JP2012132896A - テストハンドラー及び半導体素子テスト方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子を高温環境及び低温環境でテストできるテストハンドラー及び半導体素子テスト方法を提供する。
【解決手段】テストトレイＴに収納されている半導体素子をテストするためのハイフィックスボードＨが設けられたテストチャンバー２１と、テストトレイＴに収納されている半導体素子をハイフィックスボードＨに接続させるための第１コンタクトユニット３と、テストチャンバー２１に位置している半導体素子が、第１温度及び第１温度と異なる第２温度のいずれかの温度でまずテストされた後に残りの温度でテストされるように、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給する第１温度調節ユニット４と、を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子をテストするためのテストハンドラー及び半導体素子テスト方法に関するものである。

メモリあるいは非メモリ半導体素子など（以下、「半導体素子」という。）は、種々のテスト過程を経て製造される。これらのテスト過程で使われる装備がテストハンドラーである。

テストハンドラーは、半導体素子をテストするためのテスターと連結される。テスターは、半導体素子が接続するテストソケットが複数個設置されているハイフィックスボードを含む。ハイフィックスボードはテストハンドラーに結合する。

テストハンドラーは、テストトレイを用いてローディング工程、テスト工程及びアンローディング工程を行う。テストトレイには半導体素子を収納する複数のキャリアモジュールが設けられる。

テストハンドラーは、顧客トレイ（Ｕｓｅｒ ｔｒａｙ）に収納されているテストすべき半導体素子を、テストトレイに移すローディング工程を行う。

テストハンドラーは、このローディング工程によりテストトレイに収納された半導体素子を、ハイフィックスボードに接続させるテスト工程を行う。テスターは、半導体素子の性能を確認するために、ハイフィックスボードに接続している半導体素子をテストする。

テストハンドラーは、テスト工程によりテストされた半導体素子を、テストトレイから分離し、テスト結果に基づき、該当する等級の顧客トレイに収納させるアンローディング工程を行う。

ここで、半導体素子は、常温環境の他、高温環境及び低温環境においても正常に作動するか否かがテストされなければならない。そこで、従来は、半導体素子を高温環境でテストするための第１テストハンドラー、及び半導体素子を低温環境でテストするための第２テストハンドラーが要求されてきた。そのため、従来技術では、半導体素子を高温環境及び低温環境でテストするのに相当なコストがかかり、半導体素子の製造原価が上昇するという問題があった。

本発明は上記問題を解決するために案出されたもので、その目的は、半導体素子を高温環境及び低温環境でテストできるテストハンドラー及び半導体素子テスト方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、半導体素子を高温環境及び低温環境でテストするのにかかる時間を減らすことができるテストハンドラー及び半導体素子テスト方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。

本発明に係るテストハンドラーは、テストトレイに収納されている半導体素子をテストするためのハイフィックスボードが設けられたテストチャンバーと、前記テストチャンバーに設けられ、前記テストトレイに収納されている半導体素子を前記ハイフィックスボードに接続させるための第１コンタクトユニットと、前記第１コンタクトユニットに結合し、前記テストチャンバーに位置している半導体素子が第１温度及び該第１温度よりも低い第２温度のいずれかの温度でまずテストされた後に残りの温度でテストされるように、前記第１コンタクトユニットに接触した半導体素子に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給する第１温度調節ユニットと、を含むことができる。

本発明に係る半導体素子テスト方法は、半導体素子の収納されている第１テストトレイを、テストチャンバーに搬入する段階と、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を第１温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を、前記第１温度と異なる第２温度に調節してテストする段階と、前記第１テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、第２テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を前記第２温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を前記第１温度に調節してテストする段階と、前記第２テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、を含むことができる。

本発明に係る半導体素子テスト方法は、半導体素子の収納されている第１テストトレイをテストチャンバーに搬入する段階と、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を第１温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を前記第１温度よりも低い第２温度に調節してテストする段階と、前記第１テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、第２テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を前記第２温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を前記第１温度に調節してテストする段階と、前記第２テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、を含むことができる。

本発明に係るテストハンドラーの概略平面図である。 本発明に係るテストチャンバー、第１コンタクトユニット、及び第１温度調節ユニットの概略側面図である。 本発明の変形された実施例に係るテストハンドラーの概略平面図である。 本発明に係る第１チャンバー、第２コンタクトユニット、及び第２温度調節ユニットの概略側面図である。 本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラーの概略ブロック図である。 本発明に係る半導体素子テスト方法を示すフローチャートである。 本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法を示すフローチャートである。 本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法を示すフローチャートである。

以下、本発明に係るテストハンドラーの好適な実施例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１及び図２を参照すると、本発明に係るテストハンドラー１は、チャンバーユニット２（図３参照）を含む。チャンバーユニット２（図３参照）は、ハイフィックスボードＨが設置されているテストチャンバー２１を含む。ハイフィックスボードＨは、テストトレイＴに収納されている半導体素子をテストする。

本発明に係るテストハンドラー１は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードＨに接続させるための第１コンタクトユニット３と、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に、第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給する第１温度調節ユニット４と、を含む。第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給することによって半導体素子を加熱することができる。これにより、テストトレイＴに収納されている半導体素子は、第１温度に調節された後、ハイフィックスボードＨに接続してテストされることが可能になる。第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体を供給することによって半導体素子を冷却することができる。これにより、テストトレイＴに収納されている半導体素子は、第１温度と異なる第２温度に調節された後、ハイフィックスボードＨに接続してテストされることが可能になる。

このように、本発明に係るテストハンドラー１を、テストトレイＴに収納されている半導体素子が高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かがテストされるように具現することができる。そのため、本発明に係るテストハンドラー１は、従来技術のように２台のテストハンドラーを用いる場合に比べて、半導体素子をテストするのにかかるコストを軽減でき、結果として半導体素子の製造原価を下げることができる。上記では第１温度が第２温度よりも高いとしたが、これに限定されず、第２温度が第１温度より高くてもよい。第２温度が第１温度よりも高い場合、半導体素子は加熱して第２温度に調節し、冷却して第１温度に調節すればいい。

以下では、テストチャンバー２１、第１コンタクトユニット３、及び第１温度調節ユニット４について、添付の図面を参照しつつ具体的に説明する。

図１及び図２を参照すると、テストチャンバー２１にはハイフィックスボードＨが設置される。テストチャンバー２１では、テストトレイＴに収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続してテストされるテスト工程が行われる。ハイフィックスボードＨは、一部または全部がテストチャンバー２１に挿入されるように設置される。ハイフィックスボードＨは、テストトレイＴに収納されている半導体素子が接続するテストソケット（図示せず）を含む。ハイフィックスボードＨは、テストトレイＴに収納される半導体素子の個数と概略一致する個数のテストソケットを含むことができる。例えば、テストトレイＴには、６４個、１２８個、２５６個などの半導体素子が収納されることがある。ハイフィックスボードＨはテスター（図示せず）に連結される。該テスターは、テストソケットに接続した半導体素子をテストする。テストチャンバー２１は、ハイフィックスボードＨが挿入される部分が開放されるように形成され、テストトレイＴの位置する空間が 内部に形成された直方体状にするとよい。テストチャンバー２１には、テストトレイＴを支持するレール２１１（図２）が設けられる。

図１及び図２を参照すると、第１コンタクトユニット３はテストチャンバー２１に設置される。第１コンタクトユニット３は、テストトレイＴに収納されている半導体素子をハイフィックスボードＨに接続させる。第１コンタクトユニット３は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードＨに近づく方向及びハイフィックスボードＨから遠ざかる方向に移動させる。第１コンタクトユニット３が、テストトレイＴに収納されている半導体素子をハイフィックスボードＨに近づく方向に移動させると、テストトレイＴに収納されている半導体素子はハイフィックスボードＨに接続し、テスターは、ハイフィックスボードＨに接続した半導体素子をテストする。それらの半導体素子に対するテストが完了すると、第１コンタクトユニット３は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードＨから遠ざかる方向に移動させる。

テストトレイＴには、半導体素子を収納するためのキャリアモジュールＣ（図２）が設置される。これらのキャリアモジュールＣにはそれぞれ、少なくとも一つの半導体素子を収納することができる。キャリアモジュールＣのそれぞれは、バネ（図示せず）によりテストトレイＴに弾性的に移動可能に結合する。第１コンタクトユニット３が、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、ハイフィックスボードＨに近づく方向に押すと、キャリアモジュールＣはハイフィックスボードＨに近づく方向に移動する。第１コンタクトユニット３がテストトレイＴに収納されている半導体素子を押している力を除去すると、キャリアモジュールＣは復原力によりハイフィックスボードＨから遠ざかる方向に移動する。第１コンタクトユニット３によりキャリアモジュールＣ及び半導体素子が移動する際に、テストトレイＴも共に移動することができる。この場合、テストチャンバー２１に設置されたレール２１１は、テストトレイＴの移動に従って共に移動する。

図１及び図２を参照すると、第１コンタクトユニット３は複数個の第１コンタクトソケット３１を含む。第１コンタクトソケット３１は、テストトレイＴに収納されている半導体素子に接触して半導体素子を移動させることができ、これにより、それらの半導体素子はハイフィックスボードＨに接続することができる。第１コンタクトユニット３は、テストトレイＴに収納される半導体素子の個数と概略一致する個数の第１コンタクトソケット３１を含むことができる。

図１及び図２を参照すると、第１コンタクトソケット３１のそれぞれには、第１貫通孔３１１（図２）が形成される。第１温度調節ユニット４は、第１貫通孔３１１を通して、第１コンタクトソケット３１に接触している半導体素子に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給することができる。これにより、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、第１温度調節ユニット４から供給される第１加熱流体で加熱して第１温度に調節した状態でテストすることができる。そして、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、第１温度調節ユニット４から供給される第１冷却流体で冷却して第２温度に調節した状態でテストすることもできる。

したがって、本発明に係るテストハンドラー１は、テストトレイＴに収納されている半導体素子が第１コンタクトソケット３１に接触した状態で温度が調節されるので、テストチャンバー２１の内部の温度を調節することに比べて、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明に係るテストハンドラー１は、テストトレイＴに収納されている半導体素子が第１コンタクトソケット３１に接触した状態で温度が調節されるので、第１コンタクトソケット３１と半導体素子との間から第１加熱流体及び第１冷却流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。したがって、本発明に係るテストハンドラー１は、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことによって、半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。第１コンタクトソケット３１は全体として円筒状に形成することができ、第１貫通孔３１１は、第１コンタクトソケット３１よりも小さい円筒状に形成することができる。

図１及び図２を参照すると、第１コンタクトユニット３は、第１設置部材３ａを含む。第１設置部材３ａには第１コンタクトソケット３１が設置される。第１設置部材３ａは全体として長方形の板状にするとよい。第１コンタクトユニット３は、第１コンタクトソケット３１と第１設置部材３ａとの間に結合する第１弾性部材３ｂを含む。これらの第１弾性部材３ｂにより、第１コンタクトソケット３１は第１設置部材３ａに結合した状態で弾性的に移動することができる。第１弾性部材３ｂはバネでよい。第１コンタクトユニット３は、第１設置部材３ａを移動させる第１移動ユニット３２を含む。第１移動ユニット３２は、第１設置部材３ａを移動させることによって、第１コンタクトソケット３１を移動させることができる。第１移動ユニット３２は、第１コンタクトソケット３１を、ハイフィックスボードＨに近づく方向及びハイフィックスボードＨから遠ざかる方向に移動させることができる。第１移動ユニット３２は油圧シリンダーまたは空圧シリンダーを用いるシリンダー方式、モーター及びボールスクリュー（Ｂａｌｌ Ｓｃｒｅｗ）などを用いたボールスクリュー方式、モーター、ラックギア（Ｒａｃｋ Ｇｅａｒ）及びピニオンギア（Ｐｉｎｉｏｎ Ｇｅａｒ）などを用いたギア方式、モーター、プーリー及びベルトなどを用いたベルト方式、リニアモーター（Ｌｉｎｅａｒ Ｍｏｔｏｒ）などを用いて第１設置部材３ａを移動させることができる。

図１及び図２を参照すると、第１温度調節ユニット４は第１コンタクトユニット３に結合する。第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトユニット３に連結されるようにテストチャンバー２１に結合してもよい。第１温度調節ユニット４は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を第１温度と第２温度に調節することができる。第１温度は、半導体素子が高温環境で正常に作動するか否かをテストするための温度範囲であり、例えば、１２０℃程度の温度範囲でよい。第２温度は、半導体素子が低温環境で正常に作動するか否かをテストするための温度範囲であり、例えば、−４０℃程度の温度範囲でよい。

第１温度調節ユニット４は、テストトレイＴに収納されている半導体素子が、第１温度及び第２温度のいずれかの温度でまずテストされた後、残りの温度でテストされるように、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給することができる。

例えば、第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトユニット３に接触している半導体素子に第１加熱流体をまず供給した後、第１冷却流体を供給することができる。これにより、テストトレイＴに収納されている半導体素子は、第１温度に調節された状態でまずテストされた後に、第２温度に調節された状態でテストできる。第１温度調節ユニット４は、テストトレイＴに収納されている半導体素子に第１コンタクトソケット３１が接触した時点から、それら半導体素子がハイフィックスボードＨに接続して第１温度に調節された状態でテストが完了するまで、半導体素子に第１加熱流体を供給することができる。その後、テストトレイＴに収納されている半導体素子がハイフィックスボードに接続した状態で、第１温度調節ユニット４は、それら半導体素子が第２温度に調節された状態でテストが完了するまで、半導体素子に第１冷却流体を供給することができる。

例えば、第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体をまず供給した後に、第１加熱流体を供給することができる。これにより、テストトレイＴに収納されている半導体素子を第２温度に調節された状態でまずテストした後に、第１温度に調節された状態でテストすることができる。第１温度調節ユニット４は、テストトレイＴに収納されている半導体素子に第１コンタクトソケット３１が接触した時点から、それら半導体素子がハイフィックスボードＨに接続して第２温度に調節された状態でテストが完了するまで、それら半導体素子に第１冷却流体を供給することができる。その後、テストトレイＴに収納されている半導体素子がハイフィックスボードに接続した状態で、第１温度調節ユニット４は、それら半導体素子が第１温度に調節された状態でテストが完了するまで半導体素子に第１加熱流体を供給することができる。

第１温度調節ユニット４は、第１貫通孔３１１のそれぞれに連通するように連結される。第１温度調節ユニット４は、それら第１貫通孔３１１を通して第１加熱流体及び第１冷却流体を供給することができる。これにより、第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトソケット３１に接触した半導体素子を加熱したり冷却したりすることができる。

図１乃至図３を参照すると、第１温度調節ユニット４は、第１加熱流体及び第１冷却流体を、下記の順序に従って、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に選択的に供給することができる。

まず、半導体素子が収納されている第１テストトレイＴ１（図３）がテストチャンバー２１に搬入されると、第１温度調節ユニット４は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子に第１加熱流体を供給する。これにより、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を、第１加熱流体により加熱して第１温度に調節することができる。

次に、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１温度に調節された状態でテストが完了すると、第１温度調節ユニット４は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子に第１冷却流体を供給する。これにより、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を、第１冷却流体により冷却して第２温度に調節することができる。

次に、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第２温度に調節された状態でテストが完了すると、第１テストトレイＴ１はテストチャンバー２から搬出される。そして、半導体素子が収納されている第２テストトレイＴ２（図３）がテストチャンバー２に搬入される。ここで、第１テストトレイＴ１と第２テストトレイＴ２はテストチャンバー２に搬入される順序を区別するためのもので、第２テストトレイＴ２は第１テストトレイＴ１の次にテストチャンバー２１に搬入されるものである。

次に、テストチャンバー２１に第２テストトレイＴ２が搬入されると、第１温度調節ユニット４は、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子に第１冷却流体を供給する。これにより、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を、第１冷却流体により冷却して第２温度に調節することができる。すなわち、以前の第１テストトレイＴ１に対しては、第１温度にまず調節したのち第２温度に調節したが、第２テストトレイＴ２に対しては第２温度にまず調節する。第２テストトレイＴ２がテストチャンバー２１に搬入される直前に、第１温度調節ユニット４及び第１コンタクトソケット３１などは第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第２温度に調節する過程で冷却された状態であるから、第２テストトレイＴ２に対しては第２温度にまず調節することで、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節するのにかかる時間を減らすことができるわけである。したがって、本発明に係るテストハンドラー１は、第１テストトレイＴ１に対するテスト工程を行った後に、第２テストトレイＴ２に対するテスト工程を行うのにかかる時間を減らすことができる。

次に、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子が第２温度に調節された状態でテストが完了すると、第１温度調節ユニット４は、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子に第１加熱流体を供給する。これにより、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を、第１加熱流体により加熱して第１温度に調節することができる。

次に、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子が第１温度に調節された状態でテストが完了すると、第２テストトレイＴ２がテストチャンバー２から搬出される。

このような順序に従って、第１温度調節ユニット４は第１加熱流体及び第１冷却流体を、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に選択的に供給することができる。第２テストトレイＴ２の次にテストチャンバー２１に搬入されるテストトレイについては、第２テストトレイＴ２の次にテストチャンバー２１に搬入される第３テストトレイ（図示せず）を第１テストトレイＴ１と見なし、第３テストトレイの次にテストチャンバー２１に搬入される第４テストトレイ（図示せず）を第２テストトレイＴ２と見なすと、第１温度調節ユニット４が第１加熱流体及び第１冷却流体を第１コンタクトユニット３に接触している半導体素子に選択的に供給する順序が明確に導出されるので、その具体的な説明は省略する。また、上記では、第１テストトレイＴ１を第１温度にまず調節するとして説明したが、第１テストトレイＴ１を第２温度にまず調節した後に第１温度に調節することも、上述から明らかに導出することができ、それについての具体的な説明は省略する。すなわち、本発明に係るテストハンドラー１は、第１テストトレイＴ１を第１温度にまず調節した後に第２温度に調節してもよく、第１テストトレイＴ１を第２温度にまず調節した後に第１温度に調節してもよい。

図１及び図２を参照すると、第１温度調節ユニット４は、複数個の第１連結部材４１、及び第１流体供給部４２を含む。

第１連結部材４１のそれぞれは、一側が第１貫通孔３１１に連通するように第１コンタクトソケット３１に結合され、他側が第１流体供給部４２に連結される。これらの第１連結部材４１には、第１流体供給部４２から第１加熱流体及び第１冷却流体が選択的に供給される。第１加熱流体及び第１冷却流体は、第１流体供給部４２から第１連結部材４１、第１貫通孔３１１を順に通って、テストトレイＴに収納されている半導体素子に供給される。第１連結部材４１のそれぞれの内部に第１加熱流体及び第１冷却流体が移動できるような第１流路（図示せず）が形成される。テストトレイＴに収納されている半導体素子をハイフィックスボードＨに接続させるべく第１コンタクトソケット３１が移動する時、第１温度調節ユニット４は、第１コンタクトソケット３１の移動に従って共に移動してもよく、第１コンタクトソケット３１が移動するにもかかわらず固定していてもよい。第１温度調節ユニット４を固定しているものとする場合、第１連結部材４１は柔軟性を持つ材質で形成すればいい。これにより、第１コンタクトソケット３１が移動しても、第１加熱流体及び第１冷却流体を、第１コンタクトソケット３１に接触している半導体素子へと供給することができる。例えば、第１連結部材４１は、ゴムホース、メタルホース、プラスチックホースなどでよい。

第１流体供給部４２は、第１連結部材４１に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給する。第１流体供給部４２は、テストチャンバー２１及びテスターの少なくとも一方から、テストチャンバー２１に位置しているテストトレイＴに、第１加熱流体または第１冷却流体のいずれをまず供給しなければならないかに関する情報を受信することができる。第１流体供給部４２は、上述のとおり、第１テストトレイＴ１を第１温度に調節したのち第２温度に調節し、第２テストトレイＴ２は第２温度に調節したのち第１温度に調節するという順序に応じて、第１連結部材４１に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給してもよい。第１流体供給部４２は、第１連結器具４２１、第１加熱流体供給部４２２、第１冷却流体供給部４２３、及び第１開閉器具４２４を含む。

第１連結器具４２１は、一側が第１連結部材４１に連通するように連結され、他側が第１加熱流体供給部４２及び第１冷却流体供給部４２３に連通するように連結される。第１連結器具４２１は、第１加熱流体供給部４２から第１加熱流体を受けて第１連結部材４１に伝達することができる。第１連結器具４２１は、第１冷却流体供給部４２３から第１冷却流体を受けて第１連結部材４１に伝達することができる。第１連結器具４２１は、第１加熱流体及び第１冷却流体を収容できるような空間が内部に形成された直方体状にするとよい。

第１加熱流体供給部４２２は、第１連結器具４２１に連通するように連結される。第１加熱流体供給部４２２は第１加熱流体を第１連結器具４２１に供給する。第１加熱流体は、加熱された空気でよい。図示してはいないが、第１加熱流体供給部４２２は、電熱ヒーター、送風ファンなどを含むことができる。送風ファンが空気を吸い込んで電熱ヒーター側に排出すると、この空気は電熱ヒーターにより加熱されて第１加熱流体とされ、該第１加熱流体を第１連結器具４２１に供給することができる。

第１冷却流体供給部４２３は、第１連結器具４２１に連通するように連結される。第１冷却流体供給部４２３は第１冷却流体を第１連結器具４２１に供給する。第１冷却流体は窒素でよい。図示してはいないが、第１冷却流体供給部４２３は、液化窒素噴射システムなどを含むことができる。

第１開閉器具４２４は、第１加熱流体供給部４２２及び第１冷却流体供給部４２３のいずれか一方を第１連結器具４２１と選択的に連通させる。第１開閉器具４２４はバルブでよい。第１流体供給部４２は、２個の第２開閉器具４２４を含むことができる。これら第２開閉器具４２４のうち、いずれか一方は第１加熱流体供給部４２２と第１連結器具４２１とを連通するように連結する流路に設けられ、いずれか他方は第１冷却流体供給部４２３と第１連結器具４２１とを連通するように連結する流路に設けられてよい。第１流体供給部４２は、これら第１開閉器具４２４のいずれかを選択的に開放させることによって、第１連結器具４２１に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給することができる。

図３及び図４を参照すると、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストトレイＴがテストチャンバー２１に移送される前に、テストトレイＴに収納されている半導体素子の温度を調節するための第２温度調節ユニット５を含む。チャンバーユニット２は、テストチャンバー２１に連結されるように設置された第１チャンバー２２を含む。

第１チャンバー２２には、テストチャンバー２１に移送されるテストトレイＴが位置する。第１チャンバー２２では、テストトレイＴに収納されている半導体素子が第２温度調節ユニット５により温度調節される工程が行われる。第１チャンバー２２は、テストトレイＴが位置する空間が内部に形成された直方体状にするとよい。第１チャンバー２２には、テストトレイＴを支持するレール２２１（図４）が設置される。第１チャンバー２２及びテストチャンバー２１にはそれぞれ、テストトレイＴが移送されうる通路（図示せず）が形成されている。テストトレイＴが第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送される時にのみ通路が開放されるように、該通路には開閉ドア（図示せず）が設けられてもよい。

図３及び図４を参照すると、第２温度調節ユニット５が第１チャンバー２２に結合する。第２温度調節ユニット５は、第２加熱流体及び第２冷却流体により、テストトレイＴに収納されている半導体素子を第１温度と第２温度に調節することができる。第２加熱流体は、加熱された空気でよい。第２冷却流体は、窒素でよい。

第２温度調節ユニット５は、テストチャンバー２１に、第１温度に調節された半導体素子が収納された第１テストトレイＴ１及び第２温度に調節された半導体素子が収納された第２テストトレイＴ２が交互に移送されるように、第１チャンバー２２に置かれている半導体素子の温度を調節することができる。この場合、第１温度調節ユニット４は、テストチャンバー２１に第１テストトレイＴ１が移送されると、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１温度でまずテストされたのち第２温度でテストされるように、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子の温度を調節する。そして、第１温度調節ユニット４は、テストチャンバー２１に第２テストトレイＴ２が移送されると、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子が第２温度でまずテストされたのち第１温度でテストされるように、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子の温度を調節する。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、下記のような作用効果を得ることができる。

第一に、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストチャンバー２１で半導体素子が第１温度または第２温度のいずれかの温度でまずテストされることに対応するように、第１チャンバー２２で半導体素子の温度をあらかじめ調節することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストチャンバー２１で半導体素子の温度を調節する時間を軽減することによって、半導体素子をテストするのにかかる時間をより減らすことができる。

第二に、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストチャンバー２１で半導体素子に対するテストが行われる間、第１チャンバー２２では半導体素子を第１温度または第２温度のいずれかの温度にあらかじめ調節することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストチャンバー２１で半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を軽減することによって、半導体素子をテストするのにかかる時間をより減らすことができる。

図示してはいないが、第２温度調節ユニット５は、第２加熱流体及び第２冷却流体により第１チャンバー２２の内部の温度を調節することによって、テストトレイＴに収納されている半導体素子の温度を調節してもよい。こうすると、第１チャンバー２２の内部を第１温度に調節したのち第２温度に調節するのに相当な時間がかかり、その分、テストトレイＴに収納されている半導体素子の温度を調節するのにかかる時間も増加してしまう。そこで、テストトレイＴに収納されている半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすために、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、第２コンタクトユニット６をさらに含む。

図３及び図４を参照すると、第２コンタクトユニット６は、第１チャンバー２２に設けられる。第２コンタクトユニット６は、第１チャンバー２２に置かれているテストトレイＴに収納されている半導体素子に接触できる。この場合、第２温度調節ユニット５は、第２コンタクトユニット６に接触している半導体素子に、第２加熱流体及び第２冷却流体を選択的に供給することができる。これにより、テストトレイＴに収納されている半導体素子は、第２温度調節ユニット５から供給された第２加熱流体により加熱されて第１温度に調節可能である。そして、テストトレイＴに収納されている半導体素子は、第２温度調節ユニット５から供給された第２冷却流体により冷却されて第２温度に調節可能である。

したがって、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストトレイＴに収納されている半導体素子が第２コンタクトユニット６に接触した状態で温度が調節されるので、第１チャンバー２２の内部の温度を調節する場合に比べて、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間をより短縮することができる。また、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、テストトレイＴに収納されている半導体素子が第２コンタクトユニット６に接触した状態で温度が調節されるので、第２コンタクトユニット６と半導体素子との間から第２加熱流体や第２冷却流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。その結果、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、第１チャンバー２２で半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことができる。

図３及び図４を参照すると、第２コンタクトユニット６は、テストトレイＴに収納されている半導体素子に接触するための複数個の第２コンタクトソケット６１を含む。第２コンタクトユニット６は、テストトレイＴに収納される半導体素子の個数と概略一致する個数の第２コンタクトソケット６１を含むことができる。第２コンタクトソケット６１のそれぞれには第２貫通孔６１１が形成される。第２温度調節ユニット５は、第２貫通孔６１１を通して、第２コンタクトソケット６１に接触している半導体素子に第２加熱流体及び第２冷却流体を選択的に供給することができる。第２コンタクトソケット６１は全体として円筒状に形成されるとよく、第２貫通孔６１１は第２コンタクトソケット６１よりも小さい円筒状に形成されるとよい。

図３及び図４を参照すると、第２コンタクトユニット６は、第２設置部材６ａを含む。第２設置部材６ａには第２コンタクトソケット６１が設置される。第２設置部材６ａは、全体として長方形の板状にするとよい。第２コンタクトユニット６は、第２コンタクトソケット６１と第２設置部材６ａとの間に結合する第２弾性部材６ｂを含む。これらの第２弾性部材６ｂにより、第２コンタクトソケット６１は第２設置部材６ａに結合した状態で弾性的に移動することができる。第２弾性部材６ｂはバネでよい。

図３及び図４を参照すると、第２コンタクトユニット６は、第２移動ユニット６２を含む。

第２移動ユニット６２は、第２設置部材６ａを、第１チャンバー２２に位置しているテストトレイＴに近づく方向、及び第１チャンバー２２に位置しているテストトレイＴから遠ざかる方向に移動させる。第２移動ユニット６２が第２設置部材６ａを、第１チャンバー２２に位置しているテストトレイＴに近づくように移動させると、第２コンタクトソケット６１がテストトレイＴに収納されている半導体素子に接触することができる。第２コンタクトソケット６１がテストトレイＴに収納されている半導体素子に接触した状態で、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、第２温度調節ユニット５から供給される第２加熱流体及び第２冷却流体により温度調節することができる。第２移動ユニット６２が第２設置部材６ａを、第１チャンバー２２に位置しているテストトレイＴから遠ざかるように移動させると、テストトレイＴは、第２コンタクトソケット６１に妨害されることなく、第１チャンバー２２からテストチャンバー２１へと移送可能になる。第２移動ユニット６２は、油圧シリンダーまたは空圧シリンダーを用いるシリンダー方式、モーター及びボールスクリューなどを用いるボールスクリュー方式、モーター、ラックギア及びピニオンギアなどを用いるギア方式、モーター、プーリー及びベルトなどを用いるベルト方式、リニアモーターなどを用いて第２設置部材６ａを移動させることができる。第２コンタクトユニット６は、第１チャンバー２２に移動可能に結合することができる。第２コンタクトユニット６は、一部または全部が第１チャンバー２２に挿入されるように設置できる。

図３及び図４を参照すると、本発明の変形された実施例に係るテストハンドラー１が第２コンタクトユニット６を含む場合、第２温度調節ユニット５は下記のように構成することができる。

第２温度調節ユニット５は第２コンタクトユニット６に結合される。第２温度調節ユニット５は、第２コンタクトユニット６に連結されるように第１チャンバー２２に結合されてもよい。第２温度調節ユニット５は、第２貫通孔６１１のそれぞれに連通するように連結される。第２温度調節ユニット５は、第２貫通孔６１１を通して、第２加熱流体及び第２冷却流体を選択的に供給することができる。これにより、第２温度調節ユニット５は、第２コンタクトソケット６１に接触した半導体素子を加熱したり冷却したりすることができる。第２温度調節ユニット５は、第１チャンバー２２の外部に配置されてもよく、図示してはいないが、第１チャンバー２２の内部に配置されてもよい。

図３及び図４を参照すると、第２温度調節ユニット５は、複数個の第２連結部材５１、及び第２流体供給部５２を含む。

第２連結部材５１のそれぞれは、一側が第２貫通孔６１１に連通するように第２コンタクトソケット６１に結合し、他側は、第２流体供給部５２に連結される。これらの第２連結部材５１には、第２流体供給部５２から第２加熱流体及び第２冷却流体が選択的に供給される。第２加熱流体及び第２冷却流体は、第２流体供給部５２から第２連結部材５１及び第２貫通孔６１１を順に通ってテストトレイＴに収納されている半導体素子に供給される。第２連結部材５１のそれぞれは、第２加熱流体及び第２冷却流体が移動される第２流路（図示せず）が内部に形成される。第２コンタクトソケット６１が、テストトレイＴに収納されている半導体素子に接触するために移動する際、第２温度調節ユニット５は、第２コンタクトソケット６１の移動に従って共に移動してもよく、第２コンタクトソケット６１が移動するにもかかわらず固定していてもよい。第２温度調節ユニット５を固定しているものとする場合、第２連結部材５１は、柔軟性を持つ材質で形成すればよい。これにより、第２コンタクトソケット６１が移動しても、第２加熱流体及び第２冷却流体を、第２コンタクトソケット６１に接触した半導体素子に供給することができる。例えば、第２連結部材５１は、ゴムホース、メタルホース、プラスチックホースなどでよい。

第２流体供給部５２は、第２連結部材５１に第２加熱流体及び第２冷却流体を選択的に供給することができる。第２流体供給部５２は、テストチャンバー２１及びテスターの少なくとも一方から、第１チャンバー２２に位置しているテストトレイＴに、第２加熱流体及び第２冷却流体のいずれを供給しなければならないかに関する情報を受信することができる。第２流体供給部５２は、上述した通り、第１テストトレイＴ１及び第２テストトレイＴ２に対して交互に第１温度及び第２温度に調節する順序に応じて、第２連結部材５１に第２加熱流体及び第２冷却流体を選択的に供給してもよい。第２流体供給部５２は、第２連結器具５２１、第２加熱流体供給部５２２、第２冷却流体供給部５２３及び第２開閉器具５２４を含む。

第２連結器具５２１は、一側が第２連結部材５１に連通するように連結され、他側が第２加熱流体供給部４２及び第２冷却流体供給部５２３に連通するように連結される。第２連結器具５２１は、第２加熱流体供給部４２から第２加熱流体を受けて第２連結部材５１に伝達することができる。第２連結器具５２１は、第２冷却流体供給部５２３から第２冷却流体を受けて第２連結部材５１に伝達することができる。第２連結器具５２１は、第２加熱流体及び第２冷却流体を収容できるような空間が内部に形成された直方体状にするとよい。

第２加熱流体供給部５２２は、第２連結器具５２１に連通するように連結される。第２加熱流体供給部５２２は、第２加熱流体を第２連結器具５２１に供給する。第２加熱流体は、加熱された空気でよい。図示してはいないが、第２加熱流体供給部５２２は、電熱ヒーター、送風ファンなどを含むことができる。この送風ファンが空気を吸い込んで電熱ヒーター側に排出すると、該空気は電熱ヒーターにより加熱されて第２加熱流体にされ、該第２加熱流体を第２連結器具５２１に供給することができる。

第２冷却流体供給部５２３は、第２連結器具５２１に連通するように連結される。第２冷却流体供給部５２３は第２冷却流体を第２連結器具５２１に供給する。第２冷却流体は窒素でよい。図示してはいないが、第２冷却流体供給部５２３は、液化窒素噴射システムなどを含むことができる。

第２開閉器具５２４は、第２加熱流体供給部５２２及び第２冷却流体供給部５２３のいずれか一方を第２連結器具５２１と選択的に連通させる。第２開閉器具５２４は、バルブでよい。第２流体供給部５２は、２個の第２開閉器具４２４を含むことができる。これら第２開閉器具５２４のいずれか一方は、第２加熱流体供給部５２２と第２連結器具５２１とを連通するように連結する流路に設けられ、いずれか他方は、第２冷却流体供給部５２３と第２連結器具５２１とを連通するように連結する流路に設けられてよい。第２流体供給部５２は、第２開閉器具５２４のいずれかを選択的に開放させることによって、第２連結器具５２１に第２加熱流体及び第２冷却流体を選択的に供給することができる。

図３及び図４を参照すると、テストチャンバーユニット２は、第２チャンバー２３をさらに含む。第２チャンバー２３は、テストチャンバー２１から搬出されたテストトレイＴが位置する。すなわち、テストチャンバー２１で半導体素子に対するテストが完了すると、テストトレイＴはテストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送される。第２チャンバー２３は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を常温または常温に近い温度に復元することができる。図示してはいないが、第２チャンバー２３には、電熱ヒーター及び液化窒素噴射システムを設置することができる。

図３及び図５を参照すると、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、ローディングユニット７及びアンローディングユニット８をさらに含む。

ローディングユニット７は、テストされる半導体素子をテストトレイＴにローディングするローディング工程を行う。該ローディング工程の完了したテストトレイＴは、第１チャンバー２２に移送されてよい。ローディングユニット７は、ローディングスタッカー７１、ローディングピッカー７２、及びローディングバッファー７３を含む。

ローディングスタッカー７１には、テストされる半導体素子が入っている顧客トレイ（Ｕｓｅｒ Ｔｒａｙ）（図示せず）が複数個格納される。

ローディングピッカー７２は、ローディングスタッカー７１に位置している顧客トレイから、テストされる半導体素子をピックアップしてテストトレイＴに収納する。テストされる半導体素子がテストトレイＴに収納される時、テストトレイＴはローディング位置（図示せず）に位置していればよい。このローディング位置には、テストトレイＴを支持するための第１支持部材（図示せず）を設けることができる。

ローディングバッファー７３は、テストされる半導体素子を一時的に収納することができる。この場合、ローディングピッカー７２は、第１ローディングピッカー（図示せず）及び第２ローディングピッカー（図示せず）を含むことができる。第１ローディングピッカーは、テストされる半導体素子を、ローディングスタッカー７１に位置している顧客トレイからローディングバッファー７３に移送する。第２ローディングピッカーは、テストされる半導体素子を、ローディングバッファー７３からテストトレイＴに移送する。

図３及び図５を参照すると、アンローディングユニット８は、テスト済みの半導体素子をテストトレイＴからアンローディングするアンローディング工程を行う。テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイＴは、第２チャンバー２３から移送することができる。アンローディングユニット８は、アンローディングスタッカー８１、アンローディングピッカー８２、及びアンローディングバッファー８３を含むことができる。

アンローディングスタッカー８１には、テスト済みの半導体素子が入っている顧客トレイが複数個格納される。テスト済みの半導体素子は、テスト結果に基づき、アンローディングスタッカー８１で等級別に異なる位置に位置している顧客トレイに収納されればよい。

アンローディングピッカー８２は、テストトレイＴからテスト済みの半導体素子をピックアップして、アンローディングスタッカー８１に位置している顧客トレイに収納することができる。テストトレイＴからテスト済みの半導体素子がピックアップされる時、テストトレイＴは、アンローディング位置に位置していればよい。このアンローディング位置には、テストトレイＴを支持するための第２支持部材（図示せず）を設けることができる。

アンローディングバッファー８３は、テスト済みの半導体素子を一時的に収納することができる。この場合、アンローディングピッカー８２は、第１アンローディングピッカー（図示せず）及び第２アンローディングピッカー（図示せず）を含む。第１アンローディングピッカーは、テスト済みの半導体素子をテストトレイＴからアンローディングバッファー８３に移送する。第２アンローディングピッカーは、テスト済みの半導体素子をアンローディングバッファー８３からアンローディングスタッカー８１に位置している顧客トレイに移送する。第２アンローディングピッカーは、アンローディングバッファー８３からピックアップした半導体素子を、テスト結果に基づく等級に該当する顧客トレイに収納させる。

図示してはいないが、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、上述した構成の間にテストトレイＴを移送させるための移送ユニット（図示せず）を含むことができる。移送ユニットは、複数個のプーリー、これらプーリーのうち少なくとも一つを回転させるモーター、プーリー同士を連結するベルト、及びベルトに結合する移送手段を含むことができる。この移送手段は、ベルトが移動するに従って移動しながらテストトレイＴを押したり引いたりすることで、テストトレイＴを移送させることができる。本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、移送ユニットを複数個含むことができる。これらの移送ユニットは、テストトレイＴがローディング位置、第１チャンバー２２、テストチャンバー２１、第２チャンバー２３、アンローディング位置、及びローディング位置に移送されながら循環するようにテストトレイＴを移送させることができる。

図５を参照すると、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、ローテーター９をさらに含む。

ローテーター９は、テストされる半導体素子が収納されたテストトレイＴを回転させることができる。これにより、テストトレイＴは水平状態から垂直状態に回転できる。ローテーター９は、テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイＴを回転させることができる。これにより、テストトレイＴは垂直状態から水平状態に回転できる。したがって、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、水平状態のテストトレイＴにローディング工程及びアンローディング工程を行うことができ、垂直状態のテストトレイＴにテスト工程を行うことができる。

上述したように、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、ローディング位置に位置しているテストトレイＴにローディング工程を行うことができ、アンローディング位置に位置しているテストトレイＴにアンローディング工程を行うことができる。

ここで、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、互いに同一の位置にしたローディング位置及びアンローディング位置を含むことができる。すなわち、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、一つのテストトレイＴにローディング工程及びアンローディング工程を行うことがある。アンローディングピッカー８２がテストトレイＴからテスト済みの半導体素子を分離すると、ローディングピッカー７２が、半導体素子の分離によりできた空席にテストされる半導体素子を収納させることができる。この場合、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、一つのローテーター９を含むことができる。

本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、互いに異なる位置にしたローディング位置及びアンローディング位置を含むことができる。すなわち、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、互いに異なるテストトレイＴにそれぞれローディング工程とアンローディング工程を行うことができる。この場合、ローテーター９は、第１ローテーター９１及び第２ローテーター９２を含むことができる。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイＴは、ローディング位置から第１チャンバー２２に移送でき、この過程で第１ローテーター９１により回転され、水平状態から垂直状態になればよい。第１ローテーター９１は、第１チャンバー２２の内部に配置されてもよく、第１チャンバー２２の外部に配置されてもよい。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイＴは、第１チャンバー２２の内部で回転してもよく、第１チャンバー２２の外部で回転してもよい。テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイＴは、第２チャンバー２３からアンローディング位置に移送でき、この過程で第２ローテーター９２により回転され、垂直状態から水平状態になればよい。第２ローテーター９２は、第２チャンバー２３の内部に配置されてもよく、第２チャンバー２３の外部に配置されてもよい。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイＴは、第２チャンバー２３の内部で回転してもよく、第２チャンバー２３の外部で回転してもよい。

図示してはいないが、本発明の他の変形された実施例に係るテストハンドラー１は、連結部をさらに含むことができる。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイＴは、ローディング位置から連結部を経て第１チャンバー２２に移送できる。テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイＴは、第２チャンバー２３から連結部を経てアンローディング位置に移送できる。この場合、ローディング位置及びアンローディング位置は、互いに異なる位置にすればよく、連結部には一つのローテーター９を設置することができる。テストされる半導体素子が収納されたテストトレイＴは、ローテーター９により回転され、水平状態から垂直状態になればよく、テスト済みの半導体素子が収納されたテストトレイＴは、ローテーター９により回転され、垂直状態から水平状態になればいい。

以下では、本発明に係る半導体素子テスト方法の好適な実施例を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１乃至図６を参照すると、本発明に係る半導体素子テスト方法は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を、第１温度及び第２温度のいずれかの温度でまずテストした後、残りの温度でテストする方法に関するものである。本発明に係る半導体素子テスト方法は、上述した本発明に係るテストハンドラーを用いて行うことができる。本発明に係る半導体素子テスト方法は、下記のように行われる。

まず、第１テストトレイＴ１（図３）をテストチャンバー２１に搬入する（Ｓ１）。この工程Ｓ１は、半導体素子が収納された第１テストトレイＴ１が移送ユニットにより第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送されることによってなることができる。

次に、テストチャンバー２１で第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度でテストした後、第２温度でテストする（Ｓ２）。この工程Ｓ２は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節し、ハイフィックスボードＨに接続させてテストした後、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第２温度に調節してテストすることによってなることができる。第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子に対するテストは、ハイフィックスボードＨに連結されたテスター（図示せず）により行うことができる。この工程Ｓ２において、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子の温度は、第１温度調節ユニット４により調節できる。

次に、第１テストトレイＴ１をテストチャンバー２１から搬出し、第２テストトレイＴ２をテストチャンバー２１に搬入する（Ｓ３）。この工程Ｓ３は、第１テストトレイＴ１が移送ユニットによりテストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送された後、第２テストトレイＴ２が移送ユニットにより第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送されることによってなることができる。第１テストトレイＴ１がテストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送され、所定の待機時間が経過した後、第２テストトレイＴ２が第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送されてもよい。第１テストトレイＴ１がテストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送され、第２テストトレイＴ２が第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送されることは、同時に行われてもよい。

次に、テストチャンバー２１で第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度でテストした後、第１温度でテストする（Ｓ４）。この工程Ｓ４は、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節し、ハイフィックスボードＨに接続させてテストした後、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第１温度に調節してテストすることによってなることができる。第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子に対するテストは、ハイフィックスボードＨに連結されたテスター（図示せず）により行うことができる。この工程Ｓ４において、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子の温度は、第１温度調節ユニット４により調節できる。したがって、本発明に係る半導体素子テスト方法は、下記のような作用効果を得ることができる。

第一、本発明に係る半導体素子テスト方法は、テストトレイＴに収納されている半導体素子を高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かをテストすることができる。これにより、本発明に係る半導体素子テスト方法は、２台のテストハンドラーを用いる従来の技術に比べて、半導体素子をテストするのにかかるコストを低減でき、結果として半導体素子の製造原価を下げることができる。

第二、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子をテストする工程Ｓ２では、半導体素子を第１温度にまず調節した後に第２温度に調節したが、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子をテストする工程Ｓ４では、半導体素子を第２温度にまず調節する。第２テストトレイＴ２がテストチャンバー２１に搬入される直前に、第１温度調節ユニット４などが第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第２温度に調節する過程で冷却された状態であるから、第２テストトレイＴ２を第２温度にまず調節する方が、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節するのにかかる時間を減らすことができるわけである。したがって、本発明に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に対するテスト工程を行った後に、第２テストトレイＴ２に対するテスト工程を行うのにかかる時間を減らすことができる。

次に、第２テストトレイＴ２をテストチャンバー２１から搬出する（Ｓ５）。この工程Ｓ５は、第２テストトレイＴ２が移送ユニットによりテストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送されることによってなることができる。

本発明に係る半導体素子テスト方法は、上述の工程を繰り返し行うことによって、半導体素子に対するテストを完了できる。

図１乃至図５、及び図７を参照すると、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、下記のように行うことができる。本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、上述した本発明に係る半導体素子テスト方法と概略一致するので、以下では、異なる部分のみを、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

まず、第１テストトレイＴ１をテストチャンバー２１に搬入する工程Ｓ１は、第１チャンバー２２で、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節する工程Ｓ１１、及び第１テストトレイＴ１を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送する工程Ｓ１２を含む。

第１チャンバー２２で、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節する工程Ｓ１１は、第２温度調節ユニット５が第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節することによってなることができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー２１で第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１温度でまずテストされることに対応するように、第１チャンバー２２で第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度にあらかじめ調節することができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー２１で第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節する時間を省くことができ、結果として第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。

第１テストトレイＴ１を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送する工程Ｓ１２は、移送ユニットが第１テストトレイＴ１を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送することによってなることができる。第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送される第１テストトレイＴ１には、第１温度に調節された半導体素子が収納されている。

次に、第２テストトレイＴ２をテストチャンバー２１に搬入する工程Ｓ３は、第１テストトレイＴ１をテストチャンバー２１から搬出する工程Ｓ３１、第１チャンバー２２で第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節する工程Ｓ３２、及び第２テストトレイＴ２を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送する工程Ｓ３３を含む。
第１テストトレイＴ１をテストチャンバー２１から搬出する工程Ｓ３１は、移送ユニットが第１テストトレイＴ１をテストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送することによってなることができる。テストチャンバー２１から第２チャンバー２３に移送される第１テストトレイＴ１には、テスト済みの半導体素子が収納されている。

第１チャンバー２２で第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節する工程Ｓ３２は、第２温度調節ユニット５が第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節することによってなることができる。したがって、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー２１で第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子が第２温度でまずテストされることに対応するように、第１チャンバー２２で第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度にあらかじめ調節することができる。このため、本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、テストチャンバー２１で第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節する時間を省くことができ、結果として第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。

第２テストトレイＴ２を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送する工程Ｓ３３は、移送ユニットが第２テストトレイＴ２を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送することによってなることができる。第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送される第２テストトレイＴ２には、第２温度に調節された半導体素子が収納されている。

図１乃至図５、及び図８を参照すると、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、下記のように行うことができる。本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、上述した本発明に係る半導体素子テスト方法及び本発明の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法と概略一致するので、以下では、異なる部分のみを、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

まず、第１チャンバー２２で、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節する工程Ｓ１１は、第１チャンバー２２で第２コンタクトユニット６を第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子に接触させる工程Ｓ１１１、及び第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子に第２加熱流体を供給する工程Ｓ１１２を含む。

第１チャンバー２２で第２コンタクトユニット６を第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子に接触させる工程Ｓ１１１は、第２移動ユニット６２が第２コンタクトソケット６１を、第１テストトレイＴ１に近づく方向に移動させることによってなることができる。

第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子に第２加熱流体を供給する工程Ｓ１１２は、第２温度調節ユニット５が、第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子に第２加熱流体を供給することによってなることができる。この工程Ｓ１１２において、第２加熱流体は、第２加熱流体供給部５２２から第２連結器具５２１に供給され、続いて第２連結器具５２１から第２連結部材５１を経て第２貫通孔６１１を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子は、第１温度に調節可能である。

したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第２コンタクトユニット６に接触した状態で温度が調節されるので、第１チャンバー２２の内部の温度を調節することに比べて、半導体素子を第１温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第２コンタクトユニット６に接触した状態で温度が調節されるので、第２コンタクトソケット６と半導体素子との間から第２加熱流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。その結果、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。

次に、第１テストトレイＴ１を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送する工程Ｓ１２は、第２コンタクトユニット６を、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、第１テストトレイＴ１を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送することによってなることができる。このような工程Ｓ１２は、第２移動ユニット６２が第２コンタクトソケット６１を第１テストトレイＴ１から遠ざかる方向に移動させた後に、移送ユニットが第１テストトレイＴ１を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送することによってなることができる。

次に、テストチャンバー２１で第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度でテストした後、第２温度でテストする工程Ｓ２は、下記のように行われる。

まず、テストチャンバー２１で第１コンタクトユニット３を第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子に接触させる（Ｓ２１）。この工程Ｓ２１は、第１移動ユニット３２が第１コンタクトソケット３１を第１テストトレイＴ１に近づく方向に移動させることによってなることができる。この工程Ｓ２１により、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子は、ハイフィックスボードＨに接続できる。

次に、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給する（Ｓ２２）。この工程Ｓ２２は、第１温度調節ユニット４が、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給することによってなることができる。この工程Ｓ２２において、第１加熱流体は、第１加熱流体供給部４２２から第１連結器具４２１に供給され、第１連結器具４２１から第１連結部材４１を経て第１貫通孔３１１を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子は、第１温度に調節できる。

したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１コンタクトユニット３に接触した状態で温度が調節されるので、テストチャンバー２１の内部温度を調節することに比べて、半導体素子を第１温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１コンタクトユニット３に接触した状態で温度が調節されるので、第１コンタクトソケット３と半導体素子との間から第１加熱流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。その結果、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第１温度に調節するのにかかる時間を減らすことによって、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。

次に、第１加熱流体により加熱される半導体素子をテストした後、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体を供給する（Ｓ２３）。この工程Ｓ２３は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続した状態で、第１温度調節ユニット４が、第１温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給することによってなることができる。そして、この工程Ｓ２３は、第１加熱流体により加熱される半導体素子に対するテストが完了すると、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続した状態で、第１温度調節ユニット４が、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体を供給することによってなることができる。この工程Ｓ２３において、第１冷却流体は、第１冷却流体供給部４２３から第１連結器具４２１に供給され、続いて第１連結器具４２１から第１連結部材４１を経て第１貫通孔３１１を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子は、第２温度に調節可能である。

したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１コンタクトユニット３に接触した状態で温度が調節されるので、テストチャンバー２１の内部温度を調節することに比べて、半導体素子を第２温度に調節するのにかかる時間を減らすことができる。また、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子が第１コンタクトユニット３に接触した状態で温度が調節されるので、第１コンタクトユニット３と半導体素子との間から第１冷却流体が漏洩されることから生じる熱損失を低減できる。したがって、本発明の他の変形された実施例に係る半導体素子テスト方法は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子を第２温度に調節するのにかかる時間を減らすことによって、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子をテストするのにかかる時間を減らすことができる。

次に、第１冷却流体により冷却される半導体素子をテストする（Ｓ２４）。この工程Ｓ２４は、第１テストトレイＴ１に収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続した状態で、第１温度調節ユニット４が、第２温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体を供給することによってなることができる。第２温度に調節された半導体素子に対するテストが完了すると、第１移動ユニット３２は第１コンタクトソケット３１を第１テストトレイＴ１から遠ざかる方向に移動させることができる。

図１乃至図５、及び図８を参照すると、第１チャンバー２２において第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度に調節する工程Ｓ３２は、第１チャンバー２２において第２コンタクトユニット６を第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子に接触させる工程Ｓ３２１、及び第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子に第２冷却流体を供給する工程Ｓ３２２を含む。

まず、第１チャンバー２２において第２コンタクトユニット６を第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子に接触させる工程Ｓ３２１は、第２移動ユニット６２が第２コンタクトソケット６１を第２テストトレイＴ２に近づく方向に移動させることによってなることができる。

次に、第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子に第２冷却流体を供給する工程Ｓ３２２は、第２温度調節ユニット５が、第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子に第２冷却流体を供給することによってなることができる。この工程Ｓ３２２において、第２冷却流体は、第２冷却流体供給部５２３から第２連結器具５２１に供給され、続いて第２連結器具５２１から第２連結部材５１を経て第２貫通孔６１１を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第２コンタクトユニット６に接触した半導体素子は、第２温度に調節可能である。

図１乃至図５、及び図８を参照すると、第２テストトレイＴ２を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送する工程Ｓ３３は、第２コンタクトユニット６を第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、第２テストトレイＴ２を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送することによってなることができる。この工程Ｓ３３は、第２移動ユニット６２が第２コンタクトソケット６１を第２テストトレイＴ２から遠ざかる方向に移動させた後に、移送ユニットが第２テストトレイＴ２を第１チャンバー２２からテストチャンバー２１に移送することによってなることができる。

図１乃至図５、及び図８を参照すると、テストチャンバー２１において第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子を第２温度でテストした後、第１温度でテストする工程Ｓ４は、下記の工程を含む。

まず、テストチャンバー２１において第１コンタクトユニット３を第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子に接触させる（Ｓ４１）。この工程Ｓ４１は、第１移動ユニット３２が第１コンタクトソケット３１を第２テストトレイＴ２に近づく方向に移動させることによってなることができる。この工程Ｓ４１により、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子は、ハイフィックスボードＨに接続可能である。

次に、第１コンタクトユニット３に接触された半導体素子に第１冷却流体を供給する（Ｓ４２）。この工程Ｓ４２は、第１温度調節ユニット４が、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体を供給することによってなることができる。この工程Ｓ４２において、第１冷却流体は、第１冷却流体供給部４２３から第１連結器具４２１に供給され、続いて第１連結器具４２１から第１連結部材４１を経て第１貫通孔３１１を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子は、第２温度に調節可能である。

次に、第１冷却流体により冷却される半導体素子をテストした後、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給する（Ｓ４３）。この工程Ｓ４３は、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続した状態で、第１温度調節ユニット４が、第２温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１冷却流体を供給することによってなることができる。そして、この工程Ｓ４３は、第１冷却流体により冷却される半導体素子に対するテストが完了すると、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続した状態で、第１温度調節ユニット４が、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給することによってなることができる。この工程Ｓ４３において、第１加熱流体は、第１加熱流体供給部４２２から第１連結器具４２１に供給され、続いて第１連結器具４２１から第１連結部材４１を経て第１貫通孔３１１を通って半導体素子に供給されてよい。これにより、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子は、第１温度に調節可能である。

次に、第１加熱流体により加熱される半導体素子をテストする（Ｓ４４）。この工程Ｓ４４は、第２テストトレイＴ２に収納されている半導体素子がハイフィックスボードＨに接続した状態で、第１温度調節ユニット４が、第１温度に調節された半導体素子に対するテストが完了するまで、第１コンタクトユニット３に接触した半導体素子に第１加熱流体を供給することによってなることができる。第１温度に調節された半導体素子に対するテストが完了すると、第１移動ユニット３２は、第１コンタクトソケット３１を第２テストトレイＴ２から遠ざかる方向に移動させることができる。

以上説明してきた本発明は、半導体素子が高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かをテストできるようにしたため、半導体素子をテストするのにかかるコストを低減でき、結果として半導体素子の製造原価を下げることができる。

また、本発明は、半導体素子が高温環境及び低温環境の両方に対して正常に作動するか否かをテストする際、半導体素子の温度を調節するのにかかる時間を減らすことができ、結果として半導体素子をテストするのにかかる時間を短縮することができる。

以上説明してきた本発明は、上述の実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということは、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者には明らかであろう。

Claims (13)

1. 第１テストトレイに収納されている半導体素子を、テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストする段階と、
   前記第１テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、
   第２テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、
   前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を、前記ハイフィックスボードに接続させてテストする段階と、
   を含み、
   前記第１テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を加熱してテストした後、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を冷却してテストする段階を含み、
   前記第２テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を冷却してテストした後、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を加熱してテストする段階を含むことを特徴とする、半導体素子テスト方法。
2. 前記第１テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、
   前記テストチャンバーに設けられた第１コンタクトユニットを、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、
   前記第１コンタクトユニットに接触した半導体素子に第１加熱流体を供給する段階と、
   前記第１加熱流体により加熱される半導体素子をテストした後、前記第１コンタクトユニットに接触した半導体素子に第１冷却流体を供給する段階と、
   前記第１冷却流体により冷却される半導体素子をテストする段階と、
   を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子テスト方法。
3. 前記第２テストトレイに収納されている半導体素子をテストする段階は、
   前記テストチャンバーに設けられた第１コンタクトユニットを、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、
   前記第１コンタクトユニットに接触した半導体素子に第１冷却流体を供給する段階と、
   前記第１冷却流体により冷却される半導体素子をテストした後、前記第１コンタクトユニットに接触した半導体素子に第１加熱流体を供給する段階と、
   前記第１加熱流体により加熱される半導体素子をテストする段階と、
   を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子テスト方法。
4. 第１チャンバーに設けられた第２コンタクトユニットを、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、
   前記第２コンタクトユニットに接触した半導体素子に第２加熱流体を供給する段階と、
   前記第２コンタクトユニットを、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、前記第１テストトレイを前記第１チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階と、
   を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子テスト方法。
5. 前記第２テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階は、
   第１チャンバーに設けられた第２コンタクトユニットを、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子に接触させる段階と、
   前記第２コンタクトユニットに接触した半導体素子に第２冷却流体を供給する段階と、
   前記第２コンタクトユニットを、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子から遠ざかるように移動させた後、前記第２テストトレイを前記第１チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階と、
   を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子テスト方法。
6. 半導体素子の収納されている第１テストトレイをテストチャンバーに搬入する段階と、
   前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を第１温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を、前記第１温度と異なる第２温度に調節してテストする段階と、
   前記第１テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、
   第２テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階と、
   前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を前記第２温度に調節し、前記テストチャンバーに設けられたハイフィックスボードに接続させてテストした後、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を前記第１温度に調節してテストする段階と、
   前記第２テストトレイを前記テストチャンバーから搬出する段階と、
   を含む、半導体素子テスト方法。
7. 前記第１テストトレイをテストチャンバーに搬入する段階は、前記第１テストトレイに収納されている半導体素子を、前記テストチャンバーに連結されるように設けられた第１チャンバーで前記第１温度に調節する段階、及び前記第１テストトレイを前記第１チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階を含み、
   前記第２テストトレイを前記テストチャンバーに搬入する段階は、前記第２テストトレイに収納されている半導体素子を、前記第１チャンバーで前記第２温度に調節する段階、及び前記第２テストトレイを前記第１チャンバーから前記テストチャンバーに移送する段階を含むことを特徴とする、請求項６に記載の半導体素子テスト方法。
8. テストトレイに収納されている半導体素子をテストするためのハイフィックスボードが設けられたテストチャンバーと、
   前記テストチャンバーに設けられ、前記テストトレイに収納されている半導体素子を前記ハイフィックスボードに接続させるための第１コンタクトユニットと、
   前記第１コンタクトユニットに結合し、前記テストチャンバーに位置している半導体素子が第１温度及び該第１温度よりも低い第２温度のいずれかの温度でまずテストされた後に残りの温度でテストされるように、前記第１コンタクトユニットに接触した半導体素子に第１加熱流体及び第１冷却流体を選択的に供給する第１温度調節ユニットと、
   を含むテストハンドラー。
9. 前記第１コンタクトユニットは、前記テストトレイに収納されている半導体素子にそれぞれ接触する複数個の第１コンタクトソケットを含み、前記第１コンタクトソケットのそれぞれには第１貫通孔が形成され、
   前記第１温度調節ユニットは、前記第１貫通孔のそれぞれに連通するように連結される複数個の第１連結部材、及び前記第１連結部材に前記第１加熱流体及び前記第１冷却流体を選択的に供給する第１流体供給部を含むことを特徴とする、請求項８に記載のテストハンドラー。
10. 前記第１流体供給部は
    前記第１連結部材に連通するように連結された第１連結器具と、
    前記第１連結器具に前記第１加熱流体を供給する第１加熱流体供給部と、
    前記第１連結器具に前記第１冷却流体を供給する第１冷却流体供給部と、
    前記第１加熱流体供給部及び前記第１冷却流体供給部のいずれか一方を前記第１連結器具と選択的に連通させる第１開閉器具と、
    を含むことを特徴とする、請求項９に記載のテストハンドラー。
11. 前記テストチャンバーに移送されるテストトレイが位置し、前記テストチャンバーに連結されるように設けられた第１チャンバーと、
    前記第１チャンバーに設けられ、前記第１チャンバーに位置しているテストトレイに収納されている半導体素子に接触する第２コンタクトユニットと、
    前記第２コンタクトユニットに結合し、前記第２コンタクトユニットに接触した半導体素子を、前記第１温度に調節するための第２加熱流体及び前記第２温度に調節するための第２冷却流体を選択的に供給する第２温度調節ユニットと、
    を含むことを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のテストハンドラー。
12. 前記第２コンタクトユニットは、前記テストトレイに収納されている半導体素子にそれぞれ接触する複数個の第２コンタクトソケットを含み、前記第２コンタクトソケットのそれぞれには第２貫通孔が形成され、
    前記第２温度調節ユニットは、前記第２貫通孔のそれぞれに連通するように連結される複数個の第２連結部材、及び前記第２連結部材に前記第２加熱流体及び前記第２冷却流体を選択的に供給する第２流体供給部を含むことを特徴とする、請求項１１に記載のテストハンドラー。
13. 前記第２流体供給部は、
    前記第２連結部材に連通するように連結された第２連結器具と、
    前記第２連結器具に前記第２加熱流体を供給する第２加熱流体供給部と、
    前記第２連結器具に前記第２冷却流体を供給する第２冷却流体供給部と、
    前記第２加熱流体供給部及び前記第２冷却流体供給部のいずれか一方を、前記第２連結器具と選択的に連通させる第２開閉器具と、
    を含むことを特徴とする、請求項１２に記載のテストハンドラー。

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