JP2012186359A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1絶縁膜2の上の第1導電型の第1半導体層3の表面を含む上部に設けられた第2導電型の第1半導体領域7と、第1半導体領域7の上部に設けられた第1導電型の第2半導体領域8と、側面が第1半導体層3と第1半導体領域7と第2半導体領域8に接する第1トレンチ4と、第1トレンチ4の側面に沿って設けられたゲート絶縁膜5と、第1トレンチ4内に埋め込まれたゲート電極6と、第1半導体領域7と第1トレンチ4から離れて第1半導体層3の上部に設けられた第1導電型の第3半導体領域9と、側面が第3半導体領域9に接し第3半導体領域9に対して第1半導体領域7の反対側に配置された第2トレンチ15と、第2トレンチ15の側面に沿って設けられた素子分離絶縁膜10と、第2トレンチ15内に埋め込まれたポリシリコン埋め込み領域11とを有する。
【選択図】図2
Description
支持基板の上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面を含む上部に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面を含む上部に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
側面が前記第1半導体層と前記第1半導体領域と前記第2半導体領域に接する第1トレンチと、
前記第1トレンチの前記側面に沿って設けられたゲート絶縁膜と、
前記第1トレンチ内に埋め込まれたゲート電極と、
前記第1半導体領域と前記第1トレンチから離れて、前記第1半導体層の表面を含む上部に設けられた第1導電型の第3半導体領域と、
側面が前記第3半導体領域に接し、前記第3半導体領域に対して前記第1半導体領域の反対側に配置された第2トレンチと、
前記第2トレンチの前記側面に沿って設けられた素子分離絶縁膜と、
前記第2トレンチ内に埋め込まれたポリシリコン埋め込み領域とを有する半導体装置であることを特徴としている。
2 埋め込み酸化膜(第1絶縁膜)
3 n−シリコン層(第1半導体層)
4 トレンチ溝(第1トレンチ)
5 ゲート酸化膜(ゲート絶縁膜)
6 ゲート電極
7 pウエル領域(第1半導体領域)
8 n+ソース領域(第2半導体領域)
9 n+ドレイン領域(第3半導体領域)
9a n+シリコン領域
10 素子分離酸化膜(素子分離絶縁膜)
11 ポリシリコン埋め込み領域
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14 引出ゲート電極
15 トレンチ溝(第2トレンチ)
16 層間絶縁膜
100 半導体装置
Claims (11)
- 支持基板の上に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面を含む上部に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面を含む上部に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
側面が前記第1半導体層と前記第1半導体領域と前記第2半導体領域に接する第1トレンチと、
前記第1トレンチの前記側面に沿って設けられたゲート絶縁膜と、
前記第1トレンチ内に埋め込まれたゲート電極と、
前記第1半導体領域と前記第1トレンチから離れて、前記第1半導体層の表面を含む上部に設けられた第1導電型の第3半導体領域と、
側面が前記第3半導体領域に接し、前記第3半導体領域に対して前記第1半導体領域の反対側に配置された第2トレンチと、
前記第2トレンチの前記側面に沿って設けられた素子分離絶縁膜と、
前記第2トレンチ内に埋め込まれたポリシリコン埋め込み領域とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第3半導体領域の底面が、前記第1絶縁膜に達していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第3半導体領域の底面が、前記第1絶縁膜から離れていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1トレンチの底面が、前記第1絶縁膜に達していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1トレンチの底面が、前記第1絶縁膜から離れていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2トレンチの底面が、前記第1絶縁膜に達していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2トレンチの底面が、前記第1絶縁膜から離れていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層の表面からの、前記第1トレンチの底面の深さと、前記第2トレンチの底面の深さが、略等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜の厚さと、前記素子分離絶縁膜の厚さが、略等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極と、前記ポリシリコン埋め込み領域とは、ポリシリコンで形成され、
前記ゲート電極のポリシリコンの不純物濃度と、前記ポリシリコン埋め込み領域のポリシリコンの不純物濃度とは、略等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極と、前記ポリシリコン埋め込み領域とは、ポリシリコンで形成され、
前記ゲート電極のポリシリコンの不純物濃度は、前記ポリシリコン埋め込み領域のポリシリコンの不純物濃度より、高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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JP2003017503A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2010135396A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Toyota Motor Corp | 横型mosトランジスタ |
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