JP2012195472A - 非線形結晶基板のレーザー加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非線形結晶基板の被加工面に分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、レーザー加工溝を形成する非線形結晶基板のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、パルス幅が200ps以下に設定され、繰り返し周波数が50kHz以下に設定されている。
【選択図】図5
Description
該パルスレーザー光線は、パルス幅が200ps以下に設定され、繰り返し周波数が50kHz以下に設定されている、
ことを特徴とする非線形結晶基板のレーザー加工方法が提供される。
また、上記パルスレーザー光線は、波長が550nm以下に設定されている。
また、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を25〜50kHzに設定することにより、非線形結晶基板であっても加工効率を低下させことなくクラックを発生させずにレーザー加工溝を形成することができる。
上記SAWデバイスウエーハ2に分割予定ライン21に沿ってレーザー加工溝を形成するには、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上にSAWデバイスウエーハ2が貼着された接着テープ4側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル51上に接着テープ4を介してSAWデバイスウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51に保持されたSAWデバイスウエーハ2は、表面2aが上側となる。なお、図4においては、接着テープ4が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
波長 :532nm
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :2W
集光スポット径:φ15μm
加工送り速度 :100mm/秒
本発明者等の実験によると、リチウムタンタレート(LiTaO3)やリチウムナイオベート(LiNbO3)等の厚みが50〜300μmの非線形結晶基板にパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成するレーザー加工を実施すると、パルス幅が1〜300nsの範囲では、波長が266〜1064nm、繰り返し周波数が20〜200kHz、平均出力が0.5〜4Wの範囲で試したが、全てクラックが発生した。これは、パルス幅が1〜300nsのように長いと、1パルス内に発生する熱エネルギーによりクラックが生ずるものと考えられる。従って、加工時に発生する温度上昇を抑えながら加工する必要がある。この加工時に発生する温度上昇を抑えながら加工するには、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が重要な要件となる。即ち、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が高いとパルス間隔が短く、1パルス照射後の冷却時間が短くなり、熱エネルギーが蓄積されてクラック発生の原因となる。一方、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が低いとパルス間隔が長く、1パルス照射後の冷却時間が長くなり、クラックの発生が抑えられる。しかるに、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が低いと、1パルス照射後の冷却時間が長くなるため、加工効率が低下して加工時間が増大するという問題がある。
リチウムタンタレート(LiTaO3)基板に、次の加工条件でパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成した。
波長 :532nm以上
繰り返し周波数:50kHz以上
パルス幅 :200ps以上
平均出力 :0.5〜4W
集光スポット径:φ15μm
加工送り速度 :100mm/秒
上述した実験の結果、波長が532nm、パルス幅が200psで繰り返し周波数が50kHzの場合には、いずれの平均出力においてもクラックは確認されなかった。
しかし、波長を変化させて波長が600nm以上になるとクラックが発生した。また、繰り返し周波数を変化させて繰り返し周波数が60kHz以上になるとクラックが発生した。更に、パルス幅を変化させてパルス幅が250ps以上になるとクラックが発生した。
リチウムナイオベート(LiNbO3)基板に、次の加工条件でパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成した。
波長 :532nm以上
繰り返し周波数:70kHz以上
パルス幅 :200ps以上
平均出力 :0.5〜4W
集光スポット径:φ15μm
加工送り速度 :100mm/秒
上述した実験の結果、波長が532nm、パルス幅が200psで繰り返し周波数が70kHzの場合には、いずれの平均出力においてもクラックは確認されなかった。
しかし、波長を変化させて波長が600nm以上になるとクラックが発生した。また、繰り返し周波数を変化させて繰り返し周波数が100kHz以上になるとクラックが発生した。更に、パルス幅を変化させてパルス幅が250ps以上になるとクラックが発生した。
21:分割予定ライン
22:SAWデバイス
3:環状のフレーム
4:接着テープ
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
6:ピックアップ装置
61:フレーム保持手段
62:テープ拡張手段
63:ピックアップコレット
Claims (3)
- 非線形結晶基板の被加工面に分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、レーザー加工溝を形成する非線形結晶基板のレーザー加工方法であって、
該パルスレーザー光線は、パルス幅が200ps以下に設定され、繰り返し周波数が50kHz以下に設定されている、
ことを特徴とする非線形結晶基板のレーザー加工方法。 - 該パルスレーザー光線の繰り返し周波数は、25〜50kHzに設定されている、請求項1記載の非線形結晶基板のレーザー加工方法。
- 該パルスレーザー光線は、波長が550nm以下に設定されている、請求項1又は2記載の非線形結晶基板のレーザー加工方法。
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