JP2012186476A - バイアス条件が改良された検出マトリクス及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検出装置は、第1の導電型の半導体基板(1)を備えている。第1の組織軸に沿って組織化されたフォトダイオード行列が基板(1)上に形成される。各フォトダイオードが基板(1)に少なくとも部分的に形成される。周辺バイアスリングがフォトダイオード行列(1)の周辺に形成される。バイアスリングはバイアス電圧生成器(3)に接続される。導電性コンタクトが基板に接続され、かつ、第1の組織軸上の2つのフォトダイオード間に配置される。コンタクトを2つのフォトダイオードの各々から分離する距離は、第1の組織軸に沿って2つの隣接するフォトダイオードを分離する距離に等しい。コンタクトはバイアス電圧生成器に接続される。
【選択図】図4
Description
−反復ピッチで第1の組織軸に沿って組織化されたフォトダイオードの行列であって、各フォトダイオードが、第1の導電型と反対の第2の導電型の領域によって形成された第1の電極と、半導体基板によって形成された第2の電極とを備える行列と、
−フォトダイオード行列の周りの周辺バイアスリングであって、バイアス電圧を半導体基板に印加するバイアス電圧生成器に接続されている周辺バイアスリングと、
−第1の組織軸に整列して2つのフォトダイオード間に配置されたコンタクトであって、コンタクトがフォトダイオードを置換するように反復ピッチで第1の組織軸に沿って2つのフォトダイオードから分離されているコンタクトであって、
−半導体基板上に配置され、かつバイアス電圧生成器に接続されて、バイアス電圧を基板に印加する導電性バンプと、
−導電性バンプと半導体基板間に電荷を通過させるように構成されている第1の導電型の第1の領域とを備えるコンタクトと、
−導電性バンプと接触して配置された第2の導電型の第2の領域。
−第1の組織軸に沿って組織化された第2の導電型の領域の行列を形成するステップであって、第2の導電型の領域が、第1の組織軸に沿って一定の反復ピッチで分離されており、第2の導電型が第1の導電型と反対であるステップと、
−半導体基板に接続し、かつ基板と第1の導電型の領域間の電荷の通過を可能にするように第1の導電型の領域を形成するステップであって、第1の導電型の領域が第2の導電型の領域と整列されているステップと、
−第2の導電型の領域と電気接続された導電性バンプと、第1の導電型の領域とのインタフェースを有する導電性バンプとを形成するステップ。
Claims (7)
- −第1の導電型の半導体基板(6)と、
−反復ピッチで第1の組織軸(X)に沿って組織化されたフォトダイオード(1)の行列であって、各フォトダイオード(1)が、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の領域によって形成された第1の電極と、前記半導体基板(6)によって形成された第2の電極とを備える行列と、
−前記フォトダイオード行列(1)周辺の周辺バイアスリング(2)であって、バイアス電圧生成器(3)に接続されて、前記半導体基板(6)にバイアス電圧(VSUB)を印加する周辺バイアスリング(2)とを備える検出装置であって、
前記装置が、前記第1の組織軸(X)と整列している2つのフォトダイオード(1)間に配置されたコンタクト(5)を備え、前記コンタクト(5)が、前記反復ピッチで前記第1の組織軸(X)に沿って前記2つのフォトダイオード(1)から分離されて、前記コンタクト(5)がフォトダイオード(1)を置換することを特徴とし、前記コンタクト(5)が、
−前記バイアス電圧(VSUB)を前記基板(6)に印加するために、前記半導体基板(6)上に配置され、かつ前記バイアス電圧生成器(3)に接続されている導電性バンプ(8)と、
−前記導電性バンプ(8)と前記半導体基板(6)間に電荷を通過させるように構成されている第1の導電型の第1の領域(6、10)と、
−前記導電性バンプ(8)と接触するように配置されている第2の導電型の第2の領域(9)とを備えることを特徴とする検出装置。 - 前記導電性バンプ(8)が前記第1の領域(10)および前記第2の領域(9)を短絡することを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の領域(9)が前記第1の領域(10)周辺にリングを形成することを特徴とする、請求項1および2のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の組織軸(X)に沿って前記半導体基板(6)に接続された複数の導電性コンタクト(5)を備えており、前記コンタクト(5)が、前記フォトダイオード(1)の前記反復ピッチ(P)の倍数である第1の反復ピッチで等間隔に前記フォトダイオード(1)間に配置されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記光検出器行列(1)が第2の組織軸(Y)に沿って組織化され、前記コンタクト(5)が、第2の反復ピッチで前記第2の組織軸(Y)に沿って配置されることを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 第1の金属ラインが前記フォトダイオード(1)を読み出し回路(4)に結合させ、第2の金属ラインが前記コンタクト(5)を前記バイアス電圧生成器(3)に接続することを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- −第1の導電型の半導体基板(6)を提供するステップと、
−第1の組織軸(X)に沿って組織化された第2の導電型の領域(7、9)の行列を形成するステップであって、前記第2の導電型の領域(7、9)が、前記第1の組織軸(X)に沿って一定の反復ピッチ(P)で分離されており、前記第2の導電型が前記第1の導電型と反対であるステップと、
−第1の導電型の領域(10)を形成して、前記半導体基板(6)を接続し、かつ前記基板(6)と前記第1の導電型の領域(10)間の電荷の通過を可能にするステップであって、前記第1の導電型の領域(10)が前記第2の導電型の領域(7)と整列されているステップと、
−前記第2の導電型の領域(7、9)と電気接続されている導電性バンプ(8)と、前記第1の導電型の領域(10)とのインタフェースを有する導電性バンプ(8)とを形成するステップとを備えることを特徴とする、検出行列の製造方法。
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