JP2012190894A - 半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ - Google Patents
半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012190894A JP2012190894A JP2011051378A JP2011051378A JP2012190894A JP 2012190894 A JP2012190894 A JP 2012190894A JP 2011051378 A JP2011051378 A JP 2011051378A JP 2011051378 A JP2011051378 A JP 2011051378A JP 2012190894 A JP2012190894 A JP 2012190894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip connection
- connection terminal
- flip chip
- solder
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 169
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/81385—Shape, e.g. interlocking features
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】絶縁層と、この絶縁層上にフリップチップ接続端子を含む配線パターンとを有する半導体素子搭載用パッケージ基板において、前記フリップチップ接続端子を含む配線パターンの底面及び幅方向両側の側面が前記絶縁層内に埋め込まれ、前記フリップチップ接続端子表面が厚さ3μm以上のはんだによって被覆されたことを特徴とする半導体素子搭載用パッケージ基板及びこれを用いた半導体パッケージ。
【選択図】図1
Description
(1) 絶縁層と、この絶縁層の表面に上面が露出するように設けられた埋込回路と、前記絶縁層上及び埋込回路上に設けられたソルダーレジストとを有し、このソルダーレジストの開口内に配置された埋込配線パターンがフリップチップ接続端子を形成し、このフリップチップ接続端子が厚さ3μm以上の予備はんだによって被覆された半導体素子搭載用パッケージ基板。
(2) (1)において、フリップチップ接続端子を形成する埋込配線パターンの底面にビアが接続した半導体素子搭載用パッケージ基板。
(3) (1)または(2)において、フリップチップ接続端子の長手方向の一部に凸形状が形成された半導体素子搭載用パッケージ基板。
(4) (1)から(3)の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の長手方向の一部に凹み形状が形成された半導体素子搭載用パッケージ基板。
(5) (1)から(4)の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の先端が、ソルダーレジストの開口内に配置された半導体素子搭載用パッケージ基板。
(6) (1)から(5)の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の長手方向の両側または片側に延長された埋込回路が設けられた半導体素子搭載用パッケージ基板。
(7) (1)から(6)の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の一部が、短手方向に拡張された部分を有する半導体素子搭載用パッケージ基板。
(8) (1)から(7)の何れかの半導体素子搭載用パッケージ基板のフリップチップ接続端子上に半導体素子のバンプをフリップチップ接続により搭載した半導体パッケージ。
公称厚み0.06mmのプリプレグGEA−679F(日立化成工業株式会社製、商品名)を2枚重ね、その両側に、極薄銅箔厚3μmにキャリア銅箔厚35μmが貼り合わされたピーラブル銅箔FD−P3/35(古河サーキットフォイル株式会社製、商品名)を35μmの銅箔面が上記プリプレグと接着するように構成し、温度175±2℃、圧力2.5±0.2MPa、保持時間60分の条件にて真空プレスを実施し、表面が3μm銅箔の銅張積層板(MCL)を作製し、第1の回路基板とした。
フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、7〜10μmである。これ以外は、実施例1と同様にして、第10の回路基板及び半導体パッケージを得た。
フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、17〜20μmである。これ以外は、実施例1と同様にして、第10の回路基板及び半導体パッケージを得た。
フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、1〜2μmである。これ以外は、実施例1と同様にして、第10の回路基板及び半導体パッケージを得た。
フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、25〜28μmである。これ以外は、実施例1と同様にして、第10の回路基板及び半導体パッケージを得た。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図2に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内にはフリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26を含む埋込回路2の底面にビア18が接続されている。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。
実施例1と同様にして、第7の回路基板を形成した。この第7の回路基板において、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔をソフトエッチング液(過酸化水素と硫酸を含有。)にて除去する前に、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔面上にめっきレジストを形成して、埋込回路のフリップチップ接続端子となる箇所の一部にパターン電気銅めっきすることによって、凸形状を形成した。その後、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔をソフトエッチング液(過酸化水素と硫酸を含有。)にて除去した後、ソルダーレジスト形成、保護めっきとしてのニッケル−金めっき仕上げを行い、第8の回路基板を形成した。ここで、図3に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内にはフリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップ接続端子26の長手方向の一部には、凸形状27が形成されており、この凸形状27の高さは5μm程度である。凸形状27の範囲はフリップチップ接続端子26の短手方向の寸法の100%で、フリップチップ接続端子26の長手方向の寸法の30%程度である。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。
実施例1と同様にして、第7の回路基板を形成した。第7の回路基板において、35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔を、ソフトエッチング液(過酸化水素と硫酸を含有。)にて除去して絶縁層の表面から上面が露出した埋込回路を形成した後、エッチングレジストを形成し、上面が露出した埋込回路の上面の一部が絶縁層の表面よりも凹み、他の部分はそのまま残るようにエッチングすることによって形成した。その後、ソルダーレジスト形成、保護めっきとしてのニッケル−金めっき仕上げを行い、第8の回路基板を得た。ここで、図4に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内にはフリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップ接続端子26の長手方向の一部には、凹み形状28が形成されており、この凹み形状28の深さは5μm程度である。凹み形状28の範囲はフリップチップ接続端子26の短手方向の寸法の100%で、フリップチップ接続端子26の長手方向の寸法の30%程度である。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図5に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内には、フリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26の先端は、ソルダーレジスト4の開口31内に形成されている。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図6に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内には、フリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26の長手方向の両側または片側に延長された埋込回路2が設けられている。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。
実施例1と同様にして、第8の回路基板を形成した。ここで、図7に示すように、ソルダーレジスト4には開口31が設けられ、この開口31内には、フリップチップ接続端子26となる埋込回路2が配置されている。また、フリップチップ接続端子26の長手方向の一部が、短手方向(幅方向)に拡張された部分33を形成している。つまり、フリップチップ接続端子26が部分的に短手方向(幅方向)に拡張された部分33を形成している。これ以降は、実施例1と同様にして、第9の回路基板、第10の回路基板(パッケージ基板)及び半導体パッケージを形成した。
実施例1と同様にして、第7の回路基板を得た。ここで、第7の回路基板は、一方の面には35μmキャリア銅箔との接触面であった3μm銅箔が配置されており、他方の面には第6の回路基板の凸状回路による回路パターンが配置されている。
フリップチップ接続端子を被覆する予備はんだの厚さは、17〜20μmである。これ以外は、比較例3と同様にして、第13の回路基板及び半導体パッケージを得た。
2:埋込回路
3:絶縁層
4:ソルダーレジスト
8:保護めっき
15:半導体素子
18:ビア
19:予備はんだ
23:アンダーフィル材
24:半導体パッケージ
25:バンプ
26:フリップチップ接続端子
27:凸形状
28:凹み形状
31:(ソルダーレジストの)開口
32:凸状回路
33:短手方向に拡張された部分
Claims (8)
- 絶縁層と、この絶縁層の表面に上面が露出するように設けられた埋込回路と、前記絶縁層上及び埋込回路上に設けられたソルダーレジストとを有し、このソルダーレジストの開口内に配置された埋込回路がフリップチップ接続端子を形成し、このフリップチップ接続端子が厚さ3μm以上の予備はんだによって被覆された半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1において、フリップチップ接続端子を形成する埋込回路の底面にビアが接続した半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1または2において、フリップチップ接続端子の長手方向の一部に凸形状が形成された半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1から3の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の長手方向の一部に凹み形状が形成された半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1から4の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の先端が、ソルダーレジストの開口内に配置された半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1から5の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の長手方向の両側または片側に延長された部分を有する埋込回路が設けられた半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1から6の何れかにおいて、フリップチップ接続端子の一部が、短手方向に拡張された半導体素子搭載用パッケージ基板。
- 請求項1から7の何れかの半導体素子搭載用パッケージ基板のフリップチップ接続端子上に半導体素子のバンプをフリップチップ接続により搭載した半導体パッケージ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051378A JP5769001B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ |
CN201280012341.XA CN103443916B (zh) | 2011-03-09 | 2012-03-09 | 半导体元件搭载用封装基板的制造方法、半导体元件搭载用封装基板以及半导体封装 |
TW101108124A TWI600097B (zh) | 2011-03-09 | 2012-03-09 | Manufacturing method of package substrate for mounting semiconductor device, package substrate for mounting semiconductor device, and semiconductor package |
KR1020137025239A KR101585305B1 (ko) | 2011-03-09 | 2012-03-09 | 반도체 소자 탑재용 패키지 기판의 제조 방법, 반도체 소자 탑재용 패키지 기판 및 반도체 패키지 |
PCT/JP2012/056125 WO2012121373A1 (ja) | 2011-03-09 | 2012-03-09 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法、半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051378A JP5769001B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012190894A true JP2012190894A (ja) | 2012-10-04 |
JP5769001B2 JP5769001B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=47083767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011051378A Active JP5769001B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5769001B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107958882A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-04-24 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 芯片的封装结构及其制作方法 |
JP2019134010A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | アズビル株式会社 | 部品実装方法およびプリント基板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10242328A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | 回路基板、この回路基板を有する回路モジュールおよびこの回路モジュールを有する電子機器 |
JP2000077471A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | フリップチップ実装基板及びフリップチップ実装構造 |
JP2008252042A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sharp Corp | 回路基板、および回路基板の形成方法 |
JP2009253261A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高密度回路基板及びその形成方法 |
JP2009289868A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2010206192A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法及びプリント配線板 |
-
2011
- 2011-03-09 JP JP2011051378A patent/JP5769001B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10242328A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | 回路基板、この回路基板を有する回路モジュールおよびこの回路モジュールを有する電子機器 |
JP2000077471A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | フリップチップ実装基板及びフリップチップ実装構造 |
JP2008252042A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sharp Corp | 回路基板、および回路基板の形成方法 |
JP2009253261A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高密度回路基板及びその形成方法 |
JP2009289868A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2010206192A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法及びプリント配線板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107958882A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-04-24 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 芯片的封装结构及其制作方法 |
JP2019134010A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | アズビル株式会社 | 部品実装方法およびプリント基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5769001B2 (ja) | 2015-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101039547B1 (ko) | 프린트 배선판 및 그 제조 방법 | |
JP4673207B2 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
KR101111930B1 (ko) | 다층 프린트 배선판, 및 다층 프린트 배선판의 제조 방법 | |
US9756735B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board | |
US20120246925A1 (en) | Method for manufacturing multilayer printed wiring board | |
WO2007043714A9 (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP2016134497A (ja) | 配線基板積層体及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4022405B2 (ja) | 半導体チップ実装用回路基板 | |
JP6455197B2 (ja) | 配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2006237637A (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
US10811348B2 (en) | Method of manufacturing wiring substrate | |
JP2020155631A (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体パッケージ | |
JP4376891B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP5769001B2 (ja) | 半導体素子搭載用パッケージ基板及び半導体パッケージ | |
JP6457881B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP3942535B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2012074487A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP5846407B2 (ja) | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 | |
JP5942514B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
JP4376890B2 (ja) | 半導体チップ実装用回路基板 | |
JP2004297053A (ja) | 層間接合部及びそれを有する多層配線板 | |
JP2004214227A (ja) | 層間接続部及び多層配線板 | |
JP5753521B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2011159695A (ja) | 半導体素子搭載用パッケージ基板及びその製造方法 | |
JP2011171404A (ja) | 半導体装置用tabテープ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150610 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5769001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |