JP2012185902A - 磁気ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第2磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。複数の第2磁気抵抗素子は、互いに直列に接続され、自由強磁性層の磁化の向きが互いに逆の向きで、固定強磁性層の磁界の向きが互いに同じ向きで、固定強磁性層同士又は自由強磁性層同士が電気的に接続されている。
【選択図】図8
Description
本発明の磁気ランダムアクセスメモリでは、読み出し動作時に、誤書き込み、すなわち、磁化の反転が起こらない方向の電流を第1磁気抵抗素子(メモリセル)に印加する。そのために、まず、第1磁気抵抗素子に対して、誤書き込みがほとんど起こらない小さな読み出し電流、または、印加時間の短い読み出し電流によって予備読み出しを行い、予備的にデータを読み出す。この予備的に読み出されたデータに基づいて、第1自由強磁性層の磁化が反転しないように次の読み出し電流の方向を決定する。そして、次に、十分な大きさの読み出し電流を、決定された方向に流すことにより、本番のデータの読み出しを行う。本番のデータの読み出しにより、データの読み出しを確実に行うことができる。それと共に、第1自由強磁性層の磁化が反転しない方向の読み出し電流を用いることにより、読み出し電流の印加時の第1磁気抵抗素子への誤書き込みの確率を大幅に低減することができる。
自由磁性層55と固定磁性層53の磁化が平行で低抵抗である状態を“0”、反平行で高抵抗である状態を“1”と定義する。図5において、スピン注入法により、“1”状態から“0”状態に書き込むためには、書き込み電流IWを自由磁性層55側から固定磁性層53側へ流せばよい。このとき、スピン偏極した電子が固定磁性層53から自由磁性層55へ流れる。スピントルク効果により、自由磁性層55の磁化が反転し、“0”状態となる。なお、初期状態が“0”である場合、自由磁性層55の磁化は変化しない。逆に、“0”状態から“1”状態に書き込むためには、書き込み電流IWを固定磁性層53側から自由磁性層55側に流せばよい。ここで、“0”状態が“1”に書き込まれる書き込み電流IWの方向を正方向と定義する。
9 選択トランジスタ
10 メモリセル
20 書き込み線デコーダ
21 書き込み線対
21a 第1書き込み線
21b 第2書き込み線
30 選択線デコーダ
31 選択線
41 書き込み制御回路
42 読み出し制御回路
43 電流源回路
44 読み出し判定回路
50 磁気抵抗素子(TMR素子)
51 配線層
52 磁性層
53 固定磁性層
54 トンネルバリア層
55 自由磁性層
56 配線層
60 リファレンスセル
Claims (1)
- 第1固定強磁性層、第1非磁性層及び第1自由強磁性層が順次積層され、スピン注入により変更される前記第1自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと、
第2自由強磁性層、第2非磁性層及び第2自由強磁性層が順次積層され、スピン注入により変更される前記第2自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第2磁気抵抗素子を含み、前記メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルと
を具備し、
前記複数の第2磁気抵抗素子は、互いに直列に接続され、前記自由強磁性層の磁化の向きが互いに逆の向きで、前記固定強磁性層の磁界の向きが互いに同じ向きで、前記固定強磁性層同士又は前記自由強磁性層同士が電気的に接続されている
磁気ランダムアクセスメモリ。
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