JP2012108471A - 立体画像認識装置 - Google Patents

Abstract

【課題】視野角輝度に加え、色味変化、クロストークが改善された、立体画像認識装置（３Ｄ表示装置）を提供する。
【解決手段】１対の偏光板を備えた液晶表示装置Ｉと、液晶表示装置Ｉの表示面と観察者の間に配設された時分割画像表示遮断機器ＩＩとを有する立体画像認識装置において、液晶表示装置Ｉは、表示側偏光板の偏光膜より表示側の領域にλ／４板を有し、更にその領域の厚み方向のレターデーションＲｔｈが｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１６０ｎｍを満たす。時分割画像表示遮断機器ＩＩとしては、液晶表示装置Ｉ側から、λ／４板、偏光板、液晶セル及び偏光板をこの順に有する偏光板２枚方式のものと、液晶表示装置Ｉ側から、λ／４板、偏光板、液晶セル及び偏光板をこの順に有する偏光板２枚方式と、λ／４板、液晶セル及び偏光板をこの順に有する、又は液晶セル、λ／４板及び偏光板をこの順に有する偏光板１枚方式がある。
【選択図】図１

Description

本発明は、時分割方式で立体表示された画像を映し出す液晶表示装置を正面及び斜めから見た場合に輝度が改善され、かつクロストークなく、色味変化が小さい画像を認識できる立体画像認識装置に関する。

液晶セル、その前後に１対の偏光板を主構成とする液晶表示装置と、メガネなどの形態として偏光板、液晶セルを備えた時分割画像表示遮断機器とを備えた立体画像認識装置として、特許文献１や２に記載の立体画像認識装置が知られている。なお、時分割画像表示遮断機器はメガネの形態をとる場合、液晶（以後、ＬＣと略す場合がある）シャッターメガネと呼ばれる場合もある。このような立体画像認識装置は、通常、液晶表示装置は地面と垂直に立てた状態で、かつ、時分割画像表示遮断機器は地面と平行（観察者の目は地面と平行）に配置した状態で視聴される。
この立体画像認識装置の１つの構成として、液晶表示装置の表示側偏光板の視認側にλ／４板を有し、時分割画像表示遮断機器の観察者側に配置された偏光板よりも外側（観察者側と反対側）に液晶セル等の液晶封入体とλ／４板を有する形態がある。（以後、時分割画像表示遮断機器が偏光膜を２枚有する形態を偏光板２枚型方式時分割画像表示遮断機器といい、偏光膜を１枚有する形態を偏光板１枚方式時分割画像表示遮断機器という。）
ところで、上記したような立体画像認識装置の場合、時分割画像表示遮断機器に偏光板を少なくとも１枚使用するため、原理的に表示画面の輝度が低下することが知られている。表示品位の高い３Ｄ表示を得るためには表示画面の輝度低下をなるべく抑えることが重要となる。
従来の立体画像認識装置ではλ／４板を使用しないため、正面から液晶表示装置を眺めた場合に顔を傾斜すると表示画面が暗くなくなるという問題があったが、上記したλ／４板を２枚使用する立体画像認識装置では、正面から液晶表示装置を眺めた際に顔を傾斜しても、表示画面が暗くなるのを防ぐことが可能となる。
また、偏光板１枚方式時分割画像表示遮断機器の場合、フリッカーという、立体画像認識装置に特有のちらつき現象を抑えることができるものの、斜めから液晶表示装置を眺めた場合に、立体画像を認識させるためのメカニズムである、右目用の映像と左目用の映像の区別が完全に認識できず、画像を眺める視聴者においては、像が２重に見える、いわゆるクロストーク現象が発生する問題点があった。

後者のクロストークの問題については、解決手段としてλ／４板として用いる部材を、透明な支持体上に円盤状液晶を配向させて形成する技術が特許文献３に記載されている。
特許文献２に記載の立体画像認識装置において、特許文献３に記載の負のＡプレートを適用すると、クロストーク現象は大幅に低減できることが判明している。

特開昭５３−５１９１７号公報 特開２００２−８２３０７号公報 特開２００４−２２６９４５号公報

本発明者が、立体画像認識装置にλ／４板を２枚使用することで表示画面の輝度を改善することを試みたところ、最も重要な上記した視聴形態にて斜めから液晶表示装置を眺めた場合に、λ／４板を使用しない立体画像認識装置に比べ、輝度が改善されないばかりか、むしろ低下する（画面が暗くなる）ことがわかった。立体画像認識装置において、λ／４板を２枚採用することの問題点については、本発明者が知る限りでは、従来なんら知られていなかったといえる。
加えて、λ／４板を２枚使用した立体画像認識装置は、λ／４板を使用しない形態に比べ、表示画面の色味変化が大きく、顔を傾斜（時分割画像表示遮断機器を回転）させた際の輝度変化を低減させても、立体表示（３Ｄ表示）の品位は著しく劣るものであった。
更に、偏光板１枚方式時分割画像表示遮断機器のクロストークの問題は、眺める視聴者の方位角によっても変化する。特許文献２及び３に記載された技術を組み合わせて立体画像認識装置を構成しても、クロストークの方位角依存性の問題は解決できなかった。

即ち、本発明は、従来知られていなかった、立体画像認識装置において、λ／４板を２枚採用することによって発生する、斜め方向の輝度低下の解決に加えて、表示画面の色味変化の低減及びクロストークの改善を課題とする。具体的には、本発明は、視野角輝度に加え、色味変化、クロストークが改善された、立体画像認識装置（３Ｄ表示装置）を提供することを課題とする。
また、高い生産性で作製可能であり、かつ、表示装置の最前面に使用することのできる物理性能を有した光学フィルムを提供することを課題とする。更に、視角依存性が小さく、耐久性に優れた立体画像認識装置（３Ｄ表示装置）を生産性よく提供することを課題とする。

本発明者は、上記した問題を解決するために、種々検討した結果、液晶表示装置の表示側偏光板保護領域（液晶表示装置の表示側偏光板上に配置される層のうち、表示側偏光膜よりも視認側に配置されるすべての層の全体を示す）の合計のＲｔｈが所定の範囲であると、λ／４板を２枚採用した立体画像認識装置の視野角輝度に加え、色味変化とクロストークを格段に改善できるとの知見を得、本発明を完成するに至った。
即ち、上記課題は以下の手段により解決することができる。

［１］
液晶セル、その前後に１対の偏光板を備えた液晶表示装置Ｉと、
前記液晶表示装置Ｉの表示面と観察者の間に配設された、液晶セルを備えた時分割画像表示遮断機器ＩＩと、
を有する立体画像認識装置において、
前記液晶表示装置Ｉは、表示側偏光板の偏光膜より表示側の領域を表示側偏光板保護領域としたときに、該表示側偏光板保護領域にλ／４板Ａを有し、かつ、前記表示側偏光板保護領域が下記式（Ｉ）を満足し、
前記液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸とλ／４板Ａの遅相軸のなす角度は３５〜５５°又は１２５〜１４５°であり、
前記時分割画像表示遮断機器ＩＩは、液晶セルと観察者の間に少なくとも１つの偏光板Ｃを有し、かつ、該偏光板Ｃと該液晶表示装置Ｉの間にλ／４板Ｂを有しており、
前記液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸と前記時分割画像表示遮断機器ＩＩの偏光板Ｃの吸収軸を直交又は平行に配置したときに、λ／４板Ａとλ／４板Ｂの遅相軸は直交又は平行であることを特徴とする立体画像認識装置。
（Ｉ）： ｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１６０ｎｍ
ここで、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーション（ｎｍ）である。
［２］
λ／４板Ａ及びλ／４板Ｂの少なくともいずれか一方が、透明支持体、配向膜、液晶化合物を含む光学異方性層を有することを特徴とする［１］に記載の立体画像認識装置。
［３］
前記光学異方性層に含まれる液晶化合物が、円盤状液晶化合物であり、更に前記円盤状液晶化合物が略垂直に配向していることを特徴とする［２］に記載の立体画像認識装置。［４］
前記表示側偏光板保護領域が下記式（ＩＩ）
を満足することを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
（ＩＩ）： ｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１２０ｎｍ
［５］
前記表示側偏光板保護領域が下記式（ＩＶ）及び（Ｖ）
を満足することを特徴とする［１］〜［４］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
（ＩＶ）：１．００≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．１８
（Ｖ）：０．９２≦Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００
ここで、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）である。
［６］
前記λ／４板Ｂが下記式（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩＩ）を満足することを特徴とする［１］〜［５］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
（ＸＩＩ）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦０．８９
（ＸＩＩＩ）：Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）≧１．０４
ここで、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）である。
［７］
前記表示側偏光板保護領域が最表面に反射防止層を有していることを特徴とする［１］〜［６］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
［８］
前記表示側偏光板保護領域の３８０ｎｍにおける吸光度が０．０６以上であることを特徴とする［１］〜［７］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
［９］
前記時分割画像表示遮断機器ＩＩが、前記液晶表示装置Ｉに対向する側より、少なくともλ／４板Ｂ、液晶セル、偏光板Ｃの順に構成されていることを特徴とする［１］〜［８］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
［１０］
前記時分割画像表示遮断機器ＩＩが、前記液晶表示装置Ｉに対向する側より、少なくともλ／４板Ｂ、偏光板、液晶セル、偏光板Ｃの順に構成されていることを特徴とする［１］〜［９］のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。

本発明によれば、視野角輝度に加え、色味変化、クロストークが改善された、優れた表示性能を有す立体表示（３Ｄ表示）装置を提供することができる。

本発明の偏光板２枚方式の時分割画像表示遮断機器を含む立体画像表示装置の一例の断面模式図である。 本発明の偏光板１枚方式の時分割画像表示遮断機器を含む立体画像表示装置の一例の断面模式図である。 本発明に係る表示側偏光板保護領域及び時分割画像遮断機器のλ／４板Ｂの一例の断面模式図である。 本発明に係る、偏光膜の一方の側に保護膜を有し、もう一方の側にλ／４板を有する偏光板の一例の断面模式図である。 本発明に係る、偏光膜の一方の側に保護膜として光学補償フィルムを有し、もう一方の側にλ／４板を有する偏光板の一例の断面模式図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
なお、本実施形態の説明において、「平行」あるいは「直交」とは、厳密な角度±５°未満の範囲内であることを意味する。厳密な角度との誤差は、４°未満であることが好ましく、３°未満であることがより好ましい。ただし、λ／４板Ａの遅相軸とλ／４板Ｂの遅相軸の関係において、「平行」とは２枚のλ／４板のなす角度が角度±１０°以下の範囲内であることを意味し、好ましくは角度±５°以下の範囲内、より好ましくは角度±３°以下の範囲内であることを意味する。λ／４板Ａの遅相軸とλ／４板Ｂの遅相軸の関係において、「直交」とは２枚のλ／４板のなす角度が角度８０°〜１００°以下の範囲内であることを意味し、好ましくは角度８５〜９５°以下の範囲内、より好ましくは角度８７〜９３°以下の範囲内であることを意味する。
また、角度について、「＋」は時計周り方向を意味し、「−」は反時計周り方向を意味するものとする。
また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味し、更に屈折率の測定波長は、特別な記述がない限り、可視光域（λ＝５５０ｎｍ）での値である。

また、本実施形態の説明において「偏光板」とは、特別な記述がない限り、長尺の偏光板、及び表示装置に組み込まれる大きさに裁断された偏光板の両者を含む意味で用いている。なお、ここでいう「裁断」には「打ち抜き」及び「切り出し」等も含むものとする。また、本実施形態の説明では、「偏光膜」と「偏光板」とを区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体のことを意味するものとする。透明保護膜は、液晶セルと偏光膜の間に配置された自己支持性のある膜を意味する。（レターデーションの大小は関係ない。）なお、「偏光膜」と「偏光子」は同義である。「λ／４板」と「λ／４フィルム」も同義である。

また、本実施形態の説明において「分子対称軸」とは、分子が回転対称軸を有する場合は、当該対称軸を指すが、厳密な意味で、分子が回転対称性であることを要求するものではない。一般的に、ディスコティック液晶性化合物において、分子対称軸は、円盤面の中心を貫く円盤面に対して垂直な軸と一致し、棒状液晶性化合物において、分子対称軸は、分子の長軸と一致する。

また、本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は、各々、波長λにおける面内のレターデーション、及び厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ、又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において、波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。測定波長λｎｍの選択にあたっては、波長選択フィルターをマニュアルで交換するか、又は測定値をプログラム等で変換して測定することができる。測定されるフィルムが、１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）が算出される。なお、この測定方法は、後述する光学異方性層中のディスコティック液晶分子の配向膜側の平均チルト角、その反対側の平均チルト角の測定においても一部利用される。
Ｒｔｈ（λ）は、前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ、又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合には、フィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０°まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ、又はＷＲが算出する。なお、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合には、フィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値、及び入力された膜厚値を基に、以下の式（Ａ）、及び式（Ｂ）よりＲｔｈを算出することもできる。

なお、上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値をあらわす。また、式（Ａ）及び下記式（Ｂ）におけるｎｘは、面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは、面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚは、ｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表す。ｄは膜厚を表す。
Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ 式（Ｂ）

測定されるフィルムが、１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法により、Ｒｔｈ（λ）は算出される。Ｒｔｈ（λ）は、前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ、又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として、フィルム法線方向に対して−５０°から＋５０°まで１０°ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。また、上記の測定において、平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについては、アッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ，ｎｙ，ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５が更に算出される。

（チルト角の測定）
ディスコティック液晶性化合物や棒状液晶性化合物を配向させた光学異方性層において、光学異方性層の一方の面におけるチルト角（ディスコティック液晶性化合物又は棒状液晶性化合物における物理的な対象軸が光学異方性層の界面となす角度をチルト角とする）θ１及び他方の面のチルト角θ２を、直接的にかつ正確に測定することは困難である。そこで本明細書においては、θ１及びθ２は、以下の手法で算出する。本手法は本発明の実際の配向状態を正確に表現していないが、光学フィルムのもつ一部の光学特性の相対関係を表す手段として有効である。
本手法では算出を容易にすべく、下記の２点を仮定し、光学異方性層の２つの界面におけるチルト角とする。
１．光学異方性層はディスコティック液晶性化合物や棒状液晶性化合物を含む層で構成された多層体と仮定する。更に、それを構成する最小単位の層（ディスコティック液晶性化合物又は棒状液晶性化合物のチルト角は該層内において一様と仮定）は光学的に一軸と仮定する。
２．各層のチルト角は光学異方性層の厚み方向に沿って一次関数で単調に変化すると仮定する。
具体的な算出法は下記のとおりである。
（１）各層のチルト角が光学異方性層の厚み方向に沿って一次関数で単調に変化する面内で、光学異方性層への測定光の入射角を変化させ、３つ以上の測定角でレターデーション値を測定する。測定及び計算を簡便にするためには、光学異方性層に対する法線方向を０°とし、−４０°、０°、＋４０°の３つの測定角でレターデーション値を測定することが好ましい。このような測定は、ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ及びＫＯＢＲＡ−ＷＲ（王子計測器（株）製）、透過型のエリプソメーターＡＥＰ−１００（（株）島津製作所製）、Ｍ１５０及びＭ５２０（日本分光（株）製）、ＡＢＲ１０Ａ（ユニオプト（株）製）で行うことができる。
（２）上記のモデルにおいて、各層の常光の屈折率をｎｏ、異常光の屈折率をｎｅ（ｎｅは各々すべての層において同じ値、ｎｏも同様とする）、及び多層体全体の厚みをｄとする。更に各層におけるチルト方向とその層の一軸の光軸方向とは一致するとの仮定の元に、光学異方性層のレターデーション値の角度依存性の計算が測定値に一致するように、光学異方性層の一方の面におけるチルト角θ１及び他方の面のチルト角θ２を変数としてフィッティングを行い、θ１及びθ２を算出する。
ここで、ｎｏ及びｎｅは文献値、カタログ値等の既知の値を用いることができる。値が未知の場合はアッベ屈折計を用いて測定することもできる。光学異方性層の厚みは、光学干渉膜厚計、走査型電子顕微鏡の断面写真等により測定数することができる。

以下、本発明の立体画像認識装置及びそれを構成する光学フィルム、偏光板、画像表示装置、及びそれらの作製に利用される種々の材料、及び製造方法等を詳細に説明する。

［立体画像認識装置］
本発明の立体画像認識装置は、液晶セル、その前後に１対の偏光板を備えた液晶表示装置Ｉと、該液晶表示装置Ｉの表示面と観察者の間に配設された、液晶セルを備えた時分割画像表示遮断機器ＩＩとを有する。液晶表示装置Ｉは、表示側偏光板の偏光膜より表示側の領域を表示側偏光板保護領域としたときに、該表示側偏光板保護領域にλ／４板Ａを有し、前記液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸とλ／４板Ａの遅相軸のなす角度は３５〜５５°又は１２５〜１４５°であり、かつ、前記表示側偏光板保護領域が式（Ｉ）を満足する。
（Ｉ）： ｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１６０ｎｍ
ここで、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーション（ｎｍ）である。
時分割画像表示遮断機器ＩＩは、液晶セルと観察者の間に少なくとも１つの偏光板Ｃを有し、かつ、該偏光板Ｃと液晶表示装置Ｉの間にλ／４板Ｂを有している。
ここで、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸と時分割画像表示遮断機器ＩＩの偏光板Ｃの吸収軸を直交又は平行に配置したときに、λ／４板Ａとλ／４板Ｂの遅相軸は直交又は平行である。

本発明の立体画像表示装置の代表的な態様を図１及び図２に示す。
図１及び図２に示す態様では、表示側偏光板の偏光膜に対して表示側偏光板保護領域と反対側の領域には光学補償フィルムを有する。また、液晶表示装置Ｉはバックライトユニットを有し、該ユニットからの光を利用して液晶表示装置Ｉを通じて画像表示を行うことができる。
表示側偏光板保護領域は、表示側偏光板の偏光膜より表示側の液晶表示装置Ｉの領域を指し、該表示側偏光板保護領域には、λ／４板Ａを有する。λ／４板Ａは、支持体と光学異方性層から構成されてλ／４機能を有するものでもよいし、支持体自身が所望の光学異方性を有しλ／４機能を有する支持体（以下、光学異方性支持体ともいう）のみで構成してもよい。
表示側偏光板保護領域には、λ／４板Ａ以外に各種表面フィルムを有していてもよい。表面フィルムとしては、支持体上にハードコート層を設けたハードコートフィルムや、支持体上に反射防止層（低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層など）を設けた反射防止フィルムなどが挙げられる。表面フィルムは、支持体上にハードコート層と反射防止層の両層を設け、ハードコート機能と反射防止機能を兼ね備えたフィルムであってもよい。表面フィルムの支持体は、λ／４板Ａ自体が兼ねてもよい。

本発明に係る時分割画像表示遮断機器ＩＩは、液晶セルと観察者の間に少なくとも１つの偏光板Ｃを有し、かつ、該偏光板Ｃと液晶表示装置Ｉの間にλ／４板Ｂを有している。偏光板Ｃは液晶セルより観察者側に設けられる。
時分割画像表示遮断機器としては、図１に示すように、液晶セルの偏光板Ｃとは反対側に別の偏光板とλ／４板Ｂを有する態様（偏光板２枚方式）と、図２に示すように、液晶セルの偏光板Ｃとは反対側には偏光板なしでλ／４板Ｂを有する態様（偏光板１枚方式）が挙げられる。偏光板１枚方式の時分割表示遮断装置においては、偏光板Ｃ、液晶セル、λ／４板Ｂがこの順に積層されていてもよいし（図２（ａ））、偏光板Ｃ、λ／４板Ｂ、液晶セルの順に積層されていてもよい（図２（ｂ））。
ここで、λ／４板Ｂは、図１に示す態様では、液晶セルを挟んで偏光板Ｃと反対側に配置された偏光板の偏光膜より液晶表示装置Ｉ側にある層すべての総称であり、図２（ａ）に示す態様では、液晶セルよりも液晶表示装置Ｉ側にある層すべての総称である。図２（ｂ）に示す態様では、λ／４板Ｂは、偏光板Ｃの偏光膜と液晶セルの間にある層すべての総称であり、偏光板Ｃの液晶セル側に配置された透明保護膜もλ／４板Ｂに含まれる。
時分割画像表示遮断機器ＩＩが有するλ／４板Ｂは、λ／４板Ａと同様、支持体と光学異方性層から構成されてλ／４機能を有するものでもよいし、支持体自身が所望の光学異方性を有しλ／４機能を有する支持体（以下、光学異方性支持体ともいう）のみで構成してもよい。また、図１又は図２に示す態様では、λ／４板Ｂの最表面に前述した各種表面フィルムを有していてもよい。

図３に示すように、表示側偏光板保護領域及び時分割画像遮断機器のλ／４板Ｂの構成例としては、以下が挙げられる。
光学異方性支持体（図３（ｉ））
光学異方性支持体／ハードコート層（図３（ｉｉ））
光学異方性支持体／低屈折率層（図３（ｉｉｉ））
光学異方性支持体／ハードコート層／低屈折率層（図３（ｉｖ））
光学異方性支持体／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層（図３（ｖ））
光学異方性支持体／支持体／ハードコート層（図３（ｖｉ））
光学異方性支持体／支持体／低屈折率層（図３（ｖｉｉ））
光学異方性支持体／支持体／ハードコート層／低屈折率層（図３（ｖｉｉｉ））
光学異方性支持体／支持体／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層（図３（ｉｘ））
支持体／光学異方性層（図３（ｘ））
支持体／光学異方性層／支持体／ハードコート層（図３（ｘｉ））
支持体／光学異方性層／支持体／低屈折率層（図３（ｘｉｉ））
支持体／光学異方性層／支持体／ハードコート層／低屈折率層（図３（ｘｉｉｉ））
支持体／光学異方性層／支持体／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層（図３（ｘｉｖ））
光学異方性層／支持体（図３（ｘｖ））
光学異方性層／支持体／支持体／ハードコート層（図３（ｘｖｉ））
光学異方性層／支持体／支持体／低屈折率層（図３（ｘｖｉｉ））
光学異方性層／支持体／支持体／ハードコート層／低屈折率層（図３（ｘｖｉｉｉ））
光学異方性層／支持体／支持体／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層（図３（ｘｉｘ））
光学異方性層／支持体／ハードコート層（図３（ｘｘ））
光学異方性層／支持体／低屈折率層（図３（ｘｘｉ））
光学異方性層／支持体／ハードコート層／低屈折率層（図３（ｘｘｉｉ））
光学異方性層／支持体／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層（図３（ｘｘｉｉｉ））
支持体／光学異方性層／ハードコート層（図３（ｘｘｉｖ））
支持体／光学異方性層／低屈折率層（図３（ｘｘｖ））
支持体／光学異方性層／ハードコート層／低屈折率層（図３（ｘｘｖｉ））
支持体／光学異方性層／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層（図３（ｘｘｖｉｉ））

[λ／４板]
以下、λ／４板Ａ及びλ／４板Ｂを含め、本発明で用いることのできるλ／４板について説明する。
本発明に使用されるλ／４板は、支持体自身で目的のλ／４機能を有する光学異方性支持体からなってもよいし、ポリマーフィルムからなる支持体上に光学異方性層等を有していてもよい。すなわち、後者の場合、支持体上に他の層を積層させることで所望のλ／４機能を持たせる。光学異方性層の構成材料については特に制限されず、液晶性化合物を含有する組成物から形成され、該液晶性化合物の分子の配向によって発現された光学異方性を示す層であっても、ポリマーフィルムを延伸してフィルム中の高分子を配向させて発現させた光学異方性を有する層であっても、双方の層を有していてもよい。すなわち、１枚又は２枚以上の二軸性フィルムによって構成することができるし、またＣプレートとＡプレートとの組合せ等、一軸性フィルムを２枚以上組合せることでも構成することができる。勿論、１枚以上の二軸性フィルムと、１枚以上の一軸性フィルムとを組み合わせることによっても構成することもできる。
本発明に使用される光学異方性支持体の面内レターデーションＲｅ（５５０）は１００〜１７５ｎｍである。１１０〜１６５ｎｍであることがより好ましく、１１５〜１５５ｎｍであることが更に好ましい。厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）は−４００〜２６０ｎｍであることが好ましく、−２００〜１６０ｎｍがより好ましく、−９０〜９０ｎｍが更に好ましい。以上のような範囲にすることで、光の波長依存性や入射角度依存性が小さい、λ／４板として機能する光学異方性支持体を得ることができる。また、理想的には４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６３０ｎｍのいずれにおいてもＲｅがλ／４となる波長分散となることが好ましい。すなわち、理想的なλ／４板は、Ｒｅ（４５０）＝１１２．５ｎｍ、Ｒｅ（５５０）＝１３７．５ｎｍ、Ｒｅ（６３０）＝１５７．５ｎｍを満足する。理想的にはＲｔｈはどの波長においても０ｎｍとなるのが好ましい。すなわち、理想的なλ／４板は、Ｒｔｈ（４５０）＝０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）＝０ｎｍ、Ｒｔｈ（６３０）＝０ｎｍを満足する。
本発明に使用されるλ／４板が、支持体上に光学異方性層等を有する態様には、支持体と光学異方性層等を合わせた全体のＲｅ及びＲｔｈが上記範囲を満たすことが好ましい。

液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域全体の面内レターデーションＲｅ（５５０）の好ましい範囲も上記と同様である。表示側偏光板保護領域全体の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）は、
（Ｉ）｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１６０ｎｍ であることが好ましく、
（ＩＩ）｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１２０ｎｍ であることがより好ましく、
（ＩＩＩ）｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦８０ｎｍ であることが更に好ましい。

表示側偏光板保護領域全体のＲｔｈ（５５０）が上記式（Ｉ）を満たすと、λ／４板を含まない立体画像認識装置よりも視野角輝度を高くでき、上記式（ＩＩ）を満たすと図２に示した本発明の一態様（偏光板１枚方式の時分割画像表示遮断機器を含む立体画像表示装置）にて視野角クロストークをも高くできる。また、上記式（ＩＩＩ）を満たすと、液晶表示装置を右斜め（たとえば、方位角方向４５度、極角方向６０度）から視認した場合と、左斜め（たとえば、方位角方向１３５度、極角方向６０度）から視認した場合との表示性能の左右非対称性が認識されない程度まで軽減できる。
表示側偏光板保護領域全体のＲｅにおける波長分散は、０．８０≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．２１で、０．８２≦Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）≦１．１１が好ましく、（ＩＶ）１．００≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．１８で、（Ｖ）０．９２≦Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００がより好ましい。この範囲であると、視野角輝度及び視野角クロストークは表示側偏光板保護領域全体のＲｔｈに主に依存し、表示側偏光板保護領域全体のＲｅの波長分散によらない立体表示認識装置となる。
液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸とλ／４板Ａの遅相軸のなす角度は、
３０〜６０°又は１２０〜１５０°が好ましく、
３５〜５５°又は１２５〜１４５°がより好ましく、
４０〜５０°又は１３０〜１４０°が更に好ましい。

時分割画像表示遮断機器ＩＩに搭載されるλ／４板Ｂの面内レターデーションＲｅ（５５０）の好ましい範囲も上記と同様であるが、更に好ましくはＲｅ（５５０）が１２０ｎｍ〜１５０ｎｍであるのが好ましい。Ｒｅ（５５０）がこの範囲であると、表示性能に大きな差が視認されない。時分割画像表示遮断機器ＩＩに搭載されるλ／４板Ｂの厚み面内レターデーションＲｔｈ（５５０）は、
（ＶＩ）｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１００ｎｍ であることが好ましく、
（ＶＩＩ）｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦４０ｎｍ であることがより好ましい。
時分割画像表示遮断機器ＩＩに搭載されるλ／４板ＢのＲｔｈ（５５０）が上記式（ＶＩ）を満たすと、液晶表示装置の画面輝度ムラを気づかない程度にまで軽減でき、上記式（ＶＩＩ）を満たすと、液晶表示装置の画面輝度ムラが全く視認されない程度にまで軽減できる。λ／４板Ｂの最表面に各種表面フィルムを有している態様では、表面フィルムを含めて上記のＲｔｈ範囲を満足することが好ましい。
時分割画像表示遮断機器ＩＩに搭載されるλ／４板Ｂの面内レターデーションＲｅにおける波長分散は、可視光域において、波長が長波長になる程大きくなるという、いわゆる逆分散性を示すか、波長によらず一定である、いわゆるフラット分散性を示すのが好ましい。即ち、Ｒｅ（４５０）≦Ｒｅ（５５０）≦Ｒｅ（６３０）を満足するのが好ましい。その理由は、時分割画像表示遮断機器ＩＩは液晶表示装置Ｉと別個体であるため、時分割画像表示遮断機器ＩＩを回転する場合も含めて様々な角度から液晶表示装置Ｉを視認することで立体表示が得られるが、λ／４板ＢのＲｅが逆波長分散性又はフラット分散性であると、時分割画像表示遮断機器ＩＩを回転させた際の液晶表示装置Ｉの表示画面の色味付きを小さくできるためである。時分割画像表示遮断機器ＩＩを回転させた場合でも色味付きの小さい立体表示を得るためには、λ／４板Ｂの波長分散は、
（ＶＩＩＩ）Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１、及び、（ＩＸ）１≦Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）
を満足することが好ましく、
（Ｘ）Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦０．９４、及び、（ＸＩ）１．０２≦Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）
を満足することがより好ましく、
（ＸＩＩ）Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦０．８９、及び、（ＸＩＩＩ）１．０４≦（６３０）／Ｒｅ（５５０）
を満足することが更に好ましい。なお、λ／４フィルムＢの波長分散が上記式（Ｘ）及び（ＸＩ）を満たすと、色味変化がほとんど視認されない程度まで軽減でき、上記式（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩＩ）を満たすと、色味変化を全く視認できない程度にまで色味を改善することができる。

本発明の立体画像認識装置においては、時分割画像遮断機器ＩＩのλ／４板ＢとしてＲｅ逆分散性のλ／４板を使用し、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域あるλ／４板Ａとして低Ｒｔｈのλ／４板を使用する態様も好ましい態様である。
従来、λ／４板（λ／４フィルム）を２枚使用する立体画像認識装置においては、正面における輝度及び色味視認性の観点から、同じ種類・特性のλ／４板が２枚使用されている。その理由は、正面での推奨形態における立体画像視聴時において、２枚のλ／４板が直交配置となるため、Ｒｅ波長分散性が打ち消される結果、正面輝度が高く、かつ、色味付きがない立体画像を得ることができるためである。
ところで、前述の通り、理想的なλ／４板は、Ｒｅ（５５０）＝１３７．５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）＝０ｎｍ、Ｎｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５＝０．５である。すなわち、Ｒｅの理想波長分散は逆分散、Ｒｔｈの理想波長分散はフラット分散である。この理想的なλ／４板を液晶表示装置Ｉと時分割画像遮断機器ＩＩに使用することで、正面特性だけでなく視野角特性にも優れた立体画像認識装置となる。しかし、このようなλ／４フィルムは製造困難なことが多い。なぜなら、理想に近づけるため、Ｒｅが逆分散性を示す光学異方性支持体でλ／４板を製造すると、Ｎｚファクターを０．５に近づけることが困難で、通常Ｎｚは１以上になる。（すなわち、Ｒｔｈが大きくなる。）一方で、例えば、透明支持体と液晶性化合物を含有する組成物から形成された光学異方性層との積層体でλ／４板を製造すると、Ｎｚファクターは０．５が実現できるものの、Ｒｅ波長分散性が順分散となってしまい、表示画像の色味変化が大きくなることがある。
本発明者が鋭意検討した結果、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域に含まれるλ／４板Ａと時分割画像遮断機器ＩＩのλ／４板Ｂとでは、求められる特性が異なることがわかった。具体的には、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域に含まれるλ／４板Ａが低Ｒｔｈ化することが好ましく、時分割画像遮断機器ＩＩのλ／４板ＢがＲｅ逆分散性を有することが好ましい。液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域に含まれるλ／４板が低Ｒｔｈ化されていれば、視野角輝度及び視野角クロストーク性能を向上させることができる。時分割画像遮断機器ＩＩのλ／４板ＢのＲｅが逆分散性を有していれば、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域に含まれるλ／４板Ａの波長分散性に関わらず、時分割画像遮断機器ＩＩを回転させたときの色味変化を視認されない程度にまで軽減できる。
なお、時分割画像遮断機器ＩＩのλ／４板Ｂと、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域のλ／４板Ａが異なる場合でも、Ｒｅ（５５０）が１１５〜１５５ｎｍの範囲内であれば正面輝度は実質変化なかった。
すなわち、時分割画像遮断機器ＩＩにＲｅ逆分散性のλ／４板を使用することで、液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域に低Ｒｔｈのλ／４板を使用することのメリットである視野角輝度及び視野角クロストークを享受しつつ、Ｒｅ波長分散性（フラット分散及び順分散）による色味変化のデメリットをなくすことができる。この場合、理想的なλ／４板を使用しなくとも、理想的なλ／４板を使用した場合と同様の立体画像を得ることが可能となる。

λ／４板Ａとλ／４板ＢのＲｅ波長分散が順分散もしくはフラット分散性である態様では、λ／４板Ａおよびλ／４板Ｂの一方もしくは両方のＲｅ（５５０）を１３７．５ｎｍよりも低くすることが好ましく、具体的には１３０ｎｍ以下であれば時分割画像遮断機器ＩＩを回転させたときの色味変化を視認されない程度にまで軽減できる。一方で、Ｒｅ（５５０）を低くしすぎると、３Ｄ表示での輝度は低下し、クロストークは高くなった。３Ｄ表示での輝度低下およびクロストーク向上（悪化）なく、時分割画像遮断機器ＩＩを回転させたときの色味変化を視認されない程度にまで軽減するためには、Ｒｅ（５５０）を１１５ｎｍ〜１３０ｎｍにすることがより好ましい。特に、さまざまな方向から視認される液晶表示装置Ｉの表示側偏光板保護領域に含まれるλ／４板ＡがＲｅ順分散性を示す態様では、λ／４板ＡのＲｅ（５５０）を１１５ｎｍ〜１３０ｎｍにすることが好ましい。

本発明に使用される光学異方性支持体の材料について特に制限はない。種々のポリマーフィルム、例えば、セルロースアシレート、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー、ポリスチレンやアクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー等を利用することができる。また、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン・プロピレン共重合体の如きポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、ナイロンや芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー、ポリフェニレンスルフィド系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、ビニルブチラール系ポリマー、アリレート系ポリマー、ポリオキシメチレン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、又は前記ポリマーを混合したポリマー等から１種又は２種以上のポリマーを選択し、主成分として用いてポリマーフィルムを作製し、上記特性を満足する組合せで、光学フィルムの作製に利用することができる。

λ／４板がポリマーフィルム（透明支持体）と光学異方性層との積層体である場合、光学異方性層は、液晶性化合物を含有する組成物から形成された層を少なくとも一層含んでいる、又はポリマーフィルムを含んでいるのが好ましく、双方を含んでいるのがより好ましい。即ち、ポリマーフィルム（透明支持体）と液晶性化合物を含有する組成物から形成された光学異方性層との積層体であるのが好ましい。光学異方性が小さいポリマーフィルムを用いてもよいし、延伸処理などにより光学異方性を発現させたポリマーフィルムを用いてもよい。支持体は光透過率が８０％以上であることが好ましい。

［液晶性化合物を含む光学異方性層］
前記λ／４板が有してもよい光学異方性層の形成に用いられる液晶性化合物の種類については特に制限されない。例えば、低分子液晶性化合物を液晶状態においてネマチック配向に形成後、光架橋や熱架橋によって固定化して得られる光学異方性層や、高分子液晶性化合物を液晶状態においてネマチック配向に形成後、冷却することによって当該配向を固定化して得られる光学異方性層を用いることもできる。なお本発明では、光学異方性層に液晶性化合物が用いられる場合であっても、光学異方性層は、該液晶性化合物が重合等によって固定されて形成された層であり、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。重合性液晶性化合物は、多官能性重合性液晶でもよいし、単官能性重合性液晶性化合物でもよい。また、液晶性化合物は、ディスコティック液晶性化合物でもよいし、棒状液晶性化合物でもよい。

前記光学異方性層において、液晶化合物の分子は、垂直配向、水平配向、ハイブリッド配向及び傾斜配向のいずれかの配向状態に固定化されていることが好ましい。視野角依存性が対称である位相差板を作製するためには、ディスコティック液晶性化合物の円盤面がフィルム面（光学異方性層面）に対して実質的に垂直であるか、又は、棒状液晶性化合物の長軸がフィルム面（光学異方性層面）に対して実質的に水平であることが好ましい。ディスコティック液晶性化合物が実質的に垂直とは、フィルム面（光学異方性層面）とディスコティック液晶性化合物の円盤面とのなす角度の平均値が７０°〜９０°の範囲内であることを意味する。８０°〜９０°がより好ましく、８５°〜９０°が更に好ましい。棒状液晶性化合物が実質的に水平とは、フィルム面（光学異方性層面）と棒状液晶性化合物のダイレクターとのなす角度が０°〜２０°の範囲内であることを意味する。０°〜１０°がより好ましく、０°〜５°が更に好ましい。
液晶化合物の分子をハイブリッド配向させて視野角依存性が非対称である光学補償フィルムを作製する場合、液晶化合物のダイレクターの平均傾斜角は５〜８５°であることが好ましく、１０〜８０°であることがより好ましく、１５〜７５°であることが更に好ましい。

前記λ／４板が、液晶性化合物を含有する光学異方性層を含む場合、該光学異方性層は一層のみからなっていてもよいし、二層以上の光学異方性層の積層体であってもよい。

前記光学異方性層は、棒状液晶性化合物又はディスコティック液晶性化合物等の液晶性化合物と、所望により、後述する重合開始剤や配向制御剤や他の添加剤を含む塗布液を、支持体上に塗布することで形成することができる。支持体上に配向膜を形成し、該配向膜表面に前記塗布液を塗布して形成するのが好ましい。

［ディスコティック液晶性化合物］
本発明では、前記光学フィルムが有する光学異方性層の形成に、ディスコティック液晶性化合物を用いるのが好ましい。ディスコティック液晶性化合物は、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ １１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ １７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ ２６５５（１９９４））に記載されている。ディスコティック液晶性化合物の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。

ディスコティック液晶性化合物は、重合により固定可能なように、重合性基を有するのが好ましい。例えば、ディスコティック液晶性化合物の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させた構造が考えられるが、但し、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に連結基を有する構造が好ましい。即ち、重合性基を有するディスコティック液晶性化合物は、下記式で表される化合物であることが好ましい。
Ｄ（−Ｌ−Ｐ）_ｎ
式中、Ｄは円盤状コアであり、Ｌは二価の連結基であり、Ｐは重合性基であり、ｎは１〜１２の整数である。前記式中の円盤状コア（Ｄ）、二価の連結基（Ｌ）及び重合性基（Ｐ）の好ましい具体例は、それぞれ、特開２００１−４８３７号公報に記載の（Ｄ１）〜（Ｄ１５）、（Ｌ１）〜（Ｌ２５）、（Ｐ１）〜（Ｐ１８）であり、同公報に記載の内容を好ましく用いることができる。なお、液晶性化合物のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、３０〜３００℃が好ましく、３０〜１７０℃が更に好ましい。

下記式（Ｉ）及び（ＤＩ）で表わされるディスコティック液晶性化合物は、面内レターデーションの波長分散性が低く、高い面内レターデーションを発現可能であり、また特殊な配向膜や添加剤を使用しなくても高い平均傾斜角で均一性に優れた垂直配向を達成できるので、光学異方性層の形成に利用するのが好ましい。更に該液晶性化合物を含有する塗布液は、その粘度が比較的低くなる傾向があり、塗布性が良好である点でも好ましい。

（１）−１ 一般式（Ｉ）で表されるディスコティック液晶化合物

式中、Ｙ^１１、Ｙ^１２及びＹ^１３は、それぞれ独立に置換されていてもよいメチン又は窒素原子を表す。

Ｙ^１１、Ｙ^１２及びＹ^１３がメチンの場合、メチンの水素原子は置換基で置き換わってもよい。メチンが有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子及びシアノ基を好ましい例として挙げることができる。これらの置換基の中では、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子及びシアノ基が更に好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２アルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２アシルオキシ基、ハロゲン原子及びシアノ基がより好ましい。
Ｙ^１１、Ｙ^１２及びＹ^１３は、化合物の合成の容易さ及びコストの点において、いずれもメチンであることがより好ましく、メチンは無置換であることが更に好ましい。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。
Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３が二価の連結基の場合、それぞれ独立に、−Ｏ−，−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^７−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、二価の環状基及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基であることが好ましい。上記Ｒ^７は炭素原子数１〜７のアルキル基又は水素原子であり、炭素原子数１〜４のアルキル基又は水素原子であることが好ましく、メチル基、エチル基又は水素原子であることが更に好ましく、水素原子であることが最も好ましい。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３における二価の環状基とは、少なくとも１種類の環状構造を有する二価の連結基（以下、環状基と呼ぶことがある）である。環状基は５員環、６員環、又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることが更に好ましく、６員環であることが最も好ましい。環状基に含まれる環は、縮合環であってもよい。ただし、縮合環よりも単環であることがより好ましい。また、環状基に含まれる環は、芳香族環、脂肪族環、及び複素環のいずれでもよい。芳香族環としては、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい例として挙げられる。脂肪族環としては、シクロヘキサン環が好ましい例として挙げられる。複素環としては、ピリジン環及びピリミジン環が好ましい例として挙げられる。環状基は、芳香族環及び複素環がより好ましい。なお、本発明における２価の環状基は、環状構造のみ（但し、置換基を含む）からなる２価の連結基であることがより好ましい（以下、同じ）。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３で表される二価の環状基のうち、ベンゼン環を有する環状基としては、１，４−フェニレン基が好ましい。ナフタレン環を有する環状基としては、ナフタレン−１，５−ジイル基及びナフタレン−２，６−ジイル基が好ましい。シクロヘキサン環を有する環状基としては１，４−シクロへキシレン基であることが好ましい。ピリジン環を有する環状基としてはピリジン−２，５−ジイル基が好ましい。ピリミジン環を有する環状基としては、ピリミジン−２，５−ジイル基が好ましい。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３で表される二価の環状基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子（好ましくは、フッ素原子、塩素原子）、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数が２〜１６アルキニル基、炭素原子数１〜１６のハロゲン置換アルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数２〜１６のアシル基、炭素原子数１〜１６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜１６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜１６のアルキル基で置換されたカルバモイル基及び炭素原子数２〜１６のアシルアミノ基が含まれる。

Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３としては、単結合、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＨ＝ＣＨ−、＊−Ｃ≡Ｃ−、＊−二価の環状基−、＊−Ｏ−ＣＯ−二価の環状基−、＊−ＣＯ−Ｏ−二価の環状基−、＊−ＣＨ＝ＣＨ−二価の環状基−、＊−Ｃ≡Ｃ−二価の環状基−、＊−二価の環状基−Ｏ−ＣＯ−、＊−二価の環状基−ＣＯ−Ｏ−、＊−二価の環状基−ＣＨ＝ＣＨ−及び＊−二価の環状基−Ｃ≡Ｃ−が好ましい。特に、単結合、＊−ＣＨ＝ＣＨ−、＊−Ｃ≡Ｃ−、＊−ＣＨ＝ＣＨ−二価の環状基−及び＊−Ｃ≡Ｃ−二価の環状基−が好ましく、単結合が最も好ましい。ここで、＊は一般式（Ｉ）中のＹ^１１、Ｙ^１２及びＹ^１３を含む６員環側に結合する位置を表す。

一般式（Ｉ）中、Ｈ^１、Ｈ^２及びＨ^３は、それぞれ独立に一般式（Ｉ−Ａ）又は（Ｉ−Ｂ）の基を表す。

一般式（Ｉ−Ａ）中、ＹＡ^１及びＹＡ^２は、それぞれ独立にメチン又は窒素原子を表し；
ＸＡは、酸素原子、硫黄原子、メチレン又はイミノを表し；
＊は上記一般式（Ｉ）におけるＬ^１〜Ｌ^３側と結合する位置を表し；
＊＊は上記一般式（Ｉ）におけるＲ^１〜Ｒ^３側と結合する位置を表す。

一般式（Ｉ−Ｂ）中、ＹＢ^１及びＹＢ^２は、それぞれ独立にメチン又は窒素原子を表し；
ＸＢは、酸素原子、硫黄原子、メチレン又はイミノを表し；
＊は上記一般式（Ｉ）におけるＬ^１〜Ｌ^３側と結合する位置を表し；
＊＊は上記一般式（Ｉ）におけるＲ^１〜Ｒ^３側と結合する位置を表す。

一般式（Ｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に下記一般式（Ｉ−Ｒ）を表す。

一般式（Ｉ−Ｒ）
＊−（−Ｌ^２１−Ｑ^２）_ｎ１−Ｌ^２２−Ｌ^２３−Ｑ^１
一般式（Ｉ−Ｒ）中、＊は、一般式（Ｉ）におけるＨ^１〜Ｈ^３側と結合する位置を表す。
Ｌ^２１は単結合又は二価の連結基を表す。Ｌ^２１が二価の連結基の場合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^７−、−ＣＨ＝ＣＨ−及び−Ｃ≡Ｃ−並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基であることが好ましい。上記Ｒ^７は炭素原子数１〜７のアルキル基又は水素原子であり、炭素原子数１〜４のアルキル基又は水素原子であることが好ましく、メチル基、エチル基又は水素原子であることが更に好ましく、水素原子であることが最も好ましい。

Ｌ^２１は単結合、＊＊＊−Ｏ−ＣＯ−、＊＊＊−ＣＯ−Ｏ−、＊＊＊−ＣＨ＝ＣＨ−及び＊＊＊−Ｃ≡Ｃ−（ここで、＊＊＊は一般式（ＤＩ−Ｒ）中の＊側を表す）のいずれかが好ましく、単結合がより好ましい。

Ｑ^２は少なくとも１種類の環状構造を有する二価の基（環状基）を表す。このような環状基としては、５員環、６員環、又は７員環を有する環状基が好ましく、５員環又は６員環を有する環状基がより好ましく、６員環を有する環状基が更に好ましい。上記環状基に含まれる環状構造は、縮合環であっても良い。ただし、縮合環よりも単環であることがより好ましい。また、環状基に含まれる環は、芳香族環、脂肪族環、及び複素環のいずれでもよい。芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が好ましい例として挙げられる。脂肪族環としては、シクロヘキサン環が好ましい例として挙げられる。複素環としては、ピリジン環及びピリミジン環が好ましい例として挙げられる。

上記Ｑ^２のうち、ベンゼン環を有する環状基としては、１，４−フェニレン基が好ましい。ナフタレン環を有する環状基としては、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−１，６−ジイル基、ナフタレン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイルナフタレン−２，７−ジイル基が好ましい。シクロヘキサン環を有する環状基としては１，４−シクロへキシレン基であることが好ましい。ピリジン環を有する環状基としてはピリジン−２，５−ジイル基が好ましい。ピリミジン環を有する環状基としては、ピリミジン−２，５−ジイル基が好ましい。これらの中でも、特に、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基及び１，４−シクロへキシレン基が好ましい。

Ｑ^２は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数２〜１６のアルキニル基、炭素原子数１〜１６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数２〜１６のアシル基、炭素原子数１〜１６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜１６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜１６のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数２〜１６のアシルアミノ基が含まれる。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のハロゲンで置換されたアルキル基がより好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜３のアルキル基、トリフルオロメチル基が更に好ましい。

ｎ１は、０〜４の整数を表す。ｎ１としては、１〜３の整数が好ましく、１若しくは２が更に好ましい。

Ｌ^２２は、＊＊−Ｏ−、＊＊−Ｏ−ＣＯ−、＊＊−ＣＯ−Ｏ−、＊＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、＊＊−Ｓ−、＊＊−ＮＨ−、＊＊−ＳＯ_２−、＊＊−ＣＨ_２−、＊＊−ＣＨ＝ＣＨ−又は＊＊−Ｃ≡Ｃ−を表し、＊＊はＱ^２側と結合する位置を表す。
Ｌ^２２は、好ましくは、＊＊−Ｏ−、＊＊−Ｏ−ＣＯ−、＊＊−ＣＯ−Ｏ−、＊＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、＊＊−ＣＨ_２−、＊＊−ＣＨ＝ＣＨ−、＊＊−Ｃ≡Ｃ−であり、より好ましくは、＊＊−Ｏ−、＊＊−Ｏ−ＣＯ−、＊＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、＊＊−ＣＨ_２−である。Ｌ^２２が水素原子を含む基であるときは、該水素原子は置換基で置換されていてもよい。このような置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数２〜６のアシル基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜６のアルキルで置換されたカルバモイル基及び炭素原子数２〜６のアシルアミノ基が好ましい例として挙げられ、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基がより好ましい。

Ｌ^２３は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ_２−、−ＮＨ−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−及び−Ｃ≡Ｃ−並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。ここで、−ＮＨ−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。このような置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数２〜６のアシル基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜６のアルキルで置換されたカルバモイル基及び炭素原子数２〜６のアシルアミノ基が好ましい例として挙げられ、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基がより好ましい。これらの置換基に置換されることにより、本発明の液晶性化合物から液晶性組成物を調製する際に、使用する溶媒に対する溶解性を向上させることができる。

Ｌ^２３は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−及び−Ｃ≡Ｃ−並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれることが好ましい。Ｌ^２３は、炭素原子を１〜２０個含有することが好ましく、炭素原子を２〜１４個を含有することがより好ましい。更に、Ｌ^２３は、−ＣＨ_２−を１〜１６個含有することが好ましく、−ＣＨ_２−を２〜１２個含有することが更に好ましい。

Ｑ^１は重合性基又は水素原子を表す。本発明の液晶性化合物を光学補償フィルムのような位相差の大きさが熱により変化しないものが好ましい光学フィルム等に用いる場合には、Ｑ^１は重合性基であることが好ましい。重合反応は、付加重合（開環重合を含む）又は縮合重合であることが好ましい。すなわち、重合性基は、付加重合反応又は縮合重合反応が可能な官能基であることが好ましい。以下に重合性基の例を示す。

更に、重合性基は付加重合反応が可能な官能基であることが特に好ましい。そのような重合性基としては、重合性エチレン性不飽和基又は開環重合性基が好ましい。

重合性エチレン性不飽和基の例としては、下記の式（Ｍ−１）〜（Ｍ−６）が挙げられる。

式（Ｍ−３）、（Ｍ−４）中、Ｒは水素原子又はアルキル基を表し、水素原子又はメチル基が好ましい。
上記式（Ｍ−１）〜（Ｍ−６）の中、（Ｍ−１）又は（Ｍ−２）が好ましく、（Ｍ−１）がより好ましい。

開環重合性基は、環状エーテル基が好ましく、エポキシ基又はオキセタニル基がより好ましい。

前記式（Ｉ）の化合物の中でも、下記一般式（Ｉ’）で表される化合物がより好ましい。

一般式（Ｉ’）中、Ｙ^１１、Ｙ^１２及びＹ^１３は、それぞれ独立にメチン又は窒素原子を表し、メチンが好ましく、メチンは無置換であるのが好ましい。

Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に下記一般式（Ｉ’−Ａ）、下記一般式（Ｉ’−Ｂ）又は下記一般式（Ｉ’−Ｃ）を表す。固有複屈折の波長分散性を小さくしようとする場合、一般式（Ｉ’−Ａ）又は一般式（Ｉ’−Ｃ）が好ましく、一般式（Ｉ’−Ａ）がより好ましい。Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、Ｒ^１１＝Ｒ^１２＝Ｒ^１３であることが好ましい。

一般式（Ｉ’−Ａ）中、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^１３、Ａ^１４、Ａ^１５及びＡ^１６は、それぞれ独立にメチン又は窒素原子を表す。
Ａ^１１及びＡ^１２は、少なくとも一方が窒素原子であることが好ましく、両方が窒素原子であることがより好ましい。
Ａ^１３、Ａ^１４、Ａ^１５及びＡ^１６は、それらのうち、少なくとも３つがメチンであることが好ましく、すべてメチンであることがより好ましい。更に、メチンは無置換であることが好ましい。
Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^１３、Ａ^１４、Ａ^１５又はＡ^１６がメチンの場合の置換基の例には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数２〜１６のアルキニル基、炭素原子数１〜１６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数２〜１６のアシル基、炭素原子数１〜１６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜１６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜１６のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数２〜１６のアシルアミノ基が含まれる。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のハロゲンで置換されたアルキル基がより好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜３のアルキル基、トリフルオロメチル基が更に好ましい。
Ｘ^１は、酸素原子、硫黄原子、メチレン又はイミノを表し、酸素原子が好ましい。

一般式（Ｉ’−Ｂ）中、Ａ^２１、Ａ^２２、Ａ^２３、Ａ^２４、Ａ^２５及びＡ^２６は、それぞれ独立にメチン又は窒素原子を表す。
Ａ^２１及びＡ^２２は、少なくとも一方が窒素原子であることが好ましく、両方が窒素原子であることがより好ましい。
Ａ^２３、Ａ^２４、Ａ^２５及びＡ^２６は、それらのうち、少なくとも３つがメチンであることが好ましく、すべてメチンであることがより好ましい。
Ａ^２１、Ａ^２２、Ａ^２３、Ａ^２４、Ａ^２５又はＡ^２６がメチンの場合の置換基の例には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数２〜１６のアルキニル基、炭素原子数１〜１６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数２〜１６のアシル基、炭素原子数１〜１６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜１６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜１６のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数２〜１６のアシルアミノ基が含まれる。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のハロゲンで置換されたアルキル基がより好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜３のアルキル基、トリフルオロメチル基が更に好ましい。
Ｘ^２は、酸素原子、硫黄原子、メチレン又はイミノを表し、酸素原子が好ましい。

一般式（Ｉ’−Ｃ）中、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^３３、Ａ^３４、Ａ^３５及びＡ^３６は、それぞれ独立にメチン又は窒素原子を表す。
Ａ^３１及びＡ^３２は、少なくとも一方が窒素原子であることが好ましく、両方が窒素原子であることがより好ましい。
Ａ^３３、Ａ^３４、Ａ^３５及びＡ^３６は、少なくとも３つがメチンであることが好ましく、すべてメチンであることがより好ましい。
Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^３３、Ａ^３４、Ａ^３５又はＡ^３６がメチンの場合、メチンは置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数２〜１６のアルキニル基、炭素原子数１〜１６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数２〜１６のアシル基、炭素原子数１〜１６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜１６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜１６のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数２〜１６のアシルアミノ基が含まれる。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のハロゲンで置換されたアルキル基がより好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜３のアルキル基、トリフルオロメチル基が更に好ましい。
Ｘ^３は、酸素原子、硫黄原子、メチレン又はイミノを表し、酸素原子が好ましい。

一般式（Ｉ’−Ａ）中のＬ^１１、一般式（Ｉ’−Ｂ）中のＬ^２１、一般式（Ｉ’−Ｃ）中のＬ^３１はそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ_２−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表す。好ましくは、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−であり、より好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ≡Ｃ−である。特に、小さい固有複屈折の波長分散性が期待できる、一般式（Ｉ’−Ａ）中のＬ^１１は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ≡Ｃ−が特に好ましく、この中でも−ＣＯ−Ｏ−が、より高温でディスコティックネマチック相を発現できるため、好ましい。上述の基が水素原子を含む基であるときは、該水素原子は置換基で置き換わってもよい。このような置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数２〜６のアシル基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜６のアルキルで置換されたカルバモイル基及び炭素原子数２〜６のアシルアミノ基が好ましい例として挙げられ、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基がより好ましい。

一般式（Ｉ’−Ａ）中のＬ^１２、一般式（Ｉ’−Ｂ）中のＬ^２２、一般式（Ｉ’−Ｃ）中のＬ^３２はそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ_２−、−ＮＨ−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−及び−Ｃ≡Ｃ−並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。ここで、−ＮＨ−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。このような置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲンで置換されたアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数２〜６のアシル基、炭素原子数１〜６のアルキルチオ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜６のアルキルで置換されたカルバモイル基及び炭素原子数２〜６のアシルアミノ基が好ましい例として挙げられ、ハロゲン原子、水酸基、炭素原子数１〜６のアルキル基がより好ましく、特にハロゲン原子、メチル基、エチル基が好ましい。

Ｌ^１２、Ｌ^２２、Ｌ^３２はそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−及び−Ｃ≡Ｃ−並びにこれらの組み合わせからなる群より選ばれることが好ましい。

Ｌ^１２、Ｌ^２２、Ｌ^３２はそれぞれ独立して、炭素数１〜２０であることが好ましく、炭素数２〜１４であることがより好ましい。炭素数２〜１４が好ましく、−ＣＨ_２−を１〜１６個有することがより好ましく、−ＣＨ_２−を２〜１２個有することが更に好ましい。

Ｌ^１２、Ｌ^２２、Ｌ^３２を構成する炭素数は、液晶の相転移温度と化合物の溶媒への溶解性に影響を及ぼす。一般的に炭素数は多くなるほど、ディスコティックネマチック相（Ｎ_Ｄ相）から等方性液体への転移温度が低下する傾向にある。また、溶媒への溶解性は、一般的に炭素数は多くなるほど向上する傾向にある。

一般式（Ｉ’−Ａ）中のＱ^１１、一般式（Ｉ’−Ｂ）中のＱ^２１、一般式（Ｉ’−Ｃ）中のＱ^３１はそれぞれ独立して重合性基又は水素原子を表す。また、Ｑ^１１、Ｑ^２１、Ｑ^３１は重合性基であることが好ましい。重合反応は、付加重合（開環重合を含む）又は縮合重合であることが好ましい。すなわち、重合性基は、付加重合反応又は縮合重合反応が可能な官能基であることが好ましい。以下に重合性基の例については、上記と同様であり、好ましい例も上記と同様である。

以下に、一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、特開２００９−９７００２号公報［００３８］〜［００６９］記載の化合物や、以下の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

トリフェニレン化合物で、波長分散の小さいディスコティック液晶性化合物としては、特開２００７−１０８７３２号公報の段落［００６２］〜［００６７］記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［棒状液晶性化合物］
本発明では、前記λ／４板が有する光学異方性層の形成に、棒状液晶性化合物を用いてもよい。棒状液晶性化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類及びアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。棒状液晶性化合物を重合によって配向を固定することがより好ましい。液晶性化合物には活性光線や電子線、熱などによって重合や架橋反応を起こしうる部分構造を有するものが好適に用いられる。その部分構造の個数は好ましくは１〜６個、より好ましくは１〜３個である。重合性棒状液晶性化合物としては、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許第４６８３３２７号明細書、同５６２２６４８号明細書、同５７７０１０７号明細書、国際公開ＷＯ９５／２２５８６号公報、同９５／２４４５５号公報、同９７／００６００号公報、同９８／２３５８０号公報、同９８／５２９０５号公報、特開平１−２７２５５１号公報、同６−１６６１６号公報、同７−１１０４６９号公報、同１１−８００８１号公報、及び特開２００１−３２８９７３号公報などに記載の化合物を用いることができる。

［垂直配向促進剤］
前記光学異方性層を形成する際に、液晶性化合物の分子を均一に垂直配向させるためには、配向膜界面側及び空気界面側において液晶性化合物を垂直に配向制御可能な配向制御剤を用いるのが好ましい。この目的のために、配向膜に、排除体積効果、静電気的効果又は表面エネルギー効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を、液晶性化合物とともに含有する組成物を用いて光学異方性層を形成するのが好ましい。また、空気界面側の配向制御に関しては液晶性化合物の配向時に空気界面に偏在し、その排除体積効果、静電気的効果、又は表面エネルギー効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を、液晶性化合物とともに含有する組成物を用いて光学異方性層を形成するのが好ましい。このような配向膜界面側で液晶性化合物の分子を垂直に配向させるのを促進する化合物（配向膜界面側垂直配向剤）としては、ピリジニウム誘導体が好適に用いられる。空気界面側で液晶性化合物の分子を垂直に配向させるのを促進する化合物（空気界面側垂直配向剤）としては、該化合物が空気界面側に偏在するのを促進する、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝及びそれらの塩からなる群より選ばれる１種以上の親水性基とを含む化合物が好適に用いられる。また、これらの化合物を配合することによって、例えば、液晶性組成物を塗布液として調製した場合に、該塗布液の塗布性が改善され、ムラ、ハジキの発生が抑制される。以下に垂直配向剤に関して詳細に説明する。

［配向膜界面側垂直配向剤］
本発明に使用可能な配向膜界面側垂直配向剤としては、下記一般式（ＩＩ）で表されるピリジニウム誘導体（ピリジニウム塩）が好適に用いられる。該ピリジニウム誘導体の少なくとも１種を前記液晶性組成物に添加することによって、ディスコティック液晶性化合物の分子を配向膜近傍で実質的に垂直に配向させることができる。

式中、Ｌ^２３及びＬ^２４はそれぞれ二価の連結基を表す。
Ｌ^２３は、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−又は−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−であるのが好ましく、ＡＬは、炭素原子数が１〜１０のアルキレン基である。Ｌ^２３は、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−Ｏ−ＣＯ−又は−Ｏ−ＣＯ−ＡＬ−ＣＯ−Ｏ−が好ましく、単結合又は−Ｏ−が更に好ましく、−Ｏ−が最も好ましい。

Ｌ^２４は、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−Ｎ＝Ｎ−であるのが好ましく、−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−がより好ましい。ｍが２以上のとき、複数のＬ^２４が交互に、−Ｏ−ＣＯ−及び−ＣＯ−Ｏ−であるのが更に好ましい。

Ｒ^２２は水素原子、無置換アミノ基、又は炭素原子数が１〜２５の置換アミノ基である。
Ｒ^２２が、ジアルキル置換アミノ基である場合、２つのアルキル基が互いに結合して含窒素複素環を形成してもよい。このとき形成される含窒素複素環は、５員環又は６員環が好ましい。Ｒ^２２は水素原子、無置換アミノ基、又は炭素原子数が２〜１２のジアルキル置換アミノ基であるのが更に好ましく、水素原子、無置換アミノ基、又は炭素原子数が２〜８のジアルキル置換アミノ基であるのがより更に好ましい。Ｒ^２２が無置換アミノ基及び置換アミノ基である場合、ピリジニウム環の４位が置換されていることが好ましい。

Ｘはアニオンである。
Ｘは、一価のアニオンであることが好ましい。アニオンの例には、アニオンの例には、ハロゲン陰イオン（例え、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンなど）、スルホネートイオン（例えば、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、メチル硫酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸イオン、１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオンなど）、硫酸イオン、炭酸イオン、硝酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロほう酸イオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、ギ酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、リン酸イオン（例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン）、水酸イオンなどが挙げられる。Ｘは、好ましくは、ハロゲン陰イオン、スルホネートイオン、水酸イオンである。

Ｙ^２２及びＹ^２３はそれぞれ、５又は６員環を部分構造として有する２価の連結基である。
前記５又は６員環が置換基を有していてもよい。好ましくは、Ｙ^２２及びＹ^２３のうち少なくとも１つは、置換基を有する５又は６員環を部分構造として有する２価の連結基である。Ｙ^２２及びＹ^２３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい６員環を部分構造として有する２価の連結基であるのが好ましい。６員環は、脂肪族環、芳香族環（ベンゼン環）及び複素環を含む。６員脂肪族環の例は、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環及びシクロヘキサジエン環を含む。６員複素環の例は、ピラン環、ジオキサン環、ジチアン環、チイン環、ピリジン環、ピペリジン環、オキサジン環、モルホリン環、チアジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環及びトリアジン環を含む。６員環に、他の６員環又は５員環が縮合していてもよい。
置換基の例は、ハロゲン原子、シアノ、炭素原子数が１〜１２のアルキル基及び炭素原子数が１〜１２のアルコキシ基を含む。アルキル基及びアルコキシ基は、炭素原子数が２〜１２のアシル基又は炭素原子数が２〜１２のアシルオキシ基で置換されていてもよい。置換基は、炭素原子数が１〜１２（より好ましくは１〜６、更に好ましくは１〜３）のアルキル基であるのが好ましい。置換基は２以上であってもよく、例えば、Ｙ^２２及びＹ^２３がフェニレン基である場合は、１〜４の炭素原子数が１〜１２（より好ましくは１〜６、更に好ましくは１〜３）のアルキル基で置換されていてもよい。

なお、ｍは１又は２であり、２であるのが好ましい。ｍが２のとき、複数のＹ^２３及びＬ^２４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｚ^２１は、ハロゲン置換フェニル、ニトロ置換フェニル、シアノ置換フェニル、炭素原子数が１〜２５のアルキル基で置換されたフェニル、炭素原子数が１〜２５のアルコキシ基で置換されたフェニル、炭素原子数が１〜２５のアルキル基、炭素原子数が２〜２５のアルキニル基、炭素原子数が１〜２５のアルコキシ基、炭素原子数が１〜２５のアルコキシカルボニル基、炭素原子数が７〜２６のアリールオキシカルボニル基及び炭素原子数が７〜２６のアリールカルボニルオキシ基からなる群より選ばれる一価の基である。
ｍが２の場合、Ｚ^２１は、シアノ、炭素原子数が１〜２５のアルキル基又は炭素原子数が１〜２５のアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数４〜２０のアルコキシ基であるのが更に好ましい。
ｍが１の場合、Ｚ^２１は、炭素原子数が７〜２５のアルキル基、炭素原子数が７〜２５のアルコキシ基、炭素原子数が７〜２５のアシル置換アルキル基、炭素原子数が７〜２５のアシル置換アルコキシ基、炭素原子数が７〜１２のアシルオキシ置換アルキル基又は炭素原子数が７〜２５のアシルオキシ置換アルコキシ基であることが好ましい。

アシル基は−ＣＯ−Ｒ、アシルオキシ基は−Ｏ−ＣＯ−Ｒで表され、Ｒは脂肪族基（アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基）又は芳香族基（アリール基、置換アリール基）である。Ｒは、脂肪族基であることが好ましく、アルキル基又はアルケニル基であることが更に好ましい。

ｐは、１〜１０の整数である。ｐは、１又は２であることが特に好ましい。Ｃ_ｐＨ_２ｐは、分岐構造を有していてもよい鎖状アルキレン基を意味する。Ｃ_ｐＨ_２ｐは、直鎖状アルキレン基（−（ＣＨ_２）_ｐ−）であることが好ましい。

前記式（ＩＩ）で表される化合物の中でも、下記式（ＩＩ’）で表される化合物が好ましい。

式（ＩＩ’）中、式（ＩＩ）と同一の符号は同一の意義であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ^２５はＬ^２４と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ^２４及びＬ^２５は、−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＯ−Ｏ−であるのが好ましく、Ｌ^２４が−Ｏ−ＣＯ−で、かつＬ^２５が−ＣＯ−Ｏ−であるのが好ましい。

Ｒ^２３、Ｒ^２４及びＲ^２５はそれぞれ、炭素原子数が１〜１２（より好ましくは１〜６、更に好ましくは１〜３）のアルキル基である。ｎ_２３は０〜４、ｎ_２４は１〜４、及びｎ_２５は０〜４を表す。ｎ_２３及びｎ_２５が０で、ｎ_２４が１〜４（より好ましくは１〜３）であるのが好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては、特開２００６−１１３５００号公報明細書中［００５８］〜［００６１］に記載の化合物が挙げられる。

その他にも一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては下記化合物が挙げられる。但し、下記式中、アニオン（Ｘ⁻）は省略した。

以下に、一般式（ＩＩ’）で表される化合物の具体例を示す。但し、下記式中、アニオン（Ｘ⁻）は省略した。

式（ＩＩ）のピリジニウム誘導体は、一般にピリジン環をアルキル化（メンシュトキン反応）して得られる。

前記光学異方性層形成用の組成物中における前記ピリジニウム誘導体の含有量の好ましい範囲は、その用途によって異なるが、前記組成物（塗布液として調製した場合は溶媒を除いた液晶性組成物）中、０．００５〜８質量％であるのが好ましく、０．０１〜５質量％であるのがより好ましい。

［空気界面側垂直配向剤］
本発明における空気界面側垂直配向剤としては、下記フッ素系ポリマー（ＩＩ）又は一般式（ＩＩＩ）で表される含フッ素化合物が好適に用いられる。

フッ素系ポリマーが、フルオロ脂肪族基含有モノマーより誘導される繰り返し単位と下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位とを含む共重合体。

式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し；Ｌは下記の連結基群から選ばれる２価の連結基又は下記の連結基群から選ばれる２つ以上を組み合わせて形成される２価の連結基を表し、
（連結基群）
単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ^４−（Ｒ^４は水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す）、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^５）−（Ｒ^５はアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す）、アルキレン基及びアリーレン基；
Ｑはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、又はホスホノキシ｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩を表す。

下記式（ＩＩＩ）で表される含フッ素化合物。
（ＩＩＩ）
（Ｒ^０）_ｍ−Ｌ^０−（Ｗ）_ｎ
式中、Ｒ^０はアルキル基、末端にＣＦ_３基を有するアルキル基、又は末端にＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基を表し、ｍは１以上の整数を表す。複数個のＲ^０は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にＣＦ_３基又はＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基を表す。Ｌ^０は（ｍ＋ｎ）価の連結基を表し、Ｗはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、又はホスホノキシ｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩を表し、ｎは１以上の整数を表す。

まず、フッ素系ポリマーについて説明する。
本発明に使用可能なフッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝及びそれらの塩からなる群より選ばれる１種以上の親水性基とを含有することを特徴とする。ポリマーの種類としては、「改訂 高分子合成の化学」（大津隆行著、発行：株式会社化学同人、１９６８）１〜４ページに記載があり、例えば、ポリオレフィン類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリカーボネート類、ポリスルホン類、ポリカーボナート類、ポリエーテル類、ポリアセタール類、ポリケトン類、ポリフェニレンオキシド類、ポリフェニレンスルフィド類、ポリアリレート類、ＰＴＦＥ類、ポリビニリデンフロライド類、セルロース誘導体などが挙げられる。前記フッ素系ポリマーは、ポリオレフィン類であることが好ましい。

前記フッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基を側鎖に有するポリマーである。前記フルオロ脂肪族基は、炭素数１〜１２であるのが好ましく、６〜１０であるのがより好ましい。脂肪族基は、鎖状であっても環状であってもよく、鎖状である場合は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。中でも、直鎖状の炭素数６〜１０のフルオロ脂肪族基が好ましい。フッ素原子による置換の程度については特に制限はないが、脂肪族基中の５０％以上の水素原子がフッ素原子に置換されているのが好ましく、６０％以上が置換されているのがより好ましい。フルオロ脂肪族基は、エステル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、エーテル結合、チオエーテル結合、芳香族環などを介してポリマー主鎖と結合した側鎖に含まれる。フルオロ脂肪族基の一つは、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれるものである。これらのフルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、「フッ素化合物の合成と機能」（監修：石川延男、発行：株式会社シーエムシー、１９８７）の１１７〜１１８ページや、「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ＩＩ」（Ｍｏｎｏｇｒａｐｈ １８７，Ｅｄ ｂｙ Ｍｉｌｏｓ Ｈｕｄｌｉｃｋｙ ａｎｄ Ａｔｔｉｌａ Ｅ．Ｐａｖｌａｔｈ，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ １９９５）の７４７−７５２ページに記載されている。テロメリゼーション法とは、ヨウ化物等の連鎖移動常数の大きいアルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロエチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を行い、テロマーを合成する方法である（Ｓｃｈｅｍｅ−１に例を示した）。

得られた、末端ヨウ素化テロマーは通常、例えば［Ｓｃｈｅｍｅ２］のごとき適切な末端化学修飾を施され、フルオロ脂肪族化合物へと導かれる。これらの化合物は必要に応じ、更に所望のモノマー構造へと変換され、フルオロ脂肪族基含有ポリマーの製造に使用される。

本発明に使用可能なフッ素系ポリマーの製造に利用可能なモノマーの具体例としては、特開２００６−１１３５００公報の段落［００７５］〜［００８１］に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はそれら具体例によってなんら制限されるものではない。

本発明に使用可能なフッ素系ポリマーの一態様は、フルオロ脂肪族基含有モノマーより誘導される繰り返し単位と、下記式（ＩＩ）で表される親水性基を含有する繰り返し単位とを有する共重合体である。

上記式（ＩＩ）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｑはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）又はその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）又はその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝又はその塩を表す。Ｌは下記の連結基群から選ばれる任意の基、又はそれらの２つ以上を組み合わせて形成される２価の連結基を表す。
（連結基群）
単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ^ｂ−（Ｒ^ｂは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す）、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^ｃ）−（Ｒ^ｃはアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す）、アルキレン基及びアリーレン基。

式（ＩＩ）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子又は下記に例示した置換基群から選ばれる置換基を表す。
（置換基群）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリール基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、アラルキル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、３−フェニルプロピル基などが挙げられる）、置換若しくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる）、

アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）が含まれる。これらの置換基は更にこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基を二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、又は後述する−Ｌ−Ｑで表される基であることが好ましく、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、塩素原子、−Ｌ−Ｑで表される基であることがより好ましく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましく、水素原子、炭素数１〜２のアルキル基であることが最も好ましい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等が挙げられる。該アルキル基は、適当な置換基を有していても良い。該置換基としては、ハロゲン原子、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、ヒドロキシル基、アシルオキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アシルアミノ基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルホンアミド基、スルホリル基、カルボキシル基などが挙げられる。なお、アルキル基の炭素数は、置換基の炭素原子を含まない。以下、他の基の炭素数についても同様である。

Ｌは、上記連結基群から選ばれる２価の連結基、又はそれらの２つ以上を組み合わせて形成される２価の連結基を表す。上記連結基群中、−ＮＲ^ｂ−のＲ^ｂは、水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、好ましくは水素原子又はアルキル基である。また、−ＰＯ（ＯＲ^ｃ）−のＲ^ｃはアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、好ましくはアルキル基である。Ｒ^ｂ及びＲ^ｃがアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す場合の炭素数は「置換基群」で説明したものと同じである。Ｌとしては、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ^ｂ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、アルキレン基又はアリーレン基を含むことが好ましく、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＲ^ｂ−、アルキレン基又はアリーレン基を含んでいることが特に好ましい。Ｌがアルキレン基を含む場合、アルキレン基の炭素数は好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜８、特に好ましくは１〜６である。特に好ましいアルキレン基の具体例として、メチレン、エチレン、トリメチレン、テトラブチレン、ヘキサメチレン基等が挙げられる。Ｌが、アリーレン基を含む場合、アリーレン基の炭素数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、特に好ましくは６〜１２である。特に好ましいアリーレン基の具体例として、フェニレン、ナフタレン基等が挙げられる。Ｌが、アルキレン基とアリーレン基を組み合わせて得られる２価の連結基（即ちアラルキレン基）を含む場合、アラルキレン基の炭素数は、好ましくは７〜３４、より好ましくは７〜２６、特に好ましくは７〜１６である。特に好ましいアラルキレン基の具体例として、フェニレンメチレン基、フェニレンエチレン基、メチレンフェニレン基等が挙げられる。Ｌとして挙げられた基は、適当な置換基を有していてもよい。このような置換基としては先にＲ^１〜Ｒ^３における置換基として挙げた置換基と同様なものを挙げることができる。
以下にＬの具体的構造としては、特開２００６−１１３５００公報の段落［００９０］〜［００９１］に記載の構造等が挙げられるが、本発明はそれら具体例によってなんら制限されるものではない。

前記式（ＩＩ）中、Ｑはカルボキシル基、カルボキシル基の塩（例えばリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩（例えばアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、ジメチルフェニルアンモニウムなど）、ピリジニウム塩など）、スルホ基、スルホ基の塩（塩を形成するカチオンの例は上記カルボキシル基に記載のものと同じ）、ホスホノキシ基、ホスホノキシ基の塩（塩を形成するカチオンの例は上記カルボキシル基に記載のものと同じ）を表す。より好ましくはカルボキシル基、スルホ基、ホスホ基であり、特に好ましいのはカルボキシル基又はスルホ基である。

前記フッ素系ポリマーは、前記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を１種含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。また、前記フッ素系ポリマーは、上記各繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を１種又は２種以上有していてもよい。前記他の繰り返し単位については特に制限されず、通常のラジカル重合反応可能なモノマーから誘導される繰り返し単位が好ましい例として挙げられる。以下、他の繰り返し単位を誘導するモノマーの具体例を挙げる。前記フッ素系ポリマーは、下記モノマー群から選ばれる１種又は２種以上のモノマーから誘導される繰り返し単位を含有していてもよい。

モノマー群
（１）アルケン類
エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、１−ドデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、ヘキサフルオロプロペン、フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエチレン、３，３，３−トリフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデンなど；
（２）ジエン類
１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、２−エチル−１，３−ブタジエン、２−ｎ−プロピル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１−フェニル−１，３−ブタジエン、１−α−ナフチル−１，３−ブタジエン、１−β−ナフチル−１，３−ブタジエン、２−クロロ−１，３−ブタジエン、１−ブロモ−１，３−ブタジエン、１−クロロブタジエン、２−フルオロ−１，３−ブタジエン、２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン、１，１，２−トリクロロ−１，３−ブタジエン及び２−シアノ−１，３−ブタジエン、１，４−ジビニルシクロヘキサンなど；

（３）α，β−不飽和カルボン酸の誘導体
（３ａ）アルキルアクリレート類
メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルへキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｔｅｒｔ−オクチルアクリレート、ドデシルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−クロロエチルアクリレート、２−ブロモエチルアクリレート、４−クロロブチルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、２−アセトキシエチルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、２−クロロシクロヘキシルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールアクリレート（ポリオキシエチレンの付加モル数：ｎ＝２ないし１００のもの）、３−メトキシブチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルアクリレート、１−ブロモ−２−メトキシエチルアクリレート、１，１−ジクロロ−２−エトキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなど）；

（３ｂ）アルキルメタクリレート類
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アリルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレート、３−メトキシブチルメタクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールメタクリレート（ポリオキシエチレンの付加モル数：ｎ＝２ないし１００のもの）、２−アセトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、３−トリメトキシシリルプロピルメタクリレート、アリルメタクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートなど；

（３ｃ）不飽和多価カルボン酸のジエステル類
マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル、イタコン酸ジメチル、タコン酸ジブチル、クロトン酸ジブチル、クロトン酸ジヘキシル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジメチルなど；

（３ｄ）α、β−不飽和カルボン酸のアミド類
Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−プロピルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔブチルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔオクチルメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルアクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−（２−アセトアセトキシエチル）アクリルアミド、Ｎ−ベンジルアクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ−メチルマレイミドなど；

（４）不飽和ニトリル類
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなど；
（５）スチレン及びその誘導体
スチレン、ビニルトルエン、エチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔブチルスチレン、ｐ−ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、ビニルナフタレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ヒドロキシメチルスチレン、ｐ−アセトキシスチレンなど；
（６）ビニルエステル類
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、イソ酪酸ビニル、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロロ酢酸ビニル、メトキシ酢酸ビニル、フェニル酢酸ビニルなど；

（７）ビニルエーテル類
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル、ｎ−ペンチルビニルエーテル、ｎ−ヘキシルビニルエーテル、ｎ−オクチルビニルエーテル、ｎ−ドデシルビニルエーテル、ｎ−エイコシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、フルオロブチルビニルエーテル、フルオロブトキシエチルビニルエーテルなど；及び
（８）その他の重合性単量体
Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルケトン、フェニルビニルケトン、メトキシエチルビニルケトン、２−ビニルオキサゾリン、２−イソプロペニルオキサゾリンなど。

前記フッ素系ポリマー中、フルオロ脂肪族基含有モノマーの量は、該ポリマーの構成モノマー総量の５質量％以上であるのが好ましく、１０質量％以上であるのがより好ましく、３０質量％以上であるのが更に好ましい。前記フッ素系ポリマーにおいて、前記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位の量は、該フッ素ポリマーの構成モノマー総量の０．５質量％以上であるのが好ましく、１〜２０質量％であるのがより好ましく、１〜１０質量％であるのが更に好ましい。上記の質量百分率は使用するモノマーの分子量により好ましい範囲の数値が変動し易いため、ポリマーの単位質量当たりの官能基モル数で表す方が、式（ＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量を正確に規定できる。該表記を用いた場合、前記フッ素系ポリマー中に含有される親水性基（式（ＩＩ）中のＱ）の好ましい量は、０．１ｍｍｏｌ／ｇ〜１０ｍｍｏｌ／ｇであり、より好ましい量は０．２ｍｍｏｌ／ｇ〜８ｍｍｏｌ／ｇである。

本発明に用いる前記フッ素系ポリマーの質量平均分子量は１，０００，０００以下であるのが好ましく、５００，０００以下であるのがより好ましく、１００，０００以下であるのが更に好ましい。質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン（ＰＳ）換算の値として測定可能である。

前記フッ素系ポリマーの重合方法は、特に限定されるものではないが、例えば、ビニル基を利用したカチオン重合やラジカル重合、あるいは、アニオン重合等の重合方法を採ることができ、これらの中ではラジカル重合が汎用に利用できる点で特に好ましい。ラジカル重合の重合開始剤としては、ラジカル熱重合開始剤や、ラジカル光重合開始剤等の公知の化合物を使用することができるが、特に、ラジカル熱重合開始剤を使用することが好ましい。ここで、ラジカル熱重合開始剤は、分解温度以上に加熱することにより、ラジカルを発生させる化合物である。このようなラジカル熱重合開始剤としては、例えば、ジアシルパーオキサイド（アセチルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等）、ケトンパーオキサイド（メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等）、ハイドロパーオキサイド（過酸化水素、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等）、ジアルキルパーオキサイド（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド等）、パーオキシエステル類（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート等）、アゾ系化合物（アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル等）、過硫酸塩類（過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等）が挙げられる。このようなラジカル熱重合開始剤は、１種を単独で使用することもできるし、あるいは２種以上を組み合わせて使用することもできる。

ラジカル重合方法は、特に制限されるものでなく、乳化重合法、懸濁重合法、塊状重合法、溶液重合法等を採ることが可能である。典型的なラジカル重合方法である溶液重合について更に具体的に説明する。他の重合方法についても概要は同等であり、その詳細は例えば「高分子科学実験法」高分子学会編（東京化学同人、１９８１年）等に記載されている。

溶液重合を行うためには有機溶媒を使用する。これらの有機溶媒は本発明の目的、効果を損なわない範囲で任意に選択可能である。これらの有機溶媒は通常、大気圧下での沸点が５０〜２００℃の範囲内の値を有する有機化合物であり、各構成成分を均一に溶解させる有機化合物が好ましい。好ましい有機溶媒の例を示すと、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン等のエステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は、１種単独又は２種以上を組み合わせて用いることが可能である。更に、モノマーや生成するポリマーの溶解性の観点から上記有機溶媒に水を併用した水混合有機溶媒も適用可能である。

また、溶液重合条件も特に制限されるものではないが、例えば、５０〜２００℃の温度範囲内で、１０分〜３０時間加熱することが好ましい。更に、発生したラジカルが失活しないように、溶液重合中はもちろんのこと、溶液重合開始前にも、不活性ガスパージを行うことが好ましい。不活性ガスとしては通常窒素ガスが好適に用いられる。

前記フッ素系ポリマーを好ましい分子量範囲で得るためには、連鎖移動剤を用いたラジカル重合法が特に有効である。連鎖移動剤としてはメルカプタン類（例えば、オクチルメルカプタン、デシルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、オクタデシルメルカプタン、チオフェノール、ｐ−ノニルチオフェノール等）、ポリハロゲン化アルキル（例えば、四塩化炭素、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，１−トリブロモオクタンなど）、低活性モノマー類（α−メチルスチレン、α−メチルスチレンダイマー等）のいずれも用いることができるが、好ましくは炭素数４〜１６のメルカプタン類である。これらの連鎖移動剤の使用量は、連鎖移動剤の活性やモノマーの組み合わせ、重合条件などにより著しく影響され精密な制御が必要であるが、通常は使用するモノマーの全モル数に対して０．０１モル％〜５０モル％程度であり、好ましくは０．０５モル％〜３０モル％、特に好ましくは０．０８モル％〜２５モル％である。これらの連鎖移動剤は、重合過程において重合度を制御するべき対象のモノマーと同時に系内に存在させればよく、その添加方法については特に問わない。モノマーに溶解して添加してもよいし、モノマーと別途に添加することも可能である。

なお、本発明のフッ素系ポリマーは、ディスコティック液晶性化合物の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有するものも好ましい。

フッ素系ポリマーとして本発明に好ましく用いられるフルオロ脂肪族基含有共重合体の具体例として、特開２００６−１１３５００公報の段落［０１１０］〜［０１１４］に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はそれら具体例によってなんら制限されるものではない。

本発明に用いられるフッ素系ポリマーは、公知慣用の方法で製造することができる。例えば先にあげたフルオロ脂肪族基を有するモノマー、水素結合性基を有するモノマー等を含む有機溶媒中に、汎用のラジカル重合開始剤を添加し、重合させることにより製造できる。また、場合によりその他の付加重合性不飽和化合物を、更に添加して上記と同じ方法にて製造することができる。各モノマーの重合性に応じ、反応容器にモノマーと開始剤を滴下しながら重合する滴下重合法なども、均一な組成のポリマーを得るために有効である。

組成物中における前記フッ素系ポリマーの含有量の好ましい範囲は、その用途によって異なるが、光学異方性層の形成に用いる場合は、組成物（塗布液である場合は溶媒を除いた組成物）中、０．００５〜８質量％であるのが好ましく、０．０１〜５質量％であるのがより好ましく、０．０５〜３質量％であるのが更に好ましい。前記フッ素系ポリマーの添加量が０．００５質量％未満では効果が不十分であり、また８質量％より多くなると、塗膜の乾燥が十分に行われなくなったり、光学フイルムとしての性能（例えばレターデーションの均一性等）に悪影響を及ぼす。

次に、式（ＩＩＩ）で表される含フッ素化合物について説明する。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ^０は含フッ素化合物の疎水性基として機能する。Ｒ^０で表されるアルキル基は置換若しくは無置換のアルキル基であり、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、更に好ましくは４〜１６のアルキル基であり、特に好ましくは６〜１６のアルキル基である。該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。Ｒ^０で表される末端にＣＦ_３基を有するアルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０であり、更に好ましくは４〜１６であり、特に好ましくは４〜８である。前記末端にＣＦ_３基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。アルキル基中の水素原子の５０％以上がフッ素原子で置換されているのが好ましく、６０％以上が置換されているのがより好ましく、７０％以上を置換されているのが特に好ましい。残りの水素原子は、更に後述の置換基群Ｄとして例示された置換基によって置換されていてもよい。Ｒ^０で表される末端にＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０であり、更に好ましくは４〜１６であり、特に好ましくは４〜８である。前記末端にＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。アルキル基中の水素原子の５０％以上がフッ素原子で置換されているのが好ましく、６０％以上が置換されているのがより好ましく、７０％以上を置換されているのが特に好ましい。残りの水素原子は、更に後述の置換基群Ｄとして例示された置換基によって置換されていてもよい。Ｒ^０で表される末端にＣＦ_３基を有するアルキル基、又は末端にＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基の例を以下に示す。

Ｒ１：ｎ−Ｃ_８Ｆ_１７−
Ｒ２：ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３−
Ｒ３：ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−
Ｒ４：ｎ−Ｃ_８Ｆ_１７−（ＣＨ_２）_２−
Ｒ５：ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３−（ＣＨ_２）_２−
Ｒ６：ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−（ＣＨ_２）_２−
Ｒ７：Ｈ−（ＣＦ_２）_８−
Ｒ８：Ｈ−（ＣＦ_２）_６−
Ｒ９：Ｈ−（ＣＦ_２）_４−
Ｒ１０：Ｈ−（ＣＦ_２）_８−（ＣＨ_２）−
Ｒ１１：Ｈ−（ＣＦ_２）_６−（ＣＨ_２）−
Ｒ１２：Ｈ−（ＣＦ_２）_４−（ＣＨ_２）−

式（ＩＩＩ）において、Ｌ^０で表される（ｍ＋ｎ）価の連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、芳香族基、ヘテロ環基、−ＣＯ−、−ＮＲ−（Ｒは炭素原子数が１〜５のアルキル基又は水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−からなる群より選ばれる基を少なくとも二つ組み合わせた連結基であることが好ましい。

式（ＩＩＩ）において、Ｗはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、又はホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩を表す。Ｗの好ましい範囲は、式（ＩＩ）におけるＱと同一である。

前記式（ＩＩＩ）で表される含フッ素化合物の中でも、下記式（ＩＩＩ）−ａ又は式（ＩＩＩ）−ｂで表される化合物が好ましい。

式（ＩＩＩ）−ａ中、Ｒ_４及びＲ_５は各々アルキル基、末端にＣＦ_３基を有するアルキル基、又は末端にＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基を表すが、Ｒ_４及びＲ_５が同時にアルキル基であることはない。Ｗ_１及びＷ_２は各々水素原子、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、ホスホノキシ｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基を表すが、Ｗ_１及びＷ_２が同時に水素原子であることはない。

式（ＩＩＩ）−ｂ
（Ｒ_６−Ｌ_２−）_ｍ２（Ａｒ_１）−Ｗ_３

式（ＩＩＩ）−ｂ中、Ｒ_６はアルキル基、末端にＣＦ_３基を有するアルキル基、又は末端にＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基を表し、ｍ２は１以上の整数を表し、複数個のＲ_６は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にＣＦ_３基又はＣＦ_２Ｈ基を有するアルキル基を表す。Ｌ_２は、アルキレン基、芳香族基、−ＣＯ−、−ＮＲ−（Ｒは炭素原子数が１〜５のアルキル基又は水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表し、複数個のＬ_２は同一でも異なっていてもよい。Ａｒ_１は芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を表し、Ｗ_３はカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基を表す。

まず、前記式（ＩＩＩ）−ａについて説明する。
Ｒ_４及びＲ_５は前記式（ＩＩＩ）におけるＲ^０と同義であり，その好ましい範囲も同一である。Ｗ_１及びＷ_２で表されるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩は前記式（ＩＩＩ）におけるＷと同義でありその好ましい範囲も同一である。Ｗ_１及びＷ_２で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、更に好ましくは１〜８のアルキル基であり、特に好ましくは１〜３のアルキル基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式（ＩＩＩ）中のＷが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。Ｗ_１及びＷ_２で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、更に好ましくは１〜８のアルコキシ基であり、特に好ましくは１〜４のアルコキシ基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式（ＩＩＩ）中のＷが表す親カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。Ｗ_１及びＷ_２で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数１〜２０のアルキルアミノ基であり、更に好ましくは１〜８のアルキルアミノ基であり、特に好ましくは１〜４のアルキルアミノ基である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式（ＩＩＩ）中のＷが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。

Ｗ_１及びＷ_２は、特に好ましくはそれぞれ水素原子又は（ＣＨ_２）_ｎＳＯ_３Ｍ（ｎは０又は１を表す。）である。Ｍはカチオンを表すが、分子内で荷電が０になる場合はＭはなくてもよい。Ｍで表されるカチオンとしては、例えばプロトニウムイオン、アルカリ金属イオン（リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど）、アルカリ土類金属イオン（バリウムイオン、カルシウムイオンなど）、アンモニウムイオンなどが好ましく適用される。このうち、特に好ましくはプロトニウムイオン、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンである。

次に、前記式（ＩＩＩ）−ｂについて説明する。
Ｒ_６は前記式（ＩＩＩ）におけるＲ^０と同義であり，その好ましい範囲も同一である。Ｌ_２は、好ましくは炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数６〜１２の芳香族基、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−及びそれらの組み合わせからなる総炭素数０〜４０の連結基を表し、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキレン基、フェニル基、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−及びそれらの組み合わせからなる総炭素数０〜２０の連結基を表す。Ａｒ_１は、好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環を表し、特に好ましくはベンゼン環又はナフタレン環を表す。Ｗ_３で表されるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基は、前記式（ＩＩＩ）−ａにおけるＷ_１及びＷ_２で表されるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、ホスホノキシ｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２｝若しくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基と同義でありその好ましい範囲も同一である。

Ｗ_３は、好ましくはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）若しくはその塩又はスルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）若しくはその塩を有するアルキルアミノ基であり、特に好ましくはＳＯ_３Ｍ、又はＣＯ_２Ｍである。Ｍはカチオンを表すが、分子内で荷電が０になる場合はＭはなくてもよい。Ｍで表されるカチオンとしては、例えばプロトニウムイオン、アルカリ金属イオン（リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど）、アルカリ土類金属イオン（バリウムイオン、カルシウムイオンなど）、アンモニウムイオンなどが好ましく適用される。このうち、特に好ましくはプロトニウムイオン、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンである。

本明細書において、置換基群Ｄには、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、置換若しくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる）、

アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、例えば、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアシル基であり、例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０のアリールオキシカルボニル基であり、例えば、フェニルオキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、

アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）が含まれる。これらの置換基は更にこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基が二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。

なお、本発明の含フッ素化合物は、ディスコティック液晶性化合物の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有するものも好ましい。

本発明に使用可能な式（ＩＩＩ）にて表される含フッ素化合物の具体例として、特開２００６−１１３５００公報の段落［０１３６］〜［０１４０］に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はそれら具体例によってなんら制限されるものではない。

組成物中における前記含フッ素化合物の含有量の好ましい範囲は、その用途によって異なるが、光学異方性層の形成に用いる場合は、組成物（塗布液である場合は溶媒を除いた組成物）中、０．００５〜８質量％であるのが好ましく、０．０１〜５質量％であるのがより好ましく、０．０５〜３質量％であるのが更に好ましい。

［重合性開始剤］
配向（好ましくは垂直配向）させた液晶性化合物は、配向状態を維持して固定する。固定化は、液晶性化合物に導入した重合性基（Ｐ）の重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）及びオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）が含まれる。

光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることが更に好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ^２〜５０Ｊ／ｃｍ^２であることが好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ^２であることが更に好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。位相差層の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることが更に好ましく、１〜５μｍであることが最も好ましい。

［光学異方性層の他の添加剤］
上記の液晶性化合物と共に、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を併用して、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶性化合物の配向性等を向上させることができる。これらの素材は液晶性化合物と相溶性を有し、配向を阻害しないことが好ましい。

重合性モノマーとしては、ラジカル重合性若しくはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基含有の液晶化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２０］記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に１〜５０質量％の範囲にあり、５〜３０質量％の範囲にあることが好ましい。

界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報明細書中の段落番号［００２８］〜［００５６］記載の化合物、特願２００３−２９５２１２号明細書中の段落番号［００６９］〜［０１２６］記載の化合物が挙げられる。

液晶性化合物とともに使用するポリマーは、塗布液を増粘できることが好ましい。ポリマーの例としては、セルロースエステルを挙げることができる。セルロースエステルの好ましい例としては、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［０１７８］記載のものが挙げられる。液晶性化合物の配向を阻害しないように、上記ポリマーの添加量は、液晶性分子に対して０．１〜１０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜８質量％の範囲にあることがより好ましい。
液晶性化合物のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、７０〜３００℃が好ましく、７０〜１７０℃が更に好ましい。

［塗布溶剤］
塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライド及びケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

［塗布方法］
塗布液の塗布は、公知の方法（例、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。中でも、前記光学異方性層を形成する際は、ワイヤーバーコーティング法を利用して塗布するのが好ましく、ワイヤーバーの回転数は下記式を満たすことが好ましい。
０．６＜（Ｗ×（Ｒ＋２ｒ）×π）／Ｖ＜１．４
［Ｗ：ワイヤーバーの回転数（ｒｐｍ）、Ｒ：バーの芯の直径（ｍ）、ｒ：ワイヤーの直径（ｍ）、Ｖ：支持体の搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）］
（Ｗ×（Ｒ＋２ｒ）×π）／Ｖの範囲は、０．７〜１．３であることがより好ましく、０．８〜１．２であることが更に好ましい。

前記光学異方性層の形成にはダイコーティング法が好ましく用いられ、特に、スライドコーター又はスロットダイコーターを利用した塗布方法が好ましい。

［配向膜］
本発明では、配向膜の表面に前記組成物を塗布して、液晶性化合物の分子を配向させるのが好ましい。配向膜は液晶性化合物の配向方向を規定する機能を有するため、本発明の好ましい態様を実現する上で利用するのが好ましい。しかし、液晶性化合物を配向後にその配向状態を固定してしまえば、配向膜はその役割を果たしているために、本発明の構成要素としては必ずしも必須のものではない。即ち、配向状態が固定された配向膜上の光学異方性層のみを偏光層や支持体上に転写して本発明の偏光板を作製することも可能である。
配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で設けることができる。更に、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
配向膜は、ポリマーのラビング処理により形成することが好ましい。

ポリマーの例には、例えば特開平８−３３８９１３号公報明細書中段落番号［００２２］記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコール及び変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコール及び変性ポリビニルアルコールが更に好ましく、ポリビニルアルコール及び変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。

ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％が更に好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は１００〜５０００であることが好ましい。

前記配向膜において、架橋性官能基（例、二重結合）を有する側鎖を主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する架橋性官能基を側鎖に導入することが好ましい。配向膜に使用されるポリマーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。
架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償シートの強度を著しく改善することができる。
配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中段落番号［００８０］〜［０１００］記載のもの等が挙げられる。

配向膜ポリマーは、上記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。架橋剤としては、アルデヒド、Ｎ−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾール及びジアルデヒド澱粉が含まれる。二種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には、例えば特開２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００２３］〜［００２４］記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。

架橋剤の添加量は、ポリマーに対して０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％が更に好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることが更に好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、或は高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。

配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である上記ポリマー、架橋剤及び添加剤を含む溶液を透明支持体上に塗布した後、加熱乾燥（架橋させ）し、ラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、透明支持体上に塗布した後、任意の時期に行なってよい。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒（例、メタノール）と水の混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で水：メタノールが０：１００〜９９：１が好ましく、０：１００〜９１：９であることが更に好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方層の層表面の欠陥が著しく減少する。

配向膜形成時に利用する塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法又はロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は０．１乃至１０μｍが好ましい。加熱乾燥は、２０℃〜１１０℃で行なうことができる。充分な架橋を形成するためには６０℃〜１００℃が好ましく、特に８０℃〜１００℃が好ましい。乾燥時間は１分〜３６時間で行なうことができるが、好ましくは１分〜３０分である。ｐＨも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、ｐＨ４．５〜５．５が好ましい。

配向膜は、透明支持体上に設けられることが好ましい。配向膜は、上記のようにポリマー層を架橋したのち、表面をラビング処理することにより得ることができる。

前記ラビング処理は、ＬＣＤの液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、ゴムあるいはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。一般的には、長さ及び太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて数回程度ラビングを行うことにより実施される。

配向膜のラビング処理面に前記組成物を塗布して、液晶性化合物の分子を配向させる。その後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、あるいは、架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させることで、前記光学異方性層を形成することができる。
配向膜の膜厚は、０．１〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。

［透明支持体（ポリマーフィルム）］
前記光学異方性層を支持する透明支持体（ポリマーフィルム）の面内のレターデーション（Ｒｅ）は０〜５０ｎｍであることが好ましく、０〜３０ｎｍであることが更に好ましく、０〜１０ｎｍであることが最も好ましい。また、該支持体の厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は−３００ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましく、−１００ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、−６０ｎｍ〜６０ｎｍであることが最も好ましい。支持体の光学異方性は、その上に設けられる光学異方性層との組み合わせによって選択することが好ましく、その組み合わせによってλ／４板のＮｚ値を制御することができる。

ポリマーの例には、セルロースアシレートフィルム（例えば、セルローストリアセテートフィルム（屈折率１．４８）、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム）、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリメチルメタクリレート等のポリアクリル系樹脂フィルム、ポリウレタン系樹脂フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、（メタ）アクリルニトリルフィルム、ポリオレフィン、脂環式構造を有するポリマー（ノルボルネン系樹脂（アートン：商品名、ＪＳＲ社製、非晶質ポリオレフィン（ゼオネックス：商品名、日本ゼオン社製））、などが挙げられる。このうちトリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、脂環式構造を有するポリマーが好ましく、特にトリアセチルセルロースが好ましい。

ポリマーフィルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。前記ソルベントキャスト法として、共流延法、逐次流延法、塗布法などの積層流延法も用いることができる。共流延法及び逐次流延法により製造する場合には、先ず、各層用のセルロースアセテート溶液（ドープ）を調製する。共流延法（重層同時流延）は、流延用支持体（バンド又はドラム）の上に、各層（３層あるいはそれ以上でもよい）各々の流延用ドープを別のスリットなどから同時に押出す流延用ギーサからドープを押出して、各層同時に流延し、適当な時期に支持体から剥ぎ取って、乾燥しフィルムを成形する流延法である。
逐次流延法は、流延用支持体の上に先ず第１層用の流延用ドープを流延用ギーサから押出して、流延し、乾燥あるいは乾燥することなく、その上に第２層用の流延用ドープを流延用ギーサから押出して流延する要領で、必要なら第３層以上まで逐次ドープを流延・積層して、適当な時期に支持体から剥ぎ取って、乾燥しフィルムを成形する流延法である。
塗布法は、一般的には、コア層のフィルムを溶液製膜法によりフィルムに成形し、表層に塗布する塗布液を調製し、適当な塗布機を用いて、片面ずつ又は両面同時にフィルムに塗布液を塗布・乾燥して積層構造のフィルムを成形する方法である。

透明支持体の厚さは通常２５μｍ〜１０００μｍ程度のものを用いることができるが、好ましくは２５μｍ〜２５０μｍであり、３０μｍ〜９０μｍであることがより好ましい。透明支持体とその上に設けられる層（接着層、垂直配向膜あるいは位相差層）との接着を改善するため、透明支持体に表面処理（例、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線（ＵＶ）処理、火炎処理）を実施してもよい。透明支持体の上に、接着層（下塗り層）を設けてもよい。また、透明支持体や長尺の透明支持体には、搬送工程でのすべり性を付与したり、巻き取った後の裏面と表面の貼り付きを防止するために、平均粒径が１０〜１００ｎｍ程度の無機粒子を固形分重量比で５％〜４０％混合したポリマー層を支持体の片側に塗布や支持体との共流延によって形成したものを用いることが好ましい。

なお、上記では、支持体上に光学異方性層を設けた積層体構造であるλ／４板を説明したが、本発明はこの態様に限定されるものではなく、前述のとおり、λ／４板は、勿論、延伸ポリマーフィルム（光学異方性支持体）単独からなっていても、液晶性化合物を含有する組成物から形成された液晶フィルムのみからなっていてもよい。液晶フィルムの好ましい例も、前記光学異方性層の好ましい例と同様である。

前記λ／４板は長尺の状態で連続的に製造されることが好ましい。更に、長手方向に対して遅相軸が平行でも直交でもない方向にあることが好ましい。すなわち、λ／４板に含まれる光学異方性層の少なくとも一層の遅相軸と、λ／４板の長辺とのなす角度は、５〜８５°であることが好ましい。
光学異方性層が液晶性化合物から形成される場合には、光学異方性層の遅相軸の角度はラビングの角度で調整できる。λ／４板が延伸処理したポリマーフィルム（光学異方性支持体）から形成される場合は、延伸方向によって遅相軸の角度が調整できる。長尺状フィルムの長手方向に対して光学異方性層の遅相軸を平行でも直交でもない角度にすることで、後述する円偏光板又は楕円偏光板の製造において、長尺状の偏光膜とロールトゥロールによる貼り合せが可能になり、貼り合せの軸角度の精度が高く、生産性の高い円偏光板や楕円偏光板の製造が可能になる。

[ハードコート層、反射防止層]
表示側偏光板保護領域には、図３に示すように、表面フィルムとして目的に応じて必要な機能層を単独又は複数層設けてもよい。好ましい態様としては、光学異方性層の上にハードコート層が積層された態様、光学異方性層の上に反射防止層が積層された態様、光学異方性層の上にハードコート層が積層され、その上に更に反射防止層が積層された態様、等が挙げられる。該反射防止層は、光学干渉によって反射率が減少するように屈折率、膜厚、層の数、層順等を考慮して設計された，少なくとも一層以上の層からなる層である。
反射防止層は、最も単純な構成では、フィルムの最表面に低屈折率層のみを塗設した構成である。更に反射率を低下させるには、屈折率の高い高屈折率層と、屈折率の低い低屈折率層を組み合わせて反射防止層を構成することが好ましい。構成例としては、下側から順に、高屈折率層／低屈折率層の２層のものや、屈折率の異なる３層を、中屈折率層（下層よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層）／高屈折率層／低屈折率層の順に積層されているもの等があり、更に多くの反射防止層を積層するものも提案されている。中でも、耐久性、光学特性、コストや生産性等から、ハードコート層上に、中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層の順に有することが好ましく、例えば、特開平８−１２２５０４号公報、特開平８−１１０４０１号公報、特開平１０−３００９０２号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２０００−１１１７０６号公報等に記載の構成が挙げられる。また、膜厚変動に対するロバスト性に優れる３層構成の反射防止フィルムは特開２００８−２６２１８７号公報記載されている。上記３層構成の反射防止フィルムは、画像表示装置の表面に設置した場合、反射率の平均値を０．５％以下とすることができ、映り込みを著しく低減することができ、立体感に優れる画像を得ることができる。また、各層に他の機能を付与させてもよく、例えば、防汚性の低屈折率層、帯電防止性の高屈折率層、帯電防止性のハードコート層、防眩性のハードコート層としたもの（例、特開平１０−２０６６０３号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２００７−２６４１１３号公報等）等が挙げられる。

ハードコート層や反射防止層を有する場合の具体的な層構成の例を下記に示す。以下表記中−＊／は機能層が積層される基材を表す。具体的には、−＊／は、上述の光学異方性支持体、光学異方性層、支持体などを表す。
・−＊／ハードコート層、
・−＊／低屈折率層、
・−＊／防眩層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／低屈折率層、
・−＊／ハードコート層／防眩層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／防眩層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／ハードコート層／防眩層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／防眩層／高屈折率層／低屈折率層
・−＊／防眩層／中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層
上記の各構成のなかでも、光学異方性層の上にハードコート層、防眩層、反射防止層等の機能層を直接形成することが好ましい。また、光学異方性層を含む光学フィルムと、別途、支持体上にハードコート層、防眩層、反射防止層等の層を設けた光学フィルムとを貼合積層して製造してもよい。

（ハードコート層）
本発明の立体画像認識装置の表示側偏光板保護領域に設ける表面フィルムには、フィルムの物理的強度を付与するために、ハードコート層を設けることができる。本発明においては、ハードコート層を設けなくてもよいが、ハードコート層を設けた方が鉛筆引掻き試験などの耐擦傷性面が強くなり、好ましい。
好ましくは、ハードコート層上に低屈折率層が設けられ、更に好ましくはハードコート層と低屈折率層の間に中屈折率層、高屈折率層が設けられ、反射防止フィルムを構成する。
ハードコート層は、二層以上の積層から構成されてもよい。

本発明におけるハードコート層の屈折率は、反射防止性の表面フィルムを得るための光学設計から、屈折率が１．４８〜２．００の範囲にあることが好ましく、より好ましくは１．４８〜１．７０である。

ハードコート層の膜厚は、表面フィルムに充分な耐久性、耐衝撃性を付与する観点から、通常０．５μｍ〜５０μｍ程度とし、好ましくは１μｍ〜２０μｍ、更に好ましくは５μｍ〜２０μｍである。
ハードコート層の強度は、鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることが更に好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。更に、ＪＩＳ Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。

ハードコート層は、電離放射線硬化性化合物の架橋反応、又は、重合反応により形成されることが好ましい。例えば、電離放射線硬化性の多官能モノマーや多官能オリゴマーを含む塗布組成物を透明支持体上に塗布し、多官能モノマーや多官能オリゴマーを架橋反応、又は、重合反応させることにより形成することができる。電離放射線硬化性の多官能モノマーや多官能オリゴマーの官能基としては、光、電子線、放射線重合性のものが好ましく、中でも光重合性官能基が好ましい。光重合性官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基等の重合性官能基を有する化合物が挙げられ、中でも、（メタ）アクリロイル基及び−Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ＝ＣＨ_２が好ましい。

電離放射線硬化性化合物の具体例としては、アルキレングリコールの（メタ）アクリル酸ジエステル類、ポリオキシアルキレングリコールの（メタ）アクリル酸ジエステル類、多価アルコールの（メタ）アクリル酸ジエステル類、エチレンオキシドあるいはプロピレンオキシド付加物の（メタ）アクリル酸ジエステル類、エポキシ（メタ）アクリレート類、ウレタン（メタ）アクリレート類、ポリエステル（メタ）アクリレート類等を挙げることができる。

（メタ）アクリロイル基を有する多官能アクリレート系化合物類は市販されているものを用いることもでき、新中村化学工業（株）社製ＮＫエステル Ａ−ＴＭＭＴ、日本化薬（株）製ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ等を挙げることができる。多官能モノマーについては、特開２００９−９８６５８号公報の段落［０１１４］〜［０１２２］に記載されており、本発明においても同様である。

電離放射線硬化性化合物としては、水素結合性の置換基を有する化合物であることが、支持体との密着性、低カール性の点から好ましい。水素結合性の置換基とは、窒素、酸素、硫黄、ハロゲンなどの電気陰性度が大きな原子と水素結合とが共有結合で結びついた置換基を指し、具体的にはＯＨ−、ＳＨ−、−ＮＨ−、ＣＨＯ−、ＣＨＮ−などが挙げられ、ウレタン（メタ）アクリレート類や水酸基を有する（メタ）アクリレート類が好ましい。市販されている化合物を用いることもでき、新中村化学工業（株）社製ＮＫオリゴ Ｕ４ＨＡ、同ＮＫエステルＡ−ＴＭＭ−３、日本化薬（株）製ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＴ−３０等を挙げることができる。

ハードコート層には、内部散乱性付与の目的で、平均粒径が１．０〜１０．０μｍ、好ましくは１．５〜７．０μｍのマット粒子、例えば無機化合物の粒子又は樹脂粒子を含有してもよい。

ハードコート層のバインダーには、ハードコート層の屈折率を制御する目的で、各種屈折率モノマー又は無機粒子、或いは両者を加えることができる。無機粒子には屈折率を制御する効果に加えて、架橋反応による硬化収縮を抑える効果もある。本発明では、ハードコート層形成後において、前記多官能モノマー及び／又は高屈折率モノマー等が重合して生成した重合体、その中に分散された無機粒子を含んでバインダーと称する。

（防眩層）
防眩層は、表面散乱による防眩性と、好ましくは表面フィルムの硬度、耐擦傷性を向上するためのハードコート性をフィルムに寄与する目的で形成される。
防眩層については特開２００９−９８６５８号公報の段落［０１７８］〜［０１８９］に記載されており、本発明においても同様である。

［高屈折率層及び中屈折率層］
高屈折率層の屈折率は、１．７０〜１．７４であることが好ましく、１．７１〜１．７３であることがより好ましい。中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整される。中屈折率層の屈折率は、１．６０〜１．６４であることが好ましく、１．６１〜１．６３であることが更に好ましい。
高屈折率層及び中屈折率層の形成方法は化学蒸着（ＣＶＤ）法や物理蒸着（ＰＶＤ）法、特に物理蒸着法の一種である真空蒸着法やスパッタ法により、無機物酸化物の透明薄膜を用いることもできるが、オールウェット塗布による方法が好ましい。

上記中屈折率層は、上記高屈折率層と屈折率を異ならせた以外は同様の材料を用いて同様に調整できるので、以下、特に高屈折率層について説明する。
上記高屈折率層は、無機微粒子、３官能以上の重合性基を有する硬化性化合物（以下、「バインダー」と称する場合もある）、溶媒及び重合開始剤を含有する塗布組成物を塗布し、溶媒を乾燥させた後、加熱、電離放射線照射あるいは両手段の併用により硬化して形成されたものであるのが好ましい。硬化性化合物や開始剤を用いる場合は、塗布後に熱及び／又は電離放射線による重合反応により硬化性化合物を硬化させることで、耐傷性や密着性に優れる中屈折率層や高屈折率層が形成できる。

（無機微粒子）
上記無機微粒子としては、金属の酸化物を含有する無機微粒子が好ましく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ及びＳｂから選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物を含有する無機微粒子がより好ましい。
無機微粒子としては、屈折率の観点から、酸化ジルコニウムの微粒子が好ましい。また、導電性の観点からは、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎのうちの少なくとも１種類の金属の酸化物を主成分とする無機微粒子を用いることが好ましい。導電性の無機微粒子としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、リンドープ酸化錫（ＰＴＯ）、アンチモン酸亜鉛（ＡＺＯ）、インジウムドープ酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化ルテニウム、酸化レニウム、酸化銀、酸化ニッケル及び酸化銅からなる群から少なくとも一つ選択される金属酸化物が更に好ましい。
無機微粒子の量を変化させることで所定の屈折率に調整することができる。層中の無機微粒子の平均粒径は、酸化ジルコニウムを主成分として用いた場合、１〜１２０ｎｍであることが好ましく、更に好ましくは１〜６０ｎｍ、２〜４０ｎｍが更に好ましい。この範囲内で、ヘイズを抑え、分散安定性、表面の適度の凹凸による上層との密着性が良好となり、好ましい。

酸化ジルコニウムを主成分とする無機微粒子は、屈折率が１．９０〜２．８０であることが好ましく、２．００〜２．４０であることが更に好ましく、２．００〜２．２０であることが最も好ましい。

無機微粒子の添加量は、添加する層により異なり、中屈折率層では中屈折率層全体の固形分に対し、２０〜６０質量％が好ましく、２５〜５５質量％がより好ましく、３０〜５０質量％が更に好ましい。高屈折率層では高屈折率層全体の固形分に対し、４０〜９０質量％が好ましく、５０〜８５質量％がより好ましく、６０〜８０質量％が更に好ましい。

無機微粒子の粒子径は、光散乱法や電子顕微鏡写真により測定できる。無機微粒子の比表面積は、１０〜４００ｍ^２／ｇであることが好ましく、２０〜２００ｍ^２／ｇであることが更に好ましく、３０〜１５０ｍ^２／ｇであることが最も好ましい。

（硬化性化合物）
硬化性化合物としては、重合性化合物が好ましく、重合性化合物としては電離放射線硬化性の多官能モノマーや多官能オリゴマーが好ましく用いられる。これらの化合物中の官能基としては、光、電子線、放射線重合性のものが好ましく、中でも光重合性官能基が好ましい。光重合性官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基等の不飽和の重合性官能基等が挙げられ、中でも、（メタ）アクリロイル基が好ましい。

光重合性官能基を有する光重合性多官能モノマーの具体例としては、上述のハードコート層形成に用いる電離放射線硬化性化合物で述べた化合物を好適に用いる事ができる。

高屈折率層には、前記の成分（無機微粒子、硬化性化合物、重合開始剤、光増感剤など）以外に、界面活性剤、帯電防止剤、カップリング剤、増粘剤、着色防止剤、着色剤（顔料、染料）、消泡剤、レベリング剤、難燃剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、接着付与剤、重合禁止剤、酸化防止剤、表面改質剤、導電性の金属微粒子、などを添加することもできる。

上述したように、中屈折率層は、高屈折率層と同様の材料を用いかつ同様にして得ることができる。

［低屈折率層］
本発明における低屈折率層は、屈折率が１．３０〜１．４７であることが好ましい。表面フィルムが多層薄膜干渉型の反射防止フィルム（中屈折率層／高屈折率層／低屈折率層）の場合の低屈折率層の屈折率は１．３３〜１．３８であることが望ましく、更に望ましくは１．３５〜１．３７が望ましい。上記範囲内とすることで反射率を抑え、膜強度を維持することができ、好ましい。低屈折率層の形成方法も化学蒸着（ＣＶＤ）法や物理蒸着（ＰＶＤ）法、特に物理蒸着法の一種である真空蒸着法やスパッタ法により、無機物酸化物の透明薄膜を用いることもできるが、低屈折率層用組成物を用いてオールウェット塗布による方法を用いることが好ましい。
低屈折率層は、含フッ素硬化性ポリマー、含フッ素硬化性モノマー、非含フッ素硬化性モノマー、低屈折率粒子などを構成成分として形成することができる。これら化合物は、特開２０１０−１５２３１１号公報[００１８]〜[０１６８]段落に記載のものを用いることができる。

低屈折率層のヘイズは、３％以下であることが好ましく、２％以下であることが更に好ましく、１％以下であることが最も好ましい。
低屈折率層まで形成した反射防止フィルムの強度は、５００ｇ荷重の鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることが更に好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。
また、反射防止フィルムの防汚性能を改良するために、表面の水に対する接触角が９５゜以上であることが好ましい。更に好ましくは１０２゜以上である。特に、接触角が１０５°以上であると、指紋に対する防汚性能が著しく良化するため、特に好ましい。また、水の接触角が１０２°以上で、かつ、表面自由エネルギーが２５ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であることがより好ましく、２３ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であることが特に好ましく、２０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下であることが更に好ましい。最も好ましくは、水の接触角が１０５°以上で、かつ、表面自由エネルギーが２０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である。

（低屈折率層の形成）
低屈折率層は、重合性不飽和基を有する含フッ素防汚剤、重合性不飽和基を有する含フッ素共重合体、無機微粒子、その他所望により含有される任意成分を溶解あるいは分散させた塗布組成物を塗布と同時、又は塗布・乾燥後に電離放射線照射（例えば光照射、電子線ビーム照射等が挙げられる。）や加熱することによる架橋反応、又は、重合反応により硬化して、形成することが好ましい。

（硬化条件）
ハードコート層及び／又は反射防止層が電離放射線硬化性の化合物の架橋反応、又は、重合反応により形成される場合、架橋反応、又は、重合反応は酸素濃度が１０体積％以下の雰囲気で実施することが好ましい。酸素濃度が１体積％以下の雰囲気で形成することにより、物理強度、耐薬品性に優れた硬化層を得ることができる。
好ましくは酸素濃度が１．０体積％以下であり、更に好ましくは酸素濃度が０．１体積％以下、特に好ましくは酸素濃度が０．０５体積％以下、最も好ましくは０．０２体積％以下である。

酸素濃度を１体積％以下にする手法としては、大気（窒素濃度約７９体積％、酸素濃度約２１体積％）を別の気体で置換することが好ましく、特に好ましくは窒素で置換（窒素パージ）することである。

（紫外線吸収剤）
本発明に係る表面フィルムのハードコート層及び／又は反射防止層には、紫外線吸収剤を含有することができる。紫外線吸収剤としては、紫外線吸収性を発現できるもので、公知のものがいずれも使用できる。そのような紫外線吸収剤のうち、紫外線吸収性が高く、電子画像表示装置で用いられる紫外線吸収能（紫外線カット能）を得るためにベンゾトリアゾール系又はヒドロキシフェニルトリアジン系の紫外線吸収剤が好ましい。また、紫外線の吸収幅を広くするために、最大吸収波長の異なる紫外線吸収剤を２種以上併用することができる。

ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシメチル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシプロピル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシヘキシル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−ｔｅｒｔ−ブチル−３′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−５−メトキシ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−５−シアノ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−５−ｔｅｒｔ−ブチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−５′−（メタクリロイルオキシエチル）フェニル］−５−ニトロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒ―ブチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、ベンゼンプロパン酸−３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−（１、１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ−，Ｃ７〜９−ブランチ直鎖アルキルエステル、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール等が挙げられる。

ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤としては、２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−ドデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−［４−（２−ヒドロキシ−３−トリデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−（２‘−エチル）ヘキシル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２−ヒドロキシ−４−ブチルオキシフェニル）−６−（２，４−ビス−ブチルオキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−ヒドロキシ−４−［１−オクチルオキシカルボニルエトキシ］フェニル）−４，６−ビス（４−フェニルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−アセトキシエトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシ−５，５′−ジスルホベンゾフェノン・２ナトリウム塩等が挙げられる。

紫外線吸収剤の含有量は、求める紫外線透過率や紫外線吸収剤の吸光度にもよるが、前記紫外線硬化型樹脂１００質量部に対して、通常２０質量部以下、好ましくは１〜２０質量部である。紫外線吸収剤の含有量が２０質量部よりも多い場合には、硬化性組成物の紫外線による硬化性が低下する傾向があると共に、光学フィルムの可視光線透過率が低下するおそれもある。一方、１質量部より少ない場合には、光学フィルムの紫外線吸収性を十分に発揮することができなくなる。

［偏光板］
本発明に使用される偏光板（液晶表示装置Ｉの偏光板や時分割画像表示遮断機器ＩＩの偏光板Ｃ及びその他偏光板）は、保護膜と偏光膜とを有する。偏光膜としては、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜のいずれを用いてもよい。ヨウ素系偏光膜及び染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。偏光膜の吸収軸は、フィルムの延伸方向に相当する。従って、縦方向（搬送方向）に延伸された偏光膜は長手方向に対して平行に吸収軸を有し、横方向（搬送方向と垂直方向）に延伸された偏光膜は長手方向に対して垂直に吸収軸を有す。

偏光膜は一般に保護膜を有する。本発明において、上記λ／４板は、偏光膜の保護膜として機能させることができる。上記λ／４板とは別に偏光膜の保護膜を積層する場合は、保護膜として光学的等方性が高いセルロースエステルフィルムを用いることが好ましい。

本発明に使用される偏光板の好ましい製造方法は、上記λ／４板と偏光膜とが、それぞれ長尺の状態で連続的に積層される工程を含む。該長尺の偏光板は用いられる画像表示装置の画面の大きさに合わせて裁断される。

偏光膜として直線偏光膜を用い、上記λ／４板と組み合わせることで、円偏光板又は楕円偏光板として機能する偏光膜一体型の光学フィルムを高い生産性で製造できる。

本発明に係る液晶表示装置Ｉの表示側に使用される偏光板は、偏光膜の一方の面に上記を積層し、偏光膜のもう一方の面には、光学異方性を有す光学補償フィルムを更に積層してもよい。視認者側から順に、本発明に係るλ／４板、偏光膜、光学補償フィルム、液晶セル、と配置することで、該光学補償フィルムは、液晶表示装置のコントラストや視野角の補償フィルムとして機能させることができ、本発明に係るλ／４板は、偏光膜の外側に用いられるフィルムとして機能する。

図４及び図５に、本発明に係る立体画像認識装置に用いるλ／４板を有する偏光板の例を示す。図４に示す偏光板は、偏光膜の一方の側に保護膜を有し、もう一方の側にλ／４板として機能する光学異方性支持体又は支持体と光学異方性層とを有し、更に必要に応じてその上にハードコート層や反射防止層（低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層）を有することができる。図５に示す偏光板は、偏光膜の一方の側に保護膜として光学補償フィルムを有し、もう一方の側にλ／４板として機能する光学異方性支持体又は支持体と光学異方性層とを有し、更に必要に応じてその上にハードコート層や反射防止層（低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層）を有することができる。図４及び図５ともに、（ｉ）〜（ｘｘｖｉｉ）に代表的な構成例を示す。

［液晶表示装置］
本発明の液晶表示装置Ｉは、前記λ／４板Ａを表示側偏光板保護領域に有する限り、その構成については特に制限はない。反射型、半透過型、透過型液晶表示装置等いずれであってもよい。液晶表示装置は一般的に、偏光板、液晶セル、及び必要に応じて位相差板、反射層、光拡散層、バックライト、フロントライト、光制御フィルム、導光板、プリズムシート、カラーフィルター等の部材から構成される。λ／４板を有する偏光板以外の偏光板の使用位置については特に制限はなく、また、１カ所でも複数カ所でもよい。液晶セルとしては特に制限されず、電極を備える一対の透明基板で液晶層を狭持したもの等の一般的な液晶セルが使用できる。液晶セルを構成する前記透明基板としては、液晶層を構成する液晶性を示す材料を特定の配向方向に配向させるものであれば特に制限はない。具体的には、基板自体が液晶を配向させる性質を有していている透明基板、基板自体は配向能に欠けるが、液晶を配向させる性質を有する配向膜等をこれに設けた透明基板等がいずれも使用できる。また、液晶セルの電極は、公知のものが使用できる。通常、液晶層が接する透明基板の面上に設けることができ、配向膜を有する基板を使用する場合は、基板と配向膜との間に設けることができる。前記液晶層を形成する液晶性を示す材料としては、特に制限されず、各種の液晶セルを構成し得る通常の各種低分子液晶性化合物、高分子液晶性化合物及びこれらの混合物が挙げられる。また、これらに液晶性を損なわない範囲で色素やカイラル剤、非液晶性化合物等を添加することもできる。

前記液晶セルは、前記電極基板及び液晶層の他に、後述する各種の方式の液晶セルとするのに必要な各種の構成要素を備えていてもよい。前記液晶セルの方式としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式、ＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式、ＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）方式、ハーフトーングレイスケール方式、ドメイン分割方式、あるいは強誘電性液晶、反強誘電性液晶を利用した表示方式等の各種の方式が挙げられる。また、液晶セルの駆動方式も特に制限はなく、ＳＴＮ−ＬＣＤ等に用いられるパッシブマトリクス方式、並びにＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）電極、ＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）電極等の能動電極を用いるアクティブマトリクス方式、プラズマアドレス方式等のいずれの駆動方式であってもよい。カラーフィルターを使用しないフィールドシーケンシャル方式であってもよい。

液晶セルは、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、又はＴＮモードであることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
ＶＡモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に垂直に配向している。ＶＡモードの液晶セルには、（１）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直に配向させ、電圧印加時に実質的に水平に配向させる狭義のＶＡモードの液晶セル（特開平２−１７６６２５号公報記載）に加えて、（２）視野角拡大のため、ＶＡモードをマルチドメイン化した（ＭＶＡモードの）液晶セル（ＳＩＤ９７、Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈ．Ｐａｐｅｒｓ（予稿集）２８（１９９７）８４５記載）、（３）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直配向させ、電圧印加時にねじれマルチドメイン配向させるモード（ｎ−ＡＳＭモード）の液晶セル（日本液晶討論会の予稿集５８〜５９（１９９８）記載）及び（４）ＳＵＲＶＡＩＶＡＬモードの液晶セル（ＬＣＤインターナショナル９８で発表）が含まれる。また、ＰＶＡ（Patterned Vertical Alignment）型、光配向型（Optical Alignment）、及びＰＳＡ（Polymer-Sustained Alignment）のいずれであってもよい。これらのモードの詳細については、特開２００６−２１５３２６号公報、及び特表２００８−５３８８１９号公報に詳細な記載がある。
ＯＣＢモードの液晶セルは、棒状液晶性分子を液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対称的に）配向させるベンド配向モードの液晶セルである。ベンド配向モードの液晶セルを用いた液晶表示装置は、米国特許４５８３８２５号、同５４１０４２２号の各明細書に開示されている。棒状液晶性分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向しているため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償機能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）液晶モードとも呼ばれる。ベンド配向モードの液晶表示装置は、応答速度が速いとの利点がある。
ＩＰＳモードの液晶セルは、棒状液晶分子が基板に対して実質的に平行に配向しており、基板面に平行な電界が印加することで液晶分子が平面的に応答する。ＩＰＳモードは電界無印加状態で黒表示となり、上下一対の偏光板の透過軸は直交している。光学補償シートを用いて、斜め方向での黒表示時の漏れ光を低減させ、視野角を改良する方法が、特開平１０−５４９８２号公報、特開平１１−２０２３２３号公報、特開平９−２９２５２２号公報、特開平１１−１３３４０８号公報、特開平１１−３０５２１７号公報、特開平１０−３０７２９１号公報などに開示されている。
ＴＮモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に水平配向し、更に６０乃至１２０゜にねじれ配向している。ＴＮモードの液晶セルは、カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。

時分割画像遮断機器ＩＩの液晶セルは特に制限されず、液晶表示装置Ｉの液晶セルと同様なものを用いることができる。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

１．フィルム１〜５０の準備
（１）フィルム１の準備
＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ１）の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、３０℃に加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液（内層用ドープＡ及び外層用ドープＢ）を調製した。

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セルロースアセテート溶液組成（質量部） 内層 外層
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酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００ １００
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８ ７．８
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９ ３．９
メチレンクロライド（第１溶媒） ２９３ ３１４
メタノール（第２溶媒） ７１ ７６
１−ブタノール（第３溶媒） １．５ １．６
シリカ微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）
０ ０．８
下記レターデーション上昇剤（Ａ） １．７ ０
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得られた内層用ドープＡ及び外層用ドープＢを、三層共流延ダイを用いて、０℃に冷却したドラム上に流延した。残留溶剤量が７０質量％のフィルムをドラムから剥ぎ取り、両端をピンテンターにて固定して搬送方向のドロー比を１１０％として搬送しながら８０℃で乾燥させ、残留溶剤量が１０％となったところで、１１０℃で乾燥させた。その後、１４０℃の温度で３０分乾燥し、残留溶剤が０．３質量％のセルロースアセテートフィルム（厚み８０μｍ（外層：３μｍ、内層：７４μｍ、外層：３μｍ））を製造した。作製したセルロースアセテートフィルムのＲｅ（５５０）は５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は９０ｎｍであった。

＜液晶性化合物を含む光学異方性層の形成＞
（アルカリ鹸化処理）
セルロースアシレートフィルムＴ１を、温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を４０℃に昇温した後に、フィルムのバンド面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ^２で塗布し、１１０℃に加熱した（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を３ｍｌ／ｍ^２塗布した。次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルムを作製した。

（アルカリ溶液組成）
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アルカリ溶液組成（質量部）
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水酸化カリウム ４．７質量部
水 １５．８質量部
イソプロパノール ６３．７質量部
界面活性剤
ＳＦ−１：Ｃ_１４Ｈ_２９Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_２０Ｈ １．０質量部
プロピレングリコール １４．８質量部
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（配向膜の形成）
上記のように鹸化処理した長尺状のセルロースアセテートフィルムに、下記の組成の配向膜塗布液を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。６０℃の温風で６０秒、更に１００℃の温風で１２０秒乾燥した。

配向膜塗布液の組成
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下記の変性ポリビニルアルコール １０質量部
水 ３７１質量部
メタノール １１９質量部
グルタルアルデヒド ０．５質量部
光重合開始剤（イルガキュアー２９５９、チバ・ジャパン製） ０．３質量部
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（ディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層の形成）
上記作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルム長手方向に対して、ラビングローラーの回転軸は反時計回りに４５°の方向とした。

下記の組成のディスコティック液晶化合物を含む塗布液Ａを上記作製した配向膜上にワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は３６ｍ／ｍｉｎとした。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶化合物の配向熟成のために、１２０℃の温風で９０秒間加熱した。続いて、８０℃にてＵＶ照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し厚さ１．７７μｍの光学異方性層を形成し、フィルム１を得た。

光学異方性層塗布液（Ａ）の組成
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下記のディスコティック液晶化合物 ９１質量部
下記アクリレートモノマー ５質量部
光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製） ３質量部
増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） １質量部
下記のピリジニウム塩 ０．５質量部
下記のフッ素系ポリマー（ＦＰ１） ０．２質量部
下記のフッ素系ポリマー（ＦＰ３） ０．１質量部
メチルエチルケトン １８９質量部
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アクリレートモノマー：
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）

作製したフィルム１は、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が５４ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、遅相軸は時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（２） フィルム２の準備
市販のセルロースアシレート系フィルムを支持体とする低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を準備した。続いて、フィルム１の光学異方性層側に易接着層を介して前記「ＣＶ-ＬＣ」の支持体面を貼合し、フィルム２として使用した。

（３） フィルム３の準備
フィルム２の製造において、フィルム２の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１を市販のセルロースアシレートフィルム「ＴＤ８０ＵＬ」（富士フイルム社製）に変更した以外は、フィルム２の製造方法と同様にしてフィルム３を作製した。フィルム３の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（４） フィルム４の準備
＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ２）の作製＞
上記のセルロースアセテートフィルムＴ１の作製おいて、ドープＡの流量を調節してフィルムの膜厚を変える以外は同様にして、セルロースアセテートフィルムＴ２を作製した。セルロースアセテートフィルムＴ２の全層の厚さは１１０μｍであり、Ｒｅ（５５０）は７ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は１１７ｎｍであった。

フィルム２の製造において、フィルム２の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１をＴ２に変更した以外はフィルム２の製造方法と同様にしてフィルム４を作製した。フィルム４の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（５） フィルム５の準備
＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ３）の作製＞
上記のセルロースアセテートフィルムＴ１の作製おいて、ドープＡの流量を調節してフィルムの膜厚を変える以外は同様にして、セルロースアセテートフィルムＴ３を作製した。セルロースアセテートフィルムＴ３の全層の厚さは８７μｍであり、Ｒｅ（５５０）は５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は９７ｎｍであった。

＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ４）の作製＞
上記のセルロースアセテートフィルムＴ１の作製おいて、ドープＡの流量を調節してフィルムの膜厚を変える以外は同様にして、セルロースアセテートフィルムＴ４を作製した。セルロースアセテートフィルムＴ４の全層の厚さは５５μｍであり、Ｒｅ（５５０）は３ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は６０ｎｍであった。

上記のセルロースアセテートフィルムＴ３とＴ４の片面をアルカリ鹸化処理し、ポリビニル系粘着剤を用いて貼り合せた。
フィルム２の製造において、フィルム２の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１を、上記したＴ３とＴ４の貼合フィルムに変更した以外はフィルム２の製造方法と同様にしてフィルム５を作製した。フィルム５の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（６） フィルム６の準備
上記のセルロースアセテートフィルムＴ１を２枚用意し、それぞれの片面をアルカリ鹸化処理した後、ポリビニル系粘着剤を用いて貼り合せた。
フィルム２の製造において、フィルム２の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１を、上記したＴ１を２枚貼合したフィルムに変更した以外はフィルム２の製造方法と同様にしてフィルム６を作製した。フィルム６の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（７） フィルム７の準備
フィルム１の製造において、光学異方性層形成時のワイヤーバー種及び塗布液のメチルエチルケトンの量を適宜調整した以外はフィルム１の製造方法と同様にしてフィルム７を作製した。光学異方性層の厚さは１．６０μｍであった。作製したフィルム７は、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が６１ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、遅相軸は時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（８） フィルム８の準備
市販のセルロースアシレート系フィルムを支持体とする低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を準備した。続いて、フィルム７の光学異方性層側に易接着層を介して前記「ＣＶ-ＬＣ」の支持体面を貼合し、フィルム８として使用した。

（９） フィルム９の準備
フィルム７の製造において、配向膜のラビング処理工程のラビングローラー回転軸を時計回りに４５°の方向に変更した以外はフィルム７の製造方法と同様にして作製したフィルムの支持体面セルロースアセテートフィルムＴ１側に、易接着層を介して前記低反射フィルムの「ＣＶ-ＬＣ」の支持体面を貼合し、フィルム９として使用した。
なお、フィルム９の遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、塗布面を上（「ＣＶ-ＬＣ」面を下）に向けたときに遅
相軸は反時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１０） フィルム１０の準備
上記のセルロースアセテートフィルムＴ１とＴ４の片面をアルカリ鹸化処理し、ポリビニル系粘着剤を用いて貼り合せた。
フィルム８の製造において、フィルム８の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１を、上記したＴ１とＴ４の貼合フィルムに変更した以外はフィルム８の製造方法と同様にしてフィルム１０を作製した。フィルム１０の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１１） フィルム１１の準備
フィルム２の製造において、光学異方性層形成時のワイヤーバー種及び塗布液のメチルエチルケトンの量を適宜調整した以外はフィルム２の製造方法と同様にしてフィルム１１を作製した。光学異方性層の厚さは１．５０μｍであった。作製したフィルム１１は、「ＣＶ-ＬＣ」込みで、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１１７ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０
）が１０４ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、遅相軸は時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１２） フィルム１２の準備
＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ５）の作製＞
上記のセルロースアセテートフィルムＴ１の作製おいて、ドープＡの流量を調節してフィルムの膜厚を変える以外は同様にして、セルロースアセテートフィルムＴ５を作製した。セルロースアセテートフィルムＴ５の全層の厚さは７７μｍであり、Ｒｅ（５５０）は５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８６ｎｍであった。

上記のセルロースアセテートフィルムＴ４とＴ５の片面をアルカリ鹸化処理し、ポリビニル系粘着剤を用いて貼り合せた。
フィルム１１の製造において、フィルム１１の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１を、上記したＴ４とＴ５の貼合フィルムに変更した以外はフィルム１１の製造方法と同様にしてフィルム１２を作製した。フィルム１２の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１３） フィルム１３の準備
＜液晶性化合物を含む光学異方性層の形成＞
（アルカリ鹸化処理及び配向膜の形成）
市販のセルロースアシレート系フィルムを支持体とする低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を準備した。「ＣＶ−ＬＣ」を用い、フィルム１の製造方法と同様にして、「ＣＶ−ＬＣ」の支持体面にアルカリ鹸化処理を行い、続いて配向膜形成を行った。

（ディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層の形成）
上記作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルム長手方向に対して、ラビングローラーの回転軸は時計回りに４５°の方向とした。

上記した組成のディスコティック液晶化合物を含む塗布液Ａを上記作製した配向膜上にワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は３６ｍ／ｍｉｎとした。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶化合物の配向熟成のために、１２０℃の温風で９０秒間加熱した。続いて、８０℃にてＵＶ照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し厚さ１．７７μｍの光学異方性層を形成し、フィルム１３を得た。

作製したフィルム１３は、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が３ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、塗布面を上（「ＣＶ-ＬＣ」面を下）に向けたと
きに遅相軸は反時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１４） フィルム１４の準備
フィルム１３の製造において、光学異方性層形成時のワイヤーバー種及び塗布液のメチルエチルケトンの量を適宜調整した以外はフィルム１３の製造方法と同様にしてフィルム１４を作製した。光学異方性層の厚さは１．６０μｍであった。フィルム１４の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１５） フィルム１５の準備
フィルム１３の製造において、光学異方性層形成時のワイヤーバー種及び塗布液のメチルエチルケトンの量を適宜調整した以外はフィルム１３の製造方法と同様にしてフィルム１５を作製した。光学異方性層の厚さは１．５０μｍであった。フィルム１５の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１６） フィルム１６の準備
フィルム１３の製造と同様に、「ＣＶ−ＬＣ」の支持体の表面をアルカリ鹸化処理し、更に配向膜を設けた。作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルム長手方向に対して、ラビングローラーの回転軸は時計回りに４５°の方向とした。

下記の組成のディスコティック液晶化合物を含む塗布液Ｂを上記作製した配向膜上にワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度（Ｖ）は３６ｍ／ｍｉｎとした。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶化合物の配向熟成のために、１２０℃の温風で９０秒間加熱した。続いて、８０℃にてＵＶ照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し厚さ０．９１μｍの光学異方性層を形成し、フィルム１６を得た。

光学異方性層塗布液（Ｂ）の組成
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下記のディスコティック液晶化合物 １００質量部
光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製） ３質量部
増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） １質量部
下記のピリジニウム塩 １質量部
下記のフッ素系ポリマー（ＦＰ２） ０．４質量部
メチルエチルケトン ２５２質量部
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作製したフィルム１６は、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が８ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、塗布面を上（「ＣＶ-ＬＣ」面を下）に向けたと
きに遅相軸は反時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（１７） フィルム１７の準備

市販のノルボルネン系ポリマーフィルム「ＺＥＯＮＯＲ ＺＦ１４」（（株）オプテス製）を、温度１５６℃にて、延伸倍率４５％で自由端一軸延伸を行いうことで、フィルム１７を作製した。フィルム１７のＲｅ（５５０）は１３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８１ｎｍであった。

（１８） フィルム１８の準備
市販のセルロースアシレート系フィルムを支持体とする低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を準備した。フィルム1７の表面にコロナ放電処理を
行った後、易接着層を介して前記「ＣＶ-ＬＣ」の支持体面を貼合し、フィルム１８とし
て使用した。

（１９） フィルム１９の準備
市販のポリカーボネート系フィルム「ピュアエースＷＲ Ｗ−１４２」（帝人化成（株）製）をフィルム１９として使用した。フィルム１７のＲｅ（５５０）は１３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は７２ｎｍであった。

（２０） フィルム２０の準備
市販のセルロースアシレート系フィルムを支持体とする低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を準備した。フィルム１９の表面にコロナ放電処理を行った後、易接着層を介して前記「ＣＶ-ＬＣ」の支持体面を貼合し、フィルム２０とし
て使用した。

（２１） フィルム２１の準備
市販のポリカーボネート系フィルム「ピュアエースＷＲ Ｗ−１４２」（帝人化成（株）製）を延伸し、フィルム２１を作製した。フィルム２１のＲｅ（５５０）は１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は７２ｎｍであった。

（２２） フィルム２２の準備
室温において、平均酢化度５９．７％のセルロースアセテート１２０質量部、トリフェニルホスフェート９．３６質量部、ビフェニルジフェニルホスフェート４．６８質量部、レターデーション上昇剤（Ａ）１．００質量部、メチレンクロリド５４３．１４質量部、メタノール９９．３５質量部及びｎ−ブタノール１９．８７質量部を混合して、溶液（ドープ）を調製した。

得られたドープを、ガラス板上に流延し、室温で１分間乾燥後、４５℃で５分間乾燥させた。乾燥後の溶剤残留量は３０質量％であった。セルロースアセテートフィルムをガラス板から剥離し、１２０℃で１０分間乾燥した。フィルムを適当な大きさに切断した後、１３０℃で流延方向とは平行な方向に延伸した。延伸方向と垂直な方向は、自由に収縮できるようにした。延伸後、そのままの状態で１２０℃で３０分間乾燥した後、延伸フィルムを取り出した。延伸後の溶剤残留量は０．１質量％であった。この様にしてフィルム２２を得た。得られたフィルム２２の厚さは９５μｍ、Ｒｅ（５５０）は１３８ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は７４ｎｍであった。また、延伸倍率は４２％であった。

（２３） フィルム２３の準備
フィルム２２の製造において、膜厚を調整した以外は同様にしてフィルム２３を得た。得られたフィルム２３の厚さは８３μｍ、Ｒｅ（５５０）は１２０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は６４ｎｍであった。

（２４） フィルム２４の準備
フィルム２２の製造において、膜厚を調整した以外は同様にしてフィルム２４を得た。得られたフィルム２３の厚さは１０５μｍ、Ｒｅ（５５０）は１５０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８０ｎｍであった。

（２５） フィルム２５の準備
フィルム１の製造において、光学異方性層形成時のワイヤーバー種及び塗布液のメチルエチルケトンの量を適宜調整した以外はフィルム１の製造方法と同様にしてフィルム２５を作製した。光学異方性層の厚さは１．５４μｍであった。作製したフィルム２５は、５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）が１２０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が６０ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、遅相軸は時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（２５） フィルム２６の準備
フィルム１の製造において、フィルム１の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ１を市販のセルロースアシレートフィルム「ＴＤ８０ＵＬ」（富士フイルム社製）に変更した以外は、フィルム１の製造方法と同様にしてフィルム２６を作製した。フィルム２６の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（２７） フィルム２７の準備
フィルム１の製造において、光学異方性層形成時のワイヤーバー種及び塗布液のメチルエチルケトンの量を適宜調整した以外はフィルム１の製造方法と同様にしてフィルム２７を作製した。光学異方性層の厚さは１．９２μｍであった。フィルム２７のＲｅ（５５０）は１５０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は４９ｎｍであった。遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と直交していた。すなわち、支持体の長手方向に対して、遅相軸は時計回りに４５°の方向であった。ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（２８） フィルム２８の準備
フィルム４の製造において、フィルム４の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した以外は同様にしてフィルム２８を作製した。

（２９） フィルム２９の準備
フィルム５の製造において、フィルム５の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した以外は同様にしてフィルム２９を作製した。

（３０） フィルム３０の準備
フィルム１０の製造において、フィルム１０の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３０を作製した。

（３１） フィルム３１の準備
フィルム１３の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３１を作製した。

（３２） フィルム３２の準備
フィルム１４の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３２を作製した。

（３３） フィルム３３の準備
フィルム４の製造において、フィルム４の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３３を作製した。

（３４） フィルム３４の準備
フィルム５の製造において、フィルム５の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３４を作製した。

（３５） フィルム３５の準備
フィルム１０の製造において、フィルム１０の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３５を作製した。

（３６） フィルム３６の準備
フィルム１３の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３６を作製した。

（３７） フィルム３７の準備
フィルム１４の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した以外は同様にしてフィルム３７を作製した。

（３８） フィルム３８の準備
フィルム４の製造において、フィルム４の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した以外は同様にしてフィルム３８を作製した。

（３９） フィルム３９の準備
フィルム５の製造において、フィルム５の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した以外は同様にしてフィルム３９を作製した。

（４０） フィルム４０の準備
フィルム１０の製造において、フィルム１０の光学異方性層側に易接着層を介して貼合した「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した以外は同様にしてフィルム４０を作製した。

（４１） フィルム４１の準備
フィルム１３の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した以外は同様にしてフィルム４１を作製した。

（４２） フィルム４２の準備
フィルム１４の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した以外は同様にしてフィルム４２を作製した。

（４３） フィルム４３の準備
フィルム１８の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した以外は同様にしてフィルム４３を作製した。

（４４） フィルム４４の準備
フィルム１８の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した以外は同様にしてフィルム４４を作製した。

（４５） フィルム４５の準備
フィルム１８の製造において、「ＣＶ−ＬＣ」の代わりに、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した以外は同様にしてフィルム４５を作製した。

（４６） フィルム４６の準備
＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ６）の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、固形分濃度２２質量％のセルロースアセテート溶液（ドープＣ）を調製した。

（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．７〜６１．１％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
紫外線吸収剤（チヌビン３２８ チバ・ジャパン製） ０．９質量部
紫外線吸収剤（チヌビン３２６ チバ・ジャパン製） ０．２質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３３６質量部
メタノール（第２溶媒） ２９質量部
１−ブタノール（第３溶媒） １１質量部

上記ドープＣに平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）をセルロースアセテート１００質量部に対して０．０２質量添加したマット剤入りドープＤを調製した。ドープＣと同じ溶剤組成で固形分濃度が１９質量％になるように調節した。

ドープＣを主流とし、マット剤入りドープＤを最下層及び最上層になるようにして、バンド延伸機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、７０℃の温風で１分乾燥し、バンドからフィルムをはがし１４０℃の乾燥風で１０分乾燥し、残留溶剤量が０．３質量％のセルロースアセテートフィルムＴ６を作製した。マット剤入りの最下層及び最上層はそれぞれ３μｍに、主流は７４μｍになるように流量を調節した。

得られた長尺状のセルロースアセテートフィルムＴ６の幅は２３００ｍｍであり、厚さは８０μｍであった。また、面内レターデーションＲｅ（５５０）は２ｎｍ、厚み方向のレターデーションＲｔｈ（５５０）は４１ｎｍであった。

フィルム１４の製造において、光学異方性層の支持体として使用した「ＣＶ−ＬＣ」をセルロースアセテートフィルムＴ６に変更した以外はフィルム１４の製造方法と同様にして光学異方性支持体Ｆ１を作製した。光学異方性層の厚さは１．６０μｍであった。光学異方性支持体Ｆ１の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。

（ハードコート層用塗布液の調製）
下記組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して、孔径０．４μｍのポリプロピレン製フィルターで濾過してハードコート層用塗布液（固形分濃度５８質量％）とした。
溶剤
酢酸メチル ３６．２質量部
メチルエチルケトン ３６．２質量部
（ａ）モノマー：ＰＥＴＡ ７７．０質量部
（ｂ）モノマー：ウレタンモノマー ２０．０質量部

光重合開始剤（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）
３．０質量部
レベリング剤（ＳＰ-１３） ０.０２質量部

それぞれ使用した化合物を以下に示す。
ＰＥＴＡ：新中村化学工業（株）製、下記構造の化合物。質量平均分子量は３２５で、１分子中の官能基の数は３．５（平均値）。

ウレタンモノマー：下記構造の化合物。質量平均分子量は５９６で、１分子中の官能基の数は４。

（低屈折率層用塗布液の調製）
各成分を下記のように混合し、ＭＥＫ／ＭＭＰＧ−ＡＣの８５／１５混合物(質量比）
に溶解して固形分５質量％の低屈折率層塗布液を調製した。

低屈折率層塗布液の組成
下記のパーフルオロオレフィン共重合体 １５質量部
ＤＰＨＡ ７質量部
ディフェンサＭＣＦ−３２３ ５質量部
下記の含フッ素重合性化合物 ２０質量部
中空シリカ粒子固形分として ５０質量部
イルガキュア１２７ ３質量部

使用した化合物を以下に示す。

ＤＰＨＡ：ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物、日本化薬（株）製
ディフェンサＭＣＦ−３２３：フッ素系界面活性剤、大日本インキ化学工業（株）製
イルガキュア１２７：光重合開始剤、チバ・ジャパン（株）製
中空シリカ：中空シリカ粒子分散液（平均粒子サイズ４５ｎｍ、屈折率１．２５、表面をアクリロイル基を有するシランカップリング剤で表面処理、ＭＥＫ分散液濃度２０％）
ＭＥＫ：メチルエチルケトン
ＭＭＰＧ−Ａｃ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート

（ハードコート層及び低屈折率層の形成）
上記製造例で製造した光学異方性支持体Ｆ１の液晶性化合物を含む層を塗設していない側の支持体表面上に、前記ハードコート層用塗布液をダイコーターを用いて塗布した（固形分塗布量：１２ｇ/ｍ²）。１００℃で６０秒乾燥した後、酸素濃度が０．１体積％の雰囲気になるように窒素パージしながら１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照度４００ｍＷ／ｃｍ^２、照射量１５０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して塗布層を硬化させ、ハードコート層付き光学フィルムを作製した。このハードコート層の上に、上記低屈折率層用塗布液を塗布した。低屈折率層の乾燥条件は７０℃、６０秒とし、紫外線硬化条件は酸素濃度が０．１体積％以下の雰囲気になるように窒素パージしながら２４０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照度６００ｍＷ／ｃｍ^２、照射量３００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量とした。低屈折率層の屈折率は１．３４、膜厚は９５ｎｍであった。
以上のように、ハードコート層、低屈折率層がこの順で積層されたフィルム４６を作製した。フィルム４６は、３８０〜７８０ｎｍにおける反射率が約１．０％と低く優れた反射防止性能の光学フィルムであった。フィルム４６のＲｅ（５５０）は１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８ｎｍであった。

（４７） フィルム４７の準備
フィルム４６の製造時に形成したハードコート層及び低屈折率層をガラス板上に形成した後、ハードコート層及び低屈折率層をガラスから剥離した。この層を粘着剤を用いて、前記光学異方性支持体Ｆ１の液晶性化合物を含む層の塗設側に貼合し、フィルム４７を作製した。フィルム４７のＲｅ（５５０）は１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８ｎｍであった。

（４８） フィルム４８の準備
＜透明支持体（セルロースアセテートフィルムＴ７）の作製＞
上記のセルロースアセテートフィルムＴ６の作製おいて、紫外線吸収剤（チヌビン３２８ チバ・ジャパン製）の添加量を０．４５質量部に、紫外線吸収剤（チヌビン３２６ チバ・ジャパン製）の添加量を０．１質量部に変える以外は同様にして、セルロースアセテートフィルムＴ７を作製した。セルロースアセテートフィルムＴ７の全層の厚さは８２μｍであり、Ｒｅ（５５０）は２ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は４１ｎｍであった。

フィルム４６の製造において、フィルム４６の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ６をセルロースアシレートフィルムＴ７に変更した以外は、フィルム４６の製造方法と同様にしてフィルム４８を作製した。フィルム４８の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。フィルム４８のＲｅ（５５０）は１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８ｎｍであった。

（４９） フィルム４９の準備
フィルム４８の製造において、フィルム４８の光学異方性層の支持体として使用したセルロースアシレートフィルムＴ７をセルロースアシレートフィルムＴ１に変更した以外は、フィルム４８の製造方法と同様にしてフィルム４９を作製した。フィルム４９の光学異方性層についても、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は９０°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることを確認した。フィルム４９のＲｅ（５５０）は１２５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は８ｎｍであった。

（５０） フィルム５０の準備
市販のセルロースアシレート系フィルムを支持体とする低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を準備し、フィルム５０として使用した。

２． フィルム１〜５０の特性
作製したフィルム１〜５０の特性を、下記表１にまとめる。なお、各フィルムのＲｅ（５５０）及びＲｔｈ（５５０）は、試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ、又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６３０ｎｍで測定した。

作製したフィルム４６〜４９の波長３８０ｎｍにおける吸光度を下記表２にまとめる。なお、各フィルムの吸光度は、紫外分光光度計Ｖ−７１００（日本分光（株）製）にて測定した。

３． 偏光板１〜５０の作製
・液晶表示装置用偏光板２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０の作製
厚さ８０μｍのポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムを、ヨウ素濃度０．０５質量％のヨウ素水溶液中に３０℃で６０秒浸漬して染色し、次いでホウ酸濃度４質量％濃度のホウ酸水溶液中に６０秒浸漬している間に元の長さの５倍に縦延伸した後、５０℃で４分間乾燥させて、厚さ２０μｍの偏光膜を得た。
上記表１に記載のフィルム２〜６、８、１０〜１２、２８〜３０、３３〜３５、３８〜４０、４７、５０の支持体表面（ＣＶ−ＬＣ側と反対の面）をアルカリ鹸化処理した。前記のアルカリ鹸化処理した各フィルムと同様のアルカリ鹸化処理したＶＡ用位相差フィルム（富士フイルム社製 Ｒｅ（５５０）＝５０ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）＝１２５ｎｍ）を用意し、片面を前記ＶＡ用位相差フィルムで、もう片面をフィルム２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０のいずれか１枚で偏光膜を挟んで、粘着剤を用いて貼り合せ、上記表のフィルムとＶＡ用位相差フィルムが偏光膜の保護フィルムとなっている偏光板２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０を作製した。なお、貼合面がセルロースアシレート系フィルムのものについてはポリビニル系粘着剤を用い、それ以外のフィルムについてはアクリル系粘着剤を用いて偏光膜と貼合した。このとき、フィルム２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜４９から構成される偏光板２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜４９については偏光膜の吸収軸とフィルム２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜４９の遅相軸とのなす角度が１３５度になるようにした。フィルム５０から構成される偏光板５０については偏光膜の吸収軸と上記表１のフィルム５０の遅相軸とのなす角度が０度になるようにした。また、偏光膜の吸収軸とＶＡ用位相差フィルムの遅相軸とのなす角度が９０度になるようにした。

・ＬＣシャッターメガネ用偏光板１、７、１７、１９、２１〜２７の作製
厚さ８０μｍのポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムを、ヨウ素濃度０．０５質量％のヨウ素水溶液中に３０℃で６０秒浸漬して染色し、次いでホウ酸濃度４質量％濃度のホウ酸水溶液中に６０秒浸漬している間に元の長さの５倍に縦延伸した後、５０℃で４分間乾燥させて、厚さ２０μｍの偏光膜を得た。
上記表１に記載のフィルム１、７、２２〜２７の支持体表面をアルカリ鹸化処理した。前記のアルカリ鹸化処理した各フィルムと同様のアルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルム「ＴＤ８０ＵＬ」（富士フイルム社製）を用意し、片面をＴＤ８０ＵＬで、もう片面をフィルム１、７、１７、１９、２１〜２７のいずれか１枚で偏光膜を挟んで、粘着剤を用いて貼り合せ、上記表のフィルムとＴＤ８０ＵＬが偏光膜の保護フィルムとなっている偏光板１、７、１７、１９、２１〜２７を作製した。なお、塗布された光学異方性層を有するフィルム１、７、２５〜２７については、支持体側を貼合面とした。貼合面がセルロースアシレート系フィルムのものについてはポリビニル系粘着剤を用い、それ以外のフィルムについてはアクリル系粘着剤を用いて偏光膜と貼合した。このとき、フィルム１、７、１７、１９、２１〜２７から構成される偏光板１、７、１７、１９、２１〜２７については偏光膜の吸収軸と１、７、１７、１９、２１〜２７の遅相軸とのなす角度が１３５度になるようにした。また、偏光膜の吸収軸とＴＤ８０ＵＬの遅相軸とのなす角度が０度になるようにした。

４．液晶表示装置及びＬＣシャッターメガネの作製並びに３Ｄ表示性能の評価
（１） 液晶表示装置２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０の作製
ＳＨＡＲＰ製液晶テレビ「ＬＣ−４６ＬＶ３」を用意し、視認側の偏光板をはがし、上記作製した液晶表示装置用偏光板２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０のＶＡ用位相差フィルムとＬＣセルを易接着層を介して貼合し、液晶表示装置２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０を作製した。
なお、製品の視認側偏光板と偏光板５０は同じフィルム構成であり、視認側偏光板を剥がす前の液晶表示装置（製品）と液晶表示装置５０とでは表示性能が変らないことを確認した。

（２）−（ｉ） 偏光板２枚方式ＬＣシャッターメガネＡ−２、Ｂ−２、Ｃ−２、Ｄ−２、Ｅ−２、Ｆ−２、Ｇ−２、Ｈ−２、Ｉ−２、Ｊ−２、Ｋ−２、Ｗの作製
ＳＨＡＲＰ製のＬＣシャッターメガネ「ＡＮ−３ＤＧ１０」を用意した。この「ＡＮ−３ＤＧ１０」は、λ／４フィルムを有さない偏光板２枚方式のＬＣシャッターメガネである。「ＡＮ−３ＤＧ１０」の目と反対側（液晶表示装置と対峙する側）の偏光板をはがし、そこに上記作製したＬＣシャッターメガネ用偏光板１のＴＤ８０ＵＬ側を易接着層を介して貼合し、ＬＣシャッターメガネＡ−２を作製した。ここでＡ−２の偏光板１の吸収軸は、「ＡＮ−３ＤＧ１０」の目側の偏光板（剥がさずに残した偏光板）の吸収軸と直交するように貼合した。また、Ａ−２を装着して液晶表示装置と対峙したときに、Ａ−２の偏光板１の吸収軸は、顔を傾斜しない状態で液晶表示装置の視認側偏光板の吸収軸と平行となるようにし、Ａ−２のフィルム１の遅相軸は、液晶表示装置の視認側偏光板のλ／４フィルムの遅相軸と直交するようにした。
また、偏光板１を偏光板７にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＢ−２を、偏光板１を偏光板１７にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＣ−２を、偏光板１を偏光板１９にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＤ−２を、偏光板１を偏光板２１にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＥ−２を、偏光板１を偏光板２２にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＦ−２を、偏光板１を偏光板２３にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＧ−２を、偏光板１を偏光板２４にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＨ−２を、偏光板１を偏光板２５にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＩ−２を、偏光板１を偏光板２６にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＪ-２を、偏光板１を偏光板２７にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＫ-２を作製した。
また、「ＡＮ−３ＤＧ１０」の製品形態をＬＣシャッターメガネＷとして実験に用いた。

（２）−（ｉｉ） 偏光板１枚方式ＬＣシャッターメガネＡ−１、Ｂ−１、Ｃ−１、Ｄ−１、Ｅ−１、Ｆ−１、Ｇ−１、Ｈ−１、Ｉ−１、Ｊ−１、Ｋ−１、Ｓの作製
ＳＨＡＲＰ製のＬＣシャッターメガネ「ＡＮ−３ＤＧ１０」の目と反対側（液晶表示装置と対峙する側）の偏光板をはがし、そこに上記作製したフィルム１の支持体側を易接着層を介して貼合し、ＬＣシャッターメガネＡ−１を作製した。ここでＡ−１のフィルム１の遅相軸は、Ａ−１を装着して液晶表示装置と対峙したときに、顔を傾斜しない状態で液晶表示装置の視認側偏光板保護領域のλ／４フィルムの遅相軸と直交するようにした。
また、フィルム１をフィルム７にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＢ−1（
メガネの液晶セルとフィルム７の支持体面を貼合）を、フィルム１をフィルム１７にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＣ−１を、フィルム１をフィルム１９にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＤ−１を、フィルム１をフィルム２１にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＥ−１を、フィルム１をフィルム２２にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＦ−１を、フィルム１をフィルム２３にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＧ−１を、フィルム１をフィルム２４にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＨ−１を、フィルム１をフィルム２５にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＩ−１（メガネの液晶セルとフィルム２５の支持体面を貼合）を、フィルム１をフィルム２６にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＪ−１（メガネの液晶セルとフィルム２６の支持体面を貼合）を、フィルム１をフィルム２７にした以外は同様にしてＬＣシャッターメガネＫ−１（メガネの液晶セルとフィルム２７の支持体面を貼合）を作製した。
また、「ＡＮ−３ＤＧ１０」の目と反対側（液晶表示装置と対峙する側）の偏光板をはがした形態をＬＣシャッターメガネＳとして実験に用いた。ＬＣシャッターメガネＳはフィルムを有さない偏光板１枚方式のＬＣシャッターメガネである。
以上のように作製した液晶表示装置２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜５０とＬＣシャッターメガネＡ−１、Ａ−２、Ｂ−１、Ｂ−２、Ｃ−１、Ｃ−２、Ｄ−１、Ｄ−２、Ｅ−１、Ｅ−２、Ｆ−１、Ｆ−３、Ｇ−１、Ｇ−２、Ｈ−１、Ｈ−２、Ｉ−１、Ｉ−２．Ｊ−１、Ｊ−２、Ｋ−１、Ｋ−２、Ｓ及びＷとを表３〜８に示す組み合わせで組み合わせて、実施例１〜９１及び比較例１〜２（偏光板２枚方式ＬＣシャッターメガネ使用）と実施例９２〜１８２及び比較例３〜４（偏光板２枚方式ＬＣシャッターメガネ使用）の立体画像認識装置を作製した。

（３） ３Ｄ表示性能の評価
作製した各立体画像認識装置について、以下の評価を行った。なお、評価する際、液晶表示装置は地面と垂直になるように配置した（通常使用形態と同様）。

（３）−１ 正面白輝度の測定
ＬＣシャッターメガネを液晶表示装置の正面に配置し、更にＬＣシャッターメガネの左右のメガネを結ぶ線と地面が平行になるように配置した。液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用い、暗室において、測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）を用いて、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しに、輝度値を測定した。

（３）−２ 正面白輝度変化率の測定
暗室において、ＬＣシャッターメガネを液晶表示装置の正面に保持したまま、ＬＣシャッターメガネを回転したときの、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しの輝度値を測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）を用いて測定した。なお、液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用いた。
白輝度測定値の最小値と最大値をもとに、次の式で白輝度変化率を算出した。
白輝度変化率（％）＝（白輝度最大値−白輝度最小値）／白輝度最大値×１００
算出した白輝度変化率をもとに、以下の基準で評価した。
◎：３％未満（変化が全く視認されない。）
○：３％以上１０％未満（ごくわずかな変化が視認される程度で許容できる。）
△：１０％以上２０％未満（変化が視認されるが、許容できる。）
×：２０％以上（変化がはっきり視認され、許容できない。）

（３）−３ 視野角白輝度の測定
測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）とＬＣシャッターメガネを液晶表示装置正面から方位角方向４５度、極角方向６０度および方位角方向１３５度、極角方向６０度に配置し、更にＬＣシャッターメガネの左右のメガネを結ぶ線と地面が平行になるように配置した。液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用い、暗室において、測定器を用いて、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しに、輝度値を測定した。方位角方向４５度と方位角方向１３５度の２方向の輝度値の平均値をもとに、視野角白輝度を評価した。

（３）−４ 正面クロストークの測定
ＬＣシャッターメガネを液晶表示装置の正面に配置し、更にＬＣシャッターメガネの左右のメガネを結ぶ線と地面が平行になるように配置した。液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用い、暗室において、測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）を用いて、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しに白輝度を、黒表示のＬＣシャッターメガネ越しに黒輝度を測定し、次の式で正面クロストークを算出した。
正面クロストーク（％）＝２×黒輝度／（白輝度＋黒輝度）×１００
なお、上記したＳＨＡＲＰ社製ＬＣ-４６ＬＶ３の製品状態の正面クロストークは１０
％であった。現製品の場合、片目に黒画像が、もう片目には白画像が表示されるような３Ｄコンテンツの場合、ＴＶ回路要因によって黒画像に白画像が混ざりこむことがわかった。

（３）−５ 視野角クロストークの測定
測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）とＬＣシャッターメガネを液晶表示装置正面から方位角方向４５度、極角方向６０度および方位角方向１３５度、極角方向６０度に配置し、更にＬＣシャッターメガネの左右のメガネを結ぶ線と地面が平行になるように配置した。液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用い、暗室において、測定器を用いて、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しに白輝度を、黒表示のＬＣシャッターメガネ越しに黒輝度を測定し、次の式で２方向の視野角クロストークを算出した。
視野角クロストーク（％）＝２×黒輝度／（白輝度＋黒輝度）×１００
算出した２方向の視野角クロストークの平均値をもとに、視野角クロストークを評価した。

（３）−６ 視野角クロストーク差の測定
測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）とＬＣシャッターメガネを液晶表示装置正面から方位角方向４５度、極角方向６０度および方位角方向１３５度、極角方向６０度に配置し、更にＬＣシャッターメガネを回転させたときの、白表示側及び黒表示側のＬＣシャッターメガネ越しの輝度値を測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）を用いて測定した。なお、液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用いた。（３）−５に示した式で算出した視野角クロストークの最小値と最大値をもとに、次の式で２方向の視野角クロストーク差を算出した。
視野角クロストーク差（％）＝視野角クロストーク最大値−視野角クロストーク最小値
算出した視野角クロストーク差の平均値をもとに、以下の基準で評価した。
◎：３％未満（変化が全く視認されない。）
○：３％以上１０％未満（ごくわずかな変化が視認される程度で許容できる。）
△：１０％以上２０％未満（変化が視認されるが、許容できる。）
×：２０％以上（変化がはっきり視認され、許容できない。）
−：輝度変化が大きく、色味測定不可

（３）−７ 正面白色味Δｖ’の測定
暗室において、ＬＣシャッターメガネを液晶表示装置の正面に対して平行を保持したまま、ＬＣシャッターメガネを回転したときの、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しの白色味ｖ’を測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）を用いて測定した。なお、液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用いた。
白色味ｖ’の最小値と最大値を差をもとに、以下の基準で評価した。
◎◎：白表示のv'変化が０．００５未満（色味付が全く視認されず、許容）
◎：白表示のv'変化が０．００５以上０．０１０未満（色味付が全く視認されず、許容）
○：白表示のv'変化が０．０１０以上０．０２５未満（わずかな色味付が視認される程度で許容できる。）
△：白表示のv'変化が０．０２５以上０．０４０未満（色味が視認されるが、許容できる。）
×：白表示のv'変化が０．０４０以上（色味つきが激しく、許容できない。）
−：輝度変化が大きく、色味測定不可

（３）−８ 視野角白色味Δｖ’の測定
測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）とＬＣシャッターメガネを液晶表示装置正面から方位角方向４５度、極角方向６０度および方位角方向１３５度、極角方向６０度に配置し、更にＬＣシャッターメガネを回転させたときの、白表示側のＬＣシャッターメガネ越しの白色味ｖ’を測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）を用いて測定した。なお、液晶表示装置に表示する３Ｄコンテンツには、片目に白を、もう片方の目に黒を表示する３Ｄコンテンツを用いた。
白色味ｖ’の最小値と最大値の差の平均値をもとに、以下の基準で評価した。
◎◎：白表示のv'変化が０．００５未満（色味付が全く視認されず、許容）
◎：白表示のv'変化が０．００５以上０．０１０未満（色味付が全く視認されず、許容）
○：白表示のv'変化が０．０１０以上０．０２５未満（わずかな色味付が視認される程度で許容できる。）
△：白表示のv'変化が０．０２５以上０．０４０未満（色味が視認されるが、許容できる。）
×：白表示のv'変化が０．０４０以上（色味つきが激しく、許容できない。）
−：輝度変化が大きく、色味測定不可

（３）−９ 耐光性の評価
液晶表示装置に、スーパーキセノンウェザーメーター SX75（スガ試験機株式会社製）
を用いて１８０Ｗ/ｍ^２の出力で２００時間光を照射した。なお、２００時間の光照射は
、１日につき１２時間蛍光灯に曝されると仮定したときの２０年分の耐光性の加速試験である。その後、以下のように２Ｄ及び３Ｄの耐光性を評価した。
（ｉ）２Ｄの評価（ＬＣシャッターメガネなしでの評価）
測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）にて正面白輝度及び正面黒輝度を測定し、以下の基準で耐光性を評価した。
◎：光照射前後の変化が３％以内。（変化を視認できず許容）
○：光照射前後の変化が３％以上５％未満。（変化を視認できず許容）
×：光照射前後の変化が５％以上であり、変化が視認されるため許容できない。
（ｉｉ）３Ｄの評価（ＬＣシャッターメガネありでの評価）
ＬＣシャッターメガネを液晶表示装置の正面に配置し、更にＬＣシャッターメガネの左右のメガネを結ぶ線と地面が平行になるように配置し、測定器（ＢＭ５Ａ、ＴＯＰＣＯＮ社製）にてＬＣシャッターメガネ越しの白輝度測定を行い、以下の基準で耐光性を評価した。
◎：光照射前後の変化が３％以内。（変化を視認できず許容）
○：光照射前後の変化が３％以上５％未満。（変化を視認できず許容）
×：光照射前後の変化が５％以上であり、変化が視認されるため許容できない。
なお、本評価は正面から３Ｄ視聴する際に最も推奨される形態における白輝度を評価しており、（３）−２のようなＬＣシャッターメガネ回転時の輝度変化よりも許容される輝度変化は小さくなる。

（３）−１０ 画面輝度ムラの評価
ＬＣシャッターメガネを装着した状態で、白表示にした液晶表示装置を正面から観察した際、画面の輝度ムラを観察し、以下の基準で評価した。ここで、観察距離は、液晶表示装置の高さを１．５倍に設定した。
◎：画面全体が均一で輝度ムラが視認されない。（許容）
○：画面の隅がわずかに暗くなるものの、気づかない程度の輝度ムラであり許容できる。×：画面の隅の輝度ムラがはっきり視認され、許容できない。

偏光板２枚方式ＬＣシャッターメガネで３Ｄ表示性能を評価した結果を下記表３〜５に示す。

上記結果から、上記式（Ｉ）を満足する表示側偏光板保護領域を有する液晶表示装置Ｉとλ／４板を有する偏光板２枚方式ＬＣシャッターメガネ（時分割画像表示遮断機器ＩＩ）からなる立体画像認識装置は、液晶表示装置の表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を有さない現製品の立体画像認識装置、並びに、上記式（Ｉ）を満足しない表示側偏光板保護領域を有する液晶表示装置を含む立体画像認識装置に比べ、正面白輝度、正面クロストーク、視野角クロストークは同等で正面白輝度変化もなく、かつ視野角白輝度が高いことが理解できる。
具体的には、実施例１〜９１の立体画像認識装置の正面白輝度、正面クロストーク、視野角クロストーク、正面白輝度変化率の４項目と、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を有さない比較例１の立体画像認識装置の正面白輝度、正面クロストーク、視野角クロストーク、正面白輝度変化率の４項目とを比較することによって、本発明の立体画像認識装置が、正面白輝度同等、正面クロストーク同等、視野角クロストーク同等を維持しつつ、正面白輝度変化率の観点で格段に優れていることが理解できる。
更に、比較例２を参照すると、これらは表示側偏光板保護領域のＲｔｈが異なる以外は、実施例１〜５と同一の立体画像認識装置であるが、比較例２では、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが上記式（Ｉ）を満足していないため、視野角白輝度が比較例１と比較してむしろ低下している。このことから、本発明の効果は、液晶表示装置の表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を採用するとともに、表示側偏光板保護領域が、上記式（Ｉ）を満足することによってはじめて得られることは明らかである。

ＬＣシャッターメガネのλ／４板が上記式（ＸＩＩ）並びに式（ＸＩＩＩ）を満足するλ／４板を有する立体画像認識装置は、上記した特性（正面白輝度、正面クロストーク、視野角クロストーク、正面白輝度変化、視野角白輝度）に加えて、正面白色味と視野角白色味も優れており、ＬＣシャッターメガネが回転しても色味差を視認されないきわめて優れた立体画像表示装置であると理解できる。具体的には、ＬＣシャッターメガネＡ−２を採用した実施例３、実施例６、実施例７、実施例１０及び、ＬＣシャッターメガネＣ−２を採用した実施例２０〜２３、及びＬＣシャッターメガネＤ−２を採用した実施例２４、実施例２５、実施例２８、実施例２９及び、ＬＣシャッターメガネＦ−２を採用した実施例３０〜３３を参照すると、これらはＬＣシャッターメガネに使用されるλ／４フィルムの違いがある以外は同一の構成の立体画像認識装置である。しかし、ＬＣシャッターメガネＡ−２を採用した実施例３、実施例６、実施例７、実施例１０及び、ＬＣシャッターメガネＣ−２を採用した実施例２０〜２３の立体画像認識装置では、ＬＣシャッターメガネのλ／４板が上記式（ＸＩＩ）並びに式（ＸＩＩＩ）を満足していないため、正面白色味と視野角白色味がＬＣシャッターメガネＤ−２を採用した実施例２４、実施例２５、実施例２８、実施例２９及び、ＬＣシャッターメガネＦ−２を採用した実施例３０〜３３の立体画像認識装置と比較して変化が大きいことが理解できる。
また、上記した実施例の比較から、ＬＣシャッターメガネのλ／４板と、表示側偏光板保護領域のλ／４板が異なる材料で作られた方が好ましい場合があると理解できる。すなわち、従来は、ＬＣシャッターメガネのλ／４板と、表示側偏光板保護領域のλ／４板は、同じ材料で作られた方がＲｅやＲｔｈの波長分散性が同じとなるため、円偏光補償の観点で好ましいと考えられていたが、ＬＣシャッターメガネのλ／４板のＲｅは逆分散性（Ｒｅの波長分散が可視光域において、波長が長波長になる程大きくなるような、波長分散性のことを示す）を示す態様の方が好ましいと理解できる。
表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅが順分散を示す立体画像認識装置について、λ／４板のＲｅ（５５０）と正面白色味v’の関係について比較した結果、表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅ（５５０）の低下に伴い、正面白色味v’も低下した。例えば、実施例２０〜２３の正面白色味v’を比較したところ、表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅ（５５０）が低いほど、ＬＣシャッターメガネを回転させたときの白表示のｖ’変化が低下した。実施例２１〜２３の正面白色味Δv’評価はわずかに○評価ではあるものの、色味つきはほとんど視認されず◎に近い結果であった。

実施例１、４〜６、８と実施例４０〜４４の比較から、ＬＣシャッターメガネに使用されるλ／４板のＲｔｈが低いと、液晶表示装置の画面輝度ムラが改善されることが理解できる。

実施例１〜５の視野角白色味の比較から、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが低いほど、色味変化は小さくなるということが理解できる。

実施例６５〜６８の耐光性の比較から、表示側偏光板保護領域が必要なＵＶ吸収能を有することが、表示側偏光板保護領域に含まれる光学異方性層及び液晶表示装置の表示側偏光膜の耐光性の観点から必要であることが理解できる。具体的には、耐光性の観点で必要なＵＶ吸収能を満足しないフィルム４９を表示側偏光板保護領域に採用した実施例６８では、２Ｄ及び３Ｄ表示ともに耐光性試験後に表示性能の低下が見られ、また、耐光性の観点で必要なＵＶ吸収能を満足する支持体が表示側偏光板保護領域の光学異方性層と表示側偏光膜の間に配置された実施例６６では、耐光性試験後に3Ｄ表示性能のみが低下した。
一方、フィルム４６及びフィルム４８を表示側偏光板保護領域に採用した実施例６５及び６７では、表示側偏光板保護領域の光学異方性層及び表示側偏光膜の外側に必要なＵＶ吸収能を満足する支持体が配置されているため、２Ｄ及び３Ｄ表示ともに耐光性試験後でも性能低下が見られなかった。これより、耐光性の観点から、表示側偏光板保護領域に含まれる光学異方性層及び表示側偏光膜の外側に、必要なＵＶ吸収能を有する支持体及び機能層を有することが必要であると理解できる。

参考例：
実施例３において、液晶表示装置２の代わりに、液晶表示装置５０を用いた以外は、実施例３と同様にして作製した立体画像認識装置についても同様に評価した。その結果、正面白輝度及び視野角白輝度が低下し、正面クロストークと視野角クロストークは増加（悪化）した。また、実施例３において、ＬＣシャッターメガネとしてＬＣシャッターメガネＡ−２の代わりに、ＬＣシャッターメガネＷを用いた以外は、実施例３と同様にして作製した立体画像認識装置についても同様に評価したが、先ほどと同様、正面白輝度及び視野角白輝度が低下し、正面クロストークと視野角クロストークは増加（悪化）した。これより、本発明の効果は液晶表示装置とＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を使用し、かつ、上記式（Ｉ）を満足することで得ることができると理解できる。

実施例１〜９１及び比較例１、２では、液晶表示装置としてＳＨＡＲＰ社製「ＬＣ-４
６ＬＶ３」を、ＬＣシャッターメガネとしてＳＨＡＲＰ製「ＡＮ−３ＤＧ１０」を用いて評価したが、液晶表示装置としてＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」を、ＬＣシャッターメガネとしてＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＳＳＧ−２２００ＡＲ」を用いた場合についても同様に評価した。その結果、ＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」の方が、得られたクロストークの絶対値が小さくなったものの、表示側偏光板保護領域のＲｔｈ及びＬＣシャッターメガネの光学特性と、３Ｄ表示特性の関係は同様の傾向を示した。なお、ＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」のクロストークが低くなった原因は、ＴＶ回路要因によるものと推定している。すなわち、前記したようにＳＨＡＲＰ社製「ＬＣ-４６ＬＶ３」においては、片目に黒画像が、もう片目には白画像が表示されるような３Ｄコンテンツの場合、ＴＶ回路要因によって黒画像に白画像が混ざりこむことが確認できたが、ＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」では、ＴＶ回路要因（３Ｄ信号処理）による黒画像への白画像の混ざりこみはわずかであり、製品構成でのクロストークは２％にまで大きく低下していた。しかしながら、ＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」でも表示側偏光板保護領域のＲｔｈ及びＬＣシャッターメガネの光学特性と、３Ｄ表示特性の関係は上記結果と同様の傾向を示したことから、本発明の効果は、液晶表示装置のクロストークに関係なく、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネのλ／４板が、上記式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）を満足することで得られる効果であることは明らかである。

実施例３１、６９〜７２では、液晶表示装置の視認側偏光板に低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を使用したが、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した実施形態である実施例７３〜７７、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した実施形態である実施例７８〜８２、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した実施形態である実施例８３〜８７でも同様の効果が確認できたことから、本発明の効果は、液晶表示装置の視認側偏光板の最表面に配置された機能層の種類によらず、得られると理解できる。その他アンチグレアフィルムやアンチリフレクションフィルム等を使用した場合でも同様の効果が得られると推測される。

実施例１〜９１において、立体画像認識装置に使用した偏光板１〜４９を構成するλ／４板の遅相軸と偏光膜の吸収軸の貼合角度１３５度を変更した以外は、実施例１〜９１と同様にして作製した立体画像認識装置についても同様に評価した。その結果、λ／４板Ａの遅相軸と偏光膜の吸収軸の貼合角度が３５〜５５°又は１２５〜１４５°であれば、３Ｄ表示特性は実施例１〜９１と同様の傾向が得られた。特に、λ／４板Ａの遅相軸と偏光膜の吸収軸の貼合角度が４０〜５０°又は１３０〜１４０°であれば、３Ｄ表示特性は実施例１〜９１と同等の結果となった。

なお、上記の実施例１〜９１では、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネのλ／４板としては、セルロースアシレート系フィルム、液晶化合物を含む光学異方性層、ノルボルネン系ポリマーフィルム、及びポリカーボネート系フィルムを使用しているが、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネのλ／４板として例えば、セルロースアシレート系フィルムであっても、その他のセルロースアシレート（例、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート等のフィルム）、ポリオレフィン（例、ノルボルネン系ポリマー）、ポリ（メタ）アクリル酸エステル（例、ポリメチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエステル、又はポリスルホンを主成分とするフィルムを用いても同様の効果が得られるであろうし、他の市販のポリマーフィルム（ノルボルネン系ポリマーでは、アートン（ＪＳＲ製）、ゼオノア（日本ゼオン製）など）を用いても同様の効果が得られると推測される。

偏光板１枚方式ＬＣシャッターメガネで３Ｄ表示性能を評価した結果を下記表６〜８に示す。

上記結果から、上記式（Ｉ）を満足する表示側偏光板保護領域を有する液晶表示装置Ｉとλ／４板を有する偏光板１枚方式ＬＣシャッターメガネ（時分割画像表示遮断機器ＩＩ）からなる立体画像認識装置は、液晶表示装置の表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を有さない現製品の立体画像認識装置、並びに、上記式（Ｉ）を満足しない表示側偏光板保護領域を有する液晶表示装置を含む立体画像認識装置に比べ、正面白輝度、正面クロストークは同等で正面白輝度変化もなく、かつ視野角クロストーク差が小さく、視野角白輝度が高いことが理解できる。
具体的には、実施例９２〜１８２の立体画像認識装置の正面白輝度、正面クロストーク、正面白輝度変化率、視野角クロストーク差の４項目と、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を有さない比較例３の立体画像認識装置の正面白輝度、正面クロストーク、正面白輝度変化率、視野角クロストーク差の４項目とを比較することによって、本発明の立体画像認識装置が、正面白輝度同等、正面クロストーク同等を維持しつつ、正面白輝度変化率と視野角クロストーク差の観点で格段に優れていることが理解できる。
更に、比較例４を参照すると、これらは表示側偏光板保護領域のＲｔｈが異なる以外は、実施例９２〜９６と同一の立体画像認識装置であるが、比較例４では、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが上記式（Ｉ）を満足していないため、視野角白輝度が比較例３と比較してむしろ低下している。このことから、従来のλ／４板を含まない立体画像表示装置に比べ、視野角白輝度をも向上した明るい３Ｄ表示は、液晶表示装置の表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネの両方にλ／４板を採用するとともに、表示側偏光板保護領域が、上記式（Ｉ）を満足することによってはじめて得られることは明らかである。
また、実施例９６は、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが上記式（ＩＩ）を満足していないため、視野角クロストークが比較例３と比較してむしろ低下している。これより、従来のλ／４板を含まない立体画像表示装置に比べ、正面白輝度同等、正面クロストーク、正面白輝度変化率、視野角クロストーク差、視野角白輝度に加え、視野角クロストークをも優れた立体画像表示装置は、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが上記式（ＩＩ）を満足することによって得ることができると理解できる。

偏光板１枚方式ＬＣシャッターメガネのλ／４板が上記式（ＸＩＩ）並びに式（ＸＩＩＩ）を満足するλ／４板を有する立体画像認識装置は、上記した特性（正面白輝度、正面クロストーク、視野角クロストーク差、正面白輝度変化、視野角白輝度、及び視野角クロストーク）に加えて、正面白色味と視野角白色味も優れており、ＬＣシャッターメガネが回転しても視認される色味差がきわめて小さい、優れた立体画像表示装置であると理解できる。具体的には、ＬＣシャッターメガネＡ−１を採用した実施例９４、実施例９７、実施例９８、実施例１０１及び、ＬＣシャッターメガネＣ−１を採用した実施例１１１〜１１４、及びＬＣシャッターメガネＤ−１を採用した実施例１１５、実施例１１６、実施例１１９、実施例１２０及び、ＬＣシャッターメガネＦ−１を採用した実施例１２１〜１２４を参照すると、これらはＬＣシャッターメガネに使用されるλ／４板の違いがある以外は同一の構成の立体画像認識装置である。しかし、ＬＣシャッターメガネＡ−１を採用した実施例９４、実施例９７、実施例９８、実施例１０１及び、ＬＣシャッターメガネＣ−１を採用した実施例１１１〜１１４の立体画像認識装置では、ＬＣシャッターメガネのλ／４板が上記式（ＸＩＩ）並びに式（ＸＩＩＩ）を満足していないため、正面白色味と視野角白色味がＬＣシャッターメガネＤ−１を採用した実施例１１５、実施例１１６、実施例１１９、実施例１２０及び、ＬＣシャッターメガネＦ−１を採用した実施例１２１〜１２４の立体画像認識装置と比較して変化が大きいことが理解できる。
また、上記した実施例の比較から、ＬＣシャッターメガネのλ／４板と、表示側偏光板保護領域のλ／４板が異なる材料で作られた方が好ましい場合があると理解できる。すなわち、従来は、ＬＣシャッターメガネのλ／４板と、表示側偏光板保護領域のλ／４板は、同じ材料で作られた方がＲｅやＲｔｈの波長分散性が同じとなるため、円偏光補償の観点で好ましいと考えられていたが、ＬＣシャッターメガネのλ／４板のＲｅは逆分散性（Ｒｅの波長分散が可視光域において、波長が長波長になる程大きくなるような、波長分散性のことを示す）を示す態様の方が好ましいと理解できる。
表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅが順分散を示す立体画像認識装置について、λ／４板のＲｅ（５５０）と正面白色味v’の関係について比較した結果、表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅ（５５０）の低下に伴い、正面白色味v’も低下した。例えば、実施例１１１〜１１４の正面白色味v’を比較したところ、表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅ（５５０）が低いほど、ＬＣシャッターメガネを回転させたときの白表示のｖ’変化が低下した。特に、表示側偏光板保護領域のλ／４板のＲｅ（５５０）が１３８ｎｍから１２５ｎｍに低下すると、ＬＣシャッターメガネを回転させたときの白表示のｖ’変化は劇的に改善した。

実施例９２、９５〜９７、９９と実施例１３１〜１３５の比較から、ＬＣシャッターメガネに使用されるλ／４板のＲｔｈが低いと、液晶表示装置の画面輝度ムラが改善されることが理解できる。

実施例９２〜９６の視野角白色味を比較したところ、上記表中の評価ではいずれも△であったが、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが低いほど、色味変化は小さくなった。これより、表示側偏光板保護領域のＲｔｈが低いほど、視野角色味変化も小さくなるということが理解できる。

実施例１５６〜１５９の耐光性の比較から、表示側偏光板保護領域が必要なＵＶ吸収能を有することが、表示側偏光板保護領域に含まれる光学異方性層及び液晶表示装置の表示側偏光膜の耐光性の観点から必要であることが理解できる。具体的には、耐光性の観点で必要なＵＶ吸収能を満足しないフィルム４９を表示側偏光板保護領域に採用した実施例１５９では、２Ｄ及び３Ｄ表示ともに耐光性試験後に表示性能の低下が見られ、また、耐光性の観点で必要なＵＶ吸収能を満足する支持体が表示側偏光板保護領域の光学異方性層と表示側偏光膜の間に配置された実施例１５７では、耐光性試験後に3Ｄ表示性能のみが低下した。一方、フィルム４６及びフィルム４８を表示側偏光板保護領域に採用した実施例１５６及び１５８では、表示側偏光板保護領域の光学異方性層及び表示側偏光膜の外側に必要なＵＶ吸収能を満足する支持体が配置されているため、２Ｄ及び3Ｄ表示ともに耐光性試験後でも性能低下が見られなかった。これより、耐光性の観点から、表示側偏光板保護領域に含まれる光学異方性層及び表示側偏光膜の外側に、必要なＵＶ吸収能を有する支持体及び機能層を有することが必要であると理解できる。

参考例：
実施例９４において、液晶表示装置２の代わりに、液晶表示装置５０を用いた以外は、実施例９４と同様にして作製した立体画像認識装置についても同様に評価した。その結果、正面白輝度及び視野角白輝度が低下し、正面クロストークと視野角クロストークは増加（悪化）した。また、実施例９４において、ＬＣシャッターメガネとしてＬＣシャッターメガネＡ-１の代わりに、ＬＣシャッターメガネＳを用いた以外は、実施例９４と同様にして作製した立体画像認識装置についても同様に評価したが、先ほどと同様、正面白輝度及び視野角白輝度が低下し、正面クロストークと視野角クロストークは増加（悪化）した。これより、本発明の効果は液晶表示装置とＬＣシャッターメガネの両方にλ／４フィルムを使用し、かつ、上記式（Ｉ）を満足することで得ることができると理解できる。

実施例９２〜１８２及び比較例３、４では、液晶表示装置としてＳＨＡＲＰ社製「ＬＣ-４６ＬＶ３」を、ＬＣシャッターメガネとしてＳＨＡＲＰ製「ＡＮ−３ＤＧ１０」を用いて評価したが、液晶表示装置としてＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」を、ＬＣシャッターメガネとしてＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＳＳＧ−２２００ＡＲ」を用いた場合についても同様に評価した。その結果、ＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」の方が、前述の通り、ＴＶ回路要因により得られたクロストークの絶対値が小さくなったものの、表示側偏光板保護領域のＲｔｈ及びＬＣシャッターメガネの光学特性と、３Ｄ表示特性の関係は同様の傾向を示した。むしろ、ＴＶ回路要因によるクロストークが小さくなった分、表示側偏光板保護領域のＲｔｈによるクロストーク差が拡大した。しかしながら、ＳＡＭＳＵＮＧ社製「ＵＮ４６Ｃ７０００」でも表示側偏光板保護領域のＲｔｈ及びＬＣシャッターメガネの光学特性と、３Ｄ表示特性の関係は上記結果と同様の傾向を示したことから、本発明の効果は、ＴＶ回路要因のクロストークに関係なく、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネのλ／４フィルムが、上記式（Ｉ）〜（ＸＩＩＩ）を満足することで得られる効果であることは明らかである。

実施例１２２、１６０〜１６３では、液晶表示装置の視認側偏光板に低反射フィルムのクリアＬＲ「ＣＶ−ＬＣ」（富士フイルム社製）を使用したが、写り込み抑制フィルムの「ＡＧＡ１」（サンリッツ社製）を使用した実施形態である実施例１６４〜１６８、写り込み抑制フィルムの「ＣＶ−ＬＵ」（富士フイルム社製）を使用した実施形態である実施例１６９〜１７３、低反射フィルムのクリアＡＲ（ＳＯＮＹケミカル製）を使用した実施形態である実施例１７４〜１７８でも同様の効果が確認できたことから、本発明の効果は、液晶表示装置の視認側偏光板の最表面に配置された機能層の種類によらず、得られると理解できる。その他アンチグレアフィルムやアンチリフレクションフィルム等を使用した場合でも同様の効果が得られることが推測される。

実施例９２〜１８２において、液晶表示装置に使用した偏光板２〜６、８〜１６、１８、２０、２８〜４９を構成するλ／４板の遅相軸と偏光膜の吸収軸の貼合角度である１３５度、及び、ＬＣシャッターメガネに貼合したフィルムの遅相軸角度を変更した以外は、実施例９２〜１８２と同様にして作製した立体画像認識装置についても同様に評価した。その結果、λ／４板Ａの遅相軸と偏光膜の吸収軸の貼合角度が３５〜５５°又は１２５〜１４５°であれば、３Ｄ表示特性は実施例９２〜１８２と同様の傾向が得られた。特に、λ／４板Ａの遅相軸と偏光膜の吸収軸の貼合角度が４０〜５０°又は１３０〜１４０°であれば、３Ｄ表示特性は実施例９２〜１８２と同等の結果となった。

上記の実施例９２〜１８２では、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネのλ／４板としては、セルロースアシレート系フィルム、液晶化合物を含む光学異方性層、ノルボルネン系ポリマーフィルム、及びポリカーボネート系フィルムを使用しているが、表示側偏光板保護領域及びＬＣシャッターメガネのλ／４板として例えば、セルロースアシレート系フィルムであっても、その他のセルロースアシレート（例、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート等のフィルム）、ポリオレフィン（例、ノルボルネン系ポリマー）、ポリ（メタ）アクリル酸エステル（例、ポリメチルメタクリレート）、ポリカーボネート、ポリエステル、又はポリスルホンを主成分とするフィルムを用いても同様の効果が得られるであろうし、他の市販のポリマーフィルム（ノルボルネン系ポリマーでは、アートン（ＪＳＲ製）、ゼオノア（日本ゼオン製）など）を用いても同様の効果が得られることが推測される。

Claims (10)

1. 液晶セル、その前後に１対の偏光板を備えた液晶表示装置Ｉと、
   前記液晶表示装置Ｉの表示面と観察者の間に配設された、液晶セルを備えた時分割画像表示遮断機器ＩＩと、
   を有する立体画像認識装置において、
   前記液晶表示装置Ｉは、表示側偏光板の偏光膜より表示側の領域を表示側偏光板保護領域としたときに、該表示側偏光板保護領域にλ／４板Ａを有し、前記液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸とλ／４板Ａの遅相軸のなす角度は３５〜５５°又は１２５〜１４５°であり、かつ、前記表示側偏光板保護領域が下記式（Ｉ）を満足し、
   前記時分割画像表示遮断機器ＩＩは、液晶セルと観察者の間に少なくとも１つの偏光板Ｃを有し、かつ、該偏光板Ｃと該液晶表示装置Ｉの間にλ／４板Ｂを有しており、
   前記液晶表示装置Ｉの表示側偏光板の吸収軸と前記時分割画像表示遮断機器ＩＩの偏光板Ｃの吸収軸を直交又は平行に配置したときに、λ／４板Ａとλ／４板Ｂの遅相軸は直交又は平行であることを特徴とする立体画像認識装置。
   （Ｉ）： ｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１６０ｎｍ
   ここで、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍにおける厚み方向のレターデーション（ｎｍ）である。
2. λ／４板Ａ及びλ／４板Ｂの少なくともいずれか一方が、透明支持体、配向膜、液晶化合物を含む光学異方性層を有することを特徴とする請求項１に記載の立体画像認識装置。
3. 前記光学異方性層に含まれる液晶化合物が、円盤状液晶化合物であり、更に前記円盤状液晶化合物が略垂直に配向していることを特徴とする請求項２に記載の立体画像認識装置。
4. 前記表示側偏光板保護領域が下記式（ＩＩ）
   を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
   （ＩＩ）： ｜Ｒｔｈ（５５０）｜≦１２０ｎｍ
5. 前記表示側偏光板保護領域が下記式（ＩＶ）及び（Ｖ）
   を満足することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
   （ＩＶ）：１．００≦Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．１８
   （Ｖ）：０．９２≦Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００
   ここで、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）である。
6. 前記λ／４板Ｂが下記式（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩＩ）を満足することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
   （ＸＩＩ）：Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦０．８９
   （ＸＩＩＩ）：Ｒｅ（６３０）／Ｒｅ（５５０）≧１．０４
   ここで、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）である。
7. 前記表示側偏光板保護領域が最表面に反射防止層を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
8. 前記表示側偏光板保護領域の３８０ｎｍにおける吸光度が０．０６以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
9. 前記時分割画像表示遮断機器ＩＩが、前記液晶表示装置Ｉに対向する側より、少なくともλ／４板Ｂ、液晶セル、偏光板Ｃの順に構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。
10. 前記時分割画像表示遮断機器ＩＩが、前記液晶表示装置Ｉに対向する側より、少なくともλ／４板Ｂ、偏光板、液晶セル、偏光板Ｃの順に構成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の立体画像認識装置。

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