JP2012134527A - リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 - Google Patents

リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】リソグラフィ装置およびそのような装置を清浄する方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗまたは基板テーブルＷＴの上面のトップコートの破片、レジスト、残留粒子などによる液浸液の汚染を低減し、それによって結像欠陥を低減し、液浸リソグラフィ装置のコンポーネントの平均寿命を延ばす対策として、基板テーブルＷＴ上に位置決めされた基板Ｗなどの物体と基板テーブルＷＴとの間の空間に清浄流体を供給するために注入口１２２が設けられている液浸リソグラフィ装置。
【選択図】図６

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびそのような装置を清浄する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常基板のターゲット部分上に所望のパターンを付ける装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その場合、パターニングデバイス、あるいはマスクまたはレチクルと呼ばれるものを使用してＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは基板（例えばシリコンウェハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に与えられた放射感光性材料（レジスト）の層上へのイメージングを介してなされる。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に一度に全パターンを露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームによりパターンをスキャンすると同時に、同期して、この方向と平行または反平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナとを備える。基板上にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] 投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水にリソグラフィ投影装置中で基板を液浸することが提案されている。液体は蒸留水にすることができるが、他の液体を使用することもできる。本明細書の説明は液体を参照する。しかし、別の流体、特に濡れ流体、非圧縮性流体および／または空気よりも高い屈折率、望ましくは水よりも高い屈折率をもつ流体が適することがある。これの趣旨は、露光放射が液体中でより短い波長を有するので、より小さいフィーチャのイメージングを可能にすることである。（液体の効果は、システムの実効ＮＡを増加させ、さらに焦点深度を増加させると見なすこともできる。）その中に懸濁された固体粒子（例えば石英）をもつ水を含む他の液浸液が提案されている。
[0004] しかし、基板、または基板および基板テーブルを液体の浴槽に浸漬することは（例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第４５０９８５２号明細書を参照）、スキャン露光の間加速されなければならない大量の液体があることを意味する。これは追加またはより強力なモーターを必要とし、液体の乱流が望ましくなく予測できない影響をもたらすことがある。
[0005] 提案された解決策の１つは、液体供給システムが、液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所区域だけに、および投影システムの最終エレメントと基板との間に液体を供給することである（基板は一般に投影システムの最終エレメントよりも大きい表面区域を有する）。これを準備するために提案された一方法が国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。図２および３に示されるように、液体は、好ましくは最終エレメントに対して基板の移動の方向に沿って、基板上に少なくとも１つの注入口ＩＮによって供給され、投影システムの下を通過した後少なくとも１つの排出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板が−Ｘ方向にエレメントの下でスキャンされるとき、液体はエレメントの＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で吸収される。図２は、液体が注入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続されている排出口ＯＵＴによってエレメントの反対側で吸収される構成を概略的に示す。図２の説明図では、そうである必要はないが、液体は最終エレメントに対して基板の移動方向に沿って供給される。最終エレメントの周りに位置決めされた様々な方位および数の注入口および排出口が可能であり、一例が図３に示されており、両側に排出口をもつ注入口の４組が最終エレメントの周りに規則的なパターンで設けられている。
[0006] 局所液体供給システムを備えたさらなる液浸リソグラフィ解決策が図４に示される。液体は投影システムＰＬの両側に２つの溝注入口ＩＮによって供給され、注入口ＩＮの半径方向外向きに配置された複数の個別の排出口ＯＵＴによって除去される。中心に孔があり、その孔を通して投影ビームが投影される板に注入口ＩＮおよびＯＵＴを配置することができる。液体は投影システムＰＬの一方の側の１つの溝注入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方の側の複数の個別の排出口ＯＵＴによって除去され、その結果、投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。注入口ＩＮおよび排出口ＯＵＴのどの組合せを使用するかの選択は基板Ｗの移動の方向に依存することができる（注入口ＩＮおよび排出口ＯＵＴの他の組合せは働かない）。
[0007] 各々が参照によりその全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開第１４２０３００号明細書および米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号明細書では、ツインステージまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。そのような装置は基板を支持するために２つのテーブルを備えている。レベル測定は液浸液なしで第１の位置のテーブルで行われる。露光は、液浸液が存在する第２の位置のテーブルで行われる。あるいは、装置は露光位置と測定位置との間を移動可能な１つのテーブルだけを有することができる。
[0008] リソグラフィ装置の汚染が問題になることがある。基板または基板テーブルの上面のトップコートの破片、レジスト、残留粒子などが、例えば液浸リソグラフィ装置の液浸液に侵入することがある。そのような粒子が、投影システムと基板との間の液浸液中にある場合、欠陥が基板上に結像されることがあり、損傷が液浸リソグラフィ装置のコンポーネントにもたらされることがある。
[0009] 液浸液の汚染を低減し、それによって結像欠陥を低減し、液浸リソグラフィ装置のコンポーネントの平均寿命を延ばすのに役立つための対策をとるのが望ましい。
[0010] 本発明の態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、物体を受け取るように構成された基板テーブル中の凹部と、凹部の少なくとも外側区域に清浄流体を供給するように構成された清浄流体供給デバイスとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0011] 本発明の態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、使用中に、基板テーブルの縁部と基板テーブル上の物体との間の間隙に漏れ入る液浸流体を受け取るように構成された基板テーブル中の排液管と、（ｉ）間隙、（ｉｉ）排液管への注入口、（ｉｉｉ）排液管、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択された任意の組合せに清浄流体を供給するように構成された延長部材の端部に隣接する注入口とを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
[0012] 本発明の態様によれば、物体を受け取るように構成された基板テーブル中の凹部の少なくとも一部を清浄にする方法が提供され、この方法は、凹部の少なくとも外側区域に清浄流体を供給することと、凹部から清浄流体を抽出することとを含む。
[0013] 本発明の態様によれば、基板テーブルの方にパターンを投影するように構成された投影システムと、もしあれば、基板テーブルの縁部と基板との間に画定された間隙に清浄流体を供給するように構成された液体供給システムと、過剰流体を除去するように構成された注入口であって、使用中に、間隙から液体を除去するように間隙に配置され、低圧力源に接続される注入口とを備えるリソグラフィ投影装置が提供される。
[0015]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0016]リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを示す図である。 [0017]リソグラフィ投影装置で使用するためのさらなる液体供給システムを示す図である。 [0018]局所区域液体供給システムを示す図である。 [0019]本発明の実施形態による基板テーブルを断面で示す図である。 [0020]本発明の実施形態による基板テーブルを断面で示す図である。 [0021]本発明の実施形態による基板テーブルを断面で示す図である。
[0014] 次に、本発明の実施形態が、例としてのみ、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら説明される。
[0022] 図１はリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成されたイルミネーションシステム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェハ）Ｗを保持するように構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折式投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[0023] イルミネーションシステムは、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、静電気式、もしくは他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0024] 支持構造は、パターニングデバイスの方位、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるかどうかなどの他の条件によって決まる方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電気式、または他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、例えば必要に応じて固定にも可動にもすることができるフレームまたはテーブルにすることができる。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。
[0025] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することができるいかなるデバイスも指すものと広義に解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、放射ビームに付与されたパターンは基板のターゲット部分の所望のパターンと正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応することになる。
[0026] パターニングデバイスは透過式でも反射式でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィではよく知られており、バイナリのレベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログマブルミラーアレイの例は小さいミラーのマトリックス構成を使用し、各ミラーは入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように個別に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
[0027] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に適した、または液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁気式、および静電式の光学システム、またはこれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。
[0028] ここに示されるように、装置は透過タイプ（例えば透過マスクを使用する）である。代わりに、この装置は反射タイプ（上で参照したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する）にすることができる。
[0029] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれよりも多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイス支持構造）を有するタイプにすることができる。このような「多ステージ」装置では、追加のテーブルおよび／または支持構造を並列に使用することができ、または１つもしくは複数の他のテーブルおよび／または支持構造を露光のために使用しながら１つもしくは複数のテーブルおよび／または支持構造で準備ステップを行うことができる。
[0030] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個の要素にすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると考えられず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤと一緒に、放射システムと呼ぶことができる。
[0031] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためにアジャスタＡＤを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（通常それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、放射ビームをその断面において所望の均一性および強度分布を有するように調整することができる。
[0032] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを通過した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通り抜け、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、線形エンコーダ、または容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路中において様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイス支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは反対に）、パターニングデバイス支持構造ＭＴはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができる（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、１つよりも多いダイがパターニングデバイスＭＡ上に備えられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。
[0033] 図示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
[0034] １．ステップモードでは、パターニングデバイス支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止したままにしながら、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次に基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃが露光されるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
[0035] ２．スキャンモードでは、パターニングデバイス支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴがスキャンされながら、同期して、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイス支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および結像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向に）を制限するが、スキャン動作の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向に）を決定する。
[0036] ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持構造体ＭＴは本質的に静止したままにしてプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動されるかスキャンされながら、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後にまたはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上で参照したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0037] 前述の使用モードの組合せおよび／または変形、またはまったく異なる使用モードを使用することもできる。
[0038] 本発明の１つまたは複数の実施形態は任意のタイプの液体供給システムと共に使用することができるが、本明細書で説明される設計は任意のタイプの局所区域液体供給システムと共に使用するように最適化することができる。このタイプの液体供給システムでは、液体は基板の上面全体の小さい区域にのみいつでも供給される。例示の局所区域液体供給システムの操作を説明するのは簡潔に例示するためである。
[0039] 図５を参照すると、局所区域液体供給システムは、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造をもつ液体供給システムを含む。液体閉じ込め構造は、Ｚ方向に（光軸の方向に）多少の相対的移動ができるが、ＸＹ平面では投影システムに対して実質的に固定されている。実施形態では、シールが液体閉じ込め構造と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールにすることができる。
[0040] 液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＬの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１に少なくとも部分的に液浸液を含む。液体が基板表面と投影システムの最終エレメントとの間の空間内に閉じ込められるように、基板への非接触シール１６は投影システムの結像フィールドの周りに形成することができる。空間は、投影システムＰＬの最終エレメントの下および周囲に位置決めされた液体閉じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体注入口１３によって、投影システムの下にあり、液体閉じ込め構造１２の中にある空間に導かれ、液体排出口１３によって除去することができる。液体閉じ込め構造１２は投影システムの最終エレメントの少し上を延びることができ、液体の緩衝域が設けられるように液体レベルは最終エレメントの上に上昇する。液体閉じ込め構造１２は、上端部で、実施形態では、投影システムまたはそれの最終エレメントの形状に密接に一致し、例えば円形とすることができる内部周囲を有する。底部では、内部周囲は結像フィールドの形状、例えばそうである必要はないが長方形に密接に一致する。
[0041] 液体はガスシール１６による空間１１に閉じ込められ、空間１１は、使用中、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成される。ガスシールは、液体閉じ込め構造１２と基板との間の間隙に加圧下で注入口１５を介して供給され、排出口１４を介して抽出されるガス、例えば空気または合成空気によって、実施形態ではＮ２または別の不活性ガスによって形成される。ガス注入口１５の過圧力、排出口１４の真空レベル、および間隙の形状は、液体を閉じ込める内向きの高速ガス流があるように構成される。それらの注入口／排出口は空間１１を囲む連続または不連続の環状溝にすることができ、ガス１６の流れは空間１１に液体を閉じ込めるのに有効である。そのようなシステムは、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号明細書に開示されている。
[0042] 他の解決策も可能であり、本発明の１つまたは複数の実施形態も同様にこれらに適用可能である。例えば、ガスシール１６の代わりに液体またはガスのみを抽出する単相抽出器、またはガスと液体の混合物を抽出するための二相抽出器を有することも可能である。そのような単相抽出器の半径方向外向きに、液体を空間に閉じ込めるのに役立つガス流れを生成するための１つまたは複数のフィーチャを存在させることができる。１つのそのようなタイプのフィーチャは、ガスの薄い高圧ジェットが下方に基板Ｗ上に誘導されるいわゆるガスナイフにすることができる。投影システムおよび液体供給システム下での基板のスキャン動作中、流体静力学的および流体動力学的力を生成することができ、それにより基板の方に下向きに液体上への圧力がもたらされる。
[0043] 局所区域液体供給システムで、基板Ｗは投影システムＰＬおよび液体供給システムの下を移動される。基板Ｗの縁部が結像されるべき場合、または基板テーブル上のセンサが結像されるべきか、もしくは基板交換を行うことができるようにクロージングプレート（ダミー基板と呼ばれることがある）を液体供給システムの下に位置決めできるように基板テーブルを移動すべき場合、基板Ｗの縁部は空間１１の下を通過することになる。そのような例では、液体は基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の間隙に漏れ入ることがある。この液体は、流体静力学的圧力もしくは流体動力学的圧力、ガスナイフの力、または他のガスもしくは液体の流れを生成するデバイスの下で強制的に入ることがある。
[0044] 本発明の１つまたは複数の実施形態が基板Ｗの縁部の周りに排液管を設けることに関連して以下で説明されるが、１つまたは複数の実施形態は基板テーブルに配置された１つまたは複数の他の物体に同様に適用可能である。これらの物体は、限定はしないが、例えば、基板交換中、液体供給システムの底部に取り付けられることによって液体供給システムに液体を維持するのに使用されるクロージングプレート、および／または１つまたは複数のセンサを含む。したがって、基板Ｗに対する以下のいかなる参照も、センサまたはクロージングプレートなどの任意の他の物体と同義であると考えるべきである。
[0045] 図６は本発明の実施形態を示す。図６は基板テーブルＷＴおよび基板Ｗを通る断面である。間隙５が基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間に存在する。間隙５は、基板がイメージング中に配置される凹部の外側区域または縁部である。液浸リソグラフィ装置では、基板Ｗの縁部がイメージングされているとき、または例えば基板Ｗが最初に投影システムＰＳの下に移動する（前述のように）ときなどの他のとき、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間の間隙５は、例えば、液体供給システム１２により液体で満たされた空間１１の下を通過することになる。これにより、空間１１からの液体が間隙に入ることがある。
[0046] その間隙に入る液体を処理するために、少なくとも１つの排液管１０が基板Ｗの縁部に設けられて間隙５に入るいかなる液体も除去する。図６の実施形態では、１つの排液管１０だけが示されているが、２つだけにすることもでき、または２つを超える排液管とすることもできる。排液管１０は、基板Ｗの全周囲が囲まれるように例えば環状である。
[0047] 排液管１０の機能は、ガスの泡が液体供給システム１２の液体１１に入らないようにすることである。いかなるそのような泡も基板Ｗのイメージングに有害な影響を及ぼすことがある。間隙５から基板Ｗの下まで達するいかなる液体も、イメージング後に基板テーブルＷＴから基板Ｗを効率的に開放するのを害さないようにさらなる排液管を設けることができる。従来通り、基板Ｗは複数の突起３２を含むピンプルテーブル３０によって保持される。ピンプルテーブル３０によって基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に与えられた低圧力が、基板Ｗを確実にしっかりと所定位置に保持する。しかし、液体が基板Ｗとピンプルテーブル３０との間に入る場合、特に基板Ｗの取り外し時に、このことが問題をもたらすことがある。ピンプルテーブル３０の下に第２の排液管を設けると、基板Ｗの下に達する液体のために生じることがある問題は緩和されるかまたは除去される。
[0048] 排液管１０は低圧力によって液体を除去する。すなわち、排液管は排出口１４２を介して低圧力源に接続される。この低圧力源は、排液管に入るいかなる液体も効果的に除去する。低圧力源は、ガスを基板テーブルＷＴの上の間隙５の外側から吸引し、排液管を通して排出口から抽出するのに有効である。液体が間隙５に入る機会がある場合、低圧力源に排出口１４２を接続するためだけの対策が講じられることがある。
[0049] 構成に関する問題は、間隙５、排液管１０への注入口、排液管注入口と基板との間の間隙、および／または基板Ｗの外側部分の下の区域が粒子などの汚染物質を集める場合があることである。そこに堆積した汚染物質は、基板Ｗの表面上に、基板の縁部の下に、基板テーブルの上面上に、または液浸液中に容易に洗い押し戻されることがある。そのような汚染物質は結果としてイメージング欠陥を引き起こすことがある。汚染物質は液体（例えば水）に可溶性又は不溶性である。例えば、汚染物質は、トップコート、レジスト、基板の上または基板テーブル上面の残留粒子などのことがある。この問題に対処するための一方法は排液管１０を通る液体の流れを増加させることである。これは、例えば排出口１４２に与えられる低圧力を増大させることによって達成することができる。しかし、これは、排液管１０を通る流れが増加する結果、基板テーブルに加えられる熱負荷が増加するので必ずしも望ましくない。
[0050] 一つの実施形態では、特に効果的である間隙５を清浄するシステムが開示される。このシステムは基板Ｗまたは基板テーブルＷＴ上に汚れを洗い戻さない。さらに、このシステムは、随意にリソグラフィ装置から基板テーブルを除くのを必要としない。
[0051] 本明細書で説明される各実施形態では、排液管が存在する。排液管は基板テーブル中にある。排液管１０は、使用中に基板テーブル上の物体の縁部と基板テーブルとの間に漏れる液浸流体を受け取るように構成される。リソグラフィ装置は、排液管に清浄流体を供給するように構成された清浄流体供給デバイス１４を備える。したがって、リソグラフィ装置はそれ自体排液管に清浄流体を直接供給することができる。本発明の実施形態は排液管の他の実施形態に適用することができる。
[0052] いかなる流体も清浄流体として使用することができる。一つの実施形態では、清浄流体は液浸流体と異なる。清浄流体は超純水を含むことができる。清浄流体は添加物と組み合わせた超純水を含むことができる。添加物は、予想されるタイプの粒子のための界面活性剤もしくは溶媒、清浄剤、二酸化炭素などの液化ガス、酸素、オゾン、もしくは窒素などの溶解ガス、または無極性有機溶媒もしくは極性有機溶媒とすることができる。溶媒は環式（例えばシクロヘキサン、ベンゼンなど）、脂肪族（エタノール、アセトン、イソプロピルアルコールなど）、またはそれの組合せとすることができる。挙動の違いの１つは極性（環式＝無極性、脂肪族＝極性）であり、それを使用して様々な種類の汚染を溶解／除去することができる。清浄剤は水ベースまたは溶媒ベースにすることができ、酸性、アルカリ性（例えばそれぞれ水へのＨＣｌまたはＮＨ３の添加、および／または産業清浄剤）、または中性にすることができる。予想されるタイプの汚染は特定のシステムの選択に影響を及ぼすことがある。あるいはまたはさらに、前述の添加物は純粋な液体として使用することができる。溶媒および／または界面活性剤とは別に、いくつかの清浄剤を使用することができ、それらは除去される必要のある粒子／汚染のタイプに応じて酸性またはアルカリ性にすることができる。清浄剤は、液体（水または溶媒）および界面活性剤の組合せ、ならびに恐らく１つまたは複数の他の添加物とすることができる。本発明の実施形態は任意の種類の清浄流体と共に使用することができる。超純水は、以下の成分、すなわちオゾン、過酸化水素、または酸素から選択された少なくとも１つの成分を含むことができる。
[0053] 清浄流体供給デバイスは排液管中に清浄流体注入口を備えることができる。あるいはまたはさらに、清浄流体注入口は基板テーブルに対して移動可能にすることができる。
[0054] 実施形態では、清浄流体注入口は、注入口から排液管への清浄流体の流れが少なくとも部分的に半径方向外向きになるように（使用中）位置決めされる。これは、いかなるデブリも基板および基板テーブルの上面から遠ざけて排液管の排出口の方に誘導するときに役立つ。
[0055] 実施形態では、清浄流体注入口は液体閉じ込めシステム（図５に示されたもののような）の一部とすることができる。注入口は液体閉じ込めシステム内にあることができ、液体閉じ込めシステムと関連するかまたは取り付けられた別個の本体に配置することができ、別個のコンポーネントにしてもよい。液体閉じ込めシステムは、イメージング中に投影システムと基板との間の空間に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める。
[0056] 清浄流体注入口は基板テーブルの一部とすることができる。あるいはまたはさらに、清浄流体注入口は延長部材の端部に隣接して形成することができる。例えば、清浄流体注入口はニードルの形態にすることができる。ニードルは間隙へのアクセスを容易にする。
[0057] 実施形態では、清浄を制御するためにコントローラを設けることができる。コントローラは、排液管に与えられた低圧力および／または清浄流体供給デバイスからの清浄流体の流量を制御することができる。このようにして、排液管からの清浄流体の除去を制御することができる。コントローラは１つまたは複数のアクチュエータを制御して、清浄流体注入口と排液管の相対位置を変更することができる。このようにして、清浄流体を排液管のすべてまたはいくつかの部分に供給することができる。コントローラにより、排液管への清浄流体の連続的流れが例えばバルブまたは流れ制限を制御することによって確実に存在することができる。これにより、基板テーブルに加えられた熱負荷が確実にいつでも一定であるようにすることができる。
[0058] リソグラフィ装置は、排液管から清浄流体を抽出するように構成された抽出排出口を備えることができる。このようにして、清浄流体は排液管の排出口を通過する必要がない。抽出排出口は延長部材の端部に隣接して形成することができる。例えば、抽出排出口は抽出ニードルの形態にすることができる。実施形態では、抽出排出口は基板テーブルに配置することができる。
[0059] リソグラフィ装置は、清浄流体供給デバイスが取り付けられる清浄流体のリザーバを備えることができる。
[0060] 排液管の構造詳細は以下で詳細に説明される。しかし、装置の使用によって汚染されることがある液浸装置中のいかなるタイプの排液管にも本明細書の原理を適用することができることが理解されるべきである。例えば、清浄機能が満たされる限り、および装置の他のコンポーネントと有害な相互作用がない限り、排液管１０に清浄流体を供給するための構造はいかなる場所にも設けることができることも理解されよう。本明細書で説明される構成は、不完全性が問題となる乾式リソグラフィ装置で採用することができることに留意されたい。
[0061] 排液管１０では、チャネル１１０が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の間隙５から第１のチャンバ１２０に通じる。チャネル１１０およびチャンバ１２０は共に例えば環状である。チャネル１１０は望ましくはスリットの形態である。すなわち、それは高さと比べて幅が比較的狭い。それは任意の方向に延びることができる。第２のチャンバ１４０は複数の貫通孔１３０を通して第１のチャンバ１２０と流体連通している。貫通孔１３０は、基板の周囲の周りに望ましくは均一に間隔を置いて配置される。低圧力源に接続される排出口１４２は第２のチャンバ１４０の底部と連通している。後に理解されるように、チャンバ１２０、１４０の形状は図６に示されたものから断面において変化することができ、機能する様々な断面形状について、および望ましいチャンバの様々な面の表面特性に関する詳細について日本特許出願公開第２００７−０７２１１８号明細書および２００６年３月２８日に出願された米国特許出願第１１／３９０４２７号明細書の開示を参照する。
[0062] 清浄流体（例えば液体）注入口１２２は間隙５に隣接してまたはその中に設けられる。注入口１２２は図示のように流体の噴霧を供給することができ、または流体の連続的流れ、又はそれらの間の何か（例えば小滴の絶え間ない滴下）を供給することができる。清浄流体は管路によって注入口１２２に接続されているリザーバ１５０に供給される。リザーバ１５０は基板テーブル中にあることができ、または基板テーブルＷＴから離れており、可撓性であってよい管路で基板テーブルＷＴに接続することができる。
[0063] 注入口１２２の位置は、排出口１４２に与えられた低圧力が作動するとき注入口１２２を出る清浄流体が半径方向外側にチャンバ１２０に下降するような位置である。このようにして、清浄流体と、清浄流体に含まれるかまたは溶解されるデブリとが基板Ｗまたは基板テーブルＷＴの上面に達する機会が低減される。
[0064] 注入口１２２は、排液管１０の周囲全体の周りの連続または不連続の溝にすることができる。排液管の周囲は円周にすることができる。図６に示された注入口１２２は、排液管１０の周囲の周りに位置決めされたいくつかの個別の清浄流体注入口のうちの１つとすることができる。実施形態では、排液管１０のすべての区域に清浄流体が到達することができるように十分な注入口１２２が設けられる。
[0065] 清浄化はいつでも行うことができる。清浄化は、望ましくは基板テーブルがリソグラフィ装置中にある間に行われる。清浄化は、基板Ｗがピンプルテーブル３０上の所定位置にある状態で行うことができる。清浄化は、基板Ｗがピンプルテーブル３０にない場合でさえ行うことができる。清浄化は基板のイメージング中に行うことができる。清浄化は、基板のイメージング時間以外の時間に行うことができる。例えば、基板交換中、メトロロジー測定中、または任意の他の時に基板Ｗが投影システムの下から移動されている間に清浄化を行うことができる。
[0066] 実施形態では、清浄流体は溶媒である。清浄流体は、別の方法では間隙５の中および／または基板Ｗの縁部部分の下にとどまるはずの汚れおよび粒子が洗い流されるようなものである。清浄流体の作用は汚染物質粒子を溶解するかまたは部分的に溶解することができる。あるいはまたはさらに、清浄流体の作用は表面から汚染物質粒子を引き離すのに役立つことができる。清浄流体は、以下の成分、すなわちオゾン、過酸化水素、または酸素から選択された少なくとも１つの成分をもつ超純水にすることができる。液浸システムコンポーネントからコーティングを除去するか、または液浸システムの基板テーブルＷＴおよび他のコンポーネントの接着剤または他の部分を溶解する溶媒は避けられるべきである。清浄流体は、以下の成分、すなわち、予想されるタイプの粒子のための界面活性剤もしくは溶媒、清浄剤、二酸化炭素などの液化ガス、酸素、オゾン、もしくは窒素などの溶解ガス、または無極性有機溶媒もしくは極性有機溶媒から選択された１つまたは複数の成分をもつ超純水を含むことができる。溶媒は環式（例えばシクロヘキサン、ベンゼンなど）、脂肪族（エタノール、アセトン、イソプロピルアルコールなど）またはそれの組合せとすることができる。挙動の違いの１つは極性（環式＝無極性、脂肪族＝極性）であり、それを使用して様々な種類の汚染を溶解／除去することができる。清浄剤は水ベースまたは溶媒ベースにすることができ、酸性、アルカリ性（例えばそれぞれ水へのＨＣｌまたはＮＨ３の添加、および／または産業清浄剤）、または中性にすることができる。予想されるタイプの汚染は、特定のシステムの選択に影響を及ぼすことがある。前記の添加物は純粋な液体として使用することができる。溶媒および界面活性剤とは別に、いくつかの清浄剤を使用することができ、それらは除去される必要のある粒子／汚染のタイプに応じて酸性またはアルカリ性にすることができる。清浄剤は、液体（水または溶媒）および界面活性剤の組合せ、ならびに恐らく１つまたは複数の他の添加物とすることができる。本発明の実施形態は任意の種類の清浄流体と共に使用することができる。超純水は、以下の成分、すなわちオゾン、過酸化水素、または酸素から選択された少なくとも１つの成分を含むことができる。
[0067] ある期間にわたり注入口１２２からの流体の清浄流れを維持するのが有利になることがある。これは、基板テーブルＷＴ上に一定の熱負荷を維持するときに役立つことがある。空間１１が間隙５上にない場合、液体は排液管１０に（少なくとも空間１１の下にない排液管の部分に）入らないことになる。したがって、それらの区域では、注入口１２２によって流体の清浄流れを与えるのが有利になることがある。このようにして、ある期間にわたって排液管１０を通る流体の連続的流れがあり、それによって一定の熱負荷がもたらされる。したがって、清浄液体供給デバイスは基板テーブルＷＴの位置と無関係に排液管に第２の液体を活発に供給するように構成されることが分かる。コントローラ（図示せず）は、この目的のためならびに前述のように操作するべき装置を制御する目的のために設けられる。
[0068] 本実施形態では、リザーバ１５０から注入口１２２への供給はバルブ１５５によって制御されたバルブ式供給である。バルブはコントローラによって操作可能にすることができる。
[0069] 図７は、以下に説明されることを除いて図６に対する前述の実施形態と同じである実施形態を概略的に示す。本実施形態では、清浄流体注入口は基板テーブルＷＴから分離して設けられる。清浄流体注入口１２２ａは延長体の端部に設けられる。延長体は、その端部に排出口をもつニードルのように見える。このようにして、清浄流体はより容易に誘導することができる。
[0070] 注入口１２２ａはバルブ１５５を介して清浄流体リザーバ１５０に接続される。複数の注入口１２２ａを設けることができ、または１つの注入口１２２ａだけを設けることができる。
[0071] 注入口１２２ａは投影システムＰＳに対して固定することができ、または投影システムＰＳに対して移動可能にすることができる。いずれの場合も、基板テーブルＷＴに対する注入口１２２ａの相対的移動が可能である。アクチュエータが注入口１２２ａを所定の位置に移動させることができる。コントローラはアクチュエータを作動することができる。使用中に、注入口１２２ａは、基板Ｗ（または基板が存在する場合基板があるはずの場所）と基板テーブルとの間の間隙５の中またはその近くに位置決めすることができる。このようにして、清浄流体は、間隙５を通してアクセス可能な排液管１０のすべての部分に、および／または基板の表面に、および間隙５を通してアクセス可能である基板の縁部部分の下に配置された基板テーブルに誘導することができる。
[0072] ご確認いただけるように、排液管１０は本実施形態では異なる形状を有する。これは本発明に影響しない。しかし、それは、本発明が基板テーブル上に位置決めされた物体と基板テーブル自体との間のいかなるタイプの間隙５または排液管１０にも適用可能にすることができることを示す。
[0073] 実施形態では、注入口１２２ａは、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間に液体を少なくとも部分的に閉じ込めるために使用される液体閉じ込めシステムに設けることができる。例えば、注入口１２２ａは図５の障壁部材１２に取り付けることもできる。実施形態では、注入口１２２ａを障壁部材１２内に備えることもできる。実施形態では、注入口１２２ａは別個のコンポーネントにすることもできる。
[0074] 注入口１２２ａからの清浄流体は、排液管に半径方向外向きに移動するように誘導することができる。この半径方向外向きの移動は排液管に低圧力を与えることによって達成することができる。図７の装置は、所定位置の基板にも所定位置にない基板にも使用することができる。
[0075] 本実施形態は、既に非常に込み合っている基板テーブル上に余分な空間をとらないという利点を有する。望ましくは、特に可溶性粒子を洗い流すために低い抽出流量が使用される。非可溶性粒子には、高い流量がより適切なことがある。さらにまたはあるいは、本実施形態は、注入口１２２ａからの液体の流れが基板Ｗおよび基板テーブルＷＴの上面から離れる方向であるという点で有利である。
[0076] 図８は、以下に説明されることを除いて図７に対する前述の実施形態と同じである実施形態を概略的に示す。図８から分かるように、図７におけるような注入口１２２ａ、バルブ１５５、およびリザーバ（図８では図示せず）が設けられる。さらに、抽出排出口１２４が設けられる。抽出排出口１２４は基板テーブル中の排液管の排出口と異なる。抽出排出口１２４は注入口１２２ａと同じ構造にすることができ、注入口１２２ａの半径方向外向き（図示のように）位置決めすることができるか、または注入口１２２ａの半径方向外向きもしくは同じ半径の場所に位置決めすることができる。排出口１２４は基板テーブルＷＴに対して移動可能にすることができる。例えば、排出口１２４はコントローラの制御下でアクチュエータ（図示せず）によって移動することができる。低圧力が抽出排出口１２４に与えられ、注入口１２２ａによって供給された清浄流体といかなる汚れも抽出排出口１２４を通して抽出される。バルブ１５６とコントローラ１６０の組合せが抽出排出口１２４のバルブを操作して抽出流れを制御する。コントローラ１６０はコントローラ制御バルブ１５５と同じであっても異なっていてもよい。排出口は延長体の端部にある。排出口はニードルの形態をしているように見える。後で理解されるように、このセットアップは、抽出が通常行われない間隙または排液管上で使用することができる。すなわち、図６の抽出排出口１４２と同等ではない。したがって、排液管の必要がないので、本実施形態は、基板が非液浸（すなわち乾式）リソグラフィ装置において位置する凹部の縁部を清浄にするために使用することができる。
[0077] 他の実施形態におけるように、注入口１２２ａ（および排出口１２４）が間隙５に清浄流体を供給する（および流体を抽出する）ために所定位置にある場合、コントローラは注入口１２２ａによる供給および抽出排出口１２４による抽出が確実に行われるのに役立つ。コントローラは注入口１２２ａへの流れおよび排出口１２４からの流れも制御する。
[0078] 図示のように、本実施形態では、清浄化は基板Ｗがない状態で行われるのが望ましい。しかし、そうである必要はない。注入口１２２ａおよび／または排出口１２４は液体閉じ込めシステムに取り付けることができるが、実施形態では液体閉じ込めシステムの外に配置されている。
[0079] 様々な実施形態が説明されたが、実施形態からの特徴の任意の組合せが可能である。例えば、図６に関して説明された実施形態は、図８に関して説明された実施形態の抽出排出口１２４を備えることができ、その場合、清浄流体は排液管１０を通して抽出されなくてもよい。
[0080] 本文で、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が特に参照されているが、本明細書で説明されたリソグラフィ装置は集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の用途を有することができることが理解されるべきである。そのような他の用途との関連で、「ウェハ」または「ダイ」という用語のいかなる使用もそれぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると見なすことができることを当業者なら理解されよう。本明細書で参照された基板は、露光の前または後に、例えば、トラック（一般に基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で処理することができる。適用可能である場合、本明細書の開示はそのような基板処理ツールまたは他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は例えば多層ＩＣを生成するために２回以上処理することができ、その結果、本明細書で使用された基板という用語は多数の処理された層を既に含んでいる基板を指すこともできる。
[0081] 本明細書で使用された「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、もしくは１２６ｎｍの波長またはそれらに近い波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。
[0082] 「レンズ」という用語は、状況が許す場合、屈折式および反射式光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの任意の１つまたは組合せを指すことができる。
[0083] 本発明の特定の実施形態が上記で説明されたが、本発明は説明されたもの以外で実施できることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記述する機械読取可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含む１つまたは複数のコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが中に記憶されている１つまたは複数のデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）の形態をとることができる。装置を制御するために少なくとも１つのコントローラを設けることができる。１つまたは複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって読まれる場合、本明細書で参照された１つまたは複数の異なるコントローラが操作可能になることができる。１つまたは複数のプロセッサはコントローラの少なくとも１つと通信するように構成され、それによって、コントローラは１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読取可能な命令に応じて作動する。各コントローラは、本発明を具現する１つまたは複数のコンピュータプログラムに応じて少なくとも装置のコンポーネントを操作することができる。
[0084] 本発明の１つまたは複数の実施形態は、特に、しかし限定せずに、液浸液が浴槽の形態で供給されるか、基板の局所表面区域にのみ供給されるか、または閉じ込められないかにかかわらず、前述のこれらのタイプのいかなるの液浸リソグラフィ装置にも適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は基板および／または基板テーブルの表面上を流れることができ、その結果、実質的に、基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面全体が濡れる。そのような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めないことがあり、実質的に液浸液の完全な閉じ込めではなく一部の液浸液閉じ込めを行うことができる。
[0085] 本明細書で意図されたような液体供給システムは広義に解釈されるべきである。いくつかの実施形態では、それは投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構または構造の組合せにすることができる。それは、液体をこの空間に供給する、１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体注入口、１つまたは複数のガス注入口、１つまたは複数のガス排出口、および／または１つまたは複数の液体排出口の組合せを含むことができる。実施形態では、空間の表面は基板および／または基板テーブルの一部とすることができ、または空間の表面は完全に基板および／または基板テーブルの表面を覆うことができ、または空間は基板および／または基板テーブルを囲むことができる。液体供給システムは、随意に、位置、量、質、形状、流量、または液体の他の特性を制御するために１つまたは複数のエレメントをさらに含むことができる。装置を制御するために１つまたは複数の制御エレメントを設けることができる。コントローラは、１つまたは複数のコンピュータプログラムを実行するために作動できるプロセッサを有することができる。
[0086] 装置で使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性および波長に応じて様々な成分を有することができる。１９３ｎｍの露光波長には、超純水または水ベースの成分を使用することができ、このために液浸液はしばしば水と呼ばれ、より総称的に考えられるべきであるが親水性、疎水性、湿度などのような水関連の用語が使用されることがある。そのような用語はフッ素含有炭化水素などの使用可能な他の高屈折率液体までにも拡張すべきことを意図している。
[0087] 前述の説明は限定ではなく例示するためのものである。したがって、当業者には、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変形を行うことができることは明らかであろう。

Claims (40)

  1. 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    物体を受け取るように構成された前記基板テーブル中の凹部と、
    前記凹部の少なくとも外側区域に清浄流体を供給するように構成された清浄流体供給デバイスと、を備える、
    リソグラフィ装置。
  2. 清浄流体のリザーバをさらに備える、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記清浄流体供給デバイスが前記凹部中に清浄流体注入口を備える、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記清浄流体注入口の位置は、前記注入口からの清浄流体の流れが前記物体の中心に対して少なくとも部分的に半径方向外向きであるような位置である、
    請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記清浄流体注入口が前記基板テーブルに対して移動可能である、
    請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記清浄流体注入口が、投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステム中にある、
    請求項５に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記清浄流体注入口が前記基板テーブルの一部である、
    請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記清浄流体注入口が延長部材の端部に隣接して形成される、
    請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  9. 延長部材がニードルである、
    請求項８に記載のリソグラフィ装置。
  10. 排液管中の低圧力源を起動して前記排液管から清浄流体を除去するように構成されたコントローラをさらに備える、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  11. 清浄流体が前記凹部の周囲全体の周りに供給され得るように、前記清浄流体供給デバイスの少なくとも一部と排液管の外側区域との相対位置を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記装置が液浸リソグラフィ装置であり、使用中に、前記物体の縁部を通り過ぎて前記凹部中に漏れる液浸液を受け取るために前記基板テーブル中に排液管を備える、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記排液管が前記凹部の外側区域にある、
    請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記排液管への清浄流体の連続的流れが確実に存在するように構成されたコントローラをさらに備える、
    請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記液浸液および前記清浄流体が異なる流体である、
    請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記清浄流体供給デバイスが、超純水と、以下の成分、すなわち界面活性剤、溶媒、清浄剤、液化ガス、溶解ガス、無極性有機溶媒、または極性有機溶媒から選択された少なくとも１つの成分とからなる清浄流体を供給するように構成される、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記液化ガスが二酸化炭素を含む、
    請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記溶解ガスが酸素、オゾン、過酸化水素、窒素、またはそれらの任意の組合せを含む、
    請求項１６に記載のリソグラフィ装置。
  19. 排液管の排出口とは別個の排出口である抽出排出口をさらに備える、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  20. 前記抽出排出口が延長部材の端部に隣接して形成される、
    請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
  21. 前記抽出排出口が前記基板テーブルに対して移動可能であり、かつ／または投影システムと前記基板テーブルとの間に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムの一部である、
    請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
  22. 前記物体が基板である、
    請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  23. 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    使用中に、前記基板テーブルの縁部と前記基板テーブル上の物体との間の間隙に漏れ入る液浸流体を受け取るように構成された前記基板テーブル中の排液管と、
    （ｉ）前記間隙、（ｉｉ）前記排液管への注入口、（ｉｉｉ）前記排液管、または（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）から選択された任意の組合せに清浄流体を供給するように構成された延長部材の端部に隣接する注入口と、を備える、
    液浸リソグラフィ装置。
  24. 前記注入口は、前記注入口から前記排液管への清浄流体の流れが前記物体の中心に対して少なくとも部分的に半径方向外向きであるように位置決め可能である、
    請求項２３に記載の液浸リソグラフィ装置。
  25. 前記注入口が前記基板テーブルに対して移動可能である、
    請求項２３に記載の液浸リソグラフィ装置。
  26. 前記注入口が、投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に液浸液を少なくとも部分的に閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステム上にある、
    請求項２５に記載の液浸リソグラフィ装置。
  27. 前記注入口がニードルの形態である、
    請求項２３に記載の液浸リソグラフィ装置。
  28. 前記排液管の排出口とは別個の排出口である抽出排出口をさらに備える、
    請求項２３に記載の液浸リソグラフィ装置。
  29. 前記抽出排出口が延長部材の端部に隣接して形成される、
    請求項２８に記載の液浸リソグラフィ装置。
  30. 前記物体が基板である、
    請求項２３に記載の液浸リソグラフィ装置。
  31. 物体を受け取るように構成された基板テーブル中の凹部の少なくとも一部を清浄する方法であって、
    前記凹部の少なくとも外側区域に清浄流体を供給するステップと、
    前記凹部から前記清浄流体を抽出するステップと、を含む、
    方法。
  32. 基板が前記基板テーブルの前記凹部中にある場合実行される、
    請求項３１に記載の方法。
  33. 基板が前記基板テーブル上にない場合実行される、
    請求項３１に記載の方法。
  34. 前記基板テーブルが液浸リソグラフィ装置用の基板テーブルであり、使用中に、前記物体の縁部を通り過ぎて前記凹部中に漏れる液浸液を受け取るために前記凹部中に排液管を備える、
    請求項３１に記載の方法。
  35. 前記清浄流体が前記液浸液と異なる、
    請求項３４に記載の方法。
  36. 前記清浄流体が注入口を通って前記凹部に供給される、
    請求項３１に記載の方法。
  37. 前記注入口が前記基板テーブルの一部である、
    請求項３６に記載の方法。
  38. 前記注入口が前記基板テーブルに対して移動可能である、
    請求項３６に記載の方法。
  39. 液浸リソグラフィ装置内で実行される、
    請求項３８に記載の方法。
  40. 基板テーブルの方にパターンを投影するように構成された投影システムと、
    前記基板テーブルの縁部と基板との間に画定された間隙が存在する場合に、清浄流体を供給するように構成された液体供給システムと、
    過剰流体を除去するように構成された注入口であって、使用中に、前記間隙から液体を除去するように前記間隙に配置され、低圧力源に接続される注入口と、を備える、
    リソグラフィ投影装置。
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