JP2012119477A - 太陽電池モジュールの製造方法及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本太陽電池モジュールの製造方法は、CIS系光吸収層及び第1バッファ層が形成された基板上に、成膜室で前記第1バッファ層上に第2バッファ層として酸化亜鉛膜をイオンプレーティング法により成膜する成膜工程を有する太陽電池モジュールの製造方法であって、前記成膜工程は、予め把握した前記酸化亜鉛膜の抵抗率と前記成膜室内の水蒸気分圧との関係に基づいて、前記成膜室内の水蒸気分圧を制御して前記抵抗率を調整する抵抗率調整工程を備える。
【選択図】図5
Description
イオンプレーティング装置20を用いて、ガラス基板上に膜厚約200nmの酸化亜鉛膜を成膜した。そして、真空容器21内の水蒸気分圧と成膜された酸化亜鉛膜の抵抗率及び透過率との関係、及び真空容器21内の水蒸気分圧と成膜された酸化亜鉛膜の抵抗率のばらつきとの関係について検討を行った。なお、ガラス基板の温度は約115℃、アルゴンガスの導入量は約65sccm、酸素の導入量は約5sccmとした。
11 基板
11x エッジスペース
12 第1電極層
12x、17x、17y 溝部
13 CIS系光吸収層
14 第1バッファ層
15 第2バッファ層
16 第2電極層
17 発電層
19 セル
20 イオンプレーティング装置
21 真空容器
22 プラズマガン
22a 陰極
22b、22c 中間電極
22d 電磁石コイル
22e ステアリングコイル
23 陽極部材
23a ハース
23b 補助陽極
24 搬送機構
24a 搬送路
24b コロ
26a、26b、26c 供給路
26d 排気系
27 蒸着材料
28a 永久磁石
28b コイル
30 容器
30a ヒータ
31 導入管
32 マスフローコントローラ
32a 設定部
32b 制御部
32c 流量制御バルブ
32d 流量センサ
33 開閉弁
PB プラズマビーム
TH 貫通孔
W 基板
WH 基板保持部材
Claims (5)
- CIS系光吸収層及び第1バッファ層が形成された基板上に、成膜室で前記第1バッファ層上に第2バッファ層として酸化亜鉛膜をイオンプレーティング法により成膜する成膜工程を有する太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記成膜工程は、予め把握した前記酸化亜鉛膜の抵抗率と前記成膜室内の水蒸気分圧との関係に基づいて、前記成膜室内の水蒸気分圧を制御して前記抵抗率を調整する抵抗率調整工程を備えることを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記抵抗率調整工程は、前記成膜室内の水蒸気分圧が前記酸化亜鉛膜の所望の抵抗率に対応する水蒸気分圧になるように、前記水蒸気供給手段から前記成膜室内へ供給する水蒸気導入量を調整することを特徴とする請求項1記載の太陽電池モジュールの製造方法。
- 前記抵抗率調整工程において、前記水蒸気分圧を0.001〜0.1Paの範囲内の所定値に制御することを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池モジュールの製造方法。
- CIS系光吸収層及び第1バッファ層が形成された基板の前記第1バッファ層上に第2バッファ層として酸化亜鉛膜をイオンプレーティング法により成膜する成膜室を有する成膜装置であって、
前記成膜室内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、
予め把握した前記酸化亜鉛膜の抵抗率と前記成膜室内の水蒸気分圧との関係に基づいて、前記成膜室内の水蒸気分圧を前記酸化亜鉛膜の所望の抵抗率に対応する水蒸気分圧に制御する水蒸気分圧制御手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記水蒸気分圧制御手段は、前記成膜室内の水蒸気分圧が前記酸化亜鉛膜の所望の抵抗率に対応する水蒸気分圧になるように、前記水蒸気供給手段から前記成膜室内へ供給する水蒸気導入量を調整する流量制御部を備えることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|---|
US4612411A (en) * | 1985-06-04 | 1986-09-16 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell with ZnO window layer |
JP2005226131A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
WO2010004937A1 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 株式会社アルバック | タッチパネルの製造方法及び成膜装置 |
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