが好ましいが用いなくても良い。反応促進剤としては例えばトリエチルアミン、ジエチルアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、塩酸、シュウ酸、フマル酸、スルホン酸、酢酸やニッケル、鉄、パラジウム、イリジウム、白金、チタン、アルミニウムを含む金属カルボン酸塩等が挙げられるがこれに限られない。
反応促進剤を用いる場合に特に好ましいのは金属カルボン酸塩であり、添加量はポリシラザンを基準にして0.01〜5mol%が好ましい添加量である。
溶媒としては脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン炭化水素、エーテル類、エステル類を使用することができる。好ましくはメチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルフルオライド、クロロホルム、四塩化炭素、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルブチルエーテルである。
(C−2)処理内容
(B)の工程と同様に、スプレー装置40を用いて、第2の混合液52を、ノズル32の先端部から搬送中のパッケージ1のLED素子3に向けて噴射・塗布する。
その後、パッケージ1を加熱槽(図示略)に移送し、LED素子3上に塗布された第1混合液51及び第2の混合液52を120℃程度の温度で所定時間加熱(焼成)して硬化させ、波長変換部6を形成する(完成させる)。
このようにして、発光装置100が製造される。
以上の本実施形態によれば、蛍光体粒子が分散された第1の混合液51の粘度がフッ化物粒子により増大されているので、樹脂材料を用いることなく蛍光体粒子の沈降を抑制し、発光装置の色むらの発生を抑制することができる。また、第1の混合液51の粘度をフッ化物粒子により増大させているので、樹脂材料を使用する必要がなく、耐熱性に優れた波長変換部6を形成することができる。更に、波長変換部6の形成に当たってセラミック前駆体を使用しているため、波長変換部6の耐久性が向上されている。
また、塗布された第1の混合液51を加熱して溶媒を除去しても、蛍光体粒子とフッ化物粒子とが均一に分散された状態でLED素子3上に残留するため、加熱(焼成)後でも蛍光体粒子の分散むらの発生は抑制される。
更に、蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子を用いているので、蛍光体粒子との界面に生じる隙間を埋める充填効果や、波長変換部6の膜強度を向上させる膜強化効果等を得ることができる。
なお、スプレー装置30,40に代えて、ディスペンサーやインクジェットを用いて第1の混合液51や第2の混合液52(又は第3の混合液53)を塗布(滴下又は吐出)するようにしてもよい。
ディスペンサーを使用する場合は、塗布液の滴下量を制御可能で、蛍光体粒子等のノズル詰まりが発生しないようなノズルを用いる。例えば、武蔵エンジニアリング社製の非接触ジェットディスペンサーや同社のディスペンサーを用いることができる。
インクジェットを使用する場合も、塗布液の吐出量を制御可能で、蛍光体粒子のノズル詰まりが発生しないようなノズルを用いる。例えば、コニカミノルタIJ社製のインクジェット装置を用いることができる。
また、上記実施形態では、発光装置100の製造方法に製造装置10を用いるものとして説明したが、これに限られるものではない。即ち、発光装置100の製造において、第1の混合液51及び第2の混合液52(又は第3の混合液53)を塗布する工程は、スプレー装置30,40によらずとも他の塗布方法、例えば、バーコート法等により塗布するものとしても良い。
[第2の実施形態]
第2の実施形態は主に下記の点で第1の実施形態と異なっており、それ以外は第1の実施形態と同様となっている。
図3に示す通り、第2の実施形態に係る発光装置200は、LED素子3と波長変換部6との間にガラス基板7が設けられている。
ガラス基板7は、透光性のガラス材料からなる平板状の基板である。ガラス基板7は、LED素子3の上面に対向して配置され、LED素子3の上面全体を覆っている。ガラス基板7のLED素子3に対向する面の反対側の面には、波長変換部6が形成されている。
なお、ガラス基板7は、透光性を有する材料からなるものであれば良く、ガラス製に限られるものではない。また、ガラス基板7の形状は、平板状に限られるものではなく、例えば、レンズ形状であっても良い。また、LED素子3の上面に波長変換部6が接するように、ガラス基板7と波長変換部6との配置を逆にして設置しても良い。
続いて、第2の実施形態に係る発光装置200を製造する方法について説明する。
まず、(A)の工程において、溶媒中に蛍光体粒子及びフッ化物粒子等を分散させ、第1の混合液51を調製する。
次に、(B)の工程において、スプレー装置30により第1の混合液51をガラス基板7上に塗布し、加熱することにより、ガラス基板7上に波長変換層を形成する。
次に、(C)の工程において、スプレー装置40により、セラミック前駆体等を分散させた第2の混合液52をガラス基板7上に形成された波長変換層上に塗布し、加熱することにより、ガラス基板7上に波長変換部6を形成する。
最後に、この波長変換部6が形成されたガラス基板7を所定のサイズに切断し、切断したガラス基板7をLED素子3上に設置することにより、発光装置200が製造される。
(1)サンプルの作製
(1.1)実施例1
フッ化マグネシウム粒子(体積平均粒径110nm;以下の実施例2,3,4,6,7,8,9,10,11,12,13,14においても同じ体積平均粒径)1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部に混合して分散させ、その後にポリシロキサン分散液(ポリシロキサン14重量%、イソプロピルアルコール86重量%;以下の比較例1,3,4,6も同じ)3重量部と蛍光体粒子(体積平均粒径15μm;以下の実施例1〜14及び比較例1〜6においても同じ体積平均粒径)9重量部を混合して第3の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第3の混合液を焼成後の膜厚が35μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.2)実施例2
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が60μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液(ポリシロキサン14重量%、イソプロピルアルコール86重量%;以下の実施例3〜12,14も同じ)を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.3)実施例3
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が60μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシラザンを分散させた第2の混合液(ポリシラザン20重量%、ジブチルエーテル80重量%;以下の比較例2,5も同じ)を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.4)実施例4
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子1.1重量部とメジアン径(D50)25nmの酸化ケイ素粒子0.1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が60μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.5)実施例5
フッ化カルシウム粒子(体積平均粒径90nm)1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が60μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.6)実施例6
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール1重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が60μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.7)実施例7
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール1.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が60μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.8)実施例8
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子2.3重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が50μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.9)実施例9
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール3重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子2.3重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が50μmになるようにスプレー装置により噴霧し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.10)実施例10
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子9重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が35μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.11)実施例11
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール10重量部及び純水4重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子48重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が25μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.12)実施例12
フッ化マグネシウム粒子1重量部をイソプロピルアルコール0.5重量部及び純水0.5重量部に混合して分散させ、その後に蛍光体粒子0.1重量部を混合して第1の混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した第1の混合液を焼成後の膜厚が400μmになるようにスプレー装置により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このパッケージの凹部及びLED素子の表面に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにスプレー装置により塗布し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.13)実施例13
上記実施例1と同様の第3の混合液を調製した。
ガラス基板(縦50mm×横20mm×厚さ1mm)上に、調製した第3の混合液を厚さ60μmのテープを使用してバーコート法により塗布し、500℃で1時間焼成した。
上面に波長変換部が形成されたガラス基板を約1mm角に切断し、切断したガラス基板をLED素子上に設置して発光装置を作製した。
(1.14)実施例14
上記実施例2と同様の第1の混合液を調製した。
ガラス基板(縦50mm×横20mm×厚さ1mm)上に、調製した第1の混合液を厚さ100μmのテープを使用してバーコート法により塗布し、50℃で10分間焼成した。
更に、このガラス基板上に、ポリシロキサンを分散させた第2の混合液を焼成後の膜厚が1μmになるようにバーコート法により塗布し、500℃で1時間焼成した。
上面に波長変換部が形成されたガラス基板を約1mm角に切断し、切断したガラス基板をLED素子上に設置して発光装置を作製した。
(1.15)比較例1
ポリシロキサン分散液1重量部中に蛍光体粒子0.3重量部を混合して蛍光体粒子混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した混合液を焼成後の膜厚が45μmになるようにスプレーにより噴霧し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.16)比較例2
ポリシラザン分散液1重量部中に蛍光体粒子0.8重量部と平均粒径7nmのシリル化処理無水酸化ケイ素粒子0.06重量部を混合して蛍光体粒子混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した混合液を焼成後の膜厚が50μmになるようにスプレーにより噴霧し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.17)比較例3
ポリシロキサン分散液2.6重量部中に蛍光体粒子0.5重量部とメジアン径(D50)25nmの酸化ケイ素微粒子0.3重量部を混合して蛍光体粒子混合液を調製した。
LED素子が搭載されたパッケージの凹部及びLED素子の表面に、調製した混合液を焼成後の膜厚が160μmになるようにスプレーにより噴霧し、120℃で1時間焼成して発光装置を作製した。
(1.18)比較例4
上記比較例1と同様の蛍光体粒子混合液を調製した。
ガラス基板(縦50mm×横20mm×厚さ1mm)上に、調製した混合液を厚さ80μmのテープを使用してバーコート法により塗布し、500℃で1時間焼成した。
上面に波長変換部が形成されたガラス基板を約1mm角に切断し、切断したガラス基板をLED素子上に設置して発光装置を作製した。
(1.19)比較例5
上記比較例2と同様の蛍光体粒子混合液を調製した。
ガラス基板(縦50mm×横20mm×厚さ1mm)上に、調製した混合液を厚さ80μmのテープを使用してバーコート法により塗布し、500℃で1時間焼成した。
上面に波長変換部が形成されたガラス基板を約1mm角に切断し、切断したガラス基板をLED素子上に設置して発光装置を作製した。
(1.20)比較例6
比較例3と同様の蛍光体粒子混合液を調製した。
ガラス基板(縦50mm×横20mm×厚さ1mm)上に、調製した混合液を厚さ300μmのテープを使用してバーコート法により塗布し、500℃で1時間焼成した。
上面に波長変換部が形成されたガラス基板を約1mm角に切断し、切断したガラス基板をLED素子上に設置して発光装置を作製した。
(2)発光装置の評価
実施例1〜12における波長変換部の材料を表1に示し、比較例1〜3における波長変換部の材料を表2に示す。
なお、表1において、実施例13における波長変換部の材料は実施例1と同じであり、実施例14における波長変換部の材料は実施例2と同じであるため、これらについては省略する。また、表2において、比較例4の波長変換部の材料は比較例1と同じであり、比較例5の波長変換部の材料は比較例2と同じであり、比較例6の波長変換部の材料は比較例3と同じであるため、これらについては省略する。
また、表1において、溶媒の含有量は、フッ化物粒子(MgF又はCaF)の重量倍数で表している。
Figure 2012212770
Figure 2012212770
実施例1〜12で調製した第1の混合液(又は第3の混合液)及び比較例1〜3で調製した蛍光体粒子混合液のそれぞれについて、振動式粘度計(VM−10A−L、CBC社製)を用いて粘度を測定した。各混合液の粘度を表3に示す。
また、実施例1〜12及び比較例1〜3によりそれぞれ発光装置を5サンプルずつ作製し、各発光装置による光の色度を分光放射輝度計(CS−1000A、コニカミノルタセンシング社製)を用いて測定した。測定した発光装置の色度を表3に示す。表3に示す色度は、色空間をXYZ座標系で表したCIE−XYZ表色系で、ある点と原点を結ぶ直線が平面x+y+z=1と交わる点で定義される。色度はxとyの値で表し、x+y+z=1の関係から得られるz座標は省略する。白色光の色度は(0.33,0.33)であり、色度がこの値に近いほど白色光に近くなる。x座標の値が小さくなると青色がかった白色になり、x座標の値が大きくなると黄色がかった白色になる。
そして、実施例1〜12及び比較例1〜3により作製した発光装置の5つのサンプルの色度から標準偏差を算出し、色度の均一性を比較・評価した。算出した標準偏差及びその評価を表3に示す。表3においては、標準偏差が0.02以下であれば色度のバラツキにおいて実用上問題がないものとし、標準偏差の平均値が0.01以下である場合には「◎」、標準偏差の平均値が0.01より大きく0.02以下である場合には「○」、標準偏差の平均値が0.02より大きい場合には「×」で評価を示している。
Figure 2012212770
実施例13,14及び比較例4〜6によりそれぞれ発光装置を5サンプルずつ作製し、各発光装置におけるガラス基板上の波長変換部の膜厚をレーザホロゲージ(ミツトヨ社製)を用いて測定した。測定した膜厚を次の基準で評価し、その評価を表4に示す。表4における膜厚の評価は、各5つのサンプルのうち最初に測定した波長変換部の膜厚を基準値(100%)とし、残りの4つのサンプルの波長変換部の膜厚が±10%の範囲内であるとき「◎」、±20%の範囲内であるとき「○」、±30%の範囲内であるとき「△」、膜厚のばらつきが±40%を超えるとき「×」として示している。
また、実施例13,14及び比較例4〜6により作製された5つのサンプルの発光装置のそれぞれについて、光の色度を分光放射輝度計(CS−1000A、コニカミノルタセンシング社製)を用いて測定した。測定した各発光装置の光の色度を表4に示す。表4において、各サンプル1〜5における色度の値は、実施例13,14及び比較例4〜6により得られた波長変換部付きガラス基板(50mm×20mm×1mm)から切り出された複数のガラス基板のうち任意の3枚を用いて作製した発光装置の色度の平均値を示したものである。
Figure 2012212770
実施例2,8,10,12により作製された5つのサンプルの発光装置のそれぞれについて輝度を測定し、その平均値を算出した。輝度の平均値を、実施例10の発光装置の輝度を1として、それぞれ表5に示す。なお、表5における輝度とは、鉛直方向のみの輝度を示しており、積分球を用いて鉛直方向以外の光を測定したものではない。
Figure 2012212770
表3及び表4の結果より、比較例1〜3(比較例4〜6)で調製した混合液は粘度が低いため蛍光体粒子が沈殿し易く、膜厚も安定していないことが分かる。このため、表3に示すように光の色度のばらつきが大きい。また、比較例4〜6のように塗布方法を変更しても混合液の粘度が低いため、表4に示すように光の色度ばらつきが大きい。
これに対し、表3に示すように、実施例1〜12で調製した混合液は粘度が高く、色度の安定した発光装置を作製することができた。実施例13,14のように塗布方法を変更しても、表4に示すように、光の色度が安定した発光装置を作製できることが分かった。また、表5から分かるようにフッ化マグネシウムの含有量が増大すると、輝度が低下するため、波長変換部中のフッ化物粒子の含有量は60重量%以下が好ましい。
なお、均一な波長変換部を形成するための混合液(第1の混合液又は第3の混合液)の粘度は、バーコート法では25〜800mPa・sが好ましいが、スプレー塗布では粘度が高すぎると噴射できないため25〜600 mPa・sが好ましい。
1 パッケージ
2 メタル部
3 LED素子(発光素子)
4 突起電極
6 波長変換部
7 ガラス基板
10 製造装置
20 移動台
30 スプレー装置
32 ノズル
34 連結管
36 タンク
40 スプレー装置
51 第1の混合液
52 第2の混合液
53 第3の混合液
90 マスク部材
100 発光装置
200 発光装置

Claims (14)

  1. 所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
    前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子とを溶媒に分散させて第1の混合液を調製する工程と、
    前記第1の混合液を前記発光素子上に塗布して加熱することにより、前記発光素子上に波長変換層を形成する工程と、
    透光性のセラミック前駆体を溶媒に分散させた第2の混合液を前記波長変換層上に塗布して加熱することにより、前記発光素子上に前記波長変換部を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
    前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子とを溶媒に分散させて第1の混合液を調製する工程と、
    前記第1の混合液を透光性の無機材料からなる基板上に塗布して加熱することにより、前記基板上に波長変換層を形成する工程と、
    透光性のセラミック前駆体を溶媒に分散させた第2の混合液を前記波長変換層上に塗布して加熱することにより、前記基板上に前記波長変換部を形成する工程と、
    前記基板を前記発光素子上に設置する工程と、
    を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
  3. 前記第1の混合液は、更に無機粒子を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
    前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子と、透光性のセラミック前駆体とを溶媒に分散させて第3の混合液を調製する工程と、
    前記第3の混合液を前記発光素子上に塗布して加熱することにより、前記発光素子上に前記波長変換部を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
  5. 所定の第1の波長の光を出射する発光素子と、前記第1の波長の光の照射により前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出射する蛍光体粒子を含有する波長変換部と、を有する発光装置の製造方法において、
    前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりも粒径の小さいフッ化物粒子と、透光性のセラミック前駆体とを溶媒に分散させて第3の混合液を調製する工程と、
    前記第3の混合液を透光性の無機材料からなる基板上に塗布して加熱することにより、前記基板上に前記波長変換部を形成する工程と、
    前記基板を前記発光素子上に設置する工程と、
    を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
  6. 前記フッ化物粒子の含有量は、前記波長変換部に対して0.5重量%〜70重量%であることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  7. 前記フッ化物粒子の体積平均粒径は、10nm〜1μmであることを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記蛍光体粒子の体積平均粒径は、1μm〜50μmであることを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記第1の混合液の溶媒及び前記第3の混合液の溶媒は、水、有機溶媒又は水と有機溶媒の混合液の何れかであることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記セラミック前駆体は、有機シロキサン化合物であることを特徴とする請求項1から9の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記セラミック前駆体は、ポリシラザンであることを特徴とする請求項1から9の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  12. 前記波長変換部の厚みは、5μm〜500μmであることを特徴とする請求項1から11の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
  13. 請求項1から12の何れか一項に記載の発光装置の製造方法で製造されたことを特徴とする発光装置。
  14. 請求項1から12の何れか一項に記載の発光装置の製造方法における前記第1の混合液又は前記第2の混合液として使用される蛍光体粒子分散液。
JP2011077386A 2011-03-31 2011-03-31 発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液 Expired - Fee Related JP5617737B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011077386A JP5617737B2 (ja) 2011-03-31 2011-03-31 発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011077386A JP5617737B2 (ja) 2011-03-31 2011-03-31 発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012212770A true JP2012212770A (ja) 2012-11-01
JP5617737B2 JP5617737B2 (ja) 2014-11-05

Family

ID=47266507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011077386A Expired - Fee Related JP5617737B2 (ja) 2011-03-31 2011-03-31 発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5617737B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014179384A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Mtek-Smart Corp Ledの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251640A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JPWO2010140417A1 (ja) * 2009-06-05 2012-11-15 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 波長変換用ガラス部材の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251640A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JPWO2010140417A1 (ja) * 2009-06-05 2012-11-15 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 波長変換用ガラス部材の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014179384A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Mtek-Smart Corp Ledの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5617737B2 (ja) 2014-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013051281A1 (ja) Led装置の製造方法、およびそれに用いる蛍光体分散液
JP5900425B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5999223B2 (ja) 発光装置の製造方法および蛍光体混合液
JP5869769B2 (ja) 蛍光体層の形成方法および発光装置の製造方法
WO2013051280A1 (ja) 蛍光体分散液、及びこれを用いたled装置の製造方法
WO2013121903A1 (ja) 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP5768816B2 (ja) 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
KR20140054321A (ko) 형광체 분산액 및 led 장치의 제조 방법
JP2014138081A (ja) 発光装置、波長変換・光拡散素子及びそれらの製造方法、光拡散セラミック層形成用組成物
JP5747994B2 (ja) 波長変換素子及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP5803940B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5617737B2 (ja) 発光装置の製造方法、発光装置及び蛍光体粒子分散液
JPWO2013046662A1 (ja) Led装置
JP5729327B2 (ja) Led装置の製造方法
JP5765428B2 (ja) Led装置の製造方法
JP2012195522A (ja) 発光装置の製造方法
JP2013258339A (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20130416

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130913

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140528

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140819

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140901

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5617737

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees