JP2012182428A - 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 導電パターンを有する配線層と、導電パターンの側面を囲む第1の絶縁膜を含む複数の絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ上に複数の絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程と、を有する。そして、半導体ウエハ上に複数の絶縁膜を形成する工程及び配線層を形成する工程の後に、複数の絶縁膜の一部の領域を除去し、開口を形成する工程と、を有する。ここで、第1の絶縁膜は、導電パターンの配置位置のうちウエハの最外周に最も近い位置よりも半導体ウエハの外周に近い位置まで配置されている。
【選択図】 図2
Description
図1(a)は半導体ウエハ1(以下、ウエハとも称する)と露光領域についての平面模式図である。図1(a)は、ウエハの素子形成面である主面に対し、ウエハ1の中心10の直上から見たときの平面図である。ウエハの外周101は、ウエハ1の外周であり、ウエハ1の主面の外縁である。図1(a)には、露光領域について説明する格子が示されている。露光領域103は、ある1回の露光工程において、露光光が照射される範囲である。つまり、3×4格子に対応する領域を一度の露光工程で露光する。後に詳述するが、本実施例では、エッチングのためのマスクパターンを形成する工程(あるレイヤ)における露光とする。
10 ウエハ中心
101 ウエハの外周
102 1つの半導体装置の範囲
103 露光領域
104 第1の絶縁膜が形成される領域の外縁
105 導電体が形成される領域の外縁
106 半導体装置の形成領域
107 注目範囲
Claims (13)
- 導電パターンを有する配線層と、前記導電パターンの側面を囲む第1の絶縁膜を含む複数の絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法において、
半導体ウエハの上に前記複数の絶縁膜を形成する工程と、
前記配線層を形成する工程と、
前記複数の絶縁膜を形成する工程及び前記配線層を形成する工程の後に、前記複数の絶縁膜の一部の領域を除去し、開口を形成する工程と、を有し、
前記第1の絶縁膜は、前記導電パターンの配置位置のうち前記ウエハの外周に最も近い位置よりも前記半導体ウエハの外周に近い位置まで配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線層を形成する工程は、
前記複数の絶縁膜を形成する工程のうち第1の絶縁膜を形成する工程の後に行われる、前記第1の絶縁膜に形成された溝に形成され、前記配線層を構成する導電パターンを形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線層を構成する導電パターンは、銅を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1あるいは2のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線層を形成する工程は、
前記複数の絶縁膜を形成する工程のうち第1の絶縁膜を形成する工程の前に行われる、前記配線層を構成する導電パターンを形成する工程を有し、
前記第1の絶縁膜を形成する工程において、前記導電パターンを覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、複数の光電変換素子を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の絶縁膜の一部の領域を除去する工程の後に、
前記一部の領域に前記第1の絶縁膜よりも屈折率の高い高屈折率膜を形成する工程を有する請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記高屈折率膜を形成する工程の後に、前記高屈折率膜の少なくとも一部を除去する工程を有し、
前記除去する工程において、
前記半導体ウエハの外周に近い前記第1の絶縁膜が配置される位置よりも前記半導体ウエハの外周から遠い位置と前記半導体ウエハの外周との間の前記高屈折率膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜は少なくとも酸化シリコンからなる絶縁膜を含み、
前記高屈折率膜は窒化シリコンからなることを特徴とする請求項6あるいは7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の絶縁膜の一部の領域を除去する工程の後に、
前記一部の領域に導電体を形成し、貫通ビアを形成する工程を有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の絶縁膜の一部の領域を除去する工程において、
前記複数の絶縁膜の上に、フォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストを露光及びパターニングし、マスクを形成する工程と、を有し、
前記マスクを形成する工程の露光は、
1回で、複数の半導体装置に対応する領域を露光することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体ウエハの製造方法と、
前記複数の半導体装置を分離する分離工程を有する半導体装置の製造方法。 - 素子と、導電パターンを有する配線層と、前記導電パターンの側面を囲む第1の絶縁膜を含む複数の絶縁膜と、
前記複数の絶縁膜に配された光導波路と、を含む半導体装置を有する半導体ウエハにおいて、
前記第1の絶縁膜は、前記導電パターンの配置位置のうち最も前記半導体ウエハの外周に近い位置よりも、前記半導体ウエハの外周の近くまで配置されていることを特徴とする半導体ウエハ。 - 導電体部と、第1の絶縁膜を含む複数の絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法において、
前記導電体部と前記複数の絶縁膜を有する半導体ウエハを準備する工程と、
前記複数の絶縁膜の一部の領域を除去し、開口を形成する工程と、を有し、
前記導電体部と前記複数の絶縁膜を有する半導体ウエハを準備する工程は、前記第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に導電膜を形成することで導電体部を形成する工程とを有し、
前記第1の絶縁膜を形成する工程において、前記第1の絶縁膜は前記半導体ウエハの外周から第1の位置まで形成され、
前記導電体部を形成する工程において、前記導電膜は、前記第1の位置よりも前記半導体ウエハの外周から遠い前記第2の位置まで形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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