JP2012149137A - パターン形成された薄膜蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基材と結晶性の薄膜蛍光体からなり、前記薄膜蛍光体は、前記基材上に成膜されて薄膜蛍光体層が形成されており、前記薄膜蛍光体層にパターンが形成されており、前記結晶がナノ構造であることを特徴とするパターン形成された薄膜蛍光体とする。
【選択図】 図2
Description
しかしながら、上記した従来の粉末状の蛍光体を用いると、高温(例えば、1000℃程度)での熱処理を要するため、高温に耐え得る基材を選択する必要があった。即ち、ガラス基材のような汎用性に優れた基材では、熱処理により軟化するという問題がある。
従って、薄膜にパターンを形成して更に高温で熱処理を行い、良好なパターン形状と発光特性を兼ね備えた薄膜蛍光体を得ることは困難であった。あるいは、薄膜を熱処理した後にパターンを形成した場合も、良好なパターン形状と発光特性を兼ね備えた薄膜蛍光体を得ることは困難であった。つまり、上記したいずれの場合も基材への負荷が大きくなり、良好なパターン形状を得るとともに発光特性に優れた薄膜蛍光体を得ることはできなかった。
しかしながら、アブレーションが行われる際に生じるエネルギーにより基材への負荷が大きくなる虞があった。更に、アブレーションの影響で蛍光体自体が溶融したり、昇華する虞があり、良好なパターン形状を得られない虞があった。
本発明において、蛍光体は基材上に膜状に形成(成膜)される。例えば、0.1〜10μmの薄膜として基材上に形成される。上記した範囲の膜厚であると、複雑且つ微細なパターンであってもパターン形成が可能である。
0.1μm未満であると、全体にわたって均一な膜厚の薄膜が得られず、大面積の薄膜蛍光体を得ることが困難となる。また、薄膜蛍光体全体にわたって、均一にナノ構造が形成されない虞があるため好ましくない。一方、10μmを超えると、薄膜表面の平滑化が困難となる。更に、パターン作製時に残渣が多く発生することとなる。いずれの場合も発光特性が低下する原因となるため好ましくない。
尚、基材上への蛍光体の成膜方法についての詳細は後述する。
具体的には例えば、ZnO、Y2O3、SrTiO3等の酸化物系、ZnS、SrGa2S4等の硫化物系、Y2O2S等の酸硫化物系、CaSiAlON等の酸窒化物系、AlN等の窒化物系等が挙げられる。
尚、蛍光体の結晶構造中への格子欠陥の導入方法は、後述する通りである。
ガラスを薄膜蛍光体の成膜基材とすることで、汎用性に優れた電子デバイスとすることができる。
先ず、工程(1)として、成膜基材上に蛍光体の薄膜(薄膜蛍光体)を形成する。工程(2)として、薄膜蛍光体にパターンを作製(パターニング)する。工程(3)として、薄膜蛍光体の発光特性(効率、輝度)向上のための処理を施す。
尚、工程(2)と工程(3)は、順序を入れ替えてもよい。言い換えると、基材上に薄膜蛍光体を成膜した後に、次工程として工程(3)の処理を施し、工程(2)のパターン作製を行ってもよい。
薄膜状の蛍光体を形成する基材としては、上記した種々の材質を使用することができるが、本発明ではガラスが好適に使用される。
また、蛍光体としては、ZnO、Y2O3、SrTiO3等の酸化物系、ZnS、SrGa2S4等の硫化物系、Y2O2S等の酸硫化物系、CaSiAlON等の酸窒化物系、AlN等の窒化物系等が例示される。本発明では、ZnO(酸化亜鉛)が好適に用いられる。酸化亜鉛を使用することにより、発光効率の高い薄膜蛍光体とすることができる。
具体的な成膜方法として例えば、高周波スパッタ法(RF)、直流スパッタ法(DC)、ラジオ周波数マグネトロンスパッタ法(RFM)等のスパッタリング法、対向電極型スパッタリング法(FTS)、パルスレーザー堆積法(PLD)、有機金属化学堆積法(MOCVD)、電子ビーム蒸着法(EB)、プラズマ化学気相成長法、ミスト化学気相成長法等が挙げられる。また溶液法により薄膜を形成する場合、蛍光体となる化合物をペースト状あるいは水溶液として基材に塗布することで成膜される。
これらの成膜方法の中で、本発明では特にラジオ周波数マグネトロンスパッタ法(RFM−SPT)が好適である。RFM−SPTによりガラス基材上に成膜することで、薄膜の組成を容易に制御することができる。例えば、成膜時の圧力や温度を調整することで組成を制御することができる。そのため、後述の発光特性向上のための処理を施した際に生成する格子欠陥の量を調節することができ、種々の蛍光体に対して様々な組成の薄膜蛍光体を作製することができる。
つまり、後述の発光特性向上のための処理を施した際に、結晶を構成する原子のマイグレーションが生じる。マイグレーションとは、結晶を構成する原子の結合が外れて、原子が薄膜上を移動する現象のことである。粒界が存在することで、粒界に原子が捕らえられやすくなる。原子が捕らえられた粒界では、ナノ構造となりやすくなる。そうすると、後述するように薄膜の表面積が増加し、更に欠陥の数が増加する。従って、薄膜蛍光体の発光効率を高めることができる。
工程(1)の後に、工程(2)あるいは後述の工程(3)の処理が施される。
以下に、工程(1)の後に工程(2)を行う場合について述べる。
薄膜蛍光体のパターニング方法としては、公知の方法を用いることができる。具体的には例えば、フォトリソグラフィーである。
また、ウェットエッチング、ドライエッチングに限られず、この他のエッチング方法によりエッチングを施すことができる。例えば、エッチング液をミスト化し、このミストを用いてエッチングする方法が挙げられる。
薄膜蛍光体の発光特性を向上させるための処理としては、熱処理、イオン注入、プラズマ処理のいずれかが施される。
上記した処理を施すことにより、薄膜を構成する結晶に効率的に格子欠陥が生成される。格子欠陥が存在することで励起した電子が欠陥に捕らえられて再結合し、発光する。
導入する原子は蛍光体とする結晶の種類により、適宜決定される。導入する原子の種類を変更することで、発光波長や発光強度等の発光特性を変化させることができる。また、導入する原子は1種であってもよいが、複数種を組み合わせて導入することもできる。
例えば、四価イオン原子、三価イオン原子、二価イオン原子、一価イオン原子、リン等の種々の原子が導入可能である。具体的には、四価イオン原子としてはケイ素等、三価イオン原子としてはランタノイド、セリウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素等、二価イオン原子としてはユーロピウム、カルシウム、マグネシウム等、一価イオン原子としては水素、リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。
また、本発明では、薄膜が形成される基材にガラスを使用するため、ガラスが軟化しない比較的低い温度で加熱される。例えば、500℃では、ガラスの種類に依存せず加熱することができる。またこのような温度であると、一般的な高温での熱処理(例えば、1000℃程度)で融解、蒸発、昇華等が起こる結晶(蛍光体)に対して有効である。具体的には、酸化亜鉛(ZnO)は千数百度で昇華するため、特に有効である。
上記したいずれかの処理を施すと結晶が活性な状態となる。より具体的には、薄膜蛍光体を構成する結晶が微小領域において蒸発、分散し、その後に結晶が再成長することとなる。その結果、結晶性が向上するとともに結晶が微細化(自己触媒性によるナノ構造化)する。更に、格子欠陥が効率的に生成され、且つ生成した格子欠陥が活性化される。つまり、薄膜蛍光体の表面積が増加するとともに、格子欠陥が活性化されるため、薄膜蛍光体の発光効率が向上し、輝度が飛躍的に向上することとなる。
但し、本発明は下記実施例には限定されない。
ラジオ周波数マグネトロンスパッタリング法(RFM−SPT)により、酸化亜鉛(ZnO)薄膜をガラス基材上に作製した。表1に示す成膜条件により、ガラス基材上に膜厚1μmの薄膜を作製した。
次に、得られたZnO薄膜にパターンを作製した。パターンは、以下の手順により作製した。
先ず、得られたZnO薄膜をガラス基材ごと300rpmで回転させ、純水を60秒間かけた。次いで、回転数を200rpmにして窒素(N2)ガスを15秒間吹き付けた。
N2ガスを吹き付けた後、回転数200rpmのままで30秒間回転させた。
その後、120℃で1分間加熱し、加熱後に放冷した。
洗浄したZnO薄膜の表面にレジスト(ナガセケムテック製、ナガセポジティブレジストNPR3510PG)を塗布し、回転数900rpmで回転させた。その後、105℃で3分間加熱処理を施し、レジストを硬化させた。尚、レジストの厚さは1.8μmとした。
レジストを塗布したZnO薄膜上に、図1(a)に示すパターン形状のマスクを載置した。
マスクを介して露光器(CANON製、PLA501-F mask aligner)により40秒間露光(254nm、出力4.6mW/cm2)した。
露光したZnO薄膜を現像液(ナガセケムテック製、ナガセポジティブディベロッパーNPD-18)により現像した。
具体的には、ZnO薄膜をガラス基材ごと300rpmで回転させ、現像液を30秒間かけて塗布した。次いで、60秒間純水をかけて表面を洗浄した。回転数を2000rpmにして窒素(N2)ガスを15秒間吹き付けた。
N2ガスを吹き付けた後、回転数2000rpmのままで30秒間回転させた。
次に105℃で3分間加熱し、加熱後に放冷した。
パターンが転写されたZnO薄膜を基材ごと400mLの塩酸(0.30mol/L)に90秒浸漬した。
浸漬後、エッチング浴槽から取り出したZnO薄膜を純水により洗浄した。
エッチングを施したZnO薄膜を基材ごとDMSO(ジメチルスルホキシド)に4分間浸漬した。
浸漬後、DMSOから取り出したZnO薄膜を純水により洗浄し、レジストを剥離した。
パターンが形成されたZnO薄膜を基材ごと電気炉内に設置した。電気炉内をロータリーポンプにより減圧状態にし、窒素(N2)と水素(H2)の混合ガス(161.3sccm:3.2sccm、H2約2%)を導入して50kPaとした。この雰囲気下において、450℃で5時間熱処理を行った。
得られたパターン形成ZnO薄膜に対して、以下の評価を行った。
ZnO薄膜に対してフォトルミネッセンス測定(以下、PL測定と称す)を行い、発光特性を評価した。
励起レーザーとしてHe−Cdレーザー(325nm)を使用し、PL測定器(堀場製、iHR320)により発光強度を測定した。励起レーザーの照度は1.24W/cm2とし、照射時間は10秒とした。
結果を図2に示す。
ZnO薄膜に対してX線回折測定(リガク製、ATX-G、CuKα線1.54178Å)を行い、結晶性を評価した。
結果を図3に示す。
また、SEMにより観察すると、薄膜はナノ構造を有していることがわかった。
形成したパターンの形状通りに発光することがわかった。
Claims (4)
- 基材と結晶性の薄膜蛍光体からなり、
前記薄膜蛍光体は、前記基材上に成膜されて薄膜蛍光体層が形成されており、
前記薄膜蛍光体層にパターンが形成されており、
前記結晶がナノ構造であることを特徴とするパターン形成された薄膜蛍光体。 - 前記蛍光体が、酸化亜鉛系結晶であることを特徴とする請求項1記載のパターン形成された薄膜蛍光体。
- ガラス基材上にナノ構造を有する結晶性の蛍光体を薄膜状に形成し、
前記薄膜状の蛍光体にパターンを形成することを特徴とするパターン形成された薄膜蛍光体の製造方法。 - 前記蛍光体が酸化亜鉛系結晶であることを特徴とする請求項3記載のパターン形成された薄膜蛍光体の製造方法。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348386A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜螢光体の製造方法 |
JP2001313167A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Sharp Corp | カラーelパネルおよびその製造方法 |
JP2003217860A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Tdk Corp | Elパネルおよびその製造方法 |
JP2003257314A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Toray Ind Inc | ペーストおよびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法 |
JP2004079518A (ja) * | 2003-07-14 | 2004-03-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜状発光素子の製造方法 |
JP2004300226A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜状酸化亜鉛蛍光体およびその製造方法 |
JP2004356065A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Tdk Corp | El素子 |
JP2004356061A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Tdk Corp | El素子 |
JP2006348244A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Kyoto Univ | 酸化亜鉛紫外発光体、酸化亜鉛紫外発光体薄膜、およびそれらの製造方法 |
JP2008308725A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Kochi Univ Of Technology | 蛍光体の成膜方法 |
JP2009021087A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Japan Fine Ceramics Center | ZnO系光機能素子及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-01-17 JP JP2011007387A patent/JP2012149137A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348386A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜螢光体の製造方法 |
JP2001313167A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Sharp Corp | カラーelパネルおよびその製造方法 |
JP2003257314A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Toray Ind Inc | ペーストおよびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法 |
JP2003217860A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Tdk Corp | Elパネルおよびその製造方法 |
JP2004300226A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜状酸化亜鉛蛍光体およびその製造方法 |
JP2004356065A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Tdk Corp | El素子 |
JP2004356061A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Tdk Corp | El素子 |
JP2004079518A (ja) * | 2003-07-14 | 2004-03-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 薄膜状発光素子の製造方法 |
JP2006348244A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Kyoto Univ | 酸化亜鉛紫外発光体、酸化亜鉛紫外発光体薄膜、およびそれらの製造方法 |
JP2008308725A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Kochi Univ Of Technology | 蛍光体の成膜方法 |
JP2009021087A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Japan Fine Ceramics Center | ZnO系光機能素子及びその製造方法 |
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