JP2012182310A - 熱処理装置およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御装置51は個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモデル72aと、制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモデル72bをとることができる。昇降温時に少制御ゾーンモデル72bをとって少ない数の制御ゾーンC1、…C5の温度センサ50からの信号に基づいて、各制御ゾーンC1、…C5に設置されたヒータ18Aを個別に制御する。温度安定時に多制御ゾーンモデル72aをとって、多い数の制御ゾーンC1、…C10の温度センサ50からの信号に基づいて、各制御ゾーンC1、…C10に設置されたヒータ18Aを個別に制御する。
【選択図】図1
Description
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
次に本発明による熱処理装置の変形例について述べる。
1 熱処理装置
3 処理容器
3A 内筒
3B 外筒
3a 炉口
5 炉本体
16 断熱材
18 ヒータエレメント(発熱抵抗体)
18A ヒータ
18B ヒータ出力部
33 空間
40 冷却媒体導入部
50 炉内温度センサ
51 制御装置
51a ヒータ出力演算部
51b ブロア出力演算部
55 処理容器内温度センサ
56 処理容器内温度センサ支持具
71 数値モデル
71a 多制御ゾーン用数値モデル
71b 少制御ゾーン用数値モデル
72a 多制御ゾーンモード
72b 少制御ゾーンモード
73 ブロア出力用数値モデル
80 排気温度センサ
A1、…A10 単位領域
C1、…C10 制御ゾーン
Claims (20)
- 炉本体と、
炉本体内に配置され、炉本体との間に複数の単位領域を含む空間を形成するとともに、内部に複数の被処理体を収納する処理容器と、
炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、
空間の各単位領域に対応して設けられた炉内温度センサと、
各単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有し、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御し、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
- 制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
- 炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の炉内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。 - 制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項4記載の熱処理装置。
- 炉本体と、
炉本体内に配置され、炉本体との間に空間を形成するとともに、内部に複数の単位領域を形成しかつ複数の被処理体を収納する処理容器と、
炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、
処理容器の各単位領域に対応して設けられた処理容器内温度センサと、
各単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有し、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御し、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。
- 制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。
- 炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の処理容器内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。 - 制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項9記載の熱処理装置。
- 炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に複数の単位領域を含む空間を形成するとともに、内部に複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、空間の各単位領域に対応して設けられた炉内温度センサと、各単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有する熱処理装置の制御方法において、
昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程と、
温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程とを備えたことを特徴とする熱処理装置の制御方法。 - 多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項11記載の熱処理装置の制御方法。
- 制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項11記載の熱処理装置の制御方法。
- 炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の炉内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項11記載の熱処理装置の制御方法。 - 制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項14記載の熱処理装置の制御方法。
- 炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に空間を形成するとともに、内部に複数の単位領域を形成しかつ複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、処理容器の各単位領域に対応して設けられた処理容器内温度センサと、各単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有する熱処理装置の制御方法において、
昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程と、
温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程とを備えたことを特徴とする熱処理装置の制御方法。 - 多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項16記載の熱処理装置の制御方法。
- 制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項16記載の熱処理装置の制御方法。
- 炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の処理容器内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項16記載の熱処理装置の制御方法。 - 制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項19記載の熱処理装置の制御方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105222590A (zh) * | 2015-10-08 | 2016-01-06 | 姜超 | 一种工件用电阻炉 |
JP2019054232A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 株式会社Kokusai Electric | クーリングユニット、断熱構造体及び基板処理装置、半導体装置の製造方法並びにプログラム |
US11043402B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-06-22 | Kokusai Electric Corporation | Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus |
WO2022070310A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度制御プログラム、半導体装置の製造方法及び温度制御方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140117005A1 (en) * | 2010-10-27 | 2014-05-01 | Tangteck Equipment Inc. | Diffusion furnace |
JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
US9638466B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-05-02 | Jonathan Y. MELLEN | Furnace system with active cooling system and method |
TWI473170B (zh) * | 2013-01-16 | 2015-02-11 | Adpv Technology Ltd | Overspeed control heating method |
WO2016057892A1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Integrated sensor system and methods for combustion processes |
US10240870B2 (en) | 2015-01-26 | 2019-03-26 | Spex Sample Prep, Llc | Method for operating a power-compensated fusion furnace |
US11513042B2 (en) * | 2015-01-26 | 2022-11-29 | SPEX SamplePrep, LLC | Power-compensated fusion furnace |
US10247445B2 (en) * | 2016-03-02 | 2019-04-02 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater bundle for adaptive control |
KR102381805B1 (ko) | 2016-08-05 | 2022-03-31 | 샌드빅 써멀 프로세스. 인크. | 열적 프로세스 디바이스 |
TW202030801A (zh) | 2018-10-28 | 2020-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有退火迷你環境的處理腔室 |
CN111578711A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-25 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种用于金属持久蠕变试验的高温蠕变炉 |
US11688621B2 (en) * | 2020-12-10 | 2023-06-27 | Yield Engineering Systems, Inc. | Batch processing oven and operating methods |
CN116007390A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-04-25 | 湖南优热科技有限责任公司 | 一种带有快速主动冷却系统的石墨化炉 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4017A (en) * | 1845-05-01 | Reid r | ||
JP2002075890A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置 |
JP2008047683A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4802441A (en) * | 1987-01-08 | 1989-02-07 | Btu Engineering Corporation | Double wall fast cool-down furnace |
US5517594A (en) | 1994-10-17 | 1996-05-14 | Relman, Inc. | Thermal reactor optimization |
US5846073A (en) * | 1997-03-07 | 1998-12-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor furnace processing vessel base |
JP4610771B2 (ja) | 2001-04-05 | 2011-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置およびその強制空冷方法 |
JP4642349B2 (ja) | 2003-12-26 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びその低温域温度収束方法 |
JP5087283B2 (ja) | 2007-01-12 | 2012-12-05 | 株式会社国際電気セミコンダクターサービス | 温度制御システム、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
2011
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2012
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-
2014
- 2014-05-06 US US14/270,524 patent/US9748122B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4017A (en) * | 1845-05-01 | Reid r | ||
JP2002075890A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置 |
JP2008047683A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105222590A (zh) * | 2015-10-08 | 2016-01-06 | 姜超 | 一种工件用电阻炉 |
JP2019054232A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | 株式会社Kokusai Electric | クーリングユニット、断熱構造体及び基板処理装置、半導体装置の製造方法並びにプログラム |
US11043402B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-06-22 | Kokusai Electric Corporation | Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus |
WO2022070310A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度制御プログラム、半導体装置の製造方法及び温度制御方法 |
JP7362940B2 (ja) | 2020-09-30 | 2023-10-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、温度制御プログラム、半導体装置の製造方法及び温度制御方法 |
Also Published As
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