JP2012189788A - カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法 - Google Patents

カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012189788A
JP2012189788A JP2011053039A JP2011053039A JP2012189788A JP 2012189788 A JP2012189788 A JP 2012189788A JP 2011053039 A JP2011053039 A JP 2011053039A JP 2011053039 A JP2011053039 A JP 2011053039A JP 2012189788 A JP2012189788 A JP 2012189788A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
camera module
shield
resin
manufacturing
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011053039A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Abe
潤一 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2011053039A priority Critical patent/JP2012189788A/ja
Priority to US13/339,601 priority patent/US8777499B2/en
Publication of JP2012189788A publication Critical patent/JP2012189788A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B17/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
    • G03B17/02—Bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

【課題】製造コストを低減することが可能なカメラモジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本実施形態にかかるカメラモジュールの製造方法は、センサ部２０を有するセンサ基板１７と、レンズ体２３およびスペーサ２４を有するＷＬＯ１３と、を備えたカメラモジュール本体１４を、第１のシールド１６内に、第１のシールド１６との間に隙間が形成されるように配置する工程と、第１のシールド１６とカメラモジュール本体１４との隙間に、遮光性を有する樹脂１５を形成する工程と、を具備する。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法に関する。
従来から、光学素子として、レンズ体およびスペーサが一体化されたＷＬＯ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｏｐｔｉｃｓ）が、センサ部を有する固体撮像装置上に搭載されたカメラモジュールが知られている。ＷＬＯは、ウエハレベルで一括して複数形成されるため、低コストで製造可能なものである。
しかし、ＷＬＯは、通常は遮光性を有しておらず、また、カメラモジュールの小型化に伴ってスペーサが薄形化されるため、スペーサの機械的強度が不足する問題がある。従って、遮光性を有するレンズホルダを別途形成し、形成されたレンズホルダ内にＷＬＯを組み込むことによって、カメラモジュール側面等からカメラモジュール内に光が入り込むことを抑制するともに、ＷＬＯの機械的強度を補強する必要がある。
このようなＷＬＯを備える従来のカメラモジュールにおいては、さらなる低価格化のため、さらに製造コストを低減することが望まれている。
特開２０１０−１１８３９７号公報
本発明の実施形態は、製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法は、センサ部を有するセンサ基板と、レンズ部およびスペーサを有する光学素子と、を備えたカメラモジュール本体を、第１のシールド内に、前記第１のシールドとの間に隙間が形成されるように配置する工程と、前記第１のシールドと前記カメラモジュール本体との隙間に、遮光性を有する樹脂を形成する工程と、を具備する方法である。
また、本発明の実施形態に係るカメラモジュールは、センサ部を有するセンサ基板と、このセンサ基板上に載置され、レンズ部およびスペーサを有する光学素子と、この光学素子および前記センサ基板を備えたカメラモジュール本体との間に隙間が形成されるように配置された第１のシールドと、この第１のシールドと前記カメラモジュール本体との隙間に形成された、遮光性を有する樹脂と、を具備するものである。
第１の実施形態に係るカメラモジュールを模式的に示す斜視図である。 図１の一点鎖線Ａ−Ａ´に沿って示すカメラモジュールの断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を形成する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を形成する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を形成する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を形成する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を形成する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を形成する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体を第１のシールドに配置する工程を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、遮光性の樹脂を形成する工程を説明するための断面図である。 第２の実施形態に係るカメラモジュールを示す、図２に相当する断面図である。 第２の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、遮光性の樹脂を形成する工程を説明するための断面図である。 第３の実施形態に係るカメラモジュールを示す、図２に相当する断面図である。 第３の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体に第２のシールドを配置する工程を説明するための断面図である。 第３の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、カメラモジュール本体に第１のシールドを配置する工程を説明するための断面図である。 第４の実施形態に係るカメラモジュールを示す、図２に相当する断面図である。 第４の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法において、遮光性の樹脂を形成する工程を説明するための断面図である。
以下、本発明の実施の形態に係るカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法について、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るカメラモジュールを模式的に示す斜視図である。図１に示すように、本実施形態に係るカメラモジュール１１は、固体撮像装置１２、およびレンズ体およびスペーサが一体化されたＷＬＯ１３（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｏｐｔｉｃｓ）からなるカメラモジュール本体１４が、遮光性の樹脂１５、および電磁波を遮断するための第１のシールド１６に覆われたものである。
図２は、図１の一点鎖線Ａ−Ａ´に沿って示すカメラモジュール１１の断面図である。図２に示すように、固体撮像装置１２は、センサ基板１７と、センサ基板１７上に載置、固定された支持基板１８と、を有する。
センサ基板１７は、シリコン基板１９、およびセンサ部２０を有する。センサ部２０は、例えば水平断面が略正方形のシリコン基板１９の略中央に形成されている。図示は省略するが、センサ部２０には、例えば複数のフォトダイオードが格子状に配列されている。
センサ基板１７の裏面には、複数の外部電極２１が形成されている。これらの外部電極２１は、例えば半田ボールであり、センサ部２０に電気的に接続されている。図示は省略するが、外部電極２１は、例えばシリコン基板１９の裏面に形成された裏面配線、この裏面配線に接続され、シリコン基板１９を貫通する貫通電極、およびシリコン基板１９上に形成され、貫通電極に接続された表面配線を介してセンサ部２０に接続されている。
支持基板１８は、例えばガラス基板等の光透過性基板であり、支持基板１８の水平断面は、センサ基板１７とほぼ同一の形状である。この支持基板１８は、センサ基板１７上にセンサ部２０を囲うように形成された第１の接着剤２２を介して、センサ基板１７上に載置、固定される。なお、この支持基板１８および第１の接着剤２２により、センサ部２０は、密閉される。
ＷＬＯ１３は、キューブ状の光学素子であり、レンズ体２３およびスペーサ２４を一体化することによって形成されている。レンズ体２３は、レンズ用基板２５と、レンズ用基板２５の表面上に形成された第１のレンズ層２６と、レンズ用基板２５の裏面上に形成された第２のレンズ層２７と、を有する。
レンズ用基板２５は、ガラス基板等の光透過性を有する基板であり、レンズ用基板２５の水平断面は、センサ基板１７および支持基板１８とほぼ同一の形状である。
第１のレンズ層２６は、光透過性の樹脂層であり、半球状に上に突出したレンズ部２６ａを略中央に有する。第１のレンズ層２６は、レンズ用基板２５の表面に形成された遮光膜２８を介して、レンズ用基板２５の表面上に形成されている。
遮光膜２８は、例えばクロム膜等の遮光性を有する膜からなり、レンズ部２６ａの直下に対応する部分に開口部２８ａを有している。
第２のレンズ層２７は、光透過性の樹脂層であり、半球状に下に突出したレンズ部２７ａを略中央に有する。第２のレンズ層２７は、レンズ用基板２５の裏面に形成された赤外線遮断フィルタ膜２９を介して、レンズ用基板２５裏面上に形成されている。
また、スペーサ２４は、筒状であり、例えばガラス等の光透過性を有する材料からなる。スペーサ２４は、筒状の上端がレンズ体２３の裏面（第２のレンズ層２７）に固定されている。スペーサ２４の高さは、レンズ体２３の焦点を、固体撮像装置１２のセンサ部２０に合致させる高さである。スペーサ２４の水平断面形状は、センサ基板１７とほぼ同一の略正方形の外周面と、略円形の内周面と、によって構成された枠状である。なお、内周面の径は、高さ方向において連続的に変化しており、筒状の上端および下端が最も長く、上端と下端との中央部分が最も短い。
以上に説明したＷＬＯ１３は、固体撮像装置１２の表面上に載置、固定されている。ＷＬＯ１３は、スペーサ２４の下端と、固体撮像装置１２の表面と、の間に形成された第２の接着剤３０により、固体撮像装置１２の表面上に載置、固定されている。なお、レンズ体２３の上下方向における位置は、スペーサ２４の高さによってほぼ所望の位置に調節されるが、第２の接着剤３０の厚さによって微調整される。
ＷＬＯ１３が搭載された固体撮像装置１２、すなわちカメラモジュール本体１４は、電磁波を遮断するための第１のシールド１６で覆われている。第１のシールド１６は、筒状部１６−１および底部１６−２を有する有底筒状の金属からなる。第１のシールド１６の高さは、カメラモジュール本体１４の第１の高さＨ１（レンズ部２６ａを除く第１のレンズ層２６の表面から、外部電極２１の下端までの距離Ｈ１）と略一致する高さである。
第１のシールド１６は、カメラモジュール本体１４と離間して配置される。すなわち、第１のシールド１６の筒状部１６−１は、カメラモジュール本体１４の側面と離間するようにカメラモジュール本体１４の周囲を覆っている。また、第１のシールド１６の底部１６−２は、固体撮像装置１２の裏面（シリコン基板１９の裏面）と上下方向に離間している。
第１のシールド１６の底部１６−２は、開口部１６−２ａを有する。第１のシールド１６は、開口部１６−２ａから、固体撮像装置１２の外部電極２１が露出するように配置されている。
第１のシールド１６は、接地させることによって、電磁波を遮断することができる。第１のシールド１６は、例えば、カメラモジュール１１が実装基板（図示せず）に実装される際に、第１のシールド１６を、実装基板（図示せず）に形成された接地用配線に接続させることによって接地される。
カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との隙間には、第１のシールド１６内を満たすように遮光性の樹脂１５が充填されている。遮光性の樹脂１５は、例えばカーボンブラック等の黒色顔料を添加することにより、黒色に形成された樹脂からなる。遮光性の樹脂１５は、外部から照射される光が、カメラモジュール本体１４の側面および底面から内部に入射することを抑制するとともに、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６とを接着させる接着剤としても機能する。なお、遮光性の樹脂１５は、黒色でなくともよく、遮光性を有する樹脂であればよい。
遮光性の樹脂１５は、上層樹脂３１および下層樹脂３２からなる。下層樹脂３２は、紫外線を照射することによって瞬時に硬化する紫外線硬化性樹脂からなる。下層樹脂３２は、固体撮像装置１２の裏面と第１のシールド１６の底部１６−２との間を全て埋め、さらに、カメラモジュール本体１４の側面と第１のシールド１６の筒状部１６−１との間を、所望の高さまで埋めるように形成されている。なお、下層樹脂３２は、少なくとも第１のシールド１６の底部１６−２の開口部１６−２ａ近傍（図中のＢ）と固体撮像装置１２の裏面との間を埋めるように形成されていればよい。理由については、後述する。
上層樹脂３１は、加熱することによって硬化する熱硬化性樹脂からなる。上層樹脂３１は、カメラモジュール本体１４の側面と第１のシールド１６の筒状部１６−１との隙間のうち、下層樹脂３２によって埋められていない隙間を全て埋めるように形成されている。
次に、以上に説明したカメラモジュール１１の製造方法について、図３乃至図９を参照して説明する。本実施形態におけるカメラモジュール１１の製造方法は、複数のカメラモジュール本体１４をウエハレベルで一括形成し、カメラモジュール本体１４毎に個片化した後、個々のカメラモジュール本体１４に対して第１のシールド１６を配置し、遮光性の樹脂１５を形成する方法である。なお、以降の各実施形態にかかるカメラモジュールの製造方法についても、カメラモジュール本体を形成するまでの工程は、全て同様である。図３乃至図１０はそれぞれ、本実施形態に係るカメラモジュール１１の製造工程を説明するための、図２に相当する断面図である。
まず、図３に示すように、シリコンウエハ３３に格子状に複数のセンサ部２０、表面配線（図示せず）を形成する。続いて、シリコンウエハ３３の表面にセンサ部２０をそれぞれ囲うように第１の接着剤２２を形成する。第１の接着剤２２を形成した後、シリコンウエハ３３上に、第１の接着剤２２を介してガラスウエハ３４を載置、固定する。なお、シリコンウエハ３３は、後の工程においてカメラモジュール本体１４毎に個片化した後、シリコン基板１９となり、ガラスウエハ３４は、カメラモジュール本体１４毎に個片化した後、支持基板１８となる。
また、図３に示される工程とは別に、図４に示すように、複数の光学素子からなる光学素子の集合体として、複数のＷＬＯ１３からなるＷＬＯ集合体３５を形成する。すなわち、後にレンズ用基板２５となるガラスウエハ３６を基板として、ガラスウエハ３６の表面に、格子状に開口部２８ａが形成された遮光膜２８、および格子状にレンズ部２６ａを有する第１のレンズ層２６を形成するとともに、ガラスウエハ３６の裏面に、赤外線遮断フィルタ膜２９、および格子状にレンズ部２７ａを有する第２のレンズ層２７を形成する。以上の工程を経ることによって、ウエハレベルで、複数のレンズ体２３が形成される。さらに、別途ガラスウエハを用意し、このガラスウエハにサンドブラスト等の方法によって格子状に開口部を設けることにより形成された複数のスペーサ２４を、複数のレンズ体２３の裏面に固定する。以上の工程を経ることによって、ＷＬＯ集合体３５が形成される。
次に、図５に示すように、後に支持基板１８となるガラスウエハ３４の表面上に、第２の接着剤３０を介して、ＷＬＯ集合体３５を載置、固定する。ＷＬＯ集合体３５を載置、固定する時、第２の接着剤３０の厚さは、各レンズ体２３の焦点が、それぞれのセンサ部２０に合致するように調整される。
次に、図６に示すように、シリコンウエハ３３を薄膜化する。シリコンウエハ３３は、シリコンウエハ３３の裏面を、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃｌａ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によって研磨することによって薄膜化される。
次に、図７に示すように、薄膜化されたシリコンウエハ３３の裏面に、センサ部２０に電気的に接続されるように、複数の外部電極２１を形成する。すなわち、まず薄膜化されたシリコンウエハ３３に貫通孔（図示せず）を形成する。次に、貫通孔（図示せず）の側面に表面配線（図示せず）に接続されるように貫通電極（図示せず）を形成する。次に、シリコンウエハ３３の裏面に、貫通電極（図示せず）に接続される裏面配線（図示せず）を形成する。複数の外部電極２１は、この裏面配線（図示せず）に接するように形成される。なお、複数の外部電極２１は、第１のシールド１６の底部１６−２よりも厚く形成される。
複数の外部電極２１を形成することにより、複数のカメラモジュール本体１４が、ウエハレベルで一括形成される。
次に、図８に示すように、ＷＬＯ集合体３５、第２の接着剤３０、ガラスウエハ３４、第１の接着剤２２、およびシリコンウエハ３３を、スクライブラインに沿ってダイシングする。ダイシングにより、一括形成された複数のカメラモジュール本体１４が、個片化される。
次に、図９に示すように、少なくとも紫外線を透過させる支持体３７上に第１のシールド１６を載置し、この第１のシールド１６内に、カメラモジュール本体１４を配置する。
カメラモジュール本体１４が配置される第１のシールド１６として、カメラモジュール本体１４の側面との間に隙間が形成される程度に大きく形成された第１のシールド１６を適用する。従って、カメラモジュール本体１４を第１のシールド１６内に配置したとき、カメラモジュール本体１４の側面と第１のシールド１６の筒状部１６−１との間には、隙間が形成される。
さらに、カメラモジュール本体１４が配置される第１のシールド１６として、第１のシールド１６の底部１６−２が、外部電極２１の高さよりも薄く形成された第１のシールド１６を適用する。従って、カメラモジュール本体１４の裏面（シリコン基板１９の裏面）と第１のシールド１６の底部１６−２との間にも、所望の隙間が形成される。
なお、カメラモジュール本体１４の側面と離間する程度に大きいサイズの第１のシールド１６を適用することにより、カメラモジュール本体１４のサイズに製造誤差があっても、カメラモジュール本体１４を容易に第１のシールド１６内に配置することができる。
次に、図１０に示すように、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との隙間に、下層樹脂３２を形成する。すなわち、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との隙間に、黒色に形成された紫外線硬化性樹脂３８を、例えば固体撮像装置１２が全て覆われる程度まで充填する。次に、充填された紫外線硬化性樹脂３８に、支持体３７の裏面に有する紫外線光源３９−１から紫外線３９−２を照射する。紫外線３９−２の照射によって、紫外線硬化性樹脂３８は瞬時に硬化し、下層樹脂３２が形成される。
この工程において、紫外線硬化性樹脂３８を瞬時に硬化させることによって、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６の底部１６−２との隙間から、充填された紫外線硬化性樹脂３８が流れ出すことを抑制している。
最後に、第１のシールド１６とカメラモジュール本体１４との隙間に、第１のシールド１６を満たすように熱硬化性樹脂を充填する。第１のシールド１６の高さは、カメラモジュール本体１４の第１の高さＨ１と略一致するため、熱硬化性樹脂は、第１のシールド１６の筒状部１６−１とカメラモジュール本体１４の側面との隙間のみに充填される。充填された熱硬化性樹脂を加熱して硬化させることにより、上層樹脂３１が形成され、図１、図２に示されるカメラモジュール１１が製造される。
熱硬化性樹脂を充填する工程において、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６の底部１６−２との隙間には、予め下層樹脂３２が形成されている。従って、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６の底部１６−２との隙間から熱硬化性樹脂が流れ出ることはない。なお、上述のように、下層樹脂３２は、少なくとも第１のシールド１６の底部１６−２の開口部１６−２ａ近傍（図中のＢ）と固体撮像装置１２の裏面との間を埋めるように形成されていればよい。少なくとも図１０中のＢの位置に予め下層樹脂３２を形成しておくことにより、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６の底部１６−２との隙間から熱硬化性樹脂が流れ出ることは抑制される。
以上に示すように、本実施形態に係るカメラモジュール１１およびカメラモジュール１１の製造方法によれば、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との間に、遮光性を有する紫外線硬化性樹脂３８および熱硬化性樹脂を流し込み、これらを硬化させることによって、遮光性の樹脂１５を形成する。従って、従来のレンズホルダを別途形成する必要がなく、レンズホルダを加工する際の金型設計、金型、金型管理も不要となる。さらに、レンズホルダにＷＬＯ１３を組み込む工程も不要である。よって、製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール１１およびカメラモジュール１１の製造方法によれば、ＷＬＯ１３だけでなく、カメラモジュール本体１４の側面全体が遮光性の樹脂１５および第１のシールド１６で覆われるため、カメラモジュール本体１４の内部に光および電磁波が入り込むことを抑制する効果に優れたカメラモジュール１１およびカメラモジュール１１の製造方法を提供することができる。
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係るカメラモジュールを示す、図２に相当する断面図である。第２の実施形態に係るカメラモジュール４１は、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１と比較して、遮光性の樹脂体４２を構成する上層樹脂４３、ＷＬＯ４４のレンズ体４５、および第１のシールド４６が異なる。以下に、上層樹脂４３、レンズ体４５、および第１のシールド４６について説明する。なお、他の各構造については第１の実施形態に係るカメラモジュールと同様であるため、同一符号を付すとともに説明を省略する。
図１１に示すように、第２の実施形態に係るカメラモジュール４１において、上層樹脂４３は、カメラモジュール本体４７の側面と第１のシールド４６の筒状部４６−１との間を充填する他、さらに、カメラモジュール本体４７の上面にも形成されている。カメラモジュール本体４７の上面にも上層樹脂４３が形成されるため、カメラモジュール４１の上方から照射される光のうち、第１のレンズ層２６のレンズ部２６ａ以外に照射される光は遮断される。上層樹脂４３は、レンズ部２６ａの少なくとも一部を除くカメラモジュール本体４７の上面に形成されている。
また、カメラモジュール本体４７の上面に上層樹脂４３が形成されるため、ＷＬＯ４４のレンズ体４５には、遮光膜２８が含まれない。すなわち、レンズ体４５において、レンズ用基板２５の表面には、直接第１のレンズ層２６が形成されている。
また、カメラモジュール本体４７の上面に上層樹脂４３を形成するため、第１のシールド４６の高さは、カメラモジュール本体４７の第１の高さＨ１より高く、かつ、カメラモジュール本体４７の第２の高さＨ２（第１のレンズ層２６のレンズ部２６ａの頂点から、外部電極２１の下端までの距離Ｈ２）より低い。
次に、第２の実施形態に係るカメラモジュール４１の製造方法について説明する。この製造方法は、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１の製造方法と比較して、下層樹脂３２を形成する工程までは同様であり、上層樹脂４３を形成する工程が異なる。以下に、図１２を参照して、第２の実施形態に係るカメラモジュール４１の製造方法を説明する。
図１２は、本実施形態に係るカメラモジュール４１の製造工程を説明するための、図１１に相当する断面図である。図１２に示すように下層樹脂３２を形成した後、第１のシールド４６とカメラモジュール本体４４との隙間、およびカメラモジュール本体４４のレンズ部２６ａを除く上面に、第１のシールド４６を満たすように熱硬化性樹脂を充填する。第１のシールド４６の高さは、カメラモジュール本体４７の第１の高さＨ１より高く、かつ第２の高さＨ２より低いため、熱硬化性樹脂は、第１のシールド４６の筒状部４６−１とカメラモジュール本体４７の側面との隙間、およびレンズ部２６ａを除く第１のレンズ層２６の上面に充填される。充填された熱硬化性樹脂を加熱して硬化させることにより、上層樹脂４３が形成され、図１１に示されるカメラモジュール４１が製造される。
以上に示すように、本実施形態に係るカメラモジュール４１およびカメラモジュール４１の製造方法であっても、カメラモジュール本体４７と第１のシールド４６との間に、遮光性を有する紫外線硬化性樹脂３１および熱硬化性樹脂を流し込み、これらを硬化させることによって、遮光性の樹脂４２を形成する。従って、従来のレンズホルダを別途形成する必要がなく、レンズホルダを加工する際の金型設計、金型、金型管理も不要となる。さらに、レンズホルダにＷＬＯ４４を組み込む工程も不要である。よって、製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール４１およびカメラモジュール４１の製造方法によれば、カメラモジュール本体４７の側面全体が遮光性の樹脂４２および第１のシールド４６で覆われるため、カメラモジュール本体４７の内部に光および電磁波が入り込むことを抑制する効果に優れたカメラモジュール４１およびカメラモジュール４１の製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール４１およびカメラモジュール４１の製造方法によれば、上層樹脂４３が、レンズ部２６ａを除く第１のレンズ層２６の上面を覆うため、レンズ体４５に遮光膜２８を設ける必要はない。従って、従来よりもレンズ体４５の製造工程が簡略化され、レンズ体４５の製造コストが低減される。従って、より製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
（第３の実施形態）
図１３は、第３の実施形態に係るカメラモジュールを示す、図２に相当する断面図である。第３の実施形態に係るカメラモジュール５１は、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１と比較して、第２のシールド５２を有する点が異なる他、第１のシールド５３が異なる。以下に、第２のシールド５２、および第１のシールド５３について説明する。なお、他の各構造については第１の実施形態に係るカメラモジュール１１と同様であるため、同一符号を付すとともに説明を省略する。なお、第３の実施形態に係るカメラモジュール５１におけるＷＬＯ４４のレンズ体４５、およびこのＷＬＯ４４を備えたカメラモジュール本体４７は、第２の実施形態に係るカメラモジュール４１のレンズ体４５、およびカメラモジュール本体４７と同一の構成であるため、同一符号を付すとともに説明を省略する。
図１３に示すように、第３の実施形態に係るカメラモジュール５１において、第２のシールド５２は、筒状部５２−１および天板５２−２からなる金属により形成されている。第２のシールド５２は、筒状部５２−１がＷＬＯ４４の側面に接してＷＬＯ４４の側面を覆い、天板５２−２がＷＬＯ４４の上面に接してＷＬＯ４４の上面を覆うように配置されている。また、第２のシールド５２の天板５２−２には開口部５２−２ａが形成されており、第２のシールド５２は、天板５２−２の開口部５２−２ａから、第１のレンズ層２６のレンズ部２６ａの少なくとも一部が露出するように配置されている。なお、第２のシールドは遮光性を有する。従って、カメラモジュール５１の上方から照射される光のうち、第１のレンズ層２６のレンズ部２６ａ以外に照射される光は遮断される。
また、ＷＬＯ４４の上面に第２のシールド５２が配置されるため、ＷＬＯ４４のレンズ体４５には、遮光膜２８が含まれていない。
また、ＷＬＯ４４の上面に第２のシールド５２が配置されるため、第１のシールド５３の高さは、カメラモジュール本体４７の第１の高さＨ１に、第２のシールド５２の天板５２−２の厚さｈを加えた高さである。
なお、上層樹脂３１は、第２のシールド５２を備えたカメラモジュール本体４７と第１のシールド５３との間に形成される。
次に、第３の実施形態に係るカメラモジュール５１の製造方法について説明する。この製造方法は、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１の製造方法と比較して、カメラモジュール本体４７を形成する工程までは同様である。以下に、図１４、図１５を参照して、第３の実施形態に係るカメラモジュール５１の製造方法を説明する。
図１４、図１５は、本実施形態に係るカメラモジュール５１の製造工程を説明するための、図１３に相当する断面図である。まず図１４に示すように、形成されたカメラモジュール本体４７に、第２のシールド５２を配置する。第２のシールド５２は、ＷＬＯ４４に接するとともに、第１のレンズ層２６のレンズ部２６ａの少なくとも一部が、天板５２−２の開口部５２−２ａから露出するように配置される。
次に、図１５に示すように、第２のシールド５２が配置されたカメラモジュール本体４７を、これらが第１のシールド５３と接触しないように第１のシールド５３内に配置する。
この後、第２のシールド５２が配置されたカメラモジュール本体４７と第１のシールド５３との隙間に、図１３に示される遮光性の樹脂１５を、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１の製造方法と同様に形成する。以上の工程を経ることにより、図１３に示されるカメラモジュール５１が製造される。
第１のシールド５３は、カメラモジュール本体４７の第１の高さＨ１に、第２のシールド５２の天板５２−２の厚さｈを加えた高さである。従って、第１のシールド５３と、第２のシールド５２を備えたカメラモジュール本体４７との隙間に、第１のシールド５３を満たすように熱硬化性樹脂を充填すると、熱硬化性樹脂は、第２のシールド５２が配置されたカメラモジュール本体４７の側面と第１のシールド５３との隙間のみに充填される。すなわち、上層樹脂３１は、第２のシールド５２を備えたカメラモジュール本体４７と第１のシールド５３との間に形成される。
なお、第２のシールド５２は、カメラモジュール本体４７を第１のシールド５３内に配置した後に、カメラモジュール本体４７に配置してもよい。
以上に示すように、本実施形態に係るカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法であっても、第２のシールド５２を備えたカメラモジュール本体４７と第１のシールド５３との間に、遮光性を有する紫外線硬化性樹脂３８および熱硬化性樹脂を流し込み、これを硬化させることによって、遮光性の樹脂１５を形成する。従って、従来のレンズホルダを別途形成する必要がなく、レンズホルダを加工する際の金型設計、金型、金型管理も不要となる。さらに、レンズホルダにＷＬＯ４４を組み込む工程も不要である。よって、製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法によれば、カメラモジュール本体４７の側面全体が遮光性の樹脂１５および第１のシールド５３で覆われるため、カメラモジュール本体４７の内部に光および電磁波が入り込むことを抑制する効果に優れたカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法によれば、第２のシールド５２が、レンズ部２６ａを除く第１のレンズ層２６の上面を覆うため、レンズ体４５に遮光膜２８を設ける必要はない。従って、従来よりもレンズ体４５の製造工程が簡略化され、レンズ体４５の製造コストが低減される。従って、より製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法によれば、カメラモジュール本体４７の上面の大部分は第２のシールド５２で覆われるため、外的負荷に対する耐性を向上させることができるカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法を提供することができる。
なお、本実施形態に係るカメラモジュール５１およびカメラモジュール５１の製造方法によれば、例えば第１のシールド５３と第２のシールド５２とを、同一金属とすれば、外観が統一されるという利点もある。
（第４の実施形態）
図１６は、本発明の第４の実施形態に係るカメラモジュールを示す、図２に相当する断面図である。第４の実施形態に係るカメラモジュール６１は、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１と比較して、遮光性の樹脂６２が異なる。以下に、遮光性の樹脂６２について説明する。なお、他の各構造については第１の実施形態に係るカメラモジュール１１と同様であるため、同一符号を付すとともに説明を省略する。
図１６に示すように、第４の実施形態に係るカメラモジュール６１において、遮光性の樹脂６２は、熱硬化性が併用された紫外線硬化性樹脂である。この紫外線硬化性樹脂は、例えばカーボンブラック等の黒色顔料を添加することにより、黒色に形成されている。従って、遮光性の樹脂６２は、第１の実施形態にかかるカメラモジュール１１の遮光性の樹脂１５と同様に、外部から照射される光が、カメラモジュール本体１４の側面および底面から内部に入射することを抑制するとともに、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６とを接着する接着剤としても機能する。なお、遮光性の樹脂６２は、黒色でなくともよく、遮光性を有する樹脂であればよい点は、第１の実施形態にかかるカメラモジュール１１の遮光性の樹脂１５と同様である。
以下に、第４の実施形態に係るカメラモジュール６１の製造方法を説明する。このカメラモジュール６１の製造方法は、第１の実施形態に係るカメラモジュール１１の製造方法と比較して、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との間に遮光性の樹脂６２を充填する工程が異なる他は、全て同様である。以下に、遮光性の樹脂６２を充填する工程について、図１７を参照して説明する。
図１７は、第４の実施形態に係るカメラモジュール６１の製造方法を説明するための、図１６に相当する断面図である。図１７に示すように、第１のシールド１６内にカメラモジュール本体１４を配置した後、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との隙間に、第１のシールド１６を満たすように熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂６３を充填する。
第１のシールド１６内に熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂６３を充填した後、支持体３７の裏面から、この紫外線硬化性樹脂６３に紫外線光源３９−１から出射される紫外線３９−２を照射することにより、紫外線硬化性樹脂６３を硬化させる。紫外線硬化性樹脂６３は、少なくともシリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６の底部１６−２との隙間から紫外線硬化性樹脂６３が流れ出ない程度に硬化されればよい。
熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂６３に紫外線３９を照射した後、この紫外線硬化性樹脂６３を加熱し、紫外線硬化性樹脂６３をさらに強固に硬化させることにより、遮光性の樹脂６２が形成される。以上の工程を経ることにより、図１６に示されるカメラモジュール６１が製造される。
以上に示すように、本実施形態に係るカメラモジュール６１およびカメラモジュール６１の製造方法であっても、カメラモジュール本体１４と第１のシールド１６との間に、遮光性を有する熱硬化性を併用した紫外線硬化性樹脂６３を流し込み、これを硬化させることによって、遮光性の樹脂６２を形成する。従って、従来のレンズホルダを別途形成する必要がなく、レンズホルダを加工する際の金型設計、金型、金型管理も不要となる。さらに、レンズホルダにＷＬＯ１３を組み込む工程も不要である。よって、製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール６１およびカメラモジュール６１の製造方法によれば、カメラモジュール本体１４の側面全体が遮光性の樹脂６２および第１のシールド１６で覆われるため、カメラモジュール本体１４の内部に光および電磁波が入り込むことを抑制する効果に優れたカメラモジュール６１およびカメラモジュール６１の製造方法を提供することができる。
また、本実施形態に係るカメラモジュール６１およびカメラモジュール６１の製造方法によれば、遮光性の樹脂６２は、１種類の熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂６３のみにより形成される。従って、遮光性の樹脂６２の形成工程はより容易になるため、より容易にカメラモジュール６１を製造することができる。従って、より製造コストを低減することが可能なカメラモジュール６１およびカメラモジュール６１の製造方法を提供することができる。
なお、この第４の実施形態にかかるカメラモジュールの製造方法を、第２、第３の実施形態にかかるカメラモジュールの製造方法に対して適用しても、同様の理由により、製造コストを低減することが可能なカメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法を提供することができる。
以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、遮光性の樹脂１５、４２、６２は、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６、４６、５３との間に流し込む樹脂が、硬化前に、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６、４６、５３との間から流れ出さない程度の高い粘性を有する樹脂であってもよい。
また、シリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６、４６、５３との間に流し込む樹脂は、遮光性を有しており、かつシリコン基板１９の裏面と第１のシールド１６、４６、５３との間から流れ出さなければよく、例えば自然硬化型樹脂、嫌気硬化型樹脂等であってもよい。
また、本発明においては、カメラモジュール本体１４、４７の構造は限定されない。従って、例えば第２、第３の実施形態に係るカメラモジュール４１、５１において、遮光膜２８を有するＷＬＯ１３を適用してもよい。遮光膜２８を有するＷＬＯ１３を適用することにより、第２、第３の実施形態に係るカメラモジュール４１、５１の遮光性能は、より向上する。
１１、４１、５１、６１・・・カメラモジュール
１２・・・固体撮像装置
１３、４４・・・ＷＬＯ
１４、４７・・・カメラモジュール本体
１５、４２、６２・・・遮光性の樹脂
１６、４６、５３・・・第１のシールド
１６−１、４６−１、５３−１・・・筒状部
１６−２・・・底部
１６−２ａ・・・開口部
１７・・・センサ基板
１８・・・支持基板
１９・・・シリコン基板
２０・・・センサ部
２１・・・外部電極
２２・・・第１の接着剤
２３、４５・・・レンズ体
２４・・・スペーサ
２５・・・レンズ用基板
２６・・・第１のレンズ層
２６ａ・・・レンズ部
２７・・・第２のレンズ層
２７ａ・・・レンズ部
２８・・・遮光膜
２８ａ・・・開口部
２９・・・赤外線遮断フィルタ膜
３０・・・第２の接着剤
３１、４３・・・上層樹脂
３２・・・下層樹脂
３３・・・シリコンウエハ
３４・・・ガラスウエハ
３５・・・ＷＬＯ集合体
３６・・・ガラスウエハ
３７・・・支持体
３８・・・紫外線硬化性樹脂
３９−１・・・紫外線光源
３９−２・・・紫外線
５２・・・第２のシールド
５２−１・・・筒状部
５２−２・・・天板
５２−２ａ・・・開口部
６３・・・熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂

Claims (15)

  1. センサ部を有するセンサ基板と、レンズ部およびスペーサを有する光学素子と、を備えたカメラモジュール本体を、第１のシールド内に、前記第１のシールドとの間に隙間が形成されるように配置する工程と、
    前記第１のシールドと前記カメラモジュール本体との隙間に、遮光性を有する樹脂を形成する工程と、
    を具備することを特徴とするカメラモジュールの製造方法。
  2. 前記遮光性を有する樹脂を形成する工程は、黒色に形成された樹脂を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載のカメラモジュールの製造方法。
  3. 前記センサ基板の裏面に、前記センサ部に電気的に接続される外部電極を形成する工程をさらに具備し、
    前記第１のシールド内に前記カメラモジュール本体を配置する工程は、底部および筒状部からなる前記第１のシールドの前記底部に形成された開口部から前記外部電極が露出し、かつ前記カメラモジュール本体の側面および裏面が、前記第１のシールドと離間するように配置する工程であることを特徴とする請求項１または２に記載のカメラモジュールの製造方法。
  4. 前記遮光性を有する樹脂は、上層樹脂および下層樹脂からなり、これらの上層樹脂および下層樹脂からなる遮光性を有する樹脂を形成する工程は、
    少なくとも前記カメラモジュール本体の裏面と前記第１のシールドとの間に、紫外線硬化性樹脂を充填する工程と、
    この紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射し、前記紫外線硬化性樹脂を硬化することにより、下層樹脂を形成する工程と、
    前記工程により前記下層樹脂を形成した後に、前記第１のシールドを満たすように、熱硬化性樹脂を充填する工程と、
    この熱硬化性樹脂を加熱し、前記熱硬化性樹脂を硬化することにより、上層樹脂を形成する工程と、
    を具備することを特徴とする請求項３に記載のカメラモジュールの製造方法。
  5. 前記遮光性を有する樹脂を形成する工程は、
    前記カメラモジュール本体の側面および裏面と前記第１のシールドとの間に、前記第１のシールドを満たすように、熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂を充填する工程と、
    前記熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂に紫外線を照射することにより、前記熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂を硬化する工程と、
    前記熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂を加熱することにより、前記熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂をさらに硬化する工程と、
    を具備することを特徴とする請求項３に記載のカメラモジュールの製造方法。
  6. 前記遮光性を有する樹脂を形成する工程は、前記第１のシールドと前記カメラモジュール本体との隙間、および前記カメラモジュール本体のレンズ部の少なくとも一部を除く上面に遮光性を有する樹脂を形成する工程であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
  7. 前記第１のシールド内に、前記カメラモジュール本体を配置する工程は、前記カメラモジュール本体の側面およびレンズ部の少なくとも一部を除く上面を覆う第２のシールドが形成されたカメラモジュール本体を、前記第１のシールドとの間に隙間が形成されるように配置する工程であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
  8. 前記カメラモジュール本体は、複数のセンサ部が形成されたウエハ上に、複数の前記光学素子からなる光学素子の集合体を載置し、
    前記ウエハおよび前記光学素子の集合体を切断することにより形成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のカメラモジュールの製造方法。
  9. センサ部を有するセンサ基板と、
    このセンサ基板上に載置され、レンズ部およびスペーサを有する光学素子と、
    この光学素子および前記センサ基板を備えたカメラモジュール本体との間に隙間が形成されるように配置された第１のシールドと、
    この第１のシールドと前記カメラモジュール本体との隙間に形成された、遮光性を有する樹脂と、
    を具備することを特徴とするカメラモジュール。
  10. 前記遮光性を有する樹脂は、黒色に形成された樹脂であることを特徴とする請求項９に記載のカメラモジュール。
  11. 前記センサ基板は、前記センサ基板の裏面に、前記センサ部に電気的に接続される外部電極をさらに具するとともに、
    底部および筒状部からなる前記第１のシールドの前記底部は、前記外部電極を露出する開口部をさらに具備し、
    この開口部を有する前記底部および前記筒状部からなる第１のシールドは、前記カメラモジュール本体の側面および裏面との間に隙間が形成されるように配置されたことを特徴とする請求項９または１０に記載のカメラモジュール。
  12. 前記遮光性を有する樹脂は、
    少なくとも前記カメラモジュール本体の裏面と前記第１のシールドとの間に形成され、紫外線硬化性樹脂からなる下層樹脂と、
    前記カメラモジュール本体の側面と前記第１のシールドとの間に形成され、熱硬化性樹脂からなる上層樹脂と、
    を具備することを特徴とする請求項１１に記載のカメラモジュール。
  13. 前記遮光性を有する樹脂は、前記カメラモジュール本体の側面および裏面と前記第１のシールドとの間に形成され、熱硬化性樹脂が併用された紫外線硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項１１に記載のカメラモジュール。
  14. 前記遮光性を有する樹脂は、前記第１のシールドと前記カメラモジュール本体との隙間、および前記カメラモジュール本体のレンズ部の少なくとも一部を除く上面に形成されたことを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載のカメラモジュール。
  15. 前記カメラモジュール本体は、カメラモジュール本体の側面およびレンズ部の少なくとも一部を除く上面を覆う第２のシールドをさらに具備することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載のカメラモジュール。
JP2011053039A 2011-03-10 2011-03-10 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法 Withdrawn JP2012189788A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011053039A JP2012189788A (ja) 2011-03-10 2011-03-10 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法
US13/339,601 US8777499B2 (en) 2011-03-10 2011-12-29 Method for manufacturing camera module and camera module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011053039A JP2012189788A (ja) 2011-03-10 2011-03-10 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012189788A true JP2012189788A (ja) 2012-10-04

Family

ID=46795673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011053039A Withdrawn JP2012189788A (ja) 2011-03-10 2011-03-10 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8777499B2 (ja)
JP (1) JP2012189788A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2524235A (en) 2014-03-07 2015-09-23 Melexis Technologies Nv Semiconductor device having a transparent window for passing radiation
KR102433371B1 (ko) * 2015-06-24 2022-08-16 삼성전자주식회사 스펙트로미터 및 광차폐 상태 모니터링 장치
GB2529567B (en) * 2015-09-22 2016-11-23 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Light shield for light sensitive elements
TWI595606B (zh) * 2015-11-23 2017-08-11 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
US10256266B2 (en) * 2017-04-05 2019-04-09 Omnivision Technologies, Inc. Chip-scale image sensor package and associated method of making
KR102448682B1 (ko) * 2017-09-25 2022-09-29 삼성전자주식회사 지문인식 패키지 및 그 제조방법
US10916575B2 (en) * 2018-04-04 2021-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and method of manufacturing image sensor
TWI747017B (zh) * 2019-07-31 2021-11-21 廣州立景創新科技有限公司 攝影裝置
DE102022109831A1 (de) 2022-04-25 2023-10-26 Printoptix GmbH Geschützte Optikkomponente und Herstellungsverfahren

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006080351A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体装置およびその製造方法
US20090008683A1 (en) * 2005-07-21 2009-01-08 Matshushita Electric Industrial Co., Ltd. Imaging apparatus
US7702226B1 (en) * 2006-07-20 2010-04-20 Siimpel Corporation Board mounted hermetically sealed optical device enclosure and manufacturing methods therefor
TW200916870A (en) * 2007-06-20 2009-04-16 Hitachi Maxell Lens module, camera module, and method of manufacturing camera module
JP2009212446A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Smk Corp 電子部品筐体のシールド方法及びシールド部材
JP5324890B2 (ja) 2008-11-11 2013-10-23 ラピスセミコンダクタ株式会社 カメラモジュールおよびその製造方法
KR20110127913A (ko) * 2010-05-20 2011-11-28 삼성전자주식회사 카메라 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
US8777499B2 (en) 2014-07-15
US20120230669A1 (en) 2012-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012189788A (ja) カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法
JP5324890B2 (ja) カメラモジュールおよびその製造方法
JP4838501B2 (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP4762264B2 (ja) カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法
KR20190113856A (ko) 촬영모듈 및 그 몰드감광 어셈블리와 제조방법, 및 전자장치
US10386616B2 (en) Method of fabricating a wafer level optical lens assembly
JP2011138089A (ja) ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット
JP5401628B2 (ja) レンズモジュールの製造方法、及びレンズモジュール
JP2010040672A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2009279790A (ja) レンズ及びその製造方法、並びに、レンズアレイ、カメラモジュール及びその製造方法、電子機器
CN106158894A (zh) 电子模块及其制造方法
JP2011027853A (ja) カメラモジュールの製造方法
TWI670573B (zh) 無堆場透鏡組件及製造方法
JP2009302221A (ja) 電子装置及びその製造方法
TW201310102A (zh) 鏡頭模組及其製造方法
JP2010080591A (ja) カメラモジュール及びその製造方法
WO2017195302A1 (ja) レンズユニットの製造方法、及び撮像装置の製造方法
JP2013254154A (ja) アポダイザ製造方法及び光学モジュール
TW201633774A (zh) 固體攝像裝置、相機模組及固體攝像裝置之製造方法
JP5694670B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
WO2014119646A1 (ja) 積層レンズアレイ、積層レンズアレイ用絞り部材、並びに関連する装置及び方法
US20100321563A1 (en) Solid-state imaging unit
JP2006295481A (ja) 半導体撮像装置およびその製造方法
JP2011165774A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2015170638A (ja) 撮像素子パッケージ及び撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140513