JP2012185863A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】外部からの電波を受信するアンテナ部と、アンテナ部の出力を整流して直流
電圧VDD0を出力する整流回路部と、整流回路部の出力を受信して一定の電圧であるV
DDを出力するレギュレータ回路と、直流電圧VDD0を昇圧する昇圧回路とを有する。
昇圧回路の入力電圧として、従来使われていたレギュレータ回路104の出力VDDでは
なく、VDDよりも高電位である整流回路部103の出力VDD0を用いることにより、
小さい回路面積で、メモリへのデータ書き込みに必要な高電位を得ることができるもので
ある。
【選択図】図1
Description
可能な半導体装置に関する。
を明確にし、生産・管理等に役立てるといった個体認識技術が注目されている。その中で
も、非接触でデータの送受信が可能な半導体装置の開発が進められている。このような半
導体装置として、特に、プロセッサチップ(RFID(Radio Frequency
Identification)、IDタグ、ICタグ、ICチップ、RFタグ、無線
タグ、電子タグ、無線チップともよばれる)等が企業内、市場等で導入され始めている。
C(Integrated Circuit)チップとも記す)とアンテナとを有し、当
該ICチップは記憶回路(以下、メモリとも記す)や制御回路等から構成されている。
、電波を受信するアンテナ部702と、アンテナ部702の出力を整流する整流回路部7
03と、整流回路部703の出力を受信して動作電圧VDDを各回路に出力するレギュレ
ータ回路704と、クロックを発生させるクロック生成回路705と、他の回路を制御す
るロジック回路706と、ロジック回路706からの出力を受信してデータの書き込み/
読み出しをするメモリ708と、レギュレータ回路704の出力とクロック生成回路70
5の出力を受信してメモリ708にデータを書き込むための電圧を供給する昇圧回路70
7とを有する。
インターフェース回路などを含む。
しをする装置である。
電波を取り込み、このとき得られた信号RF_INを整流回路部703に印加する。整流
回路部703は整流用ダイオード、平滑化容量を有し、RF_INを平滑化して電圧VD
D0を生成する。
る。そのため、RFID700内部にはチップがリーダ/ライタのごく近傍に置かれた際
に発生する過電圧によってロジック回路などが破壊されることを防ぐことを目的として、
入力された電圧に対して一定の出力を出すレギュレータ回路704を組み込む。レギュレ
ータ回路704の出力VDDをロジック回路706の動作電源やメモリ708の読み出し
動作時の電源として用いる。このような構成をとることにより、無電池でRFIDを動作
させることが可能となる。
圧を加える必要がある。このような電圧を生成する方法として、レギュレータ回路の出力
VDDを元に、昇圧回路を用いて昇圧する方法がよく用いられる。図16においては、昇
圧回路707にレギュレータ回路704の出力VDDとクロック生成回路705が出力す
るクロックCLKを入力することで、出力として高電位電源VDD_HIを得る。このV
DD_HIを用いてメモリへの書き込みを行う。このようにRFIDにおいて、昇圧回路
を用いてメモリへのデータ書き込み電圧を生成している例として、例えば(特許文献1)
がある。
力となるVDDはできる限り低い方が望ましいとされる。しかし、VDDの電位が低い(
特に2V以下の)場合、昇圧回路を用いて昇圧してもメモリの書き込みに必要な電位が確
保できないか、または確保するために必要な昇圧回路の面積が大きくなるなどの課題があ
った。
大させることなく、メモリの書き込み動作に必要な電圧を生成することを課題とする。
を整流して直流電圧である第1の電位電源を出力する整流回路部と、前記整流回路部の出
力を受信して一定の電圧である第2の電位電源を出力するレギュレータ回路と、前記第1
の電位電源を昇圧する第1の昇圧回路を有する。
ックを生成するクロック生成回路をさらに有しても良い。
を入力とし、前記クロック生成回路の出力を増幅して昇圧回路のクロックとして出力する
レベルシフタをさらに有しても良い。
力し、前記第2の電位電源をデータ読み出し電位として入力するメモリをさらに有しても
良い。
を整流して直流電圧である第1の電位電源を出力する整流回路部と、前記整流回路部の出
力を受信して一定の電圧である第2の電位電源を出力するレギュレータ回路と、前記第1
の電位電源をデータ書き込み電位として入力し、前記第2の電位電源をデータ読み出し電
位として入力するメモリを有する。
2の電位電源を入力して前記第1の昇圧回路と前記第2の昇圧回路のクロックを生成する
クロック生成回路と、前記第1の昇圧回路の出力をデータ書き込み電位として入力し、前
記第2の昇圧回路の出力をデータ消去電位として入力し、前記第2の電位電源をデータ読
み出し電位として入力するメモリと、を有する。
出力を増幅して前記第1の昇圧回路および前記第2の昇圧回路のクロックとして出力する
レベルシフタをさらに有しても良い。
デンサでも、二次電池でも良い。
Dではなく、VDDよりも高電位である整流回路の出力VDD0を用いることにより、小
さい回路面積で、メモリへのデータ書き込みに必要な高電位を得ることができる。その他
の回路の動作電圧としては、レギュレータ回路の出力VDDを用いているので、消費電力
を抑えることもできる。
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分又は同様な機能を有する部分は、繰り返しの説明は省略する。
本発明の第1の実施の形態について図面を用いて説明する。
ID100は、電波を受信するアンテナ部102と、アンテナ部102の出力を整流する
整流回路部103と、整流回路部103の出力を受信して動作電圧VDDを各回路に出力
するレギュレータ回路104と、クロックを発生させるクロック生成回路105と、他の
回路を制御するロジック回路106と、ロジック回路106からの出力を受信してデータ
の書き込み/読み出しをするメモリ108と、整流回路部103の出力とクロック生成回
路105の出力を受信してメモリ108にデータを書き込むための電圧を供給する昇圧回
路107とを有する。
、センサ、インターフェース回路などを有していてもよい。
しをする装置である。
れる電波を取り込み、得られた信号RF_INを整流回路部103に出力する。
あるRF_INを平滑化して電圧VDD0(第1の電位電源)を生成する。
置かれた際に発生する過電圧によってロジック回路106などが破壊されることを防ぐこ
とを主な目的として、入力された電圧に対して一定の出力を出すレギュレータ回路で、整
流回路部103の出力VDD0はさらに、レギュレータ回路104によりVDD0よりも
低いある一定の値をもつ電圧VDD(第2の電位電源)となる。この電圧VDDがクロッ
ク生成回路105及びロジック回路106の動作電圧となり、メモリ108では読み出し
時の電源電圧に用いる。
えるためには、低電圧であることが望ましい。具体的には、本実施の形態のRFIDの場
合には、1Vから3Vが適しており、好ましくは1.5V〜2Vが良い。
信号CLKを発生させるもので、公知のものを用いることができる。例えば、アンテナ部
102から取り込んだ電波を分周して生成してもよいし、リングオシレータ、VCOなど
の発振回路を用いて生成してもよい。
制御する。本実施の形態では、制御信号により、メモリ108への読み出し/書き込み等
の動作と、その動作を行うべきアドレス情報等をメモリ108に伝える。
LKを取り込み、VDD0を、CLKを用いて昇圧して高電位VDD_HIを出力する。
VDD0は高電圧であることが望ましく、本実施の形態のRFIDでは、3V以上が望ま
しい。
たアドレスに、指定された動作(データ書き込み、または読み出し等)を行う。データ書
き込みの場合には、昇圧回路107からの出力VDD_HIにより、データ書き込みをす
る。データ読み出しの場合にはレギュレータ回路104の出力VDDを用いて行なう。
ク回路106の制御により、メモリ108へのデータの書き込み、メモリ108からのデ
ータの読み出し等の動作を行うことができる。
、インバータ、容量手段(コンデンサ)を組み合わせた回路を用いることができる。
手段を基本単位として9段並べた構成である。図2に示す昇圧回路は、直列に接続された
10個のダイオード201〜210と、それぞれのダイオードの出力部に一端が接続され
た10個の容量手段211〜220と、クロックCLKを入力するインバータ221と、
インバータ221の出力を入力するインバータ222とを有する。奇数段(1,3,5,
7,9段目)の容量手段(211,213,215,217,219)の他端は、インバ
ータ221の出力に接続され、偶数段(2,4,6,8段目)の容量手段(212,21
4,216,218)の他端は、インバータ222の出力に接続される。ダイオード21
0の出力部に一端が接続されている容量手段220の他端は接地されている。
クロックCLKの電圧が加算されることにより昇圧されて、ダイオード210の出力部か
ら高電圧Voutとして出力される。図2においては、クロックCLKの電位はVDDで
ある。
積が広がる。また、入力される電圧Vinと、クロックCLKの電圧が高ければ、少ない
段数(つまり、小さい回路面積)でも高電圧が得られる。
たレギュレータ回路104の出力VDDではなく、VDDよりも高電位である整流回路部
103の出力VDD0を用いることにより、小さい回路面積で、メモリへのデータ書き込
みに必要な高電位VDD_HIを得ることができる。その他の回路の動作電圧としては、
レギュレータ回路104の出力VDDを用いているので、消費電力を抑えることもできる
。
するため、容量手段211〜219よりも容量が大きくなっている。ダイオード201〜
210は、溜まった電荷が前段に逆流することを防ぐ働きを持つ。
い。例えば、ダイオードは薄膜トランジスタのソースもしくはドレインの一端をゲート線
に接続することにより構成することが可能であり、容量手段は薄膜トランジスタのソース
及びドレインの両端を接続することで一端としてゲート線をもう一端とすることにより構
成することが可能である。
入力されることから、通常ロジック回路で用いられる薄膜トランジスタ等の素子よりも耐
圧が高いことが望ましい。具体的には、薄膜トランジスタであれば、ゲート長が6μm以
上あると良い。
割合は小さいため大きな問題にならない。具体的には、昇圧回路の面積に対するダイオー
ドの面積の割合は0.5%以下である。また、本発明により昇圧に必要な段数を減らすこ
とができればその分大きく面積を減らすことが可能となる。
。例えば、メモリ108を構成する記憶素子は定常状態でショートしていて高電圧を印加
するとオープンするヒューズ型メモリ、逆に定常状態でオープンしていて高電圧を印加す
るとショートするアンチヒューズ型メモリが適用できる。メモリ108の構成は公知のも
のを用いることができる。一般的に、メモリにデータを書き込む際には、およそ10Vま
たはそれ以上の電圧を印加する必要がある。
本発明の第2の実施の形態について図面を用いて説明する。
ID300は、電波を受信するアンテナ部302と、アンテナ部302の出力を整流する
整流回路部303と、整流回路部303の出力を受信して動作電圧VDDを各回路に出力
するレギュレータ回路304と、クロックを発生させるクロック生成回路305と、クロ
ック生成回路305からの出力と整流回路部303からの出力を受信してクロック生成回
路305の出力を増幅して出力するレベルシフタ306と、他の回路を制御するロジック
回路307と、ロジック回路307からの出力を受信してデータの書き込み/読み出しを
するメモリ309と、整流回路部303の出力とレベルシフタ306の出力を受信してメ
モリ309にデータを書き込むための電圧を供給する昇圧回路308とを有する。
ーフェース回路などを有していてもよい。
しをする装置である。
フタ306以外の構成については説明を省略する。
る。具体的には、整流回路部303の出力VDD0を、レギュレータ回路304を通さず
にレベルシフタ306に入れることにより、クロックCLKの電位レベルをVDDの値か
らVDD0の値に引き上げる。
D0に、クロックCLKの電圧が加算されることにより昇圧されるので、クロックCLK
の電圧が、レベルシフタ306によりVDDの値からVDD0の値に引き上げられること
で、より少ない段数(つまり、小さい回路面積)でも高電圧が得られる。
れていたレギュレータ回路304の出力VDDではなく、VDDよりも高電位である整流
回路部303の出力VDD0を用いること、及び昇圧回路のCLKをレベルシフタ306
によりVDDからVDD0に引き上げることにより、より小さい回路面積で、メモリへの
データ書き込みに必要な高電位VDD_HIを得ることができる。その他の回路の動作電
圧としては、レギュレータ回路304の出力VDDを用いているので、消費電力を抑える
こともできる。
種類の極性を持つ薄膜トランジスタを組み合わせた回路を用いることができる。図4はレ
ベルシフタの簡単な例であり、N型トランジスタ801、802、P型トランジスタ80
3〜806からなる。
ジスタ803のドレインに接続されている。P型トランジスタ803のソースがP型トラ
ンジスタ805のドレインに接続され、P型トランジスタ805のソースがV_HI端子
に接続されている。
4のドレインに接続されている。P型トランジスタ804のソースがP型トランジスタ8
06のドレインに接続され、P型トランジスタ806のソースがV_HI端子に接続され
ている。
、N型トランジスタ802とP型トランジスタ804のゲートが入力端子IN2に接続さ
れている。P型トランジスタ804のドレインとP型トランジスタ805のゲートが出力
端子OUT1に接続され、P型トランジスタ803のドレインとP型トランジスタ806
のゲートが出力端子OUT2に接続されている。
るクロックCLKを印加し、V_HI端子に整流回路部303の出力VDD0を接続する
と、入力端子IN1の電位がVDDで入力端子IN2の電位が0Vのときには、OUT1
の電位がVDD0で、OUT2の電位が0Vとなる。逆に、入力端子IN2の電位がVD
Dで入力端子IN1の電位が0Vのときには、OUT2の電位がVDD0で、OUT1の
電位が0Vとなる。
。
トランジスタ803〜806には図3の整流回路部303の出力VDD0が掛かることか
ら、通常ロジック回路で用いられる薄膜トランジスタよりも耐圧が高いことが望ましい。
具体的には、ゲート長が6μm以上あると良い。
フタの面積は小さいため大きな問題にならない。具体的には、昇圧回路の面積に対するレ
ベルシフタの面積の割合は5%以下である。また、本発明により昇圧に必要な段数を減ら
すことができればその分大きく面積を減らすことが可能となる。
本発明第3の実施の形態について図面を用いて説明する。
ID400は、電波を受信するアンテナ部402と、アンテナ部402の出力を整流する
整流回路部403と、整流回路部403の出力を受信して動作電圧VDDを各回路に出力
するレギュレータ回路404と、他の回路を制御するロジック回路405と、ロジック回
路405からの出力を受信してデータの書き込み/読み出しをするメモリ406とを有す
る。
ーフェース回路などを有していてもよい。
しをする装置である。
回路部403の出力VDD0をメモリ406への書き込み電圧として直接用いる。それ以
外の各構成は実施の形態1と同様なので説明を省略する。
る材料は、整流回路部403の出力VDD0よりは低く、レギュレータ回路404の出力
VDDよりは高い電圧の範囲で特性変化(ヒューズ型ならオープン、アンチヒューズ型な
らショート)が起こる材料を用いると好ましい。
ギュレータ回路404の出力VDDよりも高電位である整流回路部403の出力VDD0
を用いることにより、より小さい回路面積で、メモリへのデータ書き込みができる。その
他の回路の動作電圧としては、レギュレータ回路404の出力VDDを用いているので、
消費電力を抑えることもできる。
くは離れた環境でメモリへの書き込みが行われると都合が悪いような場合に特に好ましい
。
本発明の第4の実施の形態について図面を用いて説明する。
ID500は、電波を受信するアンテナ部502と、アンテナ部502の出力を整流する
整流回路部503と、整流回路部503の出力を受信して動作電圧VDDを各回路に出力
するレギュレータ回路504と、クロックを発生させるクロック生成回路505と、他の
回路を制御するロジック回路506と、ロジック回路506からの出力を受信してデータ
の書き込み、読み出しまたは消去をするメモリ509と、整流回路部503の出力とクロ
ック生成回路505の出力を受信して昇圧された電圧を出力する第1の昇圧回路507と
、第1の昇圧回路507の出力とクロック生成回路505の出力を受信してさらに昇圧さ
れた電圧をメモリ509に出力する第2の昇圧回路508とを有する。
ーフェース回路などを有していてもよい。
しをする装置である。
以外の構成は実施の形態1と同様なので、説明は省略する。
ック生成回路505の出力CLKを入力し、VDD0を、CLKを用いて実施の形態1の
昇圧回路と同様の動作により昇圧して、VDD_HI1を出力する。VDD_HI1はメ
モリ509に入力されるとともに第2の昇圧回路508に入力される。
路505の出力CLKを入力し、VDD_HI1を、CLKを用いて実施の形態1の昇圧
回路と同様の動作によりさらに昇圧して、VDD_HI2を出力する。VDD_HI2は
メモリ509に入力される。
み用の電圧として用い、より高電位である第2の昇圧回路508の出力VDD_HI2を
、データ書き込みよりも高電位が必要なデータ消去に用いることができる。
なメモリを搭載することができる。その結果、メモリを搭載したRFIDの高機能化に寄
与する。なお、メモリ509としては公知の書き換え可能なメモリを用いることができる
。例えば、フラッシュメモリ、強誘電体メモリなどである。
として、従来使われていたレギュレータ回路504の出力VDDではなく、VDDよりも
高電位である整流回路部503の出力VDD0を用い、第2の昇圧回路の入力電圧として
第1の昇圧回路の出力電圧VDD_HI1を用いることにより、小さい回路面積で、メモ
リへのデータ書き込みおよび消去に必要な高電位を得ることができる。その他の回路の動
作電圧としては、レギュレータ回路504の出力VDDを用いているので、消費電力を抑
えることもできる。
ある。
本発明の第5の実施の形態について図面を用いて説明する。
ID600は、電波を受信するアンテナ部602と、アンテナ部602の出力を整流する
整流回路部603と、整流回路部603の出力を受信して動作電圧VDDを各回路に出力
するレギュレータ回路604と、クロックを発生させるクロック生成回路605と、クロ
ック生成回路605の出力と整流回路部603の出力を受信してクロック生成回路605
の出力を増幅して出力するレベルシフタ606と、他の回路を制御するロジック回路60
7と、ロジック回路607からの出力を受信してデータの書き込み、読み出しまたは消去
をするメモリ610と、整流回路部603の出力とレベルシフタ606の出力を受信して
昇圧された電圧を出力する第1の昇圧回路608と、第1の昇圧回路608の出力とレベ
ルシフタ606の出力を受信してさらに昇圧された電圧をメモリ610に出力する第2の
昇圧回路609とを有する。
ーフェース回路などを有していてもよい。
しをする装置である。
フタ606以外の構成については説明を省略する。
る。具体的には、整流回路部603の出力VDD0を、レギュレータ回路604を通さず
にレベルシフタ606に入れることにより、クロックCLKの電位レベルをVDDの値か
らVDD0の値に引き上げる。
クCLKの電圧が加算されることにより昇圧されるので、クロックCLKの電圧が、レベ
ルシフタ606によりVDDの値からVDD0の値に引き上げられることで、より少ない
段数(つまり、小さい回路面積)でも高電圧が得られる。
路のCLKをレベルシフタ606によりVDDからVDD0に引き上げることにより、よ
り小さい回路面積で、メモリへのデータ書き込み/消去に必要な高電位を得ることができ
る。その他の回路の動作電圧としては、レギュレータ回路604の出力VDDを用いてい
るので、消費電力を抑えることもできる。
メモリを用いることができる。
を省略する。
よって行った結果を、図面を用いて説明する。
った。従来例としては、入力Vinの電圧およびクロックCLKがハイであるときの電圧
をVDD、CLKがローであるときの電圧を0Vとした。方式1として実施の形態1と同
じように、入力Vinの電圧をVDD0、CLKがハイであるときの電圧をVDD、CL
Kがローであるときの電圧を0Vとした。方式2として実施の形態2と同じように、入力
Vinの電圧およびクロックCLKがハイであるときの電圧をVDD0、CLKがローで
あるときの電圧を0Vとした。
である容量手段211〜219は7pF、最終段容量である容量手段220は40pFで
ある。
10kΩ、1MΩの抵抗を接続してシミュレーションを行い、それぞれの方式での出力電
圧および抵抗に流れる電流の見積りを行った。
A)である。図中、従来例を◇で示し、方式1を□、方式2を△で示した。
能力の改善がみられ、実施の形態2の構成である方式2は4倍程度の改善がみられた。
0を用い、昇圧回路に入力するクロック信号をレベルシフタによってVDDからVDD0
に増幅することにより電源能力を高めた昇圧回路を有するRFIDを実際に作成し、その
書き込み時の電源能力の実測値を調べた結果を、図面を用いて説明する。
11〜219)は7pF、最終段容量(図2において容量手段220)は40pFである
。また、測定条件も上記シミュレーションと同じようにVDDは1.7V、VDD0は3
Vとした。クロック周波数は上記シミュレーションと同じ5MHzのほかに3.84MH
z、2.5MHz、1MHzの条件でも行なった。RFIDは3つ作製し、それぞれにつ
いて測定を行った。
100kΩ、200kΩ、300kΩ、510kΩ、1MΩの負荷抵抗を接続して書き込
み動作を行い、VDD_HIおよび抵抗に流れる出力電流IDD_HIを測定した。
A)である。図中、クロック周波数が5MHzの場合を◇で示し、3.84MHzを□、
2.5MHzを△、1MHzを×で示した。クロック周波数が5MHzの結果はシミュレ
ーションとほぼ同じ結果が得られ、書き込みに充分な電源能力が得られることがわかる。
なお、クロック周波数を下げると電源能力が低下する。これは、昇圧回路内のある容量手
段に着目した場合、該当する容量手段の電圧が単位時間内にGNDからVDD0(もしく
はVDD0からGND)に変化する回数は、クロック周波数が低下すると減るため、結果
として次の段に押し出す電荷量が減るためである。
の消費電流を減らすことが可能である。そのため、メモリ素子の書き込みに必要な電力に
応じて適宜最適な値を決めればよい。
ーションと同様の効果があることを確認した。つまり、従来例に比べて4倍程度の電源能
力の改善がみられた。
ンテナを含む本発明の半導体装置の作製方法について、図10〜図12を参照して説明す
る。なお、本実施例では記憶素子としては有機物を用いたライトワンスタイプのメモリを
用いて説明するが、本発明はこれに限定されることはなく、他の構造を用いた記憶素子を
用いても良い。
))。基板2000は、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶
縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用
いるとよい。このような基板2000であれば、その面積や形状に大きな制限はないため
、基板2000として、例えば、1辺が1メートル以上であって、矩形状のものを用いれ
ば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を
用いる場合と比較すると、大きな優位点である。また、基板2000と絶縁層2001と
の間に、剥離層を用いれば、薄膜トランジスタを有する層を、導電膜等が形成された基板
へ転置することができ、その結果、薄膜トランジスタに接続された導電膜と、転置先の基
板上の導電膜との接続を簡便なものとすることができる。
として酸化窒化珪素層で形成する。絶縁層2001、2002は、公知の手段(スパッタ
法やプラズマCVD法等)により、珪素の酸化物または珪素の窒化物を含む層を形成する
。珪素の酸化物材料とは、珪素(Si)と酸素(O)を含む物質であり、酸化珪素、酸化
窒化珪素、窒化酸化珪素等が該当する。珪素の窒化物材料とは、珪素と窒素(N)を含む
物質であり、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等が該当する。下地となる絶縁層は
単層または積層であってもよく、例えば、下地となる絶縁層が3層構造の場合、1層目の
絶縁層として酸化珪素層を形成し、2層目の絶縁層として窒化酸化珪素層を形成し、3層
目の絶縁層として酸化窒化珪素層を形成するとよい。または、1層目の絶縁層として酸化
窒化珪素層を形成し、2層目の絶縁層として窒化酸化珪素層を形成し、3層目の絶縁層と
して酸化窒化珪素層を形成するとよい。下地となる絶縁層は、基板2000からの不純物
の侵入を防止するブロッキング膜として機能する。
する(図10(B))。非晶質半導体層2003は、公知の手段(スパッタ法、LPCV
D法、プラズマCVD法等)により、25〜200nm(好ましくは30〜150nm)
の厚さで形成する。続いて、非晶質半導体層2003を公知の結晶化法(レーザ結晶化法
、RTA又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用
いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み
合わせた方法等)により結晶化して、結晶質半導体層を形成する。その後、得られた結晶
質半導体層を所望の形状にパターニングして、結晶質半導体層2004〜2008を形成
する(図10(C))。
プラズマCVD法を用いて、膜厚66nmの非晶質半導体層を形成する。次に、結晶化を
助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体層上に保持させた後、非晶質
半導体層に脱水素化の処理(500℃、1時間)と、熱結晶化の処理(550℃、4時間
)を行って結晶質半導体層を形成する。その後、必要に応じてレーザ光を照射し、フォト
リソグラフィ法を用いたパターニング処理によって結晶質半導体層2004〜2008を
形成する。レーザ結晶化法で結晶質半導体層を形成する場合、連続発振またはパルス発振
の気体レーザ又は固体レーザを用いる。気体レーザとしては、エキシマレーザ、YAGレ
ーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ
、Ti:サファイアレーザ等を用いる。固体レーザとしては、Cr、Nd、Er、Ho、
Ce、Co、Ti又はTmがドーピングされたYAG、YVO4、YLF、YAlO3な
どの結晶を使ったレーザを用いる。
時間の結晶化が可能となるうえ、結晶の方向が揃うという利点がある一方、金属元素が結
晶質半導体層に残存するためにオフ電流が上昇し、特性が安定しないという欠点がある。
そこで、結晶質半導体層上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体層を形成
するとよい。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体層には、リンやアルゴンの不純物元
素を含有させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能な
スパッタ法で形成するとよい。その後、加熱処理(RTA法やファーネスアニール炉を用
いた熱アニール等)を行って、非晶質半導体層中に金属元素を拡散させ、続いて、当該金
属元素を含む非晶質半導体層を除去する。そうすると、結晶質半導体層中の金属元素の含
有量を低減又は除去することができる。
0(D))。ゲート絶縁層2009は、公知の手段(プラズマCVD法やスパッタ法)に
より、珪素の酸化物又は珪素の窒化物を含む層を、単層又は積層して形成する。具体的に
は、酸化珪素を含む層、酸化窒化珪素を含む層、窒化酸化珪素を含む層を、単層又は積層
して形成する。
1の導電層は、公知の手段(プラズマCVD法やスパッタリング法)により、20〜10
0nmの厚さで形成する。第2の導電層は、公知の手段により、100〜400nmの厚
さで形成する。第1の導電層と第2の導電層は、タンタル(Ta)、タングステン(W)
、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(
Cr)、ニオブ(Nb)等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪
素に代表される半導体材料により形成する。第1の導電層と第2の導電層の組み合わせの
例を挙げると、窒化タンタル層とタングステン(W)層、窒化タングステン層とタングス
テン層、窒化モリブデン層とモリブデン(Mo)層等が挙げられる。タングステンや窒化
タンタルは、耐熱性が高いため、第1の導電層と第2の導電層を形成した後に、熱活性化
を目的とした加熱処理を行うことができる。また、2層構造ではなく、3層構造の場合は
、モリブデン層とアルミニウム層とモリブデン層の積層構造を採用するとよい。
ート線を形成するためのエッチング処理を行って、ゲート電極として機能する導電層(ゲ
ート電極層とよぶことがある)2010〜2014を形成する(図11(A))。
層2004〜2008に、イオンドープ法又はイオン注入法により、N型またはP型の所
望の不純物領域2015b〜2019bと、チャネル形成領域2015a〜2019aを
形成する(図11(B))。例えば、N型を付与する場合、N型を付与する不純物元素と
して、15族に属する元素を用いれば良い。例えばリン(P)、砒素(As)を用いて不
純物元素を添加し、N型の不純物領域を形成する。次に、P型を付与する場合、フォトリ
ソグラフィ法によりレジストからなるマスクを形成して、所望の結晶質半導体層に、P型
を付与する不純物元素、例えばボロン(B)を添加して、P型不純物領域を形成する。
、2021を形成する(図11(C))。絶縁層2020、2021は、公知の手段(S
OG法、液滴吐出法等)により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド
、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ、シロキサン等の有機材料等で
形成する。シロキサンとは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成さ
れる。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素
)が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少な
くとも水素を含む有機基とフルオロ基とを用いてもよい。また、ゲート絶縁層と導電層を
覆う絶縁層は単層または積層であってもよく、3層構造の場合、1層目の絶縁層に酸化珪
素を含む層を形成し、2層目の絶縁層に樹脂を含む層を形成し、3層目の絶縁層に窒化珪
素を含む層を形成するとよい。
1つ又は複数の薄膜を形成した後に、半導体層の結晶性の回復や半導体層に添加された不
純物元素の活性化、半導体層の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には
、熱アニール、レーザアニール法又はRTA法などを適用するとよい。
を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを充填するように
、導電層を形成し、当該導電層をパターン加工して、ソースドレイン配線として機能する
導電層2022〜2032を形成する(図11(D))。
り、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、ネオジム(Nd)から選択された元素、又
はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する
。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケ
ルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両
方とを含む合金材料に相当する。導電層2022〜2032は、例えば、バリア層とアル
ミニウムシリコン(Al−Si)層とバリア層の積層構造、バリア層とアルミニウムシリ
コン(Al−Si)層と窒化チタン層とバリア層の積層構造を採用するとよい。なお、バ
リア層とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄
膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、
導電層2022〜2032を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア
層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することが
できる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア層を形成すると、結晶質半
導体層上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導
体層と良好なコンタクトをとることができる。
図12(A))。絶縁層2033、2034は、公知の手段(SOG法、液滴吐出法等)
を用いて、無機材料又は有機材料により、単層又は積層で形成する。
26、2032を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを
充填するように、導電層を形成する。導電層は、公知の手段(プラズマCVD法やスパッ
タリング法)を用いて、導電性材料により形成する。次に、導電層をパターン加工して、
導電層2035〜2038を形成する(図12(A))。なお、導電層2035、203
6は、記憶素子が含む一対の導電層のうちの一方の導電層となる。従って、好適には、導
電層2035〜2038は、チタン、又はチタンを主成分とする合金材料若しくは化合物
材料により、単層又は積層で形成するとよい。チタンは、抵抗値が低いため、記憶素子の
サイズの縮小につながり、高集積化を実現することができる。また、導電層2035〜2
038を形成するためのエッチング工程においては、下層の薄膜トランジスタにダメージ
を与えないために、ウエットエッチング加工を行うとよく、エッチング剤にはフッ化水素
(HF)又はアンモニア過水を用いるとよい。
て、導電層2035〜2038を露出させるコンタクトホールを形成し、隔壁層(絶縁層
)2039〜2043を形成する。隔壁層2039〜2043は、公知の手段(SOG法
、液滴吐出法等)を用いて、無機材料又は有機材料により、単層又は積層で形成する。ま
た、隔壁層2039〜2043は、好適には、0.75μm〜3μmの厚さで形成する。
2(B))。有機化合物層2044は液適吐出法、印刷法またはスピンコート法等を用い
ることができるが、特にスピンコート法を用いることによって作業効率を向上させること
ができる。スピンコート法を用いた場合、あらかじめマスクを設けておくか、または全面
に形成した後にフォトリソグラフ工程等を用いることにより選択的に有機化合物層を設け
ることができる。また、液滴吐出法や印刷法を用いて行うことによって、材料の利用効率
を向上させることができる。
形成する。導電層2045は、公知の手段(プラズマCVD法、スパッタリング法、印刷
法、液滴吐出法)により形成することができる。導電層2045はメモリ素子の陰極とし
て機能し、導電層2037、導電層2026を経て回路内の接地電位と接続される。
2(B))。導電層2046は、公知の手段(プラズマCVD法、スパッタリング法、印
刷法、液滴吐出法)を用いて、導電性材料により形成する。好ましくは、導電層2046
は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)から選択された元
素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形
成する。具体的には、導電層2046は、スクリーン印刷法により、銀を含むペーストを
用いて形成し、その後、50〜350度の加熱処理を行って形成する。又は、スパッタリ
ング法によりアルミニウム層を形成し、当該アルミニウム層をパターン加工することによ
り形成する。アルミニウム層のパターン加工は、ウエットエッチング加工を用いるとよく
、ウエットエッチング加工後は200〜300度の加熱処理を行うとよい。
ける(図12(B))。絶縁層2047は、液滴吐出法、印刷法またはスピンコート法等
を用いて単層または積層構造で形成することができる。
からなる記憶素子部と、導電層2036、有機化合物層2044及び導電層2045の積
層体からなる記憶素子部と、導電層2038、導電層2046の積層体からなるアンテナ
とが完成することができ、アクティブマトリクス型の記憶素子と、アンテナと、ロジック
回路とを有する半導体装置を形成することができる。
quency Battery、無線周波数による非接触電池)との組み合わせにより、
RFIDの高機能化を果たした例を、図13を用いて説明する。
においてRFID1100は、電波を受信するアンテナ部1102と、アンテナ部110
2の出力を整流する整流回路部1103と、整流回路部1103の出力を受信して動作電
圧VDDを各回路に出力するレギュレータ回路1104と、クロックを発生させるクロッ
ク生成回路1105と、他の回路を制御するロジック回路1106と、ロジック回路11
06からの出力を受信してデータの書き込み/読み出しをするメモリ1108と、整流回
路部1103の出力とクロック生成回路1105の出力を受信してメモリ1108にデー
タを書き込むための電圧を供給する昇圧回路1107と、昇圧回路の出力を入力して逆流
を防止するダイオード1109と、ダイオード1109の出力を入力として電荷を蓄える
コンデンサからなるバッテリ用容量1110とを有する。
ーフェース回路などを有していてもよい。
み出しをする装置である。
。RFIDに搭載した場合、SRAM等の電源が必要なメモリを搭載することができ、R
FIDの高機能化に寄与することができる。
ッテリを充電する場合にVDDの電圧が低く、充電するために充分な電圧が確保できない
という課題を解決するため、RFバッテリの充電に昇圧回路の出力を用いている。
したが、コンデンサの変わりに、二次電池を用いることも可能である。
で用いるアンテナ部、整流回路部及び昇圧回路とは共通であるため、リーダ/ライタ11
01はRFIDを動作させるのと同時にバッテリ用容量1110の充電を行うための信号
発信源としても用いることができる。
うちの一部もしくはすべてをRFID動作用とRFバッテリ充電用に分離しても良い。例
えば、アンテナ部1102をRFID動作用のアンテナ部とRFバッテリ充電用のアンテ
ナ部に分離することでRFID動作用とRFバッテリ充電用とで用いる信号の周波数を変
えることも可能である。この場合、リーダ/ライタ1101が発する信号と、RFバッテ
リへの信号発信源が発する信号が互いに干渉しない周波数領域であることが望ましい。
通して用いる場合、昇圧回路1107と逆流防止用のダイオード1109との間にスイッ
チング素子を配置しておき、書き込み動作中はスイッチをオフして昇圧回路とRFバッテ
リ間の接続を切り、それ以外ではスイッチをオンして昇圧回路とRFバッテリ間の接続を
行うような構成にしても良い。この場合は書き込み動作中充電を行わないことから書き込
み動作中の電圧低下を防ぐことができる。スイッチング素子には公知の構成を用いること
ができる。
に限られたことではなく、実施の形態2乃至実施の形態5のいずれであっても適用して実
施することが可能である。
する場合、RFバッテリに接続するのは昇圧回路ではなく整流回路部の出力を接続しても
良い。
tification)、IDタグ、ICタグ、ICチップ、RFタグ、無線タグ、電子
タグ、無線チップともよばれる)として機能する半導体装置を形成することができる。本
発明の半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、
無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、
保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。
の(金券)、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指し、
プロセッサチップ1200を設けることができる(図14(A)参照)。証書類とは、運
転免許証、住民票等を指し、プロセッサチップ1201を設けることができる(図14(
B)参照)。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指し、プロセッサチップ1202を設けるこ
とができる(図14(C)参照)。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等
を指す。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指し、プロセッサチッ
プ1203を設けることができる(図14(D)参照)。書籍類とは、書物、雑誌等を指
し、プロセッサチップ1204を設けることができる(図14(E)参照)。記録媒体と
は、DVDソフト、ビデオテープ等を指、プロセッサチップ1205を設けることができ
る(図14(F)参照)。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指し、プロセッサチッ
プ1206を設けることができる(図14(G)参照)。食品類とは、食料品、飲料等を
指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。
生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機
器とは、液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置(テレビ受像機、薄型テレビ受
像機)、携帯電話等を指す。
プロセッサチップは、プリント基板に実装するか、表面に貼るか、あるいは埋め込んで、
物品に固定される。例えば、本であれば紙に埋め込み、有機樹脂からなるパッケージであ
れば当該有機樹脂に埋め込んで、各物品に固定される。本発明のプロセッサチップは、小
型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損な
うことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本発明のプロ
セッサチップを設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用す
れば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品
類、衣類、生活用品類、電子機器等に本発明の半導体装置を設けることにより、検品シス
テム等のシステムの効率化を図ることができる。
面を参照して説明する。図15で例示する電子機器は携帯電話機であり、筐体1300、
1306、パネル1301、ハウジング1302、プリント配線基板1303、操作ボタ
ン1304、バッテリ1305を有する。パネル1301はハウジング1302に脱着自
在に組み込まれ、ハウジング1302はプリント配線基板1303に嵌着される。ハウジ
ング1302はパネル1301が組み込まれる電子機器に合わせて、形状や寸法が適宜変
更される。プリント配線基板1303には、パッケージングされた複数の半導体装置が実
装されており、このうちの1つとして、本発明による容量素子を適用することができる。
プリント配線基板1303に実装される複数の半導体装置は、コントローラ、中央処理ユ
ニット(CPU、Central Processing Unit)、メモリ、電源回
路、音声処理回路、送受信回路等のいずれかの機能を有する。
れる。上記のパネル1301、ハウジング1302、プリント配線基板1303は、操作
ボタン1304やバッテリ1305と共に、筐体1300、1306の内部に収納される
。パネル1301が含む画素領域1309は、筐体1300に設けられた開口窓から視認
できるように配置されている。
特徴としており、上記特徴により、電子機器の筐体1300、1306内部の限られた空
間を有効に利用することができる。
、本実施例に係る電子機器は、その機能や用途に応じて様々な態様に変容しうる。
101 リーダ/ライタ
102 アンテナ部
103 整流回路部
104 レギュレータ回路
105 クロック生成回路
106 ロジック回路
107 昇圧回路
108 メモリ
Claims (1)
- 外部からの電波を受信するアンテナ部と、
前記アンテナ部の出力を整流して直流電圧である第1の電位電源を出力する整流回路部と、
前記整流回路部の出力を受信して一定の電圧である第2の電位電源を出力するレギュレータ回路と、
前記第1の電位電源を昇圧する第1の昇圧回路を有する半導体装置。
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