JP2012110205A - ドライバ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
第1トランジスタ21と第2トランジスタが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、ハイサイド側の第1トランジスタ21に負のゲート電圧を第1の制御回路11を介して供給するためのコンデンサ13、及び、ローサイド側の第2トランジスタ22に負のゲート電圧を第2の制御回路12を介して供給するための制御回路電源14を備え、コンデンサ13の一端をスイッチ素子30を介して制御回路電源14の−端子側の負電圧VEEと接続し、他端を出力端子4の電圧と接続するように構成したドライバ回路1であって、スイッチ素子30は、第2トランジスタ22がオン状態となるタイミングでオンされるように制御される。
【選択図】 図1
Description
入出力端子対の一端が第1の電源電圧に接続する第1トランジスタ、及び、入出力端子対の一端が前記第1の電源電圧より低い第2の電源電圧に接続する第2トランジスタを直列に接続して、前記第1トランジスタと第2トランジスタの間の中間ノードの電圧を出力するドライバ回路であって、
高圧側電源端子、及び、低圧側電源端子を有し、入力信号に基づき、前記第1トランジスタのオンオフを制御するための第1制御信号を前記第1トランジスタの制御端子に出力する第1の制御回路と、高圧側電源端子、及び、低圧側電源端子を有し、入力信号に基づき、前記第2トランジスタのオンオフを制御するための第2制御信号を前記第2トランジスタの制御端子に出力する第2の制御回路と、スイッチ素子と、前記第1の制御回路に供給する電源電圧を生成するコンデンサと、を備え、
前記コンデンサは、一端が前記第2の電源電圧より低い第3の電源電圧と前記スイッチ素子を介して接続され、他端が前記第1トランジスタの前記入出力端子の他端と接続され、
前記コンデンサの一端の電圧が、前記第1の制御回路の前記低圧側電源端子に供給され、前記第3の電源電圧が、前記第2の制御回路の前記低圧側電源端子に供給され、
前記第1の制御回路は、前記第1トランジスタをオフさせる場合、前記第1の制御回路の前記低圧側電源端子に供給される電圧を、前記第1制御信号として出力し、前記第2の制御回路は、前記第2トランジスタをオフさせる場合、前記第2の制御回路の前記低圧側電源端子に供給される電圧を、前記第2制御信号として出力し、
前記第2トランジスタがオン状態のとき、前記スイッチ素子がオン状態となるように制御されることを特徴とする。
本発明の一実施形態に係るドライバ回路1の構成例を図1に示す。尚、以降の実施形態の説明に用いる図面では、同一の構成要素には同一の符号を付すこととし、また、名称及び機能も同一であるので、同様の説明を繰り返すことはしない。
また、図7は、ノーマリーオン型FETの閾値電圧Vthを−2.5Vとした場合の当該FETの逆導通特性(ドレイン側にソースに対して負の電圧Vdsを印加した場合にドレイン‐ソース間に流れる電流Idの変化)のゲート電圧Vgs依存性を示すグラフであり、左から、Vgsを−5Vから+0.5Vステップで増加させた場合の特性の変化を示す。
2: ハイサイド側入力制御信号
3: ローサイド側入力制御信号
4: 出力端子
5: 高圧電源
6: 第1制御信号
7: 第2制御信号
8: 遅延回路
9: AND回路
11: 第1の制御回路(ハイサイド側)
11a: 高圧側電源端子
11b: 低圧側電源端子
12: 第2の制御回路(ローサイド側)
12a: 高圧側電源端子
12b: 低圧側電源端子
13: コンデンサ
14: 制御回路電源
21: 第1トランジスタ
22: 第2トランジスタ
30: スイッチ素子
31: MOSFET
VDD: 正電圧(第1の電源電圧)
VSS: 接地電位(第2の電源電圧)
VEE: 負電圧(第3の電源電圧)
Claims (10)
- 入出力端子対の一端が第1の電源電圧に接続する第1トランジスタ、及び、入出力端子対の一端が前記第1の電源電圧より低い第2の電源電圧に接続する第2トランジスタを直列に接続して、前記第1トランジスタと第2トランジスタの間の中間ノードの電圧を出力するドライバ回路であって、
高圧側電源端子、及び、低圧側電源端子を有し、入力信号に基づき、前記第1トランジスタのオンオフを制御するための第1制御信号を前記第1トランジスタの制御端子に出力する第1の制御回路と、
高圧側電源端子、及び、低圧側電源端子を有し、入力信号に基づき、前記第2トランジスタのオンオフを制御するための第2制御信号を前記第2トランジスタの制御端子に出力する第2の制御回路と、
スイッチ素子と、
前記第1の制御回路に供給する電源電圧を生成するコンデンサと、を備え、
前記コンデンサは、一端が前記第2の電源電圧より低い第3の電源電圧と前記スイッチ素子を介して接続され、他端が前記第1トランジスタの前記入出力端子の他端と接続され、
前記コンデンサの一端の電圧が、前記第1の制御回路の前記低圧側電源端子に供給され、
前記第3の電源電圧が、前記第2の制御回路の前記低圧側電源端子に供給され、
前記第1の制御回路は、前記第1トランジスタをオフさせる場合、前記第1の制御回路の前記低圧側電源端子に供給される電圧を、前記第1制御信号として出力し、
前記第2の制御回路は、前記第2トランジスタをオフさせる場合、前記第2の制御回路の前記低圧側電源端子に供給される電圧を、前記第2制御信号として出力し、
前記第2トランジスタがオン状態のとき、前記スイッチ素子がオン状態となるように制御されることを特徴とするドライバ回路。 - 前記第1トランジスタが、ワイドギャップ半導体で構成されるノーマリーオン型のnチャネルFETであり、
前記第1の制御回路の前記高圧側電源端子が、前記第1トランジスタの前記入出力端子の他端と接続されることを特徴とする請求項1に記載のドライバ回路。 - 前記第2トランジスタが、ワイドギャップ半導体で構成されるノーマリーオン型のnチャネルFETであり、
前記第2の制御回路の前記高圧側電源端子が、前記第2の電源電圧と接続されることを特徴とする請求項1または2に記載のドライバ回路。 - 前記スイッチ素子が、MOSFETで構成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のドライバ回路。
- 前記第2制御信号に基づき、前記スイッチ素子のオンオフが制御されることを特徴とする請求項4に記載のドライバ回路。
- 前記第2の制御回路に入力される前記入力信号と、当該入力信号の遅延信号との論理積の信号に基づき、前記スイッチ素子のオンオフが制御されることを特徴とする請求項4に記載のドライバ回路。
- 前記第2の制御回路に入力される前記入力信号と、前記第2制御信号との論理積の信号に基づき、前記スイッチ素子のオンオフが制御されることを特徴とする請求項4に記載のドライバ回路。
- 前記第1トランジスタが、ノーマリーオン型のnチャネルFETであり、
前記第3の電源電圧が、前記第1制御信号の入力により前記第1トランジスタがオフ状態のとき、前記第1トランジスタの逆導通動作が可能な電圧に設定されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載のドライバ回路。 - 前記第2トランジスタが、ノーマリーオン型のnチャネルFETであり、
前記第3の電源電圧が、前記第2制御信号の入力により前記第2トランジスタがオフ状態のとき、前記第2トランジスタの逆導通動作が可能な電圧に設定されていることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載のドライバ回路。 - 前記第1トランジスタ又は前記第2トランジスタのうち少なくとも何れか一方の逆導通立ち上がり電圧が、−1.5V〜−3.0Vの範囲となるように、前記第3の電源電圧が設定されていることを特徴とする請求項8または9に記載のドライバ回路。
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