JP2019054232A - クーリングユニット、断熱構造体及び基板処理装置、半導体装置の製造方法並びにプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
次に、図8乃至図12のそれぞれを用いて、本実施形態におけるクーリングユニット100を検証した一実施例について説明する。
10:基板処理装置
11:反応管(プロセスチューブ)
14:処理室(炉内空間)
40:加熱装置(ヒータユニット)
100:クーリングユニット(冷却装置)
Claims (5)
- ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、前記吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、前記吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、前記バッファ部で溜められたガスを前記反応管に向けて吹出すように設けられる開口部と、を備え、前記ゾーンの上下方向の長さ比率に応じて前記吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、前記制御バルブを開閉させて前記開口部から前記反応管に向けて噴出される前記ガスの流量及び流速が調整されるよう構成されているクーリングユニット。
- 円筒形状に形成された側壁部を有し、該側壁部が複数層構造に形成された断熱構造体であって、前記側壁部を上下方向で複数の領域に隔離する第1仕切部と、前記側壁部内において隣り合う第1仕切部の間に設けられるバッファ部と、前記領域毎に前記側壁部の複数層のうちの外側に配置された外層に設けられ、前記バッファ部と連通するガス導入路と、前記領域毎に前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された内層に設けられ、前記バッファ部と連通するガス供給流路と、前記内層の内側に設けられる空間と、前記領域毎に前記ガス供給流路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように設けられる開口部と、を備えた断熱構造体。
- ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、前記吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、前記ゾーン内に設けられ、前記反応管に向けてガスを噴出する開口部と、前記ゾーン毎に前記吸気管と連通され、前記吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、前記ゾーンの高さ方向の長さ比率に応じて前記吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、前記制御バルブを開閉させて前記開口部から反応管に向けて噴出されるガスの流量及び流速が調整されるよう構成されているクーリングユニットと、を備えた基板処理装置。
- 複数枚の基板を基板保持部材に保持した状態で反応管に装入する工程と、
前記反応管内の温度を所定温度に維持するよう加熱装置を制御しつつ前記基板を処理する工程と、
ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、前記吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、前記ゾーン内に設けられ、前記反応管に向けてガスを噴出する開口部と、前記ゾーン毎に前記吸気管と連通され、前記吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、前記ゾーンの高さ方向の長さ比率に応じて前記吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、前記制御バルブを開閉させて前記開口部から前記反応管に向けて噴出されるガスの流量及び流速が調整されるよう構成されているクーリングユニットにより冷却すると共に前記加熱装置を制御しつつ、前記所定温度よりも低い温度に降温する工程と、処理済の前記基板を保持した前記基板保持部材を前記反応管から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 複数枚の基板を基板保持部材に保持した状態で反応管に装入する手順と、
前記反応管内の温度を所定温度に維持するよう加熱装置を制御しつつ前記基板を処理する手順と、
ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、前記吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、前記ゾーン内に設けられ、前記反応管に向けてガスを噴出する開口部と、前記ゾーン毎に前記吸気管と連通され、前記吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、前記ゾーンの高さ方向の長さ比率に応じて前記吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、前記制御バルブを開閉させて前記開口部から前記反応管に向けて噴出されるガスの流量及び流速が調整されるよう構成されているクーリングユニットにより冷却すると共に前記加熱装置を制御しつつ、前記所定温度よりも低い温度に降温する手順と、
処理済の前記基板を保持した前記基板保持部材を前記反応管から搬出する手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
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