JP2012183827A - 半導体パッケージの成形装置 - Google Patents
半導体パッケージの成形装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012183827A JP2012183827A JP2012046371A JP2012046371A JP2012183827A JP 2012183827 A JP2012183827 A JP 2012183827A JP 2012046371 A JP2012046371 A JP 2012046371A JP 2012046371 A JP2012046371 A JP 2012046371A JP 2012183827 A JP2012183827 A JP 2012183827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- molding
- die
- semiconductor chip
- middle mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/32—Moulds having several axially spaced mould cavities, i.e. for making several separated articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも1つの第1半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも1つの第2半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第1半導体チップの成形空間のための第1キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第2半導体チップの成形空間のための第2キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第1キャビティと連結される第1供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第2キャビティと連結される第2供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第1及び第2供給ポートに各々備わり、前記第1及び第2供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第1及び第2キャビティに供給する第1及び第2トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。
【選択図】図1
Description
110 昇降ロード
120 第1ストッパー
130 第2ストッパー
140 グリッパー
200 下金型
202 下金型ダイス
204 第1貫通ホール
206 第1ポート
220 第1供給ポート
240 下金型イジェクトプレート
242 下金型イジェクトピン
244 第1復帰スプリング
300 中金型
300a 下部中金型
300b 上部中金型
302 中金型ダイス
304 第2ポート
310 第1キャビティ
320 第2供給ポート
330 第1分配ブロック
340 第1中金型イジェクトプレート
342 第1中金型イジェクトピン
344 第2復帰スプリング
350 第2中金型イジェクトプレート
352 第2中金型イジェクトピン
354 第3復帰スプリング
360 イジェクトスプリング
362 ガイド部
400 上金型
402 上金型ダイス
410 第2キャビティ
430 第2分配ブロック
440 上金型イジェクトプレート
442 上金型イジェクトピン
444 第4復帰スプリング
500 加圧ユニット
502 トランスファー・プレート
510 第1トランスファー・ラム
520 第2トランスファー・ラム
Claims (26)
- 少なくとも1つの第1半導体チップが安定して支持される下金型と、
前記下金型の上部に位置し、少なくとも1つの第2半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第1半導体チップの成形空間のための第1キャビティを有する中金型と、
前記中金型の上部に位置し、前記中金型と対向する面に前記第2半導体チップの成形空間のための第2キャビティを有する上金型と、
前記下金型を貫通して前記第1キャビティと連結される第1供給ポートと、
前記下金型及び前記中金型を貫通して前記第2キャビティと連結される第2供給ポートと、
前記下金型の下部に位置し、前記第1及び前記第2供給ポートに各々備わり、前記第1及び前記第2供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第1及び前記第2キャビティ内に供給する第1及び第2トランスファー・ラムを有する加圧ユニットと、を含む半導体パッケージの成形装置。 - 前記中金型は、前記下金型と対向して前記第1キャビティを有する下部中金型、及び、前記上金型と対向して前記第2半導体チップを支持する上部中金型を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記加圧ユニットは、前記下金型の下部に昇降可能になるように位置するトランスファー・プレートをさらに含み、前記第1及び前記第2トランスファー・ラムは、前記トランスファー・プレートから上部に延長するように設置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記トランスファー・プレートは、前記第1及び前記第2トランスファー・ラムを同時に昇降させることを特徴とする請求項3に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第2トランスファー・ラムの長さは、前記第1トランスファー・ラムより前記中金型の厚さだけさらに大きいことを特徴とする請求項3に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第2供給ポートは、前記下金型に貫通して形成される第1ポート及び前記中金型に貫通して形成され、前記第1ポートと連通される第2ポートを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第1供給ポート及び前記第1ポートは、前記下金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成され、前記第2ポートは、前記中金型の長さ方向中央部で高さ方向に沿って複数個が形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 複数個の前記第1供給ポート及び複数個の前記第2供給ポートは、互いに交互に配置されることを特徴とする請求項7に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第1供給ポートの個数と前記第2供給ポートの個数とは、同一であることを特徴とする請求項7に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第1半導体チップは、前記第1供給ポートを間に置いて少なくとも2つが配置され、前記第2半導体チップは、前記第2供給ポートを間に置いて少なくとも2つが配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第1供給ポート内の成形樹脂は、第1分配ブロックを通じて前記第1キャビティ内に供給されることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第2供給ポート内の成形樹脂は、第2分配ブロックを通じて前記第2キャビティ内に供給されることを請求項1に記載の特徴とする半導体パッケージの成形装置。
- 前記上金型、前記中金型及び前記下金型を各々固定し支持する上金型ダイス、中金型ダイス、並びに下金型ダイスをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記上金型ダイスは昇降ロードに固定され、前記中金型ダイス及び前記下金型ダイスは、前記昇降ロードに沿って昇降して前記上金型、前記中金型及び前記下金型をクランプすることを特徴とする請求項13に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記中金型ダイスは、前記昇降ロードに設置されたストッパーによって移動範囲が制限されることを特徴とする請求項14に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記中金型ダイスは、前記第2半導体チップを前記中金型から分離させる複数個の第1中金型イジェクトピン及び前記第1半導体チップを支持する複数個の第2中金型イジェクトピンを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第1中金型イジェクトピンは、昇降ロードに設置されたストッパーの加圧によって上昇して前記第2半導体チップを前記中金型から分離させることを特徴とする請求項16に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記中金型は、前記下金型と対向する下部中金型及び前記上金型と対向する上部中金型を含み、前記中金型ダイスは、前記上部中金型を前記中金型ダイスから上昇させるイジェクトスプリングを含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記上部中金型には、成形が完了した前記第2半導体チップをグリップするための複数個のガイド部が形成されることを特徴とする請求項18に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記上部中金型と前記上金型とが互いにクランプされる時、前記上部中金型は前記イジェクトスプリングを加圧して前記中金型ダイス内部に下降し、前記上部中金型の上部面は前記中金型ダイスの上部面と同じ平面上にあり、前記上部中金型が前記上金型から分離する時、前記イジェクトスプリングは前記上部中金型を上昇させて前記上部中金型の上部面は前記中金型ダイスの上部面よりさらに高くなることを特徴とする請求項18に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 前記第1キャビティで成形された、前記第1半導体チップの大きさ及び形状のうち、少なくとも1つは、前記第2キャビティで成形された、前記第2半導体チップの大きさ及び形状と異なることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの成形装置。
- 下金型と、
前記下金型の上部に位置する上金型と、
前記下金型と前記上金型との間に介在し、前記下金型とクランプされて、少なくとも1つの第1半導体チップを成形するための第1成形空間を形成し、且つ前記上金型とクランプされ、少なくとも1つの第2半導体チップを成形するための第2成形空間を形成する中金型と、
前記下金型を貫通して前記第1成形空間と連結される第1供給ポートと、
前記下金型及び前記中金型を貫通して前記第2成形空間と連結される第2供給ポートと、
前記下金型の下部に位置し、前記第1供給ポート内の成形樹脂を前記第1成形空間に供給し、前記第2供給ポート内の成形樹脂を前記第2成形空間に供給する加圧ユニットと、を含む半導体パッケージの成形装置。 - 前記加圧ユニットは、
前記第1供給ポートに備わって前記第1供給ポート内の前記成形樹脂を加圧して前記成形樹脂を前記第1成形空間に供給する第1トランスファー・ラムと、
前記第2供給ポートに備わって前記第2供給ポート内の前記成形樹脂を加圧して前記成形樹脂を前記第2成形空間に供給する第2トランスファー・ラムと、を含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体パッケージの成形装置。 - 下金型、上金型、及び前記下金型と前記上金型との間に中金型を含む成形装置で複数個の半導体チップを成形する方法において、
前記方法は、
下金型上に第1半導体チップをロードし、前記中金型上に第2半導体チップをロードする段階と、
前記下金型と前記中金型とを共にクランプして前記第1半導体チップ上に第1成形空間を設け、前記中金型と前記上金型とを共にクランプして前記第2半導体チップ上に第2成形空間を設ける段階と、
前記下金型を貫通し、前記第1成形空間に連結された第1供給ポートから成形樹脂を前記第1成形空間に供給し、前記下金型と前記中金型とを貫通し、前記第2成形空間に連結された第2供給ポートから成形樹脂を前記第2成形空間に供給する段階と、を含み、
前記供給された樹脂は固化して前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとを成形することを特徴とする成形方法。 - 前記中金型は下部中金型及び上部中金型を含み、前記下部中金型は前記下金型と対向して前記第1成形空間を形成する第1キャビティを含み、前記上部中金型は前記上金型と対向して前記第2半導体チップを支持することを特徴とする請求項24に記載の成形方法。
- 前記成形された第1半導体チップ及び前記成形された第2半導体チップをアンロードする段階をさらに含み、
前記クランプする段階は、前記上部中金型と前記上金型とを共にクランプする段階と、前記上部中金型によってイジェクトスプリングを加圧して前記中金型を支持する中金型ダイス内部に下降させて前記上部中金型の上部面が前記中金型ダイスの上部面と同じ平面上にあるようにする段階と、を含み、
前記アンロードする段階は、前記上部中金型を前記上金型から分離する段階、及び、前記イジェクトスプリングによって前記上部中金型を上昇させて前記中金型の上部面よりさらに高くなるようにする段階を含むことを特徴とする請求項25に記載の成形方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0018733 | 2011-03-03 | ||
KR1020110018733A KR20120100080A (ko) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | 반도체 패키지의 성형 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012183827A true JP2012183827A (ja) | 2012-09-27 |
Family
ID=46730704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012046371A Pending JP2012183827A (ja) | 2011-03-03 | 2012-03-02 | 半導体パッケージの成形装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120225150A1 (ja) |
JP (1) | JP2012183827A (ja) |
KR (1) | KR20120100080A (ja) |
CN (1) | CN102655098A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101346337B1 (ko) * | 2013-07-16 | 2013-12-31 | (주)삼우엔지니어링 | 냉장고 도어 성형 장치 |
CN109501149A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-03-22 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种转注成型ic封装模具的新型流道结构 |
EP4007460A4 (en) * | 2019-07-31 | 2022-09-28 | Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. | CAST CIRCUIT BOARD AND CAMERA MODULE, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF AND ELECTRONIC DEVICE THEREOF |
CN113437013B (zh) * | 2021-07-08 | 2022-09-30 | 中微(西安)电子有限公司 | 一种集成电路封装产品加工的载具 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05147062A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Yamada Seisakusho Co Ltd | トランスフアモールド装置 |
JPH06210647A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-08-02 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 二段圧縮成形機 |
JPH10284526A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000058571A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-25 | Nec Corp | 半導体チップ樹脂封止用金型及びこれを用いた半導体チップ樹脂封止方法 |
JP2008235489A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止方法、樹脂封止用金型、及び樹脂封止装置 |
JP2012146808A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1131605A (zh) * | 1994-11-17 | 1996-09-25 | 株式会社日立制作所 | 模塑方法与模塑设备 |
JPH1012645A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体樹脂封止用金型体 |
JP2000124241A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 |
NL1026670C2 (nl) * | 2004-07-16 | 2006-01-17 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het met een conditioneringsgas omhullen van elektronische componenten. |
-
2011
- 2011-03-03 KR KR1020110018733A patent/KR20120100080A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-03-02 JP JP2012046371A patent/JP2012183827A/ja active Pending
- 2012-03-02 US US13/411,025 patent/US20120225150A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-05 CN CN2012100550271A patent/CN102655098A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05147062A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Yamada Seisakusho Co Ltd | トランスフアモールド装置 |
JPH06210647A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-08-02 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 二段圧縮成形機 |
JPH10284526A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000058571A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-25 | Nec Corp | 半導体チップ樹脂封止用金型及びこれを用いた半導体チップ樹脂封止方法 |
JP2008235489A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止方法、樹脂封止用金型、及び樹脂封止装置 |
JP2012146808A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120100080A (ko) | 2012-09-12 |
CN102655098A (zh) | 2012-09-05 |
US20120225150A1 (en) | 2012-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7202391B2 (ja) | ロータコア保持治具のためのセッティング装置 | |
JP2012183827A (ja) | 半導体パッケージの成形装置 | |
JP6320448B2 (ja) | 樹脂封止装置および樹脂封止方法 | |
KR20140125716A (ko) | 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법 | |
JP6655148B1 (ja) | 搬送装置、樹脂成形装置、搬送方法、及び樹脂成形品の製造方法 | |
CN107170694A (zh) | 位置调节机构、树脂封装装置、树脂封装方法及树脂封装产品的制造方法 | |
KR102342209B1 (ko) | 몰드 금형 및 수지 몰드 방법 | |
JP2019034444A (ja) | 樹脂成形品の搬送機構、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 | |
KR20080080555A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4762051B2 (ja) | 湿式摩擦材の成形装置 | |
CN112848038A (zh) | 一种塑料注塑生产工艺 | |
JP5759181B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形装置 | |
JP2009148934A (ja) | 樹脂封止金型および当該樹脂封止金型の使用方法 | |
JP2733181B2 (ja) | Ic装置の樹脂封止金型装置 | |
KR102553765B1 (ko) | 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법 | |
KR20080068625A (ko) | 다공정 프레스금형 | |
JP7121613B2 (ja) | 樹脂成形装置、成形型装置、及び樹脂成形品の製造方法 | |
CN214774137U (zh) | 一种用于塑料件表面浸渍的专用模具 | |
JP6864390B2 (ja) | 部分メッキ冶具 | |
CN110026482B (zh) | 机械式下脱板延时机构 | |
JP4052953B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置およびその樹脂封止方法 | |
KR20160055582A (ko) | 교체식 사출 금형 | |
KR20210093738A (ko) | 수지 성형품의 제조 방법 및 수지 성형 장치 | |
JP2538730Y2 (ja) | 樹脂モールド装置 | |
JPS61292329A (ja) | 半導体樹脂封止用成形装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151005 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160516 |