JP2012138592A - 半導体材料ウェハ、半導体素子および集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料(2)内に欠陥を形成する工程(4)と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料(2)の熱処理を行う工程とを含む。
【選択図】図1A
Description
−機械的作用によって、または、注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料内に欠陥を形成する工程。
−その後、上記欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料の熱処理を行う工程。
−析出物を含まないか、または、1立方センチメートル当り104未満の材料析出物濃度で析出物をわずかに含む第1の領域と、
−1立方センチメートル当り107よりも大きな材料析出物濃度で材料析出物を含む第2の領域とを有している。
−機械的作用によって、または、注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料内に欠陥を形成する工程。
−その後、上記欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料の熱処理を行う工程。
4 欠陥形成プロセス
5〜9 層領域
10、100 半導体ウェハ
10a〜10c 層領域
12a、12b 層
20 分離線
D0〜D7 層厚
OS 上面
US 下面
V1〜V21 空格子点
T、T1〜T5 温度
t、t1〜t5 プロセス時間
P1〜P15 析出物
S1 重金属原子
IC1〜IC4 集積回路
Tr1〜Tr4 トランジスタ
BE1、BE2 素子
100a〜100c 層領域
110 保護層
112 層
120 分離線
Claims (12)
- 半導体基材全体において、既に存在している空格子点を、酸化プロセスによって除去する工程と、
その後、機械的作用によって、または、注入によって、半導体材料(10、100)内の下面側に欠陥(V6、V17)を形成する工程と、
その後、上記半導体材料(10、100)の熱処理(T2、t2、T5、t5)を行うことにより、上記欠陥(V6、V17)が形成された欠陥領域(10b、100b、10c、100c)内に、上記半導体材料内において溶融される材料が上記欠陥(V6、V17)に析出した材料析出物(P1、P11)を生成する工程と、
その後、上記半導体材料(10、100)の上面に半導体素子(BE1)を形成する工程と、を含む材料析出物生成方法によって製造された半導体材料ウェハ(2、10、100)であって、
析出物を含まないか、または、1立方センチメートル当り104未満の材料析出物濃度で析出物をわずかに含む第1の領域(10a1、100a1)と、
1立方センチメートル当り107よりも高い材料析出物濃度で析出物(P1、P11)を含む第2の領域(10c、100c)とを有することを特徴とする、半導体材料ウェハ(2、10、100)。 - 上記材料析出物は、酸素析出物であるか、または、酸素析出物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記材料析出物は、上記半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適していることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記第1の領域(10a1、100a1)は、少なくとも1μmの層厚(D7)を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記第1の領域(10a1、100a1)は、少なくとも10μmの層厚(D7)を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記第1の領域(10a1、100a1)は、少なくとも50μmの層厚(D7)を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記第2の領域(10c、100c)は、上記半導体材料ウェハ(2、10、100)の層厚(D1b、D5b)の少なくとも3分の1の層厚を有するか、または、少なくとも150マイクロメートルの層厚を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記第2の領域(10c、100c)は、上記半導体材料ウェハ(2、10、100)の層厚(D1b、D5b)の10分の1よりも薄いか、または、75マイクロメートルよりも薄いことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 上記第1の領域は、空格子点を含まないか、または、1立方センチメートル当り1012または1011未満の空格子点密度で空格子点をわずかに含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 半導体材料ウェハ(2、10、100)は、1立方センチメートル当りの原子が5×1015または5×1016未満の濃度の炭素を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体材料ウェハ(2、10、100)。
- 半導体基板(2、10、100)を有する半導体素子(BE1)であって、
上記半導体基板(2、10、100)は、
析出物を含まないか、または、1立方センチメートル当り104未満の析出物濃度で析出物をわずかに含む第1の層領域(10a1、100a1)と、
1立方センチメートル当り107よりも高い材料析出物濃度で析出物(P1、P11)を含む第2の領域(10c、100c)とを有することを特徴とする、半導体素子(BE1)。 - 半導体基板(2、10、100)を有する集積回路(IC1)であって、
上記半導体基板(2、10、100)は、
析出物を含まないか、または、1立方センチメートル当り104未満の析出物濃度で析出物をわずかに含む第1の層領域(10a1、100a1)と、
1立方センチメートル当り107よりも高い材料析出物濃度で析出物(P1、P11)を含む第2の領域(10c、100c)とを有することを特徴とする、集積回路(IC1)。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01184834A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH088263A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3934140A1 (de) * | 1989-10-12 | 1991-04-18 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur die ausbildung von getterfaehigen zentren induzierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterscheiben und dadurch erhaeltliche beidseitig polierte scheiben |
US6451672B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-09-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for manufacturing electronic devices in semiconductor substrates provided with gettering sites |
JP2002043318A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
JP4154881B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2008-09-24 | 株式会社Sumco | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
KR100634421B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-10-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의 결함 제거방법 |
DE102006002903A1 (de) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers und Halbleiterbauelement |
-
2007
- 2007-02-26 DE DE102007009281A patent/DE102007009281B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2008
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-
2012
- 2012-02-15 JP JP2012030935A patent/JP6236198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01184834A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH088263A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板 |
JP2006287247A (ja) * | 1999-11-13 | 2006-10-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 水素センサ |
JP2002134515A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
JP2004533125A (ja) * | 2001-06-22 | 2004-10-28 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | イオン注入によるイントリンシックゲッタリングを有するシリコン・オン・インシュレータ構造体を製造する方法 |
JP2006344823A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sumco Corp | Igbt用のシリコンウェーハ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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