JP2012119614A - 支持基板、該支持基板の製造方法及び多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】積層される配線層の最下層と最上層間の相対的な位置ずれを最小にすること。
【解決手段】配線層を積層する側の面の周囲部Ｒ２に開口部ＯＰ１，ＯＰ３，ＯＰ５が形成され、側端面につながる箇所に外部からの照射光を上記の開口部に指向させる光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅが設けられた支持基板１０を用意する。次に、この支持基板１０の開口部が形成されている側の面に絶縁層３４を形成後、該絶縁層上の、周囲部の内側の領域Ｒ１に配線層３５を形成するとともに、開口部が形成されている位置に対応する領域に複数のアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５を形成する。以降の工程において絶縁層にビアホールの形成等を行う際に、上記の光照射用部材を用いて上記の開口部を通過させた光により、上記の複数のアライメントマークのうち対応するアライメントマークを検出し、検出したマークを位置基準として位置合わせを行う。
【選択図】図６

Description

本発明は、多層配線基板を製造する際のベース部材として用いられる支持基板、該支持基板の製造方法及び多層配線基板の製造方法に関する。

多層構造の配線基板を製造する技術として、従来よりビルドアップ法が広く用いられている。この方法は、ベース部材としてのコア基板の両面に、絶縁層（その所要箇所にビアホールが形成されている）と配線層（ビアホールに充填された導体を介して下層／上層の配線層に接続されている）とを交互に形成して積み上げていくものである。

かかる多層配線基板では、層間の電気的接続を考慮して、下層の配線層に対応させて上層の配線層を精度良く位置決めして形成する必要がある。このため、現状の多層配線基板の製造において一般的に行われる方法として、下層の配線層の一部に、次の層の位置合わせのための基準となるマーク（アライメントマーク）を形成している。そして、そのアライメントマークをＣＣＤカメラ等によって撮像し、その撮像データをコンピュータ等に取り込んで画像認識を行い、その認識した画像に基づいて、その配線層上の絶縁層にビアホールを形成したり、次の層の配線層を形成している。

このように現状の技術では、多層配線基板（例えば、Ｌ１〜Ｌ６の６層）を製造する場合、ビアＬ１２（Ｌ１層とＬ２層を接続するビアホール）の形成時はＬ１層のマークを位置基準とし、Ｌ２層の形成時はビアＬ１２のマークを位置基準とし、ビアＬ２３（Ｌ２層とＬ３層を接続するビアホール）の形成時はＬ２層のマークを位置基準とし、以降同様にして、Ｌ６層の形成時はビアＬ５６（Ｌ５層とＬ６層を接続するビアホール）のマークを位置基準として、それぞれアライメントを行っている。つまり、直前に形成された配線又はビアパターンにより位置基準のマークを形成し、アライメントを行っている。

かかる従来技術に関連する技術として、例えば、下記の特許文献１に記載された多層配線基板の製造方法がある。ここに開示されている方法では、コア基板上及び樹脂絶縁層上にそれぞれ導体層を形成する際に同時に形成される各位置合わせマークに対し、配線基板の外部から光を照射し、その反射光に基づいて検出した位置合わせマークを位置基準として樹脂絶縁層にレーザを照射してビアホールを形成している。

特開２００８−２７０７６８号公報

多層配線基板の製造において、各配線層（例えば、Ｌ１〜Ｌ６の６層）の形成時にアライメント公差が無い場合、最下層（Ｌ１）に対する最上層（Ｌ６）の相対的な位置ずれは発生しない。

しかし、実際にはアライメント公差が存在するため、現状の技術のように各層がそれぞれ異なるマーク（各層の直前に形成された配線又はビアパターン）を位置基準としてアライメントを行う方法では、各層を積層する過程でアライメント公差が累積し、最下層（Ｌ１）に対して最上層（Ｌ６）は相対的に位置がずれてしまう。特に、積層数が多くなるほど相対的な位置ずれ量が大きくなる可能性がある。

この位置ずれ量が所定値を超えると、以下の不都合が起こり得る。例えば、上下（Ｌ１層とＬ６層との間）で導通がある基板についてその導通試験を行う場合、その上下の端子にプローブを当てて測定を行うことになるが、各端子の相対的な位置は設計によって決まっているので、その設計値に合わせてプロービングが行われる。その際、上記のように位置ずれ量が大きくなると、設計された規定の位置に端子が形成されていないため、導通がとれず不良と判定されてしまう可能性がある。

以上から、積層される配線層の最下層と最上層間の相対的な位置ずれを最小にすることができる多層配線基板の製造方法、該製造方法に用いられる支持基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

一観点によれば、支持基板であって、配線層を積層する側の面の周囲部に開口部が形成され、該周囲部の側端面につながる箇所に外部からの照射光を前記開口部に指向させる光照射用部材が設けられた当該支持基板を用意する工程と、前記支持基板の前記開口部が形成されている側の面に第１の絶縁層を形成後、該絶縁層上の、前記周囲部の内側の領域に配線層を形成するとともに、前記開口部が形成されている位置に対応する領域に複数のアライメントマークを形成する第１層形成工程を含み、以降の工程において絶縁層にビアホールを形成する際及び配線層形成用のレジスト層のパターニングを行う際に、前記光照射用部材を用いて前記開口部を通過させた光により、前記複数のアライメントマークのうち対応するアライメントマークを検出し、当該アライメントマークを位置基準として位置合わせを行った上で、前記ビアホールの形成及び前記レジスト層のパターニングを行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。

他の観点によれば、多層配線基板に用いられる支持基板であって、シート状の絶縁体の両面に導体層が被覆され、前記絶縁体の周囲部の側端面につながる複数の箇所においてそれぞれ当該箇所の異なる複数の位置に、外部からの照射光を入力可能なコネクタに光の進行方向を所定の方向に反射させる光透過部を光学的に結合してなる光照射用部材が封止され、前記導体層の、各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達する開口部が設けられていることを特徴とする支持基板が提供される。

さらに他の観点によれば、上記の他の観点に係る支持基板の製造方法が提供される。その一形態に係る製造方法は、外部からの照射光を入力可能なコネクタに光の進行方向を所定の方向に反射させる光透過部を光学的に結合してなる光照射用部材を用意する工程と、絶縁性基材の第１の面に第１の導体層が形成されたコア材を用意する工程と、前記絶縁性基材の前記第１の面と反対側の第２の面上でその周囲部の側端面につながる複数の箇所に、それぞれ段差部を形成する工程と、前記各段差部に、それぞれ複数の前記光照射用部材を異なる位置に、かつ、当該光透過部で反射される光の方向が前記第２の面と直交するように実装する工程と、前記光照射用部材が実装されたコア材に、一方の面に第２の導体層が形成された絶縁材を、該第２の導体層を外側にして当該光照射用部材を封止するよう接着する工程と、前記第１の導体層又は第２の導体層の、前記各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成する工程とを含む。

また、他の形態に係る支持基板の製造方法は、外部からの照射光を入力可能なコネクタに光の進行方向を所定の方向に反射させる光透過部を光学的に結合してなる光照射用部材を用意する工程と、絶縁性基材の両面に、その周囲部を除いて第１の導体層が形成された支持体コア部を用意する工程と、前記絶縁性基材の一方の面上でその周囲部の側端面につながる複数の箇所に、それぞれ段差部を形成する工程と、前記各段差部に、それぞれ複数の前記光照射用部材を異なる位置に、かつ、当該光透過部で反射される光の方向が前記一方の面と直交するように実装する工程と、前記光照射用部材が実装された支持体コア部の両面に、前記第１の導体層よりも大きい第２の導体層を接着して、当該光照射用部材を封止する工程と、少なくとも一方の面側の前記第２の導体層の、前記各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成する工程とを含む。

上記の一観点に係る多層配線基板の製造方法によれば、特定の構造を有した支持基板を使用し、この支持基板の開口部が形成されている側の面に配線層（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、……）を積層する際に、最下層の第１層（Ｌ１）に形成された複数のアライメントマークを用いて、第２層以降（Ｌ２、Ｌ３、……）のアライメントを行っている。つまり、各配線層を積層する際の位置基準となるアライメントマークが全て同じ層（Ｌ１）に形成されており、この最下層（Ｌ１）上に積層される各配線層（Ｌ２、Ｌ３、……）は、最下層（Ｌ１）に形成された対応するアライメントマークを位置基準としてアライメントすることができる。

これにより、各配線層を積層する際に発生するアライメント公差は、現状の技術のように各層を積層する過程で累積されたアライメント公差（ずれ）ではなく、各配線層の最下層に対する１層分のずれとなる。その結果、最下層と最上層間の相対的な位置ずれを最小にすることができる。

第１の実施形態に係る多層配線基板製造用のコア基板（支持基板）を示す図であって、（ａ）はコア基板の全体構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢの部分の拡大平面図、（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ（ｂ）においてＣ−Ｃ線及びＤ−Ｄ線に沿って見たときの断面図である。 図１のコア基板に組み込まれた光照射用部材の使用態様を示す図であって、（ａ）は光照射ユニットを接続（光結合）する場合の断面図、（ｂ）は防護用キャップを装着する場合の断面図である。 図１のコア基板の製造方法の一例（その１）を示す断面図である。 図１のコア基板の製造方法の一例（その２）を示す断面図である。 図１のコア基板を用いて多層配線基板を製造する方法の一例（その１）を示す断面図である。 図１のコア基板を用いて多層配線基板を製造する方法の一例（その２）を示す断面図である。 図１のコア基板を用いて多層配線基板を製造する方法の一例（その３）を示す断面図である。 図１のコア基板を用いて多層配線基板を製造する方法の一例（その４）を示す断面図である。 第２の実施形態に係る多層配線基板製造用の仮基板（支持基板）の製造方法の一例（その１）を示す断面図である。 第２の実施形態に係る多層配線基板製造用の仮基板（支持基板）の製造方法の一例（その２）を示す断面図である。 第３の実施形態に係る支持基板を説明するための図であって、（ａ）はその支持基板に設けられる開口部と光照射用部材との位置関係を示す平面図、（ｂ）はその開口部とアライメントマークとの位置関係を示す平面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態…図１〜図８参照）
図１は第１の実施形態に係る多層配線基板製造用の支持基板（コア基板）１０の構成を示したものである。図中、（ａ）はコア基板１０の全体構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢの部分の拡大平面図、（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ（ｂ）においてＣ−Ｃ線及びＤ−Ｄ線に沿って見たときの断面図である。

本実施形態に係るコア基板１０は、その両面にビルドアップ層（樹脂絶縁層、配線層）を積層して多層配線基板を製造する際のベース部材として用いられる。コア基板１０は、図１（ａ）に示すように平面視したときに矩形状を呈しており、最終的に製品（多層配線基板）として切り出される領域（破線で囲まれた配線形成領域Ｒ１）と、この配線形成領域Ｒ１を囲む周囲部Ｒ２とを有している。周囲部Ｒ２は、最終的にダイシング等により切断されて除去される。

コア基板１０の周囲部Ｒ２の複数の箇所（図１（ａ）の例では基板の四隅）には、それぞれ複数個（図示の例では６個）の開口部ＯＰ１〜ＯＰ６が設けられている。本実施形態では、コア基板１０の両面にそれぞれ４層（積層する順に下からＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４とする）の配線層を積層する場合を想定している。コア基板１０の四隅に配置された６個の開口部ＯＰ１〜ＯＰ６（図１（ｂ）参照）のうち、図示の例では上から順に１番目、３番目、５番目の３個の開口部ＯＰ１、ＯＰ３、ＯＰ５は、コア基板１０の上面側に積層される最下層の配線層（Ｌ１）を除いた残りの配線層（Ｌ２〜Ｌ４）の数に対応させて配置されている。同様に、図１（ｂ）において上から順に２番目、４番目、６番目の３個の開口部ＯＰ２、ＯＰ４、ＯＰ６は、コア基板１０の下面側に積層される最下層の配線層（Ｌ１）を除いた残りの配線層（Ｌ２〜Ｌ４）の数に対応させて配置されている。

本実施形態では、これら複数個の開口部ＯＰ１〜ＯＰ６をそれぞれコア基板１０の四隅に配置しているが、配置する箇所の数はこれに限定されないことはもちろんである。基板の大きさにもよるが、少なくとも３箇所に配置されていれば十分である。

コア基板１０は、図１（ｃ）及び（ｄ）に示すように、シート状の絶縁体１１の両面にそれぞれ導体層１２ａ，１２ｂが被覆された構造を有している。このコア基板１０の周囲部Ｒ２の側端面１０Ｓにつながる絶縁体１１の部分には空間が設けられており、この空間に、コア基板１０の四隅にそれぞれ設けられた複数個の開口部ＯＰ１〜ＯＰ６の位置に対応させて複数個の光照射用部材２０ａ〜２０ｆが配置されている。つまり、各光照射用部材２０ａ〜２０ｆは、コア基板１０の絶縁体１１に組み込まれる形で封止されている。

各光照射用部材２０ａ〜２０ｆは、外部からの照射光を入力可能なコネクタ２１と、このコネクタ２１を通して入射された光を透過させる光透過部２２とが光学的に結合された構造を有している。光透過部２２は、コネクタ２１に結合されている側と反対側の端面が空気層１５と接しており、この境界面は、コネクタ２１を通して入射された光の進行方向を所定の方向（対応する開口部ＯＰ１〜ＯＰ６が位置する方向）に反射させる反射面２２Ｒとして機能する。このため、反射面２２Ｒは、断面視したときにテーパ状に（例えば、光透過部２２内を進行する光の方向に対して４５度の傾斜角で）形成されている。

コア基板１０を構成する絶縁体１１の材料としては、例えば、ガラスクロス（織布）、ガラス不織布、アラミド繊維等にエポキシ系樹脂等を含浸させて構成したものが好適に使用される。また、絶縁体１１の両面に被覆される導体層１２ａ，１２ｂには、代表的に銅箔が使用される。光照射用部材２０ａ〜２０ｆを構成する光透過部２２の材料としては、ガラス、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等が用いられ、特に、加工のし易さ、入手のし易さ、コスト面等の点でアクリル系樹脂が好適である。また、光透過部２２に結合されるコネクタ２１の材料としては、アクリル系樹脂やフェノール樹脂、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等を含浸させたものが好適に使用される。

また、光照射用部材２０ａ〜２０ｆを構成する光透過部２２のサイズは、例えば、その高さ（厚さ）Ｈが２００〜５００μｍ程度に選定され、反射面２２Ｒの部分の長さＤ及び幅Ｗがそれぞれ０．５〜３ｍｍ程度に選定されている。各開口部ＯＰ１〜ＯＰ６の径は、対応する光照射用部材２０ａ〜２０ｆの光透過部２２の反射面２２Ｒのサイズ（０．５〜３ｍｍ×０．５〜３ｍｍ）に合わせて最大３ｍｍ以下に選定されている。

また、各開口部ＯＰ１〜ＯＰ６を平面視したときの形状は、図１（ｂ）の例では円形であるが、必ずしも円形である必要はない。要は、光透過部２２の反射面２２Ｒで反射された光が通過できる程度の大きさを有していれば十分であり、四角形や楕円等の他の形状でもよい。

図２はコア基板１０に組み込まれた光照射用部材２０ａ〜２０ｆの使用態様を示したものである。図２において、（ａ）は各光照射用部材（図示の例ではコア基板１０の上面側に光を指向させるよう配置された光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅ）に光照射ユニット２３を接続（光結合）する場合の様子を断面図の形態で示している。図２において矢印で示すように、光照射ユニット２３に設けられたＬＥＤ等の発光素子２３ａから出射された光は、光照射用部材２０ａ（２０ｃ，２０ｅ）のコネクタ２１に入射され、光透過部２２内を進行して反射面２２Ｒで反射され、対応する開口部ＯＰ１（ＯＰ３，ＯＰ５）を通過する。光照射ユニット２３は、後述するようにコア基板１０上に配線層を積層する工程においてマスクの位置合わせ等を行う際に使用される。

一方、図２（ｂ）は各光照射用部材（図示の例では光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅ）に防護用のキャップ２４を装着する場合の様子を断面図の形態で示している。このキャップ２４は、後述するように積層工程において使用されるめっき液、エッチング液等の侵入を防ぐためのものである。基本的には、光照射ユニット２３を使用していない時にキャップ２４を装着している。

次に、図１のコア基板１０を製造する方法について、その一例を示す図３及び図４を参照しながら説明する。

先ず、コア基板１０に組み込まれる所要個数の光照射用部材２０ａ〜２０ｆを用意しておく。各光照射用部材２０ａ〜２０ｆは、上述したように外部からの照射光を入力可能なコネクタ２１に、このコネクタ２１を通して入射された光の進行方向を所定の方向に反射させる反射面２２Ｒを備えた光透過部２２を光学的に結合して構成される。光透過部２２の材料としてはアクリル系樹脂やガラス等が用いられ、コネクタ２１の材料としてはアクリル系樹脂やガラス−エポキシ樹脂等が用いられる。光透過部２２の高さ（厚さ）は、例えば、２００μｍ程度に選定される。

このようにして所要個数の光照射用部材２０ａ〜２０ｆを用意した状態で、最初の工程では（図３（ａ）参照）、シート状の絶縁性基材１１ａの一方の面（図示の例では下側の面：第１の面Ｓ１）に銅箔１２ａが貼着されたコア材１０Ａを用意する。コア材１０Ａの厚さは、２００〜８００μｍの範囲内（例えば、３００μｍ程度）に選定する。絶縁性基材１１ａの材料としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させたものが用いられる。

次の工程では（図３（ｂ）参照）、絶縁性基材１１ａの第１の面Ｓ１と反対側の面（図示の例では上側の面：第２の面Ｓ２）上でその周囲部Ｒ２の側端面につながる部分に、段差部ＳＰを形成する。この段差部ＳＰ（絶縁性基材１１ａの薄く形成された部分）は、コア材１０Ａの四隅（図１のコア基板１０の四隅に相当）にそれぞれ形成される。各段差部ＳＰは、例えば、サンドブラストやウエットブラスト、ルータ加工等により形成することができる。

次の工程では（図３（ｃ）参照）、その四隅に段差部ＳＰが形成されたコア材１０Ｂに対し、各段差部ＳＰに、それぞれ複数個の光照射用部材２０ａ〜２０ｆを異なる位置に、かつ、当該光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光の方向が第２の面Ｓ２（又は第１の面Ｓ１）と直交するように実装する。

具体的には、６個の光照射用部材２０ａ〜２０ｆのうち、最終的にコア基板１０の上面側に積層される配線層用の３個の光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅについては、当該光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光が第２の面Ｓ２側に指向するよう実装し、残りの３個の光照射用部材２０ｂ，２０ｄ，２０ｆについては、当該光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光が第１の面Ｓ１側に指向するよう実装する。

各光照射用部材２０ａ〜２０ｆの実装は、例えば、絶縁性基材１１ａの対応する箇所に接着剤を適量塗布し、この接着剤を介して光透過部２２を固着することにより、行うことができる。

次の工程では（図４（ａ）参照）、光照射用部材２０ａ〜２０ｆが実装されたコア材１０Ｂに対し、一方の面に銅箔１２ｂが貼着されたシート状の絶縁材１１ｂを、銅箔１２ｂを外側にして当該光照射用部材を封止するように接着する。絶縁材１１ｂの材料には、絶縁性基材１１ａと同様のガラス−エポキシ樹脂等が用いられる。この工程により、各光照射用部材２０ａ〜２０ｆは、絶縁体１１（絶縁性基材１１ａ及び絶縁材１１ｂ）に組み込まれる形で封止される。

最後の工程では（図４（ｂ）参照）、絶縁体１１の両面の各導体層（銅箔１２ａ，１２ｂ）の、それぞれ光照射用部材２０ａ〜２０ｆの各光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部２２に達するよう開口部ＯＰ１〜ＯＰ６を形成する。

具体的には、６個の光照射用部材２０ａ〜２０ｆのうち、最終的にコア基板１０の上面側に積層される配線層用の３個の光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅについては、上面側の銅箔１２ｂの、当該光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するように開口部ＯＰ１，ＯＰ３，ＯＰ５を形成し、残りの３個の光照射用部材２０ｂ，２０ｄ，２０ｆについては、下面側の銅箔１２ａの、当該光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するように開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６を形成する。

各開口部ＯＰ１〜ＯＰ６は、例えば、銅箔１２ａ，１２ｂの対応する箇所の部分をウエットエッチングにより除去し、そのエッチング後に露出している絶縁体１１の部分を、開口された各銅箔１２ａ，１２ｂをマスクにしてサンドブラスト等により除去することにより、形成することができる。

以上の工程により、目的とするコア基板（支持基板）１０が製造されたことになる。

次に、本実施形態のコア基板１０を用いて多層配線基板を製造する方法について、その一例を示す図５〜図８を参照しながら説明する。

先ず、ベース部材となるコア基板１０を用意する（図５（ａ）参照）。

次に（図５（ｂ）参照）、コア基板１０の両面の配線形成領域Ｒ１に所要パターンの導体層３１を形成する。この導体層３１は、コア基板１０の上下間を電気的に接続するよう形成される。

具体的には、コア基板１０の所要の箇所に、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたはドリルを用いて穴あけ加工を行い、コア基板１０を厚さ方向に貫通するスルーホールを形成する。次に、無電解銅（Ｃｕ）めっき及び電解Ｃｕめっきを行うことでめっきスルーホール３２を形成し、そのめっきスルーホール内に絶縁材（導電材でも可）３３を充填し熱硬化させる。

さらに、基板両面の銅箔１２ａ，１２ｂ上と、スルーホールから露出する絶縁材３３の両端面上に、無電解Ｃｕめっきと電解Ｃｕめっきを施し、めっき層を積層する。この後、基板両面のめっき層上に所要パターンのエッチングレジストを形成し、めっき層と銅箔１２ａ，１２ｂをエッチングで除去する。これにより、コア基板１０の配線形成領域Ｒ１において所要パターンの導体層３１が形成される。

この工程では、めっき液やエッチング液等が使用されるので、コア基板１０内にめっき液等が侵入するのを防ぐためにキャップ２４が装着されている。

次の工程では（図５（ｃ）参照）、コア基板１０の両面に、それぞれ１層目の絶縁層３４を形成する。この絶縁層３４の材料には、光透過性を有する樹脂材、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等が用いられる。例えば、エポキシ系樹脂フィルムをコア基板１０の両面にラミネートし、この樹脂フィルムをプレスしながら１３０〜１５０℃の温度で熱処理して硬化させることにより、樹脂層（絶縁層３４）を形成することができる。

このとき、加熱の際に溶融した樹脂がコア基板１０の開口部ＯＰ１（ＯＰ３，ＯＰ５）に充填されるが、当該開口部の径が比較的大きいため、当該開口部への樹脂の充填による絶縁層３４の厚さにばらつきは殆ど生じない。つまり、絶縁層３４の上面の平坦度が維持される。

次の工程では（図６参照）、第１層（Ｌ１）を形成する。すなわち、図６（ａ）に示すように、コア基板１０の両面に形成された絶縁層３４上の、配線形成領域Ｒ１に対応する部分に所要パターンの配線層３５を形成するとともに、周囲部Ｒ２において複数の開口部（図示の例では開口部ＯＰ１，ＯＰ３，ＯＰ５）が形成されている位置に対応する部分に複数のアライメントマーク（図示の例ではアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５）を形成する。各アライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５は、それぞれ対応する開口部ＯＰ１，ＯＰ３，ＯＰ５の上方の位置に形成される。

図６（ａ）の例では図示を省略しているが、コア基板１０の下面側にも、周囲部Ｒ２において複数の開口部（図１の開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６）が形成されている位置に対応する部分に複数のアライメントマークが形成される。これら各アライメントマークは、それぞれ対応する開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６の下方の位置に形成される。

また、各アライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５は、図６（ｂ）の平面図（図６（ａ）においてＡ−Ａ線に沿って基板上面から見た図）に示すように、対応する開口部ＯＰ１，ＯＰ３，ＯＰ５の径（最大３ｍｍ程度）よりも小さい径で形成されている。これは、開口部ＯＰ１（ＯＰ３，ＯＰ５）を透過した光によってアライメントマークＭ１（Ｍ３，Ｍ５）の全体が照射されるようにすることで、当該マークを撮像して得られる画像の認識に基づいた位置検出の精度を高めるためである。図示の例では、各アライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５は、リング状の抜きパターンとなっている。しかし、アライメントマークの形状がこれに限定されないことはもちろんである。

この第１層（ＬＩ）に形成された複数のアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５は、後述するようにそれぞれ第２層（Ｌ２）、第３層（Ｌ３）、第４層（Ｌ４）を形成する際の位置基準として用いられる。

次の工程では（図７（ａ）参照）、コア基板１０の両面の、配線層３５及び複数のアライメントマーク（図示の例ではアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５）を含む第１層（Ｌ１）上及び絶縁層３４上に、図５（ｃ）の工程で行った処理と同様にして２層目の絶縁層３６を形成後、各絶縁層３６の所要の箇所に形成すべきビアホールの位置合わせ用のアライメントマークＭ１（Ｍ３，Ｍ５）を検出する。

具体的には、コア基板１０の側端面に設けた各光照射用部材２０ａ〜２０ｆのうち、第２層（Ｌ２）形成用の光照射用部材２０ａのコネクタ２１を介して、光照射ユニット２３からの照射光を入力し、このコネクタ２１に結合された光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射された光を、対応する開口部ＯＰ１を通過させて対応するアライメントマークＭ１を照射する。このとき、各絶縁層３４，３６の厚さは、例えば１０〜３０μｍ程度であるため、光透過部２２で反射された光は絶縁層３４，３６を透過し、アライメントマークＭ１は外部に照らし出される。そして、その照らし出されたアライメントマークＭ１を、ＣＣＤカメラ等の撮像手段（図示せず）によって撮像し、その撮像データをコンピュータ（図示せず）に取り込んで画像認識を行うことで、アライメントマークＭ１を検出することができる。

次の工程では（図７（ｂ）参照）、その検出されたアライメントマークＭ１を位置基準として用いて、上記コンピュータからの制御に基づきレーザ照射装置（図示せず）の位置合わせを行った上で、絶縁層３６にレーザ（炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ等）を照射して下層の配線層３５に達するビアホールＶＨを形成する。

本工程ではレーザによりビアホールＶＨを形成しているが、絶縁層３６が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、フォトリソグラフィによりビアホールＶＨを形成することも可能である。この場合には、上記コンピュータからの制御に基づき露光装置においてＬ２形成用のマスクの位置合わせを行った上で、露光及び現像を行う。

次の工程では（図８（ａ）参照）、ビアホールＶＨが形成された各絶縁層３６上に、所要パターンのめっきレジスト（レジスト層３７）を形成する。

具体的には、先ず、無電解Ｃｕめっきやスパッタリング等により、ビアホールＶＨの内部を含めて絶縁層３６上に銅（Ｃｕ）のシード層（図示せず）を形成する。そして、ドライフィルムレジストを全面にラミネートした後、図７（ａ）の工程で行った処理と同様にして、Ｌ２形成用のアライメントマークＭ１を検出する。このとき、レジスト層３７の厚さは、各絶縁層３４，３６と同様に１０〜３０μｍ程度であるため、光透過部２２で反射された光は絶縁層３４，３６及びレジスト層３７を透過し、アライメントマークＭ１は外部に照らし出される。この照らし出されたアライメントマークＭ１を撮像手段によって撮像し、その撮像データをコンピュータにおいて画像認識することで、アライメントマークＭ１を確実に検出することができる。

このようにして検出されたアライメントマークＭ１を位置基準として用いて、上記コンピュータからの制御に基づき露光装置（図示せず）においてＬ２形成用のマスクの位置合わせを行った上で、露光及び現像を行う。これにより、所要パターンのレジスト層３７が形成される。

次の工程では（図８（ｂ）参照）、このレジスト層３７の開口部から露出しているシード層（図示せず）上に、このシード層を給電層として利用した電解Ｃｕめっきにより、導体層（Ｃｕ）を形成する。さらに、レジスト層３７を除去した後、導体層（Ｃｕ）をマスクにして、露光しているシード層をエッチングすることで、第２層（Ｌ２）の配線層３８が形成される。この配線層３８は、ビアホールＶＨ内のシード層（図示せず）を介して下層の配線層３５に接続されている。

以降、特に図示はしていないが、上記の処理と同様にして、第１層（Ｌ１）に設けたアライメントマークＭ３，Ｍ５を位置基準として用いて、第３層（Ｌ３）、第４層（Ｌ４）を形成することができる。

さらに、最外層の配線層（この場合、第４層の配線層）を覆ってソルダレジスト層を形成した後、このソルダレジスト層から露出しているパッドの部分に適当な表面処理（Ｎｉ／Ａｕめっき、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき等）を施し、最後に、周囲部Ｒ２（図１参照）をダイシング等により切断除去することで、多層配線基板が得られる。

以上説明したように、第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法によれば、特定の構造を有したコア基板１０（配線層を積層する側の面の周囲部Ｒ２に開口部ＯＰ１〜ＯＰ６が形成され、周囲部Ｒ２の側端面１０Ｓにつながる箇所に、外部からの照射光を当該開口部に指向させる光照射用部材２０ａ〜２０ｆが設けられた支持基板）を使用している。そして、このコア基板１０の両面に各配線層（Ｌ１〜Ｌ４）を積層する際に、最下層の第１層（Ｌ１）に形成された複数のアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５を用いて、第２層以降の各配線層（Ｌ２〜Ｌ４）のアライメントを行っている。つまり、各配線層（Ｌ２〜Ｌ４）を積層する際の位置基準となるアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５が全て同じ配線層（Ｌ１）に形成されており、この最下層（Ｌ１）上に積層される各配線層（Ｌ２〜Ｌ４）は、最下層（Ｌ１）に形成された対応するアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５をそれぞれ位置基準としてアライメントされている。

これにより、各配線層を積層する際に発生するアライメント公差は、現状の技術のように各層を積層する過程で累積されたアライメント公差（ずれ）ではなく、各配線層の最下層に対する１層分のずれとなる。その結果、最下層と最上層間の相対的な位置ずれを最小にすることが可能となる。

（第２の実施形態…図９、図１０参照）
上述した第１の実施形態では、図３及び図４に例示した方法によって製造されたコア基板（支持基板）１０を多層配線基板の製造（図５〜図８）に利用した場合を例にとって説明したが、本発明の要旨からも明らかなように、多層配線基板のベース部材となる支持基板がコア基板に限定されないことはもちろんである。例えば、コア基板を除去した構造の多層配線基板（「コアレス基板」ともいう。）を製造する際のベース部材（支持体）として用いられる仮基板であってもよい。

図９及び図１０はその場合の実施形態を示したものであり、多層配線基板製造用の仮基板の製造方法の一例を示している。図９及び図１０に示す製造工程は、基本的には第１の実施形態に係る製造工程（図３及び図４）と同じである。

先ず最初の工程では（図９（ａ）参照）、シート状の絶縁性基材４１の両面（下側の面を第１の面Ｓ１、上側の面を第２の面Ｓ２とする）にそれぞれ銅箔４２ａ，４２ｂが貼着された支持体コア部４０Ａを用意する。各銅箔４２ａ，４２ｂは、絶縁性基材４１上で配線形成領域Ｒ１よりわずかに大きいエリアに対応する部分に貼着されている。つまり、絶縁性基材４１の周囲部Ｒ２にほぼ相当する部分は両面とも露出している。

絶縁性基材４１の厚さは３００μｍ程度に選定されている。絶縁性基材４１の材料としては、例えば、プリプレグ（ガラスクロス等にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、半硬化のＢステージ状態にした接着シート）が用いられる。このプリプレグを重ね、銅箔４２ａ，４２ｂとともに加熱及び加圧することにより、所要の支持体コア部４０Ａが得られる。

次の工程では（図９（ｂ）参照）、図３（ｂ）の工程で行った処理と同様にして、絶縁性基材４１の第２の面Ｓ２上でその周囲部Ｒ２の側端面につながる複数の箇所（図１のコア基板１０の四隅に相当）に、それぞれ段差部ＳＰ（絶縁性基材４１の薄く形成された部分）を形成する。

次の工程では（図９（ｃ）参照）、図３（ｃ）の工程で行った処理と同様にして、その四隅に段差部ＳＰが形成された支持体コア部４０Ｂに対し、各段差部ＳＰに、それぞれ複数個の光照射用部材２０ａ〜２０ｆを異なる位置に、かつ、当該光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光の方向が第２の面Ｓ２（又は第１の面Ｓ１）と直交するように実装する。

次の工程では（図１０（ａ）参照）、光照射用部材２０ａ〜２０ｆが実装された支持体コア部４０Ｂに対し、両面からそれぞれ接着剤４４を介して銅箔４３ａ，４３ｂを貼着する。各銅箔４３ａ，４３ｂの大きさは、絶縁性基材４１の両面に貼着された銅箔４２ａ，４２ｂの大きさよりも大きく選定されている。また、銅箔４３ａ，４３ｂ上に塗布される接着剤４４の塗布エリアは、絶縁性基材４１上で銅箔４２ａ，４２ｂが貼着されていない部分（露出している部分）のエリアを十分にカバーする程度の大きさに選定されている。つまり、銅箔４３ａ，４３ｂの周縁部が、接着剤４４を介して絶縁性基材４１の周縁部に貼着される。この工程により、各光照射用部材２０ａ〜２０ｆは、絶縁体（絶縁性基材４１）に組み込まれる形で封止される。

最後の工程では（図１０（ｂ）参照）、図４（ｂ）の工程で行った処理と同様にして、絶縁体４１の両面の最外層の各導体層（銅箔４３ａ，４３ｂ）の、それぞれ光照射用部材２０ａ〜２０ｆの各光透過部２２（反射面２２Ｒ）で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部２２に達するように開口部ＯＰ１〜ＯＰ６を形成する。

以上の工程により、目的とする仮基板（支持基板）４０が製造されたことになる。

かかる仮基板４０は、上述したようにコアレス基板を製造する際のベース部材として用いられる。かかるコアレス基板を製造する方法についてはその詳細は省略するが、基本的なプロセスは、支持体としての仮基板上にパッド（外部端子）を形成後、該パッド及び仮基板上にビルドアップ層（樹脂絶縁層、配線層）を順次形成し、最終的に仮基板を除去するものである。

仮基板の除去は、その両面に多層配線層が積層された構造体の内側銅箔（図１０（ｂ）の銅箔４２ａ，４２ｂ）の周縁に対応する部分を切断し、内側銅箔と密着状態にあった外側銅箔（図１０（ｂ）の銅箔４３ａ，４３ｂ）から分離することにより、行われる。このとき、分割された２枚の多層配線層中間体にはそれぞれ外側銅箔が付着しているので、これら外側銅箔をエッチング等により除去することで２枚のコアレス基板が得られる。

コアレス基板を製造する詳細なプロセスについては、例えば、本願の出願人が以前に提案した「配線基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法」（特開２００７−１５８１７４号公報）を参照されたい。

この第２の実施形態においても、上述した第１の実施形態に係るコア基板（支持基板）１０と同様の特定の構造を有した仮基板（支持基板）４０を使用しているので、この仮基板４０の両面に各配線層（Ｌ１〜Ｌ４）を積層する際に、最下層の第１層（Ｌ１）に形成された対応するアライメントマークをそれぞれ位置基準として用いて第２層以降の各配線層のアライメントを行うことができる。

これにより、第１の実施形態の場合と同様に、各配線層を積層する際に発生するアライメント公差は、それぞれの最下層に対する１層分のずれとなる。その結果、最下層と最上層間の相対的な位置ずれを最小にすることができる。

（第３の実施形態…図１１参照）
上述した第１、第２の各実施形態では、支持基板（コア基板１０、仮基板４０）に組み込まれる光照射用部材２０ａ〜２０ｆの数（すなわち、支持基板に積層される配線層（最下層の配線層を除く）の数）に対応させて複数箇所に開口部ＯＰ１〜ＯＰ６を設けているが、設けるべき開口部は必ずしも複数箇所に分離している必要はない。要は、各光照射用部材２０ａ〜２０ｆの各光透過部２２で反射された光によってそれぞれ対応するアライメントマーク（図６の例示では、アライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５）の全体を照射できれば十分である。例えば、各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分を包含する大きさで１箇所に開口部を設けてもよい。

図１１はその場合の一実施形態を示している。図１１において、（ａ）は図１（ｂ）に対応した平面図であり、支持基板５０に設けられる開口部ＯＰＡと光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅとの位置関係を示している。また、図１１（ｂ）は図６（ｂ）に対応した平面図であり、その開口部ＯＰＡと対応するアライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５との位置関係を示している。

図１１（ａ）に示すように、開口部ＯＰＡは、支持基板５０（コア基板、仮基板のいずれも可）の上面側で、各光照射用部材２０ａ，２０ｃ，２０ｅの各光透過部２２の反射面２２Ｒ（図１（ｃ）参照）で反射される光が通過する位置に対応する部分を包含するように１箇所に設けられている。図示の例では、開口部ＯＰＡは長円形状に形成されている。また、図１１（ａ）では図示を省略しているが、支持基板５０の下面側にも同様に、各光照射用部材２０ｂ，２０ｄ，２０ｆの各光透過部２２の反射面２２Ｒ（図１（ｄ）参照）で反射される光が通過する位置に対応する部分を包含する大きさで１箇所に開口部が設けられている。

長円形状の開口部ＯＰＡは、図１１（ｂ）に示すように各アライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５のサイズよりも大きいサイズで、すなわち、各アライメントマークＭ１，Ｍ３，Ｍ５を包含する大きさで形成されている。

上述した各実施形態では、支持基板の両面にそれぞれ配線層を積層しているが、必ずしも両面に積層する必要はなく、片面にのみ配線層を積層するようにしてもよい。この場合には、支持基板の所定の箇所（図１の周囲部Ｒ２）に設けるべき開口部は、配線層を積層する側の面にのみ設けられる。

例えば、図１の構成を参照すると、コア基板１０の上面側にのみ配線層を積層する場合には、開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６の形成が省略され（最下層を含んで４層を形成する場合）、あるいは、開口部ＯＰ１，ＯＰ３，ＯＰ５と共に開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６も基板の上面側に形成される（最下層を含んで７層を形成する場合）。４層を形成する場合、開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６に対応する光照射用部材２０ｂ，２０ｄ，２０ｆは不要である。また、７層を形成する場合、開口部ＯＰ２，ＯＰ４，ＯＰ６に対応する光照射用部材２０ｂ，２０ｄ，２０ｆも、それぞれの光透過部２２で反射される光が上面側に指向するように配置される（つまり、光照射用部材２０ｂ，２０ｄ，２０ｆの配置を上下反転させる）。コア基板１０の下面側にのみ配線層を積層する場合にも、同様の設計変更が行われる。

また、図５〜図８に示した実施形態では、支持基板（コア基板１０）を、半導体パッケージとして用いる多層配線基板の製造に使用した場合を例にとって説明したが、支持基板を使用する配線基板の形態がこれに限定されないことはもちろんである。例えば、配線基板の絶縁層中に半導体素子等の電子部品を内蔵させた電子部品内蔵基板の製造にも同様に適用することが可能である。

１０，４０，５０…支持基板（コア基板、仮基板）、
１１（１１ａ，１１ｂ），４１…絶縁体（絶縁性基材、絶縁材）、
１２ａ，１２ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ…導体層（銅箔）、
２０ａ〜２０ｆ…光照射用部材、
２１…コネクタ、
２２…光透過部、
２３…光照射ユニット、
２４…防護用キャップ、
Ｍ１，Ｍ３，Ｍ５…アライメントマーク、
ＯＰ１〜ＯＰ６，ＯＰＡ…開口部、
Ｒ１…配線形成領域、
Ｒ２…周囲部、
ＳＰ…段差部。

Claims (10)

1. 支持基板であって、配線層を積層する側の面の周囲部に開口部が形成され、該周囲部の側端面につながる箇所に外部からの照射光を前記開口部に指向させる光照射用部材が設けられた当該支持基板を用意する工程と、
   前記支持基板の前記開口部が形成されている側の面に第１の絶縁層を形成後、該絶縁層上の、前記周囲部の内側の領域に配線層を形成するとともに、前記開口部が形成されている位置に対応する領域に複数のアライメントマークを形成する第１層形成工程を含み、
   以降の工程において絶縁層にビアホールを形成する際及び配線層形成用のレジスト層のパターニングを行う際に、前記光照射用部材を用いて前記開口部を通過させた光により、前記複数のアライメントマークのうち対応するアライメントマークを検出し、当該アライメントマークを位置基準として位置合わせを行った上で、前記ビアホールの形成及び前記レジスト層のパターニングを行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記第１層形成工程において前記複数のアライメントマークを形成する際に、各アライメントマークを前記開口部の大きさよりも小さい大きさで形成することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記第１層形成工程後、前記第１層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記光照射用部材を用いて検出された当該アライメントマークを位置基準として所要の位置合わせを行った上で、前記第２の絶縁層にレーザを照射して前記第１層の配線層に達するビアホールを形成する工程と、
   前記ビアホールが形成された第２の絶縁層上にレジスト層を形成後、前記光照射用部材を用いて検出された当該アライメントマークを位置基準として所要の位置合わせを行った上で、露光及び現像を行って前記レジスト層のパターニングを行う工程と、
   パターニングされたレジスト層をマスクにして、前記第１層の配線層に前記ビアホールを介して接続される配線層を形成する第２層形成工程と、
   前記レジスト層を除去後、前記第２の絶縁層の形成、前記ビアホールの形成、前記レジスト層のパターニング及び前記第２層形成工程と同様の処理を繰り返す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 多層配線基板に用いられる支持基板であって、
   シート状の絶縁体の両面に導体層が被覆され、
   前記絶縁体の周囲部の側端面につながる複数の箇所においてそれぞれ当該箇所の異なる複数の位置に、外部からの照射光を入力可能なコネクタに光の進行方向を所定の方向に反射させる光透過部を光学的に結合してなる光照射用部材が封止され、
   前記導体層の、各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達する開口部が設けられていることを特徴とする支持基板。
5. 前記開口部は、前記支持基板上に積層される最下層の配線層を除いた残りの配線層の数に対応させて複数箇所に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の支持基板。
6. 前記開口部は、前記導体層の、各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分を包含する大きさで１箇所に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の支持基板。
7. 請求項４に記載の支持基板を製造する方法であって、
   外部からの照射光を入力可能なコネクタに光の進行方向を所定の方向に反射させる光透過部を光学的に結合してなる光照射用部材を用意する工程と、
   絶縁性基材の第１の面に第１の導体層が形成されたコア材を用意する工程と、
   前記絶縁性基材の前記第１の面と反対側の第２の面上でその周囲部の側端面につながる複数の箇所に、それぞれ段差部を形成する工程と、
   前記各段差部に、それぞれ複数の前記光照射用部材を異なる位置に、かつ、当該光透過部で反射される光の方向が前記第２の面と直交するように実装する工程と、
   前記光照射用部材が実装されたコア材に、一方の面に第２の導体層が形成された絶縁材を、該第２の導体層を外側にして当該光照射用部材を封止するよう接着する工程と、
   前記第１の導体層又は第２の導体層の、前記各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする支持基板の製造方法。
8. 前記各段差部に複数の前記光照射用部材を実装する工程において、第１群の光照射用部材については、当該光透過部で反射される光が前記第１の面側に指向するよう実装し、残りの第２群の光照射用部材については、当該光透過部で反射される光が前記第２の面側に指向するよう実装し、
   前記開口部を形成する工程において、前記第１群の光照射用部材については、前記第１の導体層の、当該光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成し、前記第２群の光照射用部材については、前記第２の導体層の、当該光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成することを特徴とする請求項７に記載の支持基板の製造方法。
9. 請求項４に記載の支持基板を製造する方法であって、
   外部からの照射光を入力可能なコネクタに光の進行方向を所定の方向に反射させる光透過部を光学的に結合してなる光照射用部材を用意する工程と、
   絶縁性基材の両面に、その周囲部を除いて第１の導体層が形成された支持体コア部を用意する工程と、
   前記絶縁性基材の一方の面上でその周囲部の側端面につながる複数の箇所に、それぞれ段差部を形成する工程と、
   前記各段差部に、それぞれ複数の前記光照射用部材を異なる位置に、かつ、当該光透過部で反射される光の方向が前記一方の面と直交するように実装する工程と、
   前記光照射用部材が実装された支持体コア部の両面に、前記第１の導体層よりも大きい第２の導体層を接着して、当該光照射用部材を封止する工程と、
   少なくとも一方の面側の前記第２の導体層の、前記各光照射用部材の各光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする支持基板の製造方法。
10. 前記各段差部に複数の前記光照射用部材を実装する工程において、第１群の光照射用部材については、当該光透過部で反射される光が前記一方の面側に指向するよう実装し、残りの第２群の光照射用部材については、当該光透過部で反射される光が前記一方の面と反対の面側に指向するよう実装し、
    前記開口部を形成する工程において、前記第１群の光照射用部材については、一方の面側の前記第２の導体層の、当該光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成し、前記第２群の光照射用部材については、他方の面側の前記第２の導体層の、当該光透過部で反射される光が通過する位置に対応する部分に、当該光透過部に達するよう開口部を形成することを特徴とする請求項９に記載の支持基板の製造方法。

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