TWI555107B - 測試分類機及半導體元件測試方法 - Google Patents

測試分類機及半導體元件測試方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI555107B
TWI555107B TW100141908A TW100141908A TWI555107B TW I555107 B TWI555107 B TW I555107B TW 100141908 A TW100141908 A TW 100141908A TW 100141908 A TW100141908 A TW 100141908A TW I555107 B TWI555107 B TW I555107B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
test
test tray
chamber
temperature
semiconductor element
Prior art date
Application number
TW100141908A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201227860A (en
Inventor
金鍾賢
李宗燦
李應龍
朴海俊
Original Assignee
未來產業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 未來產業股份有限公司 filed Critical 未來產業股份有限公司
Publication of TW201227860A publication Critical patent/TW201227860A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI555107B publication Critical patent/TWI555107B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Description

測試分類機及半導體元件測試方法
本發明係關於一種用以對半導體元件進行測試之測試分類機及半導體元件測試方法。
記憶體或非記憶體半導體元件等(以下稱為“半導體元件”)係經過多種測試過程而製造。此種測試過程中所使用之設備即為測試分類機。
上述測試分類機與用以對半導體元件進行測試之測試器連結。上述測試器包括高精度定位板(HIFIX Board)，其設置有複數個連接半導體元件之測試插頭。上述高精度定位板結合於上述測試分類機。
上述測試分類機利用測試托盤執行裝載步驟、測試步驟及卸載步驟。於測試托盤上，設置有複數個收納半導體元件之載體模塊。
上述測試分類機執行將載置於使用者托盤(User tray)上之測試之半導體元件收納至測試托盤上之裝載步驟。
上述測試分類機執行將通過上述裝載步驟而收納至測試托盤上之半導體元件連接於上述高精度定位板之測試步驟。上述測試器為了確認半導體元件所具有之性能，對連接於上述高精度定位板 之半導體元件進行測試。
上述測試分類機執行卸載步驟，其係將經過上述測試步驟而測試之半導體元件自測試托盤分離，並根據測試結果收納至與其級別相應之使用者托盤上。
此處，需要測試半導體元件是否不僅於常溫環境下，而且亦於高溫環境與低溫環境下正常動作。因此，先前要求用以於高溫環境下對半導體元件進行測試之第一測試分類機、與用以於低溫環境下對半導體元件進行測試之第二測試分類機。因此，根據先前技術，對在高溫環境與低溫環境下對半導體元件進行測試而言，需要相當多之費用，因此存在提高半導體元件之製造單價之問題。
本發明係為了解決如上所述之問題而提出者，其目的在於提供一種可於高溫環境與低溫環境下對半導體元件進行測試之測試分類機及半導體元件測試方法。
本發明之另一目的在於提供一種可減少於高溫環境與低溫環境下對半導體元件進行測試所需之時間之測試分類機及半導體元件測試方法。
為了實現如上所述之目的，本發明可包括如下之構成。
本發明之測試分類機可包括：測試腔室，其設置有用以對收納於測試托盤上之半導體元件進行測試之高精度定位板；第一接觸單元，其設置於上述測試腔室內，用以將收納於上述測試托盤上之半導體元件連接於上述高精度定位板；及第一溫度調節單元，其結合 於上述第一接觸單元，並向與上述第一接觸單元接觸之半導體元件選擇性地供給第一加熱流體與第一冷卻流體，以便位於上述測試腔室內之半導體元件於先以第一溫度及低於上述第一溫度之第二溫度中之任一溫度進行測試後，以剩餘之一溫度進行測試。
本發明之半導體元件測試方法可包括如下之步驟：向測試腔室內搬入收納有半導體元件之第一測試托盤之步驟；於將收納於上述第一測試托盤上之半導體元件調節為第一溫度，並連接於設置於上述測試腔室內之高精度定位板而進行測試後，將收納於上述第一測試托盤上之半導體元件調節為與上述第一溫度不同(相異)之第二溫度而進行測試之步驟；自上述測試腔室搬出上述第一測試托盤之步驟；將第二測試托盤搬入至上述測試腔室內之步驟；於將收納於上述第二測試托盤上之半導體元件調節為上述第二溫度，並連接於設置於上述測試腔室內之高精度定位板而進行測試後，將收納於上述第二測試托盤上之半導體元件調節為上述第一溫度而進行測試之步驟；及自上述測試腔室搬出上述第二測試托盤之步驟。
本發明之半導體元件測試方法可包括如下之步驟：向測試腔室內搬入收納有半導體元件之第一測試托盤之步驟；於將收納於上述第一測試托盤上之半導體元件調節為第一溫度，並連接於設置於上述測試腔室內之高精度定位板而進行測試後，將收納於上述第一測試托盤上之半導體元件調節為低於上述第一溫度之第二溫度而進行測試之步驟；自上述測試腔室搬出上述第一測試托盤之步驟；將第二測試托盤搬入至上述測試腔室之步驟；於將收納於上述第二測試托盤上 之半導體元件調節為上述第二溫度，並連接於設置於上述測試腔室內之高精度定位板而進行測試後，將收納於上述第二測試托盤上之半導體元件調節為上述第一溫度而進行測試之步驟；及自上述測試腔室搬出上述第二測試托盤之步驟。
1‧‧‧測試分類機
2‧‧‧腔室單元
3‧‧‧第一接觸單元
3a‧‧‧第一設置構件
3b‧‧‧第一彈性構件
4‧‧‧第一溫度調節單元
5‧‧‧第二溫度調節單元
6‧‧‧第二接觸單元
6a‧‧‧第二設置構件
6b‧‧‧第二彈性構件
7‧‧‧裝載單元
8‧‧‧卸載單元
9‧‧‧旋轉器
21‧‧‧測試腔室
22‧‧‧第一腔室
23‧‧‧第二腔室
31‧‧‧第一接觸插頭
32‧‧‧第一移動單元
41‧‧‧第一連結構件
42‧‧‧第一流體供給部
51‧‧‧第二連結構件
52‧‧‧第二流體供給部
61‧‧‧第二接觸插頭
62‧‧‧第二移動單元
71‧‧‧裝載推疊器
72‧‧‧裝載拾取器
73‧‧‧裝載緩衝器
81‧‧‧卸載推疊器
82‧‧‧卸載拾取器
83‧‧‧卸載緩衝器
91‧‧‧第一旋轉器
92‧‧‧第二旋轉器
211‧‧‧軌道
221‧‧‧軌道
311‧‧‧第一貫通孔
421‧‧‧第一連結機構
422‧‧‧第一加熱流體供給部
423‧‧‧第一冷卻流體供給部
424‧‧‧第一開閉機構
521‧‧‧第二連結機構
522‧‧‧第二加熱流體供給部
523‧‧‧第二冷卻流體供給部
524‧‧‧第二開閉機構
611‧‧‧第二貫通孔
C‧‧‧載體模塊
H‧‧‧高精度定位板
T‧‧‧測試托盤
T1‧‧‧第一測試托盤
S1~S44‧‧‧步驟
第1圖係本發明之測試分類機之概略性之俯視圖。
第2圖係本發明之測試腔室、第一接觸單元及第一溫度調節單元之概略性之側視圖。
第3圖係本發明之經變形之實施例之測試分類機的概略性之俯視圖。
第4圖係本發明之第一腔室、第二接觸單元及第二溫度調節單元之概略性之側視圖。
第5圖係本發明之另一經變形之實施例之測試分類機的概略性之模塊圖。
第6圖係本發明之半導體元件測試方法之流程圖。
第7圖係本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法的流程圖。
第8圖係本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法的流程圖。
以下，參照隨附圖式，詳細地對本發明之測試分類機之較理想之實施例進行說明。
參考第1圖及第2圖，本發明之測試分類機(1)包括腔室 單元(2，圖示於第3圖)。上述腔室單元(2，圖示於第3圖)包括設置有高精度定位板(H)之測試腔室(21)。上述高精度定位板(H)對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件進行測試。
本發明之測試分類機(1)包括：第一接觸單元(3)，其用以使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)；及第一溫度調節單元(4)，其向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件選擇性地供給第一加熱流體與第一冷卻流體。上述第一溫度調節單元(4)可藉由向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給第一加熱流體，而對半導體元件進行加熱。藉此，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件可於調節為第一溫度後，連接於上述高精度定位板(H)而進行測試。上述第一溫度調節單元(4)可藉由向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給冷卻流體，而對半導體元件進行冷卻。藉此，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件可於調節為與上述第一溫度不同(相異)之第二溫度後，連接於上述高精度定位板(H)而進行測試。
因此，本發明之測試分類機(1)能夠以如下之方式實現：可測試收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件是否相對於高溫環境與低溫環境均正常動作。藉此，於與如先前技術般使用二台測試分類機之情形相比時，本發明之測試分類機(1)可減少對半導體元件進行測試所需之費用，因此可降低半導體元件之製造單價。於上述中，以上述第一溫度為高於上述第二溫度之溫度之情形進行了說明，但本發明並不限定於此，上述第二溫度亦可為高於上述第一溫度之溫度。於上述第二溫度為高於上述第一溫度之溫度之情形時，上述半導體元件可被 加熱而調節為上述第二溫度，且可被冷卻而調節為上述第一溫度。
以下，參照隨附圖式，具體地對上述測試腔室(21)、上述第一接觸單元(3)及上述第一溫度調節單元(4)進行說明。
參考第1圖及第2圖，於上述測試腔室(21)內，設置有上述高精度定位板(H)。於上述測試腔室(21)內，執行收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)而進行測試之測試步驟。上述高精度定位板(H)以一部分或整個部分插入至上述測試腔室(21)內之方式設置。上述高精度定位板(H)包括連接有收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之測試插頭(未圖示)。上述高精度定位板(H)可包括與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之數量大致一致之數量的測試插頭。例如，於上述測試托盤(T)上，可收納有64個、128個、256個等之半導體元件。上述高精度定位板(H)連結於測試器(未圖示)。上述測試器對連接於上述測試插頭之半導體元件進行測試。上述測試腔室(21)可形成為如下之形態：供上述高精度定位板(H)插入之部分以開放之方式形成，且於內部形成有可定位上述測試托盤(T)之空間之長方體形態。於上述測試腔室(21)內，設置有支撐上述測試托盤(T)之軌道(211，圖示於第2圖)。
參考第1圖及第2圖，上述第一接觸單元(3)設置於上述測試腔室(21)內。上述第一接觸單元(3)使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)。上述第一接觸單元(3)使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件向接近上述高精度定位板(H)之方向、及遠離上述高精度定位板(H)之方向移動。若上述第一接觸單元(3) 使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件向接近上述高精度定位板(H)之方向移動，則收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)。上述測試器對連接於上述高精度定位板(H)之半導體元件進行測試。若對半導體元件之測試完成，則上述第一接觸單元(3)使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件向遠離上述高精度定位板(H)之方向移動。
於上述測試托盤(T)上，設置有用以收納上述半導體元件之載體模塊(C，圖示於第2圖)。於上述載體模塊(C)上，可分別收納至少一個以上之半導體元件。上述載體模塊(C)分別藉由彈簧(未圖示)而可彈性移動地結合於上述測試托盤(T)。若上述第一接觸單元(3)向接近上述高精度定位板(H)之方向推動收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件，則上述載體模塊(C)向接近上述高精度定位板(H)之方向移動。若解除上述第一接觸單元(3)推動收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之力，則上述載體模塊(C)藉由恢復力而向遠離上述高精度定位板(H)之方向移動。於上述載體模塊(C)與半導體元件藉由上述第一接觸單元(3)而移動之過程中，上述測試托盤(T)亦可一同移動。於該情形時，設置於上述測試腔室(21)內之軌道(211)隨著上述測試托盤(T)移動而一同移動。
參考第1圖及第2圖，上述第一接觸單元(3)包括複數個第一接觸插頭(31)。上述第一接觸插頭(31)與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸而可使上述半導體元件移動。藉此，上述半導體元件可連接於上述高精度定位板(H)。上述第一接觸單元(3)可包括與收 納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之數量大致一致之數量的第一接觸插頭(31)。
參考第1圖及第2圖，於各個上述第一接觸插頭(31)上，形成有第一貫通孔(311，圖示於第2圖)。上述第一溫度調節單元(4)可通過上述第一貫通孔(311)，向與上述第一接觸插頭(31)接觸之半導體元件選擇性地供給第一加熱流體與第一冷卻流體。藉此，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件藉由自上述第一溫度調節單元(4)供給之上述第一加熱流體而加熱，從而能移以調節為上述第一溫度之狀態進行測試。而且，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件藉由自上述第一溫度調節單元(4)供給之上述第一冷卻流體而冷卻，從而能夠以調節為上述第二溫度之狀態進行測試。
因此，本發明之測試分類機(1)係於收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件與上述第一接觸插頭(31)接觸之狀態下調節溫度，故於與對上述測試腔室(21)內部之溫度進行調節之情形相比時，可減少對上述半導體元件之溫度進行調節所需之時間。另外，本發明之測試分類機(1)係於收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件與上述第一接觸插頭(31)接觸之狀態下調節溫度，故可減少上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體向上述第一接觸插頭(31)與上述半導體元件之間洩漏而產生熱損失之情形。因此，本發明之測試分類機(1)減少對上述半導體元件之溫度進行調節所需之時間，藉此可減少對上述半導體元件進行測試所需之時間。上述第一接觸插頭(31)於整體上可形成為圓筒形態，上述第一貫通孔(311)可形成為小於上述第一接觸插頭(31)之圓筒形態。
參考如第1圖及第2圖，上述第一接觸單元(3)包括第一設置構件(3a)。於上述第一設置構件(3a)上，設置上述第一接觸插頭(31)。上述第一設置構件(3a)於整體上可形成為四邊板形。上述第一接觸單元(3)包括結合於上述第一接觸插頭(31)與上述第一設置構件(3a)之間之第一彈性構件(3b)。藉由上述第一彈性構件(3b)，上述第一接觸插頭(31)可於結合於上述第一設置構件(3a)之狀態下彈性移動。上述第一彈性構件(3b)可為彈簧。上述第一接觸單元(3)包括使上述第一設置構件(3a)移動之第移動單元(32)。上述第一移動單元(32)可藉由移動上述第一設置構件(3a)，而使上述第一接觸插頭(31)移動。上述第一移動單元(32)可使上述第一接觸插頭(31)向接近上述高精度定位板(H)之方向、及遠離上述高精度定位板(H)之方向移動。上述第一移動單元(32)可利用如下等方式使上述第一設置構件(3a)移動：利用有油壓缸或氣壓缸之汽缸方式；利用有馬達與滾珠螺桿(Ball Screw)等之滾珠螺桿方式；利用有馬達、齒條齒輪(Rack Gear)與小齒輪(Pinion Gear)等之齒輪方式；利用有馬達、滑輪與輸送帶等之輸送帶方式；線性馬達(Linear Motor)等。
參考第1圖及第2圖，上述第一溫度調節單元(4)結合於上述第一接觸單元(3)。上述第一溫度調節單元(4)亦能夠以連結於上述第一接觸單元(3)之方式，結合於上述測試腔室(21)。上述第一溫度調節單元(4)可將收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件調節為上述第一溫度與上述第二溫度。上述第一溫度係用以測試上述半導體元件於高溫環境下是否正常動作之溫度範圍，例如可為120℃左右之溫度範圍。 上述第二溫度係用以測試上述半導體元件於低溫環境下是否正常動作之溫度範圍，例如可為-40℃左右之溫度範圍。
上述第一溫度調節單元(4)向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體，以便收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件於先以第一溫度及第二溫度中之任一溫度進行測試後，以剩餘之一溫度進行測試。
例如，上述第一溫度調節單元(4)可於先向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一加熱流體後，供給上述第一冷卻流體。藉此，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件可於先以調節為上述第一溫度之狀態進行測試後，以調節為上述第二溫度之狀態進行測試。上述第一溫度調節單元(4)可自上述第一接觸插頭(31)與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸之時間點，至以上述半導體元件連接於上述高精度定位板(H)而調節為上述第一溫度之狀態完成測試為止，向上述半導體元件供給上述第一加熱流體。此後，上述第一溫度調節單元(4)可於收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板之狀態下，向上述半導體元件供給上述第一冷卻流體，直至以上述半導體元件調節為上述第二溫度之狀態完成測試為止。
例如，上述第一溫度調節單元(4)可於先向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一冷卻流體後，供給上述第一加熱流體。藉此，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件可於先以調節為上述第二溫度之狀態進行測試後，以調節為上述第一溫度之狀態進行測試。上述第一溫度調節單元(4)自上述第一接觸插頭(31)與收納於 上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸之時間點，至以上述半導體元件連接於上述高精度定位板(H)而調節為上述第二溫度之狀態完成測試為止，向上述半導體元件供給上述第一冷卻流體。此後，上述第一溫度調節單元(4)可於收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板之狀態下，向上述半導體元件供給上述第一加熱流體，直至以上述半導體元件調節為上述第一溫度之狀態完成測試為止。
上述第一溫度調節單元(4)以連通之方式連結於各個上述第一貫通孔(311)。上述第一溫度調節單元(4)可通過上述第一貫通孔(311)供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體。藉此，上述第一溫度調節單元(4)可對與上述第一接觸插頭(31)接觸之半導體元件進行加熱或冷卻。
參考第1圖至第3圖，上述第一溫度調節單元(4)可按照如下之順序，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體。
首先，若向上述測試腔室(21)內搬入收納有半導體元件之第一測試托盤(T1，圖示於第3圖)，則上述第一溫度調節單元(4)向收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件供給上述第一加熱流體。藉此，收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件藉由上述第一加熱流體而加熱，從而可調節為上述第一溫度。
接著，若於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度之狀態下完成測試，則上述第一溫度調節單元(4)向收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件供給上述第一冷卻 流體。藉此，收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件藉由上述第一冷卻流體而冷卻，從而可調節為上述第二溫度。
接著，若於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第二溫度之狀態下完成測試，則上述第一測試托盤(T1)自上述測試腔室(21)搬出。然後，向上述測試腔室(21)內搬入收納有半導體元件之第二測試托盤(T2，圖示於第3圖)。此處，上述第一測試托盤(T1)與上述第二測試托盤(T2)係用以區分搬入至上述測試腔室(2)內之順序，上述第二測試托盤(T2)於上述第一測試托盤(T1)之後向上述測試腔室(21)內搬入。
接著，若向上述測試腔室(21)內搬入上述第二測試托盤(T2)，則上述第一溫度調節單元(4)向收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件供給上述第一冷卻流體。藉此，收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件藉由上述第一冷卻流體而冷卻，從而可調節為上述第二溫度。即，以上相對於上述第一測試托盤(T1)，於先調節為上述第一溫度後，調節為上述第二溫度，但相對於上述第二測試托盤(T2)，先調節為上述第二溫度。其原因在於，於上述第二測試托盤(T2)向上述測試腔室(21)內搬入前，上述第一溫度調節單元(4)、上述第接觸插頭(31)等在將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第二溫度之過程中處於冷卻之狀態，故對上述第二測試托盤(T2)先調節為上述第二溫度之情形可減少將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度所需之時間。因此，本發明之測試分類機(1)可減少於執行對上述第一測試托盤(T1)之測試步驟後，執行對上述第二 測試托盤(T2)之測試步驟所需之時間。
接著，若於收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度之狀態下完成測試，則上述第一溫度調節單元(4)向收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件供給上述第一加熱流體。藉此，收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件藉由上述第一加熱流體而加熱，從而可調節為上述第一溫度。
接著，若於收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第一溫度之狀態下完成測試，則上述第二測試托盤(T2)自上述測試腔室(21)搬出。
根據如上所述之順序，上述第一溫度調節單元(4)可向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件，選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體。相對於在上述第二測試托盤(T2)之後搬入至上述測試腔室(21)內之測試托盤，若將在上述第二測試托盤(T2)之後搬入至上述測試腔室(21)內之第3測試托盤(未圖示)視為上述第一測試托盤(T1)，將在上述第3測試托盤之後搬入至上述測試腔室(21)內之第4測試托盤(未圖示)視為上述第二測試托盤(T2)，則可明確導出上述第一溫度調節單元(4)向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體之順序，故省略對其之具體之說明。另外，於上述中，以相對於上述第一測試托盤(T1)先調節為上述第一溫度之情形進行說明，但亦可自上述明確導出相對於上述第一測試托盤(T1)，於先調節為上述第二溫度後，調節為上述第一溫度之情形，故省略對其之具體之說明。即，本發明之測試分類機(1)可相 對於上述第一測試托盤(T1)，於先調節為上述第一溫度後，調節為上述第二溫度，亦可相對於上述第一測試托盤(T1)，於先調節為上述第二溫度後，調節為上述第一溫度。
參考第1圖及第2圖，上述第一溫度調節單元(4)包括複數個第一連結構件(41)及第一流體供給部(42)。
上述第一連結構件(41)分別以一側與上述第一貫通孔(311)連通之方式，結合於上述第一接觸插頭(31)。上述第一連結構件(41)之另一側分別連結於上述第一流體供給部(42)。上述第一連結構件(41)自上述第一流體供給部(42)選擇性地接收上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體。上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體自上述第一流體供給部(42)經過上述第一連結構件(41)，並通過上述第一貫通孔(311)而供給至收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件。上述第一連結構件(41)分別於內部形成有可供上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體移動之第一流路(未圖示)。於為了使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)而上述第一接觸插頭(31)移動時，上述第一溫度調節單元(4)可隨著上述第一接觸插頭(31)移動而一同移動，且亦可為即便上述第一接觸插頭(31)移動亦處於固定。於上述第一溫度調節單元(4)處於固定之情形時，上述第一連結構件(41)可由具有柔軟性之材質形成。藉此，即便上述第一接觸插頭(31)移動，上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體亦可供給至與上述第一接觸插頭(31)接觸之半導體元件。例如，上述第一連結構件(41)可為橡膠軟管、金屬軟管、塑膠軟管等。
上述第一流體供給部(42)向上述第一連結構件(41)選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體。上述第一流體供給部(42)可自上述測試腔室(21)與上述測試器中之至少一者接收關於如下之資訊：相對於位於上述測試腔室(21)內之測試托盤(T)，應先提供上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體中之哪一者。如上所述，上述第一流體供給部(42)亦可按照如下之順序向上述第一連結構件(41)選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體：相對於上述第一測試托盤(T1)，於先調節為上述第一溫度後，調節為上述第二溫度；相對於上述第二測試托盤(T2)，於先調節為上述第二溫度後，調節為上述第一溫度。上述第一流體供給部(42)包括第一連結機構(421)、第一加熱流體供給部(422)、第一冷卻流體供給部(423)、及第一開閉機構(424)。
上述第一連結機構(421)之一側以連通之方式連結於上述第一連結構件(41)，另一側以連通之方式連結於上述第一加熱流體供給部(422)與上述第一冷卻流體供給部(423)。上述第一連結機構(421)可自上述第一加熱流體供給部(422)接收上述第一加熱流體，向上述第一連結構件(41)傳送。上述第一連結機構(421)可自上述第一冷卻流體供給部(423)接收上述第一冷卻流體，向上述第一連結構件(41)傳送。上述第一連結機構(421)可形成為於內部形成有可收容上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體之空間之長方體形態。
上述第一加熱流體供給部(422)以連通之方式連結於上述第一連結機構(421)。上述第一加熱流體供給部(422)向上述第一連結機構(421)供給上述第一加熱流體。上述第一加熱流體可為經加熱之空 氣。雖未圖示，但上述第一加熱流體供給部(422)可包括電加熱器、送風機等。若上述送風機吸入空氣並向上述電加熱器側排出，則上述空氣可於藉由上述電加熱器加熱而成為上述第一加熱流體後，向上述第一連結機構(421)供給。
上述第一冷卻流體供給部(423)以連通之方式連結於上述第一連結機構(421)。上述第一冷卻流體供給部(423)向上述第一連結機構(421)供給上述第一冷卻流體。上述第一冷卻流體可為氮。雖未圖示，但上述第一冷卻流體供給部(423)可包括液氮噴射系統等。
上述第一開閉機構(424)選擇性地使上述第一加熱流體供給部(422)與上述第一冷卻流體供給部(423)中之任一者與上述第一連結機構(421)連通。上述第一開閉機構(424)可為閥。上述第一流體供給部(42)可包括2個第二開閉機構(524)。上述第二開閉機構(524)中之任一者可設置於以連通之方式將上述第一加熱流體供給部(422)與上述第一連結機構(421)連結之流路內，剩餘之一者可設置於以連通之方式將上述第一冷卻流體供給部(423)與上述第一連結機構(421)連結之流路內。上述第一流體供給部(42)藉由選擇性地使上述第一開閉機構(424)中之任一者開放，可向上述第一連結機構(421)選擇性地供給上述第一加熱流體與上述第一冷卻流體。
參考第3圖及第4圖，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)包括第二溫度調節單元(5)，其用以於上述測試托盤(T)向上述測試腔室(21)內移送前，對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之溫度進行調節。上述腔室單元(2)包括以連結於上述測試腔室(21)之方式 設置之第一腔室(22)。
於上述第一腔室(22)內，定位有向上述測試腔室(21)內移送之測試托盤(T)。於上述第一腔室(22)內，執行收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件藉由上述第二溫度調節單元(5)而調節溫度之步驟。上述第一腔室(22)可形成為於內部形成有可定位上述測試托盤(T)之空間之長方體形態。於上述第一腔室(22)內，設置有支撐上述測試托盤(T)之軌道(221，圖示於第4圖)。於上述第一腔室(22)與上述測試腔室(21)內，分別形成有可供測試托盤(T)移送之通道(未圖示)。可於上述通道內設置有開閉門(未圖示)，以使上述通道僅於上述測試托盤(T)自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送時開放。
參考第3圖及第4圖，上述第二溫度調節單元(5)結合於上述第一腔室(22)。上述第二溫度調節單元(5)可利用第二加熱流體與第二冷卻流體，將收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件調節為上述第一溫度與上述第二溫度。上述第二加熱流體可為經加熱之空氣。上述第二冷卻流體可為氮。
上述第二溫度調節單元(5)可對位於上述第一腔室(22)內之半導體元件之溫度進行調節，以使收納有調節為上述第一溫度之半導體元件之第一測試托盤(T1)、與收納有調節為上述第二溫度之半導體元件之第二測試托盤(T2)交替地移送至上述測試腔室(21)內。於該情形時，若向上述測試腔室(21)內移送上述第一測試托盤(T1)，則上述第一溫度調節單元(4)以收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件於先以上述第一溫度進行測試後，以上述第二溫度進行測試之方式，對 收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件之溫度進行調節。而且，若向上述測試腔室(21)內移送上述第二測試托盤(T2)，則第一溫度調節單元(4)以收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件於先以上述第二溫度進行測試後，以上述第一溫度進行測試之方式，對收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件之溫度進行調節。因此，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)可謀求如下之作用效果。
第一，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)可與於上述第一腔室(22)內，上述半導體元件先以上述第一溫度與上述第二溫度中之任一溫度進行測試對應地，於上述第一腔室(22)內，預先對上述半導體元件之溫度進行調節。因此，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)減少於上述測試腔室(21)內對半導體元件之溫度進行調節之時間，藉此可減少對上述半導體元件進行測試所需之時間。
第二，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)於在上述測試腔室(21)內執行對上述半導體元件之測試之期間，可預先將上述半導體元件之溫度調節為上述第一溫度與上述第二溫度中之任一溫度。因此，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)減少於上述測試腔室(21)內對上述半導體元件之溫度進行調節所需之時間，藉此可減少對上述半導體元件進行測試所需之時間。
雖未圖示，但上述第二溫度調節單元(5)藉由利用第二加熱流體與第二冷卻流體對上述第一腔室(22)內部之溫度進行調節，可對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之溫度進行調節。藉此，對在將上述第一腔室(22)之內部調節為上述第一溫度後，調節為上述第二溫 度而言，需要相當長之時間，因此對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之溫度進行調節所需之時間亦增加。為了減少對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之溫度進行調節所需之時間，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)更包括第二接觸單元(6)。
參考第3圖及第4圖，上述第二接觸單元(6)設置於上述第一腔室(22)內。上述第二接觸單元(6)可與收納於位於上述第一腔室(22)內之測試托盤(T)上之半導體元件接觸。於該情形時，上述第二溫度調節單元(5)可向與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件選擇性地供給上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體。藉此，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件藉由自上述第二溫度調節單元(5)供給之上述第二加熱流體而加熱，從而可調節為上述第一溫度。而且，收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件藉由自上述第二溫度調節單元(5)供給之上述第二冷卻流體而冷卻，從而可調節為上述第二溫度。
因此，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)係於收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件與上述第二接觸單元(6)接觸之狀態下調節溫度，故於與對上述第一腔室(22)內部之溫度進行調節之情形相比時，可減少對上述半導體元件之溫度進行調節所需之時間。另外，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)係於收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件與上述第二接觸單元(6)接觸之狀態下調節溫度，故可減少上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體向上述第二接觸單元(6)與上述半導體元件之間洩漏而產生熱損失之情形。因此，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)可減少於上述第一腔室(22)內對 上述半導體元件之溫度進行調節所需之時間。
參考第3圖及第4圖，上述第二接觸單元(6)包括用以與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸之複數個第二接觸插頭(61)。上述第二接觸單元(6)可包括與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件之數量大致一致之數量的第二接觸插頭(61)。於各個上述第二接觸插頭(61)上，形成有第二貫通孔(611)。上述第二溫度調節單元(5)可通過上述第二貫通孔(611)，向與上述第二接觸插頭(61)接觸之半導體元件選擇性地供給第二加熱流體與第二冷卻流體。上述第二接觸插頭(61)於整體上可形成為圓筒形態，上述第二貫通孔(611)可形成為小於上述第二接觸插頭(61)之圓筒形態。
參考第3圖及第4圖，上述第二接觸單元(6)包括第二設置構件(6a)。於上述第二設置構件(6a)上，設置有上述第二接觸插頭(61)。上述第二設置構件(6a)於整體上可形成為四邊板形。上述第二接觸單元(6)包括結合於上述第二接觸插頭(61)與上述第二設置構件(6a)之間之第二彈性構件(6b)。藉由上述第二彈性構件(6b)，上述第二接觸插頭(61)可於結合於上述第二設置構件(6a)之狀態下彈性移動。上述第二彈性構件(6b)可為彈簧。
參考第3圖及第4圖，上述第二接觸單元(6)包括第二移動單元(62)。
上述第二移動單元(62)使上述第二設置構件(6a)向接近位於上述第一腔室(22)內之測試托盤(T)之方向、及遠離位於上述第一腔室(22)內之測試托盤(T)之方向移動。若上述第二移動單元(62)使上述 第二設置構件(6a)向接近位於上述第一腔室(22)內之測試托盤(T)之方向移動，則上述第二接觸插頭(61)可與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸。可於上述第二接觸插頭(61)與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸之狀態下，藉由自上述第二溫度調節單元(5)供給之第二加熱流體與第二冷卻流體對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件進行溫度調節。若上述第二移動單元(62)使上述第二設置構件(6a)向遠離位於上述第一腔室(22)內之測試托盤(T)之方向移動，則上述測試托盤(T)可不會對上述第二接觸插頭(61)產生阻礙，而自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送。上述第二移動單元(62)可利用如下等方式使上述第二設置構件(6a)移動：利用有油壓缸或氣壓缸之汽缸方式；利用有馬達與滾珠螺桿等之滾珠螺桿方式；利用有馬達、齒條齒輪與小齒輪等之齒輪方式；利用有馬達、滑輪與輸送帶等之輸送帶方式；線性馬達。上述第二接觸單元(6)能夠以可移動之方式結合於上述第一腔室(22)。上述第二接觸單元(6)能夠以一部分或整個部分插入至上述第一腔室(22)內之方式設置。
參考第3圖及第4圖，於本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)包括上述第二接觸單元(6)之情形時，上述第二溫度調節單元(5)可如下所述般構成。
上述第二溫度調節單元(5)結合於上述第二接觸單元(6)。上述第二溫度調節單元(5)亦能夠以連結於上述第二接觸單元(6)之方式結合於上述第一腔室(22)。上述第二溫度調節單元(5)以連通之方式連結於各個上述第二貫通孔(611)。上述第二溫度調節單元(5)可通過上 述第二貫通孔(611)，選擇性地供給上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體。藉此，上述第二溫度調節單元(5)可對與上述第二接觸插頭(61)接觸之半導體元件進行加熱或冷卻。上述第二溫度調節單元(5)能夠以位於上述第一腔室(22)外部之方式設置。雖未圖示，但上述第二溫度調節單元(5)亦能夠以位於上述第一腔室(22)內部之方式設置。
參考第3圖及第4圖，上述第二溫度調節單元(5)包括複數個第二連結構件(51)及第二流體供給部(52)。
上述第二連結構件(51)分別以一側與上述第二貫通孔(611)連通之方式結合於上述第二接觸插頭(61)。上述第二連結構件(51)之另一側分別連結於上述第二流體供給部(52)。上述第二連結構件(51)自上述第二流體供給部(52)選擇性地接收上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體。上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體自上述第二流體供給部(52)經過上述第二連結構件(51)，並通過上述第二貫通孔(611)而供給至收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件。上述第二連結構件(51)分別於內部形成有可供上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體移動之第二流路(未圖示)。於上述第二接觸插頭(61)為了與收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件接觸而移動時，上述第二溫度調節單元(5)可隨著上述第二接觸插頭(61)移動而一同移動，亦可為即便上述第二接觸插頭(61)移動亦處於固定。於上述第二溫度調節單元(5)處於固定之情形時，上述第二連結構件(51)可由具有柔軟性之材質形成。藉此，即便上述第二接觸插頭(61)移動，上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體亦可供給至與上述第二接觸插頭(61)接觸之半導體元件。例如，上述第二連結構 件(51)可為橡膠軟管、金屬軟管、塑膠軟管等。
上述第二流體供給部(52)可向上述第二連結構件(51)選擇性地供給上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體。上述第二流體供給部(52)可自上述測試腔室(21)與上述測試器中之至少一者接收關於如下之資訊：相對於位於上述測試腔室(21)內之測試托盤(T)，應先供給上述第一加熱流體與上述第二冷卻流體中之哪一者。如上所述，上述第二流體供給部(52)亦可按照如下之順序，向上述第二連結構件(51)選擇性地供給上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體：相對於上述第一測試托盤(T1)與上述第二測試托盤(T2)，交替地調節為上述第一溫度與上述第二溫度。上述第二流體供給部(52)包括第二連結機構(521)、第二加熱流體供給部(522)、第二冷卻流體供給部(523)、及第二開閉機構(524)。
上述第二連結機構(521)之一側以連通之方式連結於上述第二連結構件(51)，另一側以連通之方式連結於上述第二加熱流體供給部(522)與上述第二冷卻流體供給部(523)。上述第二連結機構(521)可自上述第二加熱流體供給部(522)接收上述第二加熱流體，向上述第二連結構件(51)傳送。上述第二連結機構(521)可自上述第二冷卻流體供給部(523)接收上述第二冷卻流體，向上述第二連結構件(51)傳送。上述第二連結機構(521)可形成為於內部形成有可收容上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體之空間之長方體形態。
上述第二加熱流體供給部(522)以連通之方式連結於上述第二連結機構(521)。上述第二加熱流體供給部(522)向上述第二連結 機構(521)供給上述第二加熱流體。上述第二加熱流體可為經加熱之空氣。雖未圖示，但上述第二加熱流體供給部(522)可包括電加熱器、送風機等。若上述送風機吸入空氣並向上述電加熱器側排出，則上述空氣可於藉由上述電加熱器加熱而成為上述第二加熱流體後，向上述第二連結機構(521)供給。
上述第二冷卻流體供給部(523)以連通之方式連結於上述第二連結機構(521)。上述第二冷卻流體供給部(523)向上述第二連結機構(521)供給上述第二冷卻流體。上述第二冷卻流體可為氮。雖未圖示，但上述第二冷卻流體供給部(523)可包括液氮噴射系統等。
上述第二開閉機構(524)選擇性地使上述第二加熱流體供給部(522)與上述第二冷卻流體供給部(523)中之任一者與上述第二連結機構(521)連通。上述第二開閉機構(524)可為閥。上述第二流體供給部(52)可包括2個第二開閉機構(524)。上述第二開閉機構(524)中之任一者可設置於以連通之方式將上述第二加熱流體供給部(522)與上述第二連結機構(521)連結之流路內，剩餘之一者可設置於以連通之方式將上述第二冷卻流體供給部(523)與上述第二連結機構(521)連結之流路內。上述第二流體供給部(52)藉由選擇性地使上述第二開閉機構(524)中之任一者開放，可向上述第二連結機構(521)選擇性地供給上述第二加熱流體與上述第二冷卻流體。
參考第3圖及第4圖，上述腔室單元(2)更包括第二腔室(23)。上述第二腔室(23)係定位有自上述測試腔室(21)搬出之測試托盤(T)。即，若於上述測試腔室(21)內完成對半導體元件之測試，則上述 測試托盤(T)自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送。上述第二腔室(23)可使收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件恢復至常溫或接近常溫之溫度。雖未圖示，但於上述第二腔室(23)內，可設置有電加熱器與液氮噴射系統。
參考第3圖及第5圖，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)更包括裝載單元(7)及卸載單元(8)。
上述裝載單元(7)執行向上述測試托盤(T)裝載測試之半導體元件之裝載步驟。完成上述裝載步驟之測試托盤(T)可向上述第一腔室(22)移送。上述裝載單元(7)包括裝載推疊器(71)、裝載拾取器(72)及裝載緩衝器(73)。
於上述裝載推疊器(71)上，儲存有複數個載置有測試之半導體元件之使用者托盤(User Tray，未圖示)。
上述裝載拾取器(72)自位於上述裝載推疊器(71)上之使用者托盤拾取測試之半導體元件，並收納至上述測試托盤(T)上。於在上述測試托盤(T)上收納有測試之半導體元件時，上述測試托盤(T)可位於裝載位置(未圖示)。於上述裝載位置上，可設置有用以支撐上述測試托盤(T)之第一支撐構件(未圖示)。
上述裝載緩衝器(73)可暫時收納測試之半導體元件。於該情形時，上述裝載拾取器(72)可包括第一裝載拾取器(未圖示)及第二裝載拾取器(未圖示)。上述第一裝載拾取器自位於上述裝載推疊器(71)上之使用者托盤向上述裝載緩衝器(73)移送測試之半導體元件。上述第二裝載拾取器自上述裝載緩衝器(73)向上述測試托盤(T)移送測試之半 導體元件。
參考第3圖及第5圖，上述卸載單元(8)執行自上述測試托盤(T)卸載經測試之半導體元件之卸載步驟。收納有經測試之半導體元件之測試托盤(T)可自上述第二腔室(23)移送。上述卸載單元(8)可包括卸載推疊器(81)、卸載拾取器(82)及卸載緩衝器(83)。
於上述卸載推疊器(81)上，儲存有複數個載置有經測試之半導體元件之使用者托盤。經測試之半導體元件可根據測試結果，自上述卸載推疊器(81)按照級別收納至位於彼此不同之位置上之使用者托盤上。
上述卸載拾取器(82)可自上述測試托盤(T)拾取經測試之半導體元件，並收納至位於上述卸載推疊器(81)上之使用者托盤上。於自上述測試托盤(T)拾取經測試之半導體元件時，上述測試托盤(T)可位於卸載位置上。於上述卸載位置上，可設置有用以支撐上述測試托盤(T)之第二支撐構件(未圖示)。
上述卸載緩衝器(83)可暫時收納經測試之半導體元件。於該情形時，上述卸載拾取器(82)包括第一卸載拾取器(未圖示)及第二卸載拾取器(未圖示)。上述第一卸載拾取器自上述測試托盤(T)向上述卸載緩衝器(83)移送經測試之半導體元件。上述第二卸載拾取器自上述卸載緩衝器(83)向位於上述卸載推疊器(81)上之使用者托盤移送經測試之半導體元件。上述第二卸載拾取器將自上述卸載緩衝器(83)拾取之半導體元件收納至與測試結果之級別相應之使用者托盤上。
雖未圖示，但本發明之經變形之實施例之測試分類機(1) 可包括用以於如上所述之構成之間移送上述測試托盤(T)之移送單元(未圖示)。上述移送單元可包括複數個滑輪、使上述滑輪中之至少一者旋轉之馬達、將上述滑輪連結之輸送帶、及結合於上述輸送帶之移送機構。上述移送構件隨著上述輸送帶移動而移動，並且可藉由推動或拉引上述測試托盤(T)而移送上述測試托盤(T)。本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)亦可包括複數個上述移送單元。上述移送單元可按照如下之方式移送上述測試托盤(T)：向上述裝載位置、上述第一腔室(22)、上述測試腔室(21)、上述第二腔室(23)、上述卸載位置、及上述裝載位置移送並循環。
參考第5圖，本發明之經變形之實施例之測試分類機(1)更包括旋轉器(9)。
上述旋轉器(9)可使收納有測試之半導體元件之測試托盤(T)旋轉。藉此，上述測試托盤(T)可自水平狀態旋轉為垂直狀態。上述旋轉器(9)可使收納有經測試之半導體元件之測試托盤(T)旋轉。藉此，上述測試托盤(T)可自垂直狀態旋轉為水平狀態。因此，本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)可對水平狀態之測試托盤(T)執行上述裝載步驟與上述卸載步驟，且可對垂直狀態之測試托盤(T)執行上述測試步驟。
如上所述，本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)可對位於上述裝載位置上之測試托盤(T)執行上述裝載步驟，可對位於上述卸載位置上之測試托盤(T)執行上述卸載步驟。
此處，本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1) 可包括形成於同一位置上之上述裝載位置與上述卸載位置。即，本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)可對一個測試托盤(T)執行上述裝載步驟與上述卸載步驟。若上述卸載拾取器(82)自上述測試托盤(T)分離經測試之半導體元件，則上述裝載拾取器(72)可向將半導體元件分離而空置之部位收納測試之半導體元件。於該情形時，本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)可包括一個旋轉器(9)。
本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)亦可包括形成於彼此不同之位置上之上述裝載位置與上述卸載位置。即，本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)可分別對彼此不同之測試托盤(T)執行上述裝載步驟與上述卸載步驟。於該情形時，上述旋轉器(9)可包括第一旋轉器(91)及第二旋轉器(92)。收納有測試之半導體元件之測試托盤(T)可自上述裝載位置向上述第一腔室(22)移送，於該過程中，可藉由上述第一旋轉器(91)旋轉而自水平狀態旋轉為垂直狀態。上述第一旋轉器(91)能夠以位於上述第一腔室(22)內部之方式設置，亦能夠以位於上述第一腔室(22)外部之方式設置。收納有測試之半導體元件之測試托盤(T)可於上述第一腔室(22)內部進行旋轉，亦可於上述第一腔室(22)外部進行旋轉。收納有經測試之半導體元件之測試托盤(T)可自上述第二腔室(23)向上述卸載位置移送，於該過程中，可藉由上述第二旋轉器(92)旋轉而自垂直狀態旋轉為水平狀態。上述第二旋轉器(92)能夠以位於上述第二腔室(23)內部之方式設置，亦能夠以位於上述第二腔室(23)外部之方式設置。收納有測試之半導體元件之測試托盤(T)可於上述腔室(23)內部進行旋轉，亦可於上述第二腔室(23)外部進行旋轉。
雖未圖示，但本發明之另一經變形之實施例之測試分類機(1)亦可更包括連結部。收納有測試之半導體元件之測試托盤(T)可自上述裝載位置經過上述連結部，向上述第一腔室(22)移送。收納有經測試之半導體元件之測試托盤(T)可自上述第二腔室(23)經過上述連結部，向上述卸載位置移送。於該情形時，上述裝載位置與上述卸載位置可形成於彼此不同之位置上，且於上述連結部上，可設置有一個旋轉器(9)。收納有測試之半導體元件之測試托盤(T)可藉由上述旋轉器(9)旋轉而自水平狀態成為垂直狀態，收納有經測試之半導體元件之測試托盤(T)可藉由上述旋轉器(9)旋轉而自垂直狀態成為水平狀態。
以下，參照隨附圖式，詳細地對本發明之半導體元件測試方法之較理想之實施例進行說明。
參考第1圖至第6圖，本發明之半導體元件測試方法係如下之方法：於先以上述第一溫度與上述第二溫度中之任一溫度對收納於測試托盤(T)上之半導體元件進行測試後，以剩餘之溫度進行測試之方法。本發明之半導體元件測試方法可利用上述本發明之測試分類機而執行。本發明之半導體元件測試方法包括如下之構成。
首先，向上述測試腔室(21)搬入上述第一測試托盤(T1，圖示於第3圖)(S1)。此種步驟(S1)可藉由如下之方式實現：收納有半導體元件之第一測試托盤(T1)藉由上述移送單元而自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送。
接著，於在上述測試腔室(21)內，以上述第一溫度對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件進行測試後，以上述第二溫 度進行測試(S2)。此種步驟(S2)可藉由如下之方式構成：於將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度，並連接於上述高精度定位板(H)而進行測試後，將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第二溫度而進行測試。對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件之測試係可藉由連接於上述高精度定位板(H)之測試器(未圖示)而構成。於上述步驟(S2)中，收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件之溫度可藉由上述第一溫度調節單元(4)而調節。
接著，自上述測試腔室(21)搬出上述第一測試托盤(T1)，並向上述測試腔室(21)搬入上述第二測試托盤(T2)(S3)。此種步驟(S3)可藉由如下之方式構成：於上述第一測試托盤(T1)藉由上述移送單元自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送後，上述第二測試托盤(T2)藉由上述移送單元自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送。亦可為，上述第一測試托盤(T1)自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送，於經過特定之待機時間後，上述第二測試托盤(T2)自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送。亦可同時構成如下情形：上述第一測試托盤(T1)自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送；上述第二測試托盤(T2)自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送。
接著，於在上述測試腔室(21)內，以上述第二溫度對收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件進行測試後，以上述第一溫度進行測試(S4)。此種步驟(S4)可藉由如下之方式構成：於將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度，並連接於上 述高精度定位板(H)而進行測試後，將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第一溫度而進行測試。對收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件之測試可藉由連結於上述高精度定位板(H)之測試器(未圖示)而構成。於上述步驟(S4)中，收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件之溫度可藉由上述第一溫度調節單元(4)而調節。因此，本發明之半導體元件測試方法可獲得如下之作用效果。
第一，本發明之半導體元件測試方法可對收納於上述測試托盤(T)上之半導體元件測試是否相對於高溫環境與低溫環境均正常動作。藉此，本發明之半導體元件測試方法於與如先前技術般利用2台測試分類機之情形相比時，可減少對半導體元件進行測試所需之費用，因此可降低半導體元件之製造單價。
第二，於對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件進行測試之步驟(S2)中，在先將半導體元件調節為上述第一溫度後，調節為上述第二溫度，但於對收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件進行測試之步驟(S4)中，先將半導體元件調節為上述第二溫度。其原因在於，於上述第二測試托盤(T2)向上述測試腔室(21)搬入前，在將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第二溫度之過程中，上述第一溫度調節單元(4)等處於冷卻之狀態，故對上述第二測試托盤(T2)先調節為上述第二溫度之情形可減少將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度所需之時間。因此，本發明之半導體元件測試方法可減少於執行對上述第一測試托盤(T1)之測試步驟後，執行對上述第二測試托盤(T2)之測試步驟所需之時間。
接著，自上述測試腔室(21)搬出上述第二測試托盤(T2)(S5)。此種步驟(S5)可藉由如下之方式構成：上述第二測試托盤(T2)藉由上述移送單元自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送。
本發明之半導體元件測試方法可藉由反覆執行如上所述之步驟而完成對半導體元件之測試。
參考第1圖至第5圖、及第7圖，本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法可包括如下之構成。本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法與上述本發明之半導體元件測試方法大致一致，故以下參照隨附圖式，僅詳細地對具有差異之部分進行說明。
首先，向上述測試腔室(21)搬入上述第一測試托盤(T1)之步驟(S1)包括如下之步驟：於上述第一腔室(22)內，將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度之步驟(S11)；及自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第一測試托盤(T1)之步驟(S12)。
於上述第一腔室(22)內，將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度之步驟(S11)可藉由如下之方式構成：上述第二溫度調節單元(5)將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度。因此，本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法可與於上述測試腔室(21)內，收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件先以上述第一溫度進行測試對應地，預先於上述第一腔室(22)內將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元調節為上述第一溫度。因此，本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方 法減少於上述測試腔室(21)內，將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度所需之時間，藉此可減少對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件進行測試之時間。
自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第一測試托盤(T1)之步驟(S12)可藉由如下之方式構成：上述移送單元將上述第一測試托盤(T1)自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送。於自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送之第一測試托盤(T1)上，收納有調節為上述第一溫度之半導體元件。
接著，向上述測試腔室(21)搬入上述第二測試托盤(T2)之步驟(S3)包括如下之步驟：自上述測試腔室(21)搬出上述第一測試托盤(T1)之步驟(S31)；於上述第一腔室(22)內，將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度之步驟(S32)；及自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第二測試托盤(T2)之步驟(S33)。
自上述測試腔室(21)搬出上述第一測試托盤(T1)之步驟(S31)可藉由如下之方式構成：上述移送單元自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送上述第一測試托盤(T1)。於自上述測試腔室(21)向上述第二腔室(23)移送之第一測試托盤(T1)上，收納有經測試之半導體元件。
於上述第一腔室(22)內，將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度之步驟(S32)可藉由如下之方式構成：上述第二溫度調節單元(5)將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半 導體元件調節為上述第二溫度。因此，本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法可與於上述測試腔室(21)內，收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件先以上述第二溫度進行測試對應地，預先於上述第一腔室(22)內將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件溫度調節為上述第二溫度。因此，本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法減少於測試腔室(21)內，將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度所需之時間，藉此可減少對收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件進行測試所需之時間。
自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第二測試托盤(T2)之步驟(S33)可藉由如下之方式構成：上述移送單元自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第二測試托盤(T2)。於自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送之第二測試托盤(T2)上，收納有調節為上述第二溫度之半導體元件。
參考第1圖至第5圖、及第8圖，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法可包括如下之構成。本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法與上述本發明之半導體元件測試方法、及本發明之經變形之實施例之半導體元件測試方法大致一致，故以下參照隨附圖式，僅詳細地對具有差異之部分進行說明。
首先，於上述第一腔室(22)內，將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度之步驟(S11)包括如下之步驟：於上述第一腔室(22)內，使上述第二接觸單元(6)與收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件接觸之步驟(S111)；及向與上述第二接 觸單元(6)接觸之半導體元件供給上述第二加熱流體之步驟(S112)。
於上述第一腔室(22)內，使上述第二接觸單元(6)與收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件接觸之步驟(S111)可藉由如下之方式構成：上述第二移動單元(62)使上述第二接觸插頭(61)向接近上述第一測試托盤(T1)之方向移動。
向與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件供給上述第二加熱流體之步驟(S112)可藉由如下之方式構成：上述第二溫度調節單元(5)向與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件供給上述第二加熱流體。於上述步驟(S112)中，上述第二加熱流體自上述第二加熱流體供給部(522)向上述第二連結機構(521)供給，且可自上述第二連結機構(521)經過上述第二連結構件(51)，並通過上述第二貫通孔(611)而供給至上述半導體元件。藉此，與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件可調節為上述第一溫度。
因此，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法係於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件與上述第二接觸單元(6)接觸之狀態下調節溫度，故於與對上述第一腔室(22)之內部溫度進行調節之情形相比時，可減少將上述半導體元件調節為上述第一溫度所需之時間。另外，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法係於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件與上述第二接觸單元(6)接觸之狀態下調節溫度，故可減少上述第二加熱流體向上述第二接觸單元(6)與上述半導體元件之間洩漏而產生熱損失之情形。因此，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法可減 少將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度所需之時間。
接著，自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第一測試托盤(T1)之步驟(S12)可藉由如下之方式構成：於使上述第二接觸單元(6)向遠離收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件之方向移動後，自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第一測試托盤(T1)。此種步驟(S12)可藉由如下之方式構成：於上述第二移動單元(62)使上述第二接觸插頭(61)向遠離上述第一測試托盤(T1)之方向移動後，上述移送單元自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第一測試托盤(T1)。
接著，於上述測試腔室(21)內，以上述第一溫度對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件進行測試後，以上述第二溫度進行測試之步驟(S2)包括如下之步驟。
首先，於上述測試腔室(21)內，使上述第一接觸單元(3)與收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件接觸(S21)。此種步驟(S21)可藉由如下之方式構成：上述第一移動單元(32)使上述第一接觸插頭(31)向接近上述第一測試托盤(T1)之方向移動。藉由此種步驟(S21)，收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件可連接於上述高精度定位板(H)。
接著，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一加熱流體。此種步驟(S22)可藉由如下之方式構成：上述第一溫度調節單元(4)向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上 述第一加熱流體。於上述步驟(S22)中，第一加熱流體自上述第一加熱流體供給部(422)向上述第一連結機構(421)供給，且可自上述第一連結機構(421)經過上述第一連結構件(41)，並通過上述第一貫通孔(311)而供給至上述半導體元件。藉此，與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件可調節為上述第一溫度。
因此，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法係於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件與上述第一接觸單元(3)接觸之狀態下調節溫度，故於與對上述測試腔室(21)之內部溫度進行調節之情形相比時，可減少將上述半導體元件調節為上述第一溫度所需之時間。另外，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法中係於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件與上述第一接觸單元(3)接觸之狀態下調節溫度，故可減少上述第一加熱流體向上述第一接觸單元(3)與上述半導體元件之間洩漏而產生熱損失之情形。因此，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法減少將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第一溫度所需之時間，藉此可減少對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件進行測試所需之時間。
接著，於對藉由上述第一加熱流體而加熱之半導體元件進行測試後，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給第一冷卻流體(S23)。此種步驟(S23)可藉由如下之方式構成：上述第一溫度調節單元(4)於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)之狀態下，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元 件供給上述第一加熱流體，直至對調節為上述第一溫度之半導體元件之測試完成為止。而且，上述步驟(S23)可藉由如下之方式構成：若對藉由上述第一加熱流體而加熱之半導體元件之測試完成，則上述第一溫度調節單元(4)於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)之狀態下，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一冷卻流體。於上述步驟(S23)中，上述第一冷卻流體自上述第一冷卻流體供給部(423)向上述第一連結機構(421)供給，且可自上述第一連結機構(421)經過上述第一連結構件(41)，並通過上述第一貫通孔(311)而供給至上述半導體元件。藉此，與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件可調節為上述第二溫度。
因此，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法係於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件與上述第一接觸單元(3)接觸之狀態下調節溫度，故於與對上述測試腔室(21)之內部溫度進行調節之情形相比時，可減少將上述半導體元件調節為上述第二溫度所需之時間。另外，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法係於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件與上述第一接觸單元(3)接觸之狀態下調節溫度，故可減少上述第一冷卻流體向上述第一接觸單元(3)與上述半導體元件之間洩漏而產生熱損失之情形。因此，本發明之另一經變形之實施例之半導體元件測試方法減少將收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件調節為上述第二溫度所需之時間，藉此可減少對收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件進行收納所需之時間。
接著，對藉由上述第一冷卻流體而冷卻之半導體元件進行測試(S24)。此種步驟(S24)可藉由如下之方式構成：上述第一溫度調節單元(4)於收納於上述第一測試托盤(T1)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)之狀態下，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一冷卻流體，直至對調節為上述第二溫度之半導體元件之測試完成為止。若對調節為上述第二溫度之半導體元件之測試完成，則上述第一移動單元(32)使上述第一接觸插頭(31)向遠離上述第一測試托盤(T1)之方向移動。
參考第1圖至第5圖、及第8圖，於上述第一腔室(22)內，將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件調節為上述第二溫度之步驟(S32)包括如下之步驟：於上述第一腔室(22)內，使上述第二接觸單元(6)與收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件接觸之步驟(S321)；及向與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件供給上述第二冷卻流體之步驟(S322)。
首先，於上述第一腔室(22)內，使上述第二接觸單元(6)與收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件接觸之步驟(S321)可藉由如下之方式構成：上述第二移動單元(62)使上述第二接觸插頭(61)向接近上述第二測試托盤(T2)之方向移動。
接著，向與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件供給上述第二冷卻流體之步驟(S322)可藉由如下之方式構成：上述第二溫度調節單元(5)向與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件供給上述第二冷卻流體。於上述步驟(S322)中，上述第二冷卻流體自上述第二冷卻 流體供給部(523)向上述第二連結機構(521)供給，且可自上述第二連結機構(521)經過上述第二連結構件(51)，並通過上述第二貫通孔(611)而供給至上述半導體元件。藉此，與上述第二接觸單元(6)接觸之半導體元件可調節為上述第二溫度。
參考第1圖至第5圖、及第8圖，自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第二測試托盤(T2)之步驟(S33)可藉由如下之方式構成：於使上述第二接觸單元(6)向遠離收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件之方向移動後，自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第二測試托盤(T2)。此種步驟(S33)可藉由如下之方式構成：於上述第二移動單元(62)使上述第二接觸插頭(61)向遠離上述第二測試托盤(T2)之方向移動後，上述移送單元自上述第一腔室(22)向上述測試腔室(21)移送上述第二測試托盤(T2)。
參考第1圖至第5圖、及第8圖，於在上述測試腔室(21)內，以上述第二溫度對收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件進行測試後，以上述第一溫度進行測試之步驟(S4)包括如下之步驟。
首先，於上述測試腔室(21)內，使上述第一接觸單元(3)與收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件接觸(S41)。此種步驟(S41)可藉由如下之方式構成：上述第一移動單元(32)使上述第一接觸插頭(31)向接近上述第二測試托盤(T2)之方向移動。藉由此種步驟(S41)，可將收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)。
接著，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給 上述第一冷卻流體(S42)。此種步驟(S42)可藉由如下之方式構成：上述第一溫度調節單元(4)向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一冷卻流體。於上述步驟(S42)中，上述第一冷卻流體自上述第一冷卻流體供給部(423)向上述第一連結機構(421)供給，且可自上述第一連結機構(421)經過上述第一連結構件(41)，並通過上述第一貫通孔(311)而供給至上述半導體元件。藉此，與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件可調節為上述第二溫度。
接著，於對藉由上述第一冷卻流體而冷卻之半導體元件進行測試後，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給第一加熱流體(S43)。此種步驟(S43)可藉由如下之方式構成：上述第一溫度調節單元(4)於收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)之狀態下，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一冷卻流體，直至對調節為上述第二溫度之半導體元件之測試完成為止。而且，上述步驟(S43)可藉由如下之方式構成：若對藉由上述第一冷卻流體而冷卻之半導體元件之測試完成，則上述第一溫度調節單元(4)於收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)之狀態下，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一加熱流體。於上述步驟(S43)中，上述第一加熱流體自上述第一加熱流體供給部(422)向上述第一連結機構(421)供給，且可自上述第一連結機構(421)經過上述第一連結構件(41)，並通過上述第一貫通孔(311)供給至上述半導體元件。藉此，與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件可調節為上述第一溫度。
接著，對藉由上述第一加熱流體而加熱之半導體元件進行測試(S44)。此種步驟(S44)可藉由如下之方式構成：上述第一溫度調節單元(4)於收納於上述第二測試托盤(T2)上之半導體元件連接於上述高精度定位板(H)之狀態下，向與上述第一接觸單元(3)接觸之半導體元件供給上述第一加熱流體，直至對調節為上述第一溫度之半導體元件之測試完成為止。若對調節為上述第一溫度之半導體元件之測試完成，則上述第一移動單元(32)使上述第一接觸插頭(31)向遠離上述第二測試托盤(T2)之方向移動。
如上所述之本發明以可對半導體元件測試是否相對於高溫環境與低溫環境均正常動作之方式實現，藉此可減少對半導體元件進行測試所需之費用，因此可降低半導體元件之製造單價。
另外，本發明可減少為了對半導體元件測試是否相對於高溫環境與低溫環境均正常動作而對半導體元件之溫度進行調節所需之時間，藉此可縮短對半導體元件進行測試所需之時間。
以上說明之本發明並不限定於上述實施例及隨附圖式，相關領域之技術人員應當瞭解，可於不脫離本發明之技術思想之範圍內進行各種替換、變形及變更。
3‧‧‧第一接觸單元
4‧‧‧第一溫度調節單元
21‧‧‧測試腔室
31‧‧‧第一接觸插頭
41‧‧‧第一連結構件
3a‧‧‧第一設置構件
H‧‧‧高精度定位板
T‧‧‧測試托盤

Claims (17)

  1. 一種半導體元件測試方法，其特徵在於包括如下之步驟：使收納於一第一測試托盤上之一半導體元件連接於設置於一測試腔室內之高精度定位板而進行測試之步驟；自上述該測試腔室搬出上述該第一測試托盤之步驟；將一第二測試托盤搬入至上述該測試腔室內之步驟；及使收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件連接於上述高精度定位板而進行測試之步驟；且對收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件進行測試之步驟包括如下之步驟：於對收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件進行加熱而測試後，對收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件進行冷卻而測試之步驟；對收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件進行測試之步驟包括如下之步驟：於對收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件進行冷卻而測試後，對收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件進行加熱而測試之步驟。
  2. 如請求項1之半導體元件測試方法，其中對收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件進行測試之步驟包括如下之步驟：使設置於上述該測試腔室內之一第一接觸單元與收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件接觸之步驟；向與上述該第一接觸單元接觸之該半導體元件供給一第一加熱流體之步驟； 於對藉由上述該第一加熱流體而加熱之該半導體元件進行測試後，向與上述該第一接觸單元接觸之該半導體元件供給一第一冷卻流體之步驟；及對藉由上述該第一冷卻流體而冷卻之該半導體元件進行測試之步驟。
  3. 如請求項1之半導體元件測試方法，其中對收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件進行測試之步驟包括如下之步驟：使設置於上述該測試腔室內之一第一接觸單元與收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件接觸之步驟；向與上述該第一接觸單元接觸之該半導體元件供給一第一冷卻流體之步驟；於對藉由上述該第一冷卻流體而冷卻之半導體元件進行測試後，向與上述該第一接觸單元接觸之該半導體元件供給一第一加熱流體之步驟；及對藉由上述該第一加熱流體而加熱之該半導體元件進行測試之步驟。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體元件測試方法，其包括如下之步驟：使設置於一第一腔室內之一第二接觸單元與收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件接觸之步驟；向與上述該第二接觸單元接觸之該半導體元件供給該第二加熱流體之步驟；及 於使上述該第二接觸單元以遠離收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件之方式移動後，自上述該第一腔室向上述該測試腔室移送上述該第一測試托盤之步驟。
  5. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體元件測試方法，其中將上述該第二測試托盤搬入至上述該測試腔室內之步驟包括如下之步驟：使設置於一第一腔室內之一第二接觸單元與收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件接觸之步驟；向與上述該第二接觸單元接觸之該半導體元件供給該第二冷卻流體之步驟；及於使上述該第二接觸單元以遠離收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件之方式移動後，自上述該第一腔室向上述該測試腔室移送上述該第二測試托盤之步驟。
  6. 一種半導體元件測試方法，其特徵在於包括如下之步驟：向一測試腔室內搬入收納有一半導體元件之一第一測試托盤之步驟；於將收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件調節為一第一溫度，並連接於設置於上述該測試腔室內之一高精度定位板而進行測試後，將收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件之溫度調節為與上述該第一溫度不同(相異)之一第二溫度而進行測試之步驟；自上述該測試腔室搬出上述該第一測試托盤之步驟； 將一第二測試托盤搬入至上述該測試腔室內之步驟；於將收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件調節為上述該第二溫度，並連接於設置於上述該測試腔室內之該高精度定位板而進行測試後，將收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件調節為上述該第一溫度而進行測試之步驟；及自上述該測試腔室搬出上述該第二測試托盤之步驟。
  7. 如請求項6之半導體元件測試方法，其中向該測試腔室內搬入上述該第一測試托盤之步驟包括如下之步驟：於以連結於上述該測試腔室之方式設置之一第一腔室內，將收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件調節為上述該第一溫度之步驟；及自上述該第一腔室向上述該測試腔室移送上述該第一測試托盤之步驟。
  8. 如請求項6所述之半導體元件測試方法，其中向上述該測試腔室內搬入上述該第二測試托盤之步驟包括如下之步驟：於以連結於上述測試腔室之方式設置之一第一腔室內，將收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件調節為上述該第二溫度之步驟；及自上述該第一腔室向上述該測試腔室移送上述該第二測試托盤之步驟。
  9. 一種測試分類機，其特徵在於包括：一測試腔室，其設置有用以對收納於一測試托盤上之一半導體 元件進行測試之一高精度定位板；一第一接觸單元，其設置於上述該測試腔室內，用以使收納於上述該測試托盤上之該半導體元件連接於上述該高精度定位板；及一第一溫度調節單元，其結合於上述該第一接觸單元，並向與上述該第一接觸單元接觸之該半導體元件選擇性地供給一第一加熱流體與一第一冷卻流體，以便上述該測試腔室內之該半導體元件於先以一第一溫度及低於上述該第一溫度之一第二溫度中之任一溫度進行測試後，以剩餘之一溫度進行測試。
  10. 如請求項9之測試分類機，其中上述該第一接觸單元包括用以分別與收納於上述該測試托盤上之該半導體元件接觸之複數個第一接觸插頭，於上述各該第一接觸插頭上形成有一第一貫通孔，上述該第一溫度調節單元包括以連通之方式連結於上述各該第一貫通孔之複數個第一連結構件、及向上述各該第一連結構件選擇性地供給上述該第一加熱流體與上述該第一冷卻流體之一第一流體供給部。
  11. 如請求項10之測試分類機，其中上述該第一流體供給部包括：一第一連結機構，其以連通之方式連結於上述該些第一連結構件；一第一加熱流體供給部，其用以向上述該些第一連結機構供給上述該第一加熱流體；一第一冷卻流體供給部，其用以向上述該些第一連結機構供給上述該第一冷卻流體；及 一第一開閉機構，其選擇性地使上述該第一加熱流體供給部與上述該第一冷卻流體供給部中之任一者與上述該些第一連結機構連通。
  12. 如請求項9之測試分類機，其包括：一第一腔室，其定位有向上述該測試腔室內移送之該測試托盤，且以連結於上述該測試腔室之方式設置；及一第二溫度調節單元，其結合於上述該第一腔室，並對位於上述該第一腔室內之該半導體元件之溫度進行調節，以使收納有調節為上述該第一溫度之該半導體元件之一第一測試托盤、與收納有調節為上述該第二溫度之該半導體元件之一第二測試托盤交替地移送至上述該測試腔室內。
  13. 如請求項12所述之測試分類機，其中上述該第一溫度調節單元向與上述該第一接觸單元接觸之該半導體元件選擇性地供給上述該第一加熱流體與上述該第一冷卻流體，以使若上述該第一測試托盤移送至上述該測試腔室內，則收納於上述該第一測試托盤上之該半導體元件於先以該第一溫度進行測試後，以該第二溫度進行測試，若上述該第二測試托盤移送至上述該測試腔室內，則收納於上述該第二測試托盤上之該半導體元件於先以上述該第二溫度進行測試後，以上述該第一溫度進行測試。
  14. 如請求項9之測試分類機，其包括：一第一腔室，其定位有向上述一測試腔室內移送之一測試托盤，且以連結於上述該測試腔室之方式設置； 一第二接觸單元，其設置於上述該第一腔室內，用以與收納於位於上述該第一腔室內之該測試托盤上之該半導體元件接觸；一第二溫度調節單元，其結合於上述該第二接觸單元，並選擇性地供給用以將與上述該第二接觸單元接觸之該半導體元件調節為上述該第一溫度之該第二加熱流體與用以調節為上述該第二溫度之該第二冷卻流體。
  15. 如請求項14之測試分類機，其中上述該第二接觸單元包括用以分別與收納於上述該測試托盤上之該半導體元件接觸之複數個第二接觸插頭，於上述各該第二接觸插頭上形成有一第二貫通孔，上述該第二溫度調節單元包括以連通之方式連結於上述該第二貫通孔之複數個第二連結構件、及向上述該些第二連結構件選擇性地供給上述該第二加熱流體與上述該第二冷卻流體之一第二流體供給部。
  16. 如請求項15之測試分類機，其中上述該第二流體供給部包括：一第二連結機構，其以連通之方式連結於上述該些第二連結構件；一第二加熱流體供給部，其用以向上述該第二連結機構供給上述該第二加熱流體；一第二冷卻流體供給部，其用以向上述該第二連結機構供給上述該第二冷卻流體；及一第二開閉機構，其選擇性地使上述該第二加熱流體供給部與上述該第二冷卻流體供給部中之任一者與上述該第二連結機構連 通。
  17. 如請求項9至請求項16中任一項之測試分類機，其包括：一裝載單元，其執行於上述該測試托盤上裝載測試之該半導體元件之裝載步驟；一卸載單元，其執行將經測試之該半導體元件自上述該測試托盤卸載之卸載步驟；及至少一個旋轉器，其使收納有測試之該半導體元件之該測試托盤自水平狀態旋轉為垂直狀態，並使收納有經測試之該半導體元件之該測試托盤自垂直狀態旋轉為水平狀態。
TW100141908A 2010-12-20 2011-11-16 測試分類機及半導體元件測試方法 TWI555107B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100131028A KR101180836B1 (ko) 2010-12-20 2010-12-20 테스트 핸들러 및 반도체 소자 테스트방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201227860A TW201227860A (en) 2012-07-01
TWI555107B true TWI555107B (zh) 2016-10-21

Family

ID=46648638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100141908A TWI555107B (zh) 2010-12-20 2011-11-16 測試分類機及半導體元件測試方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2012132896A (zh)
KR (1) KR101180836B1 (zh)
TW (1) TWI555107B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101508516B1 (ko) * 2013-12-26 2015-04-08 미래산업 주식회사 인라인 테스트 핸들러
KR102123052B1 (ko) * 2014-06-23 2020-06-15 (주)테크윙 테스트핸들러
JP2016188780A (ja) 2015-03-30 2016-11-04 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
KR102640945B1 (ko) * 2016-04-28 2024-02-27 (주)테크윙 전자부품 테스트용 핸들러
KR102548778B1 (ko) * 2016-07-28 2023-06-27 세메스 주식회사 반도체 소자 검사 장치
KR102592324B1 (ko) * 2016-08-05 2023-10-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 테스트 장치
KR101997847B1 (ko) * 2018-04-26 2019-07-08 (주)티에스이 냉각제를 이용한 반도체소자 테스트용 인터페이스 보드
CN112114207A (zh) * 2019-06-19 2020-12-22 泰克元有限公司 测试板及测试腔室
KR102249307B1 (ko) 2019-08-12 2021-05-07 주식회사 아테코 메모리 실장 테스트 장치
JP2022021239A (ja) * 2020-07-21 2022-02-02 株式会社アドバンテスト 電子部品ハンドリング装置及び電子部品試験装置
CN113433359B (zh) * 2021-08-25 2021-11-26 邳州众鑫机械有限公司 一种半导体低温电学性能测试夹紧工装及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200402116A (en) * 2002-07-24 2004-02-01 Mirae Corp Device for compensating for a test temperature deviation in a semiconductor device handler

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200402116A (en) * 2002-07-24 2004-02-01 Mirae Corp Device for compensating for a test temperature deviation in a semiconductor device handler

Also Published As

Publication number Publication date
KR101180836B1 (ko) 2012-09-07
KR20120069471A (ko) 2012-06-28
JP2012132896A (ja) 2012-07-12
TW201227860A (en) 2012-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI555107B (zh) 測試分類機及半導體元件測試方法
US10823779B2 (en) Apparatus and method for manufacturing substrates
KR101421102B1 (ko) 전자부품 시험장치
KR101402631B1 (ko) 전자부품 이재장치, 전자부품 핸들링 장치 및 전자부품 시험장치
KR100825781B1 (ko) 열 분리기를 구비하는 반도체 소자용 테스트 핸들러 및이를 이용한 반도체 소자 테스트 방법
US11486924B2 (en) Inspection apparatus
US10510574B2 (en) Prober
US9714977B2 (en) Burn-in test system and method
TW201514511A (zh) 整合高低溫測試之電子元件檢測設備及其檢測方法
KR20130076721A (ko) 피치변경장치, 전자부품 핸들링 장치 및 전자부품 시험장치
JPWO2008142754A1 (ja) 電子部品試験装置及び電子部品試験方法
CN111323067A (zh) 传感器测试装置
JP2004257980A (ja) 半導体素子テスト用ハンドラ
KR20070106141A (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러용 로테이터
US11579189B2 (en) Electronic component handling apparatus and electronic component testing apparatus
JP2020094954A (ja) センサ試験システム
JP5961286B2 (ja) 電子部品移載装置、電子部品ハンドリング装置、及び電子部品試験装置
KR100819836B1 (ko) 캐리어모듈, 그를 이용한 테스트 핸들러, 및 그를 이용한반도체 소자 제조방법
US11714124B2 (en) Electronic component handling apparatus and electronic component testing apparatus
US20230024139A1 (en) Tray elevating and lowering apparatus of test handler
US20100134135A1 (en) Semiconductor device test apparatus
TW202307437A (zh) 具有自動化蓋件之測試插座
KR101333399B1 (ko) 기판 언로드 장치