JP2007078939A - 光学補償フィルム、その製造方法及びそれを有する偏光板 - Google Patents
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Abstract
【課題】配向欠陥が少なく、且つ遅相軸が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を有する光学補償シートを安定的に作製可能な方法を提供。
【解決手段】長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理する工程と、液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、所定の回転数のワイヤーバーにより連続的に適用して;前記組成物を、前記ラビング処理面に、その芯が前記ラビングローラーの回転軸と実質的に平行に配置されたワイヤーバーにより連続的に適用して;又は、前記組成物を、前記ラビング処理面に、スライドコーター又はスロットダイコーターにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程とを含む。
【選択図】なし
【解決手段】長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理する工程と、液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、所定の回転数のワイヤーバーにより連続的に適用して;前記組成物を、前記ラビング処理面に、その芯が前記ラビングローラーの回転軸と実質的に平行に配置されたワイヤーバーにより連続的に適用して;又は、前記組成物を、前記ラビング処理面に、スライドコーター又はスロットダイコーターにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程とを含む。
【選択図】なし
Description
本発明は、光学補償フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いた偏光板に関する。
λ/4板は、非常に多くの用途を有しており、既に反射型LCD、半透過型LCD、輝度向上膜、光ディスク用ピックアップやPS変換素子に使用されている。それらに現在使用されている大部分のλ/4板は、ポリマーフィルムを延伸することで光学異方性を発現させた位相差板である。ポリマーフィルムの光学的向きは、一般にシート状あるいはロール状フィルムの縦方向又は横方向に相当するものであり、シートあるいはロールの斜め方向に光軸や遅相軸を有するポリマーフィルムは、製造が非常に困難である。位相差板を使用する場合の多くは、偏光板の透過軸に対して、平行でも直交でもない角度に配置される。また、2枚以上の位相差板と偏光板を各々が平行でも直交でもない角度に配置される場合も多い。一般に、偏光板の透過軸はロール状フィルムに対して直交方向であるため、位相差板と偏光板を貼り合わせるためには、それぞれのフィルムを所定の角度にカットして、得られるチップを貼り合わせる必要がある。チップの貼り合わせで位相差板と偏光板の積層体を製造しようとすると、粘着剤の塗布工程や、チップカットあるいはチップの貼り合わせ工程が必要となり、処理が煩雑であって、軸ズレによる品質低下が起きやすく、歩留まりが低下し、コストが増大し、汚染による劣化も起きやすい。また、ポリマーフィルムでは、三次元方向の屈折率異方性の発現が、延伸倍率、温度、延伸速度、ポリマーの分子量のような様々な条件に影響を受ける。そのため、ポリマーフィルムの光学異方性を精密に制御することも難しい。
かかる問題を解決するために、ロール状フィルムにディスコティック液晶性化合物や棒状液晶性化合物を含有する塗布液を塗布し、所定の方向に配向させることで光学異方性を発現させ、ロール状フィルムに対して平行でも直交でもない角度に遅相軸を有す位相差板が提案されている(特許文献1、2)。また、ディスコティック液晶分子の円盤面がフィルム面に対して実質的に垂直になるように配向固定化された位相差板が開示されている(特許文献3、4、5、6)。しかしながら、従来の技術では、配向欠陥が多く生じるために、歩留まりの低下や生産性の低下を招いていた。
特開2001−4837号公報
特開2004−53841号公報
特開平9−292522号公報
特開2000−56310号公報
特開2000−104073号公報
特開2000−105316号公報
本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、配向欠陥がなく生産性が改善された光学補償フィルム、及び、光学補償フィルム一体型偏光板を提供することを目的とする。また、本発明は、液晶表示装置の視野角特性及びバックライト利用効率の改善に寄与する光学補償フィルム及び偏光板を安定的に生産性高く製造可能な方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
[1] 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、下記式(1)を満足する回転数のワイヤーバーにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法:
式(1) 0.6<(W×(R+2r)×π)/V<1.4
[W:ワイヤーバーの回転数(rpm)、R:バーの芯の直径(m)、r:ワイヤーの直径(m)、V:支持体の搬送速度(m/min)]。
[2] 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、その芯が前記ラビングローラーの回転軸と実質的に平行に配置されたワイヤーバーにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法。
[3] 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、スライドコーター又はスロットダイコーターにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法。
[1] 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、下記式(1)を満足する回転数のワイヤーバーにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法:
式(1) 0.6<(W×(R+2r)×π)/V<1.4
[W:ワイヤーバーの回転数(rpm)、R:バーの芯の直径(m)、r:ワイヤーの直径(m)、V:支持体の搬送速度(m/min)]。
[2] 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、その芯が前記ラビングローラーの回転軸と実質的に平行に配置されたワイヤーバーにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法。
[3] 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、スライドコーター又はスロットダイコーターにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法。
[4] 前記液晶性化合物が、ディスコティック液晶性化合物であり、該ディスコティック液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、垂直配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成する[1]〜[3]のいずれかの光学補償フィルムの製造方法。
[5] 前記液晶性化合物が、棒状液晶性化合物であり、該棒状液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、水平配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成する[1]〜[3]のいずれかの光学補償フィルムの製造方法。
[6] [1]〜[5]のいずれかの製造方法により製造された光学補償フィルム。
[7] [6]の光学補償フィルムと偏光膜とを有する偏光板。
[5] 前記液晶性化合物が、棒状液晶性化合物であり、該棒状液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、水平配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成する[1]〜[3]のいずれかの光学補償フィルムの製造方法。
[6] [1]〜[5]のいずれかの製造方法により製造された光学補償フィルム。
[7] [6]の光学補償フィルムと偏光膜とを有する偏光板。
本発明によれば、生産性の著しく向上した光学補償フィルム、及び光学補償フィルム一体型偏光板を提供することができる。また、本発明の光学補償フィルム又は偏光板は、液晶表示装置の視野角特性及びバックライト利用効率の改善に寄与し得る。
以下において、本発明位相差板、偏光板及び液晶表示装置の実施形態について順次説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、「平行」、「直交」とは、厳密な角度±10゜未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±5゜未満であることが好ましく、±2゜未満であることがより好ましい。また、「実質的に垂直」とは、厳密な垂直の角度よりも±20゜未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±15゜未満であることが好ましく、±10゜未満であることがより好ましい。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。さらに屈折率の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ=550nmでの値である。
本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板及び液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された(本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」及び「切り出し」等も含むものとする)偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」及び「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体を意味するものとする。
本明細書において、Re、Rthは各々、ある波長λnmにおける面内のリターデーション及び厚さ方向のリターデーションを表す。ReはKOBRA 21ADH(王子計測機器(株)製)において波長λnmの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Rthは前記Re、面内の遅相軸(KOBRA 21ADHにより判断される)を傾斜軸(回転軸)としてフィルム法線方向に対して+40°傾斜した方向から波長λnmの光を入射させて測定したレタデーション値、及び面内の遅相軸を傾斜軸(回転軸)としてフィルム法線方向に対して−40°傾斜した方向から波長λnmの光を入射させて測定したレタデーション値の計3つの方向で測定したレタデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にKOBRA 21ADHが算出する。ここで平均屈折率の仮定値はポリマーハンドブック(JOHN WILEY&SONS,INC)、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する:セルロースアシレート(1.48)、シクロオレフィンポリマー(1.52)、ポリカーボネート(1.59)、ポリメチルメタクリレート(1.49)、ポリスチレン(1.59)である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA 21ADHはnx、ny、nzを算出する。この算出されたnx、ny、nzよりNz=(nx−nz)/(nx−ny)が更に算出される。
[光学補償フィルム]
本発明は、少なくとも1層の光学異方性層を含む長尺状の光学補償フィルムであり、該光学異方性層は液晶性化合物を含有する組成物から形成され、該光学異方性層の遅相軸の方向は、該光学補償フィルムの長手方向と平行でも直交でもない、長尺状の光学補償フィルムの製造方法に関する。光学異方性層の遅相軸の方向は、KOBRA 21ADH(王子計測機器(株)製)などを用いてフィルムの法線方向からレタデーションを測定することで検出できる。本発明の製造方法によって製造される光学補償フィルムが有する光学異方性層の遅相軸方向は、フィルムの長手方向と平行でも直交でもない。具体的には、光学異方性層の遅相軸方向とフィルム長手方向とのなす角が、2〜88°であることを意味する。5〜85°であることがさらに好ましく、10〜80°であることが最も好ましい。
本発明は、少なくとも1層の光学異方性層を含む長尺状の光学補償フィルムであり、該光学異方性層は液晶性化合物を含有する組成物から形成され、該光学異方性層の遅相軸の方向は、該光学補償フィルムの長手方向と平行でも直交でもない、長尺状の光学補償フィルムの製造方法に関する。光学異方性層の遅相軸の方向は、KOBRA 21ADH(王子計測機器(株)製)などを用いてフィルムの法線方向からレタデーションを測定することで検出できる。本発明の製造方法によって製造される光学補償フィルムが有する光学異方性層の遅相軸方向は、フィルムの長手方向と平行でも直交でもない。具体的には、光学異方性層の遅相軸方向とフィルム長手方向とのなす角が、2〜88°であることを意味する。5〜85°であることがさらに好ましく、10〜80°であることが最も好ましい。
[光学補償フィルムの製造方法]
本発明の製造方法では、まず、長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する。
その後、該ラビング処理面上に、ワイヤーバーにより、又はスライドダイコーターもしくはスロットダイコーターにより、液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を連続的に適用して、光学異方性層を形成する。
本発明の製造方法では、まず、長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する。
その後、該ラビング処理面上に、ワイヤーバーにより、又はスライドダイコーターもしくはスロットダイコーターにより、液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を連続的に適用して、光学異方性層を形成する。
以下、本発明の製造方法、該方法に用いられる材料、及び該製造方法によって作製される光学補償フィルムについて、詳細に説明する
本発明の製造方法では、支持体表面又は支持体上に形成されたポリマー層(配向膜)表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーによりラビングする。ラビングローラーの材質については特に制限されず、紙、ガーゼ、フェルト、ゴム、ナイロン、ポリエステル繊維などの種々の材質からなっていてもよい。一般的には、表面が、長さ及び太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などからなるラビングローラーが用いられる。ラビングローラーの回転軸と支持体の長手方向とのなす角度については、形成する光学異方性層に要求される光学特性(遅相軸方向)に応じて決定される。ラビングローラーの回転軸と支持体の長手方向とのなす角度は、2〜88°であるのが好ましく、5〜85°であるのがさらに好ましく、10〜80°であることが最も好ましい。
本発明の製造方法では、支持体表面又は支持体上に形成されたポリマー層(配向膜)表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーによりラビングする。ラビングローラーの材質については特に制限されず、紙、ガーゼ、フェルト、ゴム、ナイロン、ポリエステル繊維などの種々の材質からなっていてもよい。一般的には、表面が、長さ及び太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などからなるラビングローラーが用いられる。ラビングローラーの回転軸と支持体の長手方向とのなす角度については、形成する光学異方性層に要求される光学特性(遅相軸方向)に応じて決定される。ラビングローラーの回転軸と支持体の長手方向とのなす角度は、2〜88°であるのが好ましく、5〜85°であるのがさらに好ましく、10〜80°であることが最も好ましい。
長尺状の支持体は、ポリマーフィルムであることが好ましい。光学異方性が小さいポリマーフィルムを用いてもよいし、延伸処理などにより光学異方性を発現させたポリマーフィルムを用いてもよい。支持体は光透過率が80%以上であることが好ましい。支持体の面内のレターデーション(Re)は0〜200nmであることが好ましく、0〜150nmであることがさらに好ましく、0〜100nmであることが最も好ましい。また、該支持体の厚さ方向のレターデーション(Rth)は−1000nm〜300nmであることが好ましく、−500nm〜250nmであることが好ましく、−300nm〜200nmであることが最も好ましい。
支持体として用いられるポリマーフィルムの例には、セルロースエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート及び環状ポリオレフィンからなるフィルムが含まれる。セルロースエステルが好ましく、アセチルセルロースがさらに好ましく、トリアセチルセルロースが最も好ましい。環状ポリオレフィンとしては、特公平2−9619号公報記載のテトラシクロドデセン類の開環重合体又はテトラシクロドデセン類とノルボルネン類の開環共重合体を水素添加反応させて得られた重合体を構成成分とするポリマー、商品名としてはアートン(JSR製)や、ゼオネックス、ゼオノア(日本ゼオン製)のシリーズから使用することができる。ポリマーフィルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。
ポリマーフィルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。支持体の厚さは、20〜500μmであることが好ましく、50〜200μmであることがさらに好ましい。透明支持体とその上に設けられる層(接着層、垂直配向膜あるいは位相差層)との接着を改善するため、透明支持体に表面処理(例、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線(UV)処理、火炎処理)を実施してもよい。透明支持体の上に、接着層(下塗り層)を設けてもよい。
また、長尺状の支持体は、長手方向に平行に搬送されるので、支持体にすべり性を付与してもよい。また、支持体上に光学異方性層を形成し、長尺状の光学補償フィルムを作製した後に巻き取った状態で保管、又は搬送等する場合は、巻き取った後の裏面と表面の貼り付きを防止するために、支持体の裏面に、平均粒径が10〜100nm程度の無機粒子を固形分重量比で5%〜40%混合したポリマー層を形成するのが好ましい。該ポリマー層は、塗布によって形成してもよいし、支持体であるポリマーフィルムをソルベントキャスト法で作製する場合は、共流延によってポリマー層を同時に形成してもよい。
本発明では、支持体表面にラビング処理を施してもいいが、支持体表面にポリマー層を形成し、該層の表面にラビング処理を施すのが好ましい。即ち支持体表面に配向膜を形成するのが好ましい。
配向膜用のポリマーの例には、例えば特開平8−338913号公報明細書中段落番号[0022]記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコール及び変性ポリビニルアルコール、ポリ(N−メチロールアクリルアミド)、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー(例、ポリ(N−メチロールアクリルアミド)、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール)が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコール及び変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコール及び変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。
ポリビニルアルコールの鹸化度は、70〜100%が好ましく、80〜100%がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は100〜5000であることが好ましい。
配向膜の作製時には、架橋性官能基(例、二重結合)を有する側鎖を主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する架橋性官能基を側鎖に導入することが好ましい。配向膜に使用されるポリマーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。
架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償シートの強度を著しく改善することができる。
配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開2000−155216号公報明細書中段落番号[0080]〜[0100]記載のもの等が挙げられる。
架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償シートの強度を著しく改善することができる。
配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開2000−155216号公報明細書中段落番号[0080]〜[0100]記載のもの等が挙げられる。
配向膜ポリマーは、上記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。架橋剤としては、アルデヒド、N−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾール及びジアルデヒド澱粉が含まれる。二種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には、例えば特開2002−62426号公報明細書中の段落番号[0023]〜[0024]記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。
架橋剤の添加量は、ポリマーに対して0.1〜20質量%が好ましく、0.5〜15質量%がさらに好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、1.0質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以下であることがさらに好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、或は高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。
配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である上記ポリマー、架橋剤及び添加剤を含む溶液を透明支持体上に塗布した後、加熱乾燥(架橋させ)し、ラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、透明支持体上に塗布した後、任意の時期に行なって良い。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒(例、メタノール)と水の混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で水:メタノールが0:100〜99:1が好ましく、0:100〜91:9であることがさらに好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方層の層表面の欠陥が著しく減少する。
配向膜形成時に利用する塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法又はロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は0.1乃至10μmが好ましい。加熱乾燥は、20℃〜110℃で行なうことができる。充分な架橋を形成するためには60℃〜100℃が好ましく、特に80℃〜100℃が好ましい。乾燥時間は1分〜36時間で行なうことができるが、好ましくは1分〜30分である。pHも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、pH4.5〜5.5で、特に5が好ましい。
なお、後述する様に、ラビング処理面に液晶性化合物を含有する組成物を塗布して、液晶性化合物の分子を配向させるが、その後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、あるいは、架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させることで、前記光学異方性層を形成してもよい。配向膜の膜厚は、0.1〜10μmの範囲にあることが好ましい。
なお、後述する様に、ラビング処理面に液晶性化合物を含有する組成物を塗布して、液晶性化合物の分子を配向させるが、その後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、あるいは、架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させることで、前記光学異方性層を形成してもよい。配向膜の膜厚は、0.1〜10μmの範囲にあることが好ましい。
次に、作製したラビング処理面上に、液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を連続的に適用して、光学異方性層を形成する。
本発明では、ワイヤーバーを用いて前記ラビング処理面に液晶性化合物を含有する組成物を適用するのが好ましい。その場合には、ワイヤーバーの回転数が下記式(1)を満足するのが好ましい。
式(1) 0.6<(W×(R+2r)×π)/V<1.4
[W:ワイヤーバーの回転数(rpm)、R:バーの芯の直径(m)、r:ワイヤーの直径(m)、V:支持体の搬送速度(m/min)]
(W×(R+2r)×π)/Vの範囲は、0.7〜1.3であることがより好ましく、0.8〜1.2であることがさらに好ましい。ワイヤーバーの回転数が前記範囲であると、遅相軸が長手方向に対して平行でも直交でもない光学異方性層を欠陥なく、安定的に形成することができる。
本発明では、ワイヤーバーを用いて前記ラビング処理面に液晶性化合物を含有する組成物を適用するのが好ましい。その場合には、ワイヤーバーの回転数が下記式(1)を満足するのが好ましい。
式(1) 0.6<(W×(R+2r)×π)/V<1.4
[W:ワイヤーバーの回転数(rpm)、R:バーの芯の直径(m)、r:ワイヤーの直径(m)、V:支持体の搬送速度(m/min)]
(W×(R+2r)×π)/Vの範囲は、0.7〜1.3であることがより好ましく、0.8〜1.2であることがさらに好ましい。ワイヤーバーの回転数が前記範囲であると、遅相軸が長手方向に対して平行でも直交でもない光学異方性層を欠陥なく、安定的に形成することができる。
又は、その芯が前記ラビングローラーの回転軸と実質的に平行に配置されたワイヤーバーにより、前記組成物をラビング処理面に連続的に適用するのも好ましい。かかる配置のワイヤーバーにより前記組成物を適用すると、遅相軸が長手方向に対して平行でも直交でもない光学異方性層を欠陥なく、安定的に形成することができる。回転数が前記式(1)を満足するとともに、芯が前記配置のワイヤーバーを用いると、さらに配向欠陥が少ない前記光学異方性層を安定的に形成できるのでより好ましい。
又は、前記組成物の、ラビング処理面への適用には、ダイコーティング法が好ましく用いられ、特に、スライドコーター又はスロットダイコーターを利用した塗布方法が好ましい。スライドコーター又はスロットダイコーターを利用して適用すると、遅相軸が長手方向に対して平行でも直交でもない光学異方性層を欠陥なく、安定的に形成することができる。
図1は、本発明に利用可能なスロットコーターの概略図である。コーター10は、バックアップロール11に支持されて連続走行するウェブ12(例えば、光学異方性層の支持体となる透明フィルム)に対して、スロットダイ13から塗布液14をビード14aにして塗布することにより、ウェブ12に塗布膜14bを形成する。
図1は、本発明に利用可能なスロットコーターの概略図である。コーター10は、バックアップロール11に支持されて連続走行するウェブ12(例えば、光学異方性層の支持体となる透明フィルム)に対して、スロットダイ13から塗布液14をビード14aにして塗布することにより、ウェブ12に塗布膜14bを形成する。
スロットダイ13は、その内部にポケット15及びスロット16が形成されている。ポケット15は、その形状の断面が曲線及び直線で構成される。例えば、図1に示すような略円形でもよいし、半円形でもよい。ポケット15は、スロットダイ13の幅方向(図1中では、紙面を垂直に貫く方向。以下同様である)に、同一の断面形状で延長された空間であり、塗布液を溜めておくのに利用される。その幅方向の延長の有効長さは、塗布幅(例えば、透明フィルムの幅)と同等か若干長めにするのが一般的である。ポケット15への塗布液14の供給は、スロットダイ13の側面から、あるいはスロットとは反対側の面中央から、例えば、供給量を制御可能な供給ポンプ(不図示)等で行われる。ポケット15には塗布液14が漏れ出ないようにするための栓を設けてもよい。
スロット16は、ポケット15と同様に、スロットダイ13の幅方向に、同一の断面形状で延長された空間であり、ポケット15からウェブ12への塗布液14の流路である。ウェブ側に位置する開口部16aは、一般に、幅規制板(不図示)等を用いて、概ね塗布幅と同じ長さの幅になるように調整する。このスロット16の、スロット先端におけるバックアップロール11のウェブ走行方向の接線とのなす角は、一般に30°以上90°以下であるのが好ましいが、この範囲に限定されるものではない。
スロット16の開口部16aが位置するスロットダイ13の先端リップ17は先細り状に形成されており、その先端はランドと呼ばれる平坦部17aとされている。この平坦部17aであって、スロット16に対してウェブ12の進行方向の上流側を以下、上流側リップランド18と称し、下流側を下流側リップランド19と称する。
下流側リップランド19のウェブ走行方向における長さILOは30μm〜500μmが好ましく、より好ましくは30μm〜100μm、さらに好ましくは30μm〜60μmである。また、上流側リップランド18のウェブ進行方向における長さIUPは特に限定されないが、500μm〜1mmの範囲で好ましく用いられる。
図2は、スロットダイ13の断面形状の概略図(A)と、他のスロットダイ30の断面形状の概略図(B)である。図2(B)に示すスロットダイ30では、下流側リップランド31のランド長さILOは、上流側リップランドの長さIUPと同様の長さになっている。なお、符号32はポケット、33はスロットを示している。これに対して、図2(A)に示すスロットダイ13では、下流側リップランド長さILOが上流側リップランドの長さIUPと比較して短くなっている。本発明では、いずれの形状のスロットダイを用いることもできるが、膜厚が20μm以下の塗布を行う場合は、スロットダイ13の様に、ILOがIUPより短い形状のスロットダイを用いるほうが、より高い精度で均一の膜厚の塗布を行えるので好ましい。さらに、下流側リップランド19のランド長さILOが3
0μm〜100μmの範囲であると、寸法精度のよいリップランドを形成することができるので、より好ましい。
0μm〜100μmの範囲であると、寸法精度のよいリップランドを形成することができるので、より好ましい。
また、塗膜の膜厚を高精度で均一化するためには、下流側リップランド19のランド長さILOのスロットダイ13の幅方向における変動幅を20μm以内にするのが好ましい。変動幅が前記範囲であると、ビードをより安定的に形成することができ、外乱等が生じてもビードが不安定となるのを防止し、製造適性を維持することができる。
スロットダイの材質については特に制限はないが、スロット16の開口部aを含む先端リップ17の強度や表面状態の向上の観点から、少なくともこの箇所を含むスロットダイの材質を、超硬材質にするのが好ましい。超硬材質を用いることにより、表面形状の均質性が改善するとともに、常に吐出される塗布液による先端リップの摩耗を防止することもできる。塗布液として研磨材を含む磁性液等を塗布する場合は特に有効である。超硬材質としては、WCを主成分とする材質が挙げられる。例えば、WC炭化物結晶をCoをはじめとする結合金属で結合して調製された材質などが挙げられる。結合金属はCoに限定されず、Ti、Ta、Nbをはじめとする各種金属を使用することもできる。前記WC結晶の平均粒径については特に制限はないが、平均粒径は小さいのが好ましく、5μm以内で
あるのが好ましい。
あるのが好ましい。
さらに、薄層の塗布膜厚を高精度に均一に維持するには、スロットダイ10の先端部における寸法精度のみならず、バックアップロール13の真直度の精度も重要である。従って、下流側リップランド19のランド長さILOの塗布幅方向における寸法精度を維持するほかに、スロットダイ13の先端リップ17とバックアップロール11の両方の真直度の精度が高いのが好ましい。真直度は下記の式(1)により、概算ではあるが、実用的に十分な精度で求めることができる。但し、下記式(1)を満たさないスロットダイコーターであっても、勿論、本発明に用いることができる。ここで、Poはウェブ12の進行方向側におけるビードメニスカス外の圧力、Ppはポケット15の内圧、σは塗布液14の表面張力、μは塗布液14aの粘度、Uは塗布速度、hは膜厚、dは
下流側リップランド19とウェブ12との隙間の長さ、Lはスロットダイ13のスロット16の長さ、Dはスロットダイ13のスロット間隙である。そしてスロットダイ13のポケット15の内圧Ppと、ウェブ進行方向側のビードメニスカス外の圧力Poの差圧Po−Ppを、スロットダイ13の幅方向に一定として、下記(1)式を用いて、必要真直度を求める。これは、スロットダイ13の先端部とバックアップロール11との隙間の長さdが変化しても、スロットダイ13のポケット15の中と前記ビードメニスカス外の差圧が一定となるように、スロットダイ13の幅方向の流れがポケット15の中で発生して、流量分布となることによる。
Po−Pp=1.34σ/h・(μU/σ)2/3+12μUILO(d/2−h)/d3−12μhUL/D3・・・(1)
下流側リップランド19とウェブ12との隙間の長さ、Lはスロットダイ13のスロット16の長さ、Dはスロットダイ13のスロット間隙である。そしてスロットダイ13のポケット15の内圧Ppと、ウェブ進行方向側のビードメニスカス外の圧力Poの差圧Po−Ppを、スロットダイ13の幅方向に一定として、下記(1)式を用いて、必要真直度を求める。これは、スロットダイ13の先端部とバックアップロール11との隙間の長さdが変化しても、スロットダイ13のポケット15の中と前記ビードメニスカス外の差圧が一定となるように、スロットダイ13の幅方向の流れがポケット15の中で発生して、流量分布となることによる。
Po−Pp=1.34σ/h・(μU/σ)2/3+12μUILO(d/2−h)/d3−12μhUL/D3・・・(1)
上記数式(1)を満たす条件でスロットダイコーターにより塗布を実施すると、一般の工業的生産に用いられる塗布系においては、5μm程度のダイブロック幅方向の真直度で、塗布膜厚分布が2%程度(条件により厳密には異なる場合もある)になる。従って、高精度の薄膜塗布を実施する際の限界はこの数字であるとみなすことができる。これにより、前記スロットダイ13を塗布位置にセットしたときに,前記先端リップとウェブとの隙間の前記スロットダイ幅方向における変動幅が5μm以内となるように、先端リップと前記バックアップロールの真直度を維持するのが好ましい。
なお、本発明においては、多層の光学異方性層を同時に塗布する場合等は、スライドコーターを用いて塗布するのも好ましい。
なお、本発明においては、多層の光学異方性層を同時に塗布する場合等は、スライドコーターを用いて塗布するのも好ましい。
光学異方性層の形成に用いられる液晶性化合物の種類については特に制限されない。例えば、低分子液晶性化合物を液晶状態においてネマチック配向に形成後、光架橋や熱架橋によって固定化して得られる光学異方性層や、高分子液晶性化合物を液晶状態においてネマチック配向に形成後、冷却することによって当該配向を固定化して得られる光学異方性層を用いることもできる。なお本発明では、光学異方性層に液晶性化合物が用いられる場合であっても、光学異方性層は、該液晶性化合物が重合等によって固定されて形成された層であり、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。重合性液晶性化合物は、多官能性重合性液晶でもよいし、単官能性重合性液晶性化合物でもよい。また、液晶性化合物は、ディスコティック液晶性化合物でもよいし、棒状液晶性化合物でもよい。
本発明では、ディスコティック液晶性化合物を用いて光学異方性層を形成するのが好ましく、トリフェニレン液晶を用いるのがより好ましい。ディスコティック液晶性化合物は、様々な文献(C.Destrade et al.,Mol.Crysr.Liq.Cryst.,vol.71,page 111(1981);日本化学会編、季刊化学総説、No.22、液晶の化学、第5章、第10章第2節(1994);B.Kohne et al.,Angew.Chem.Soc.Chem.Comm.,page 1794(1985);J.Zhang et al.,J.Am.Chem.Soc.,vol.116,page 2655(1994))に記載されている。ディスコティック液晶性化合物の重合については、特開平8−27284号公報に記載がある。
ディスコティック液晶性化合物は、重合により固定可能なように、重合性基を有するのが好ましい。例えば、ディスコティック液晶性化合物の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させた構造が考えられるが、但し、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に連結基を有する構造が好ましい。即ち、重合性基を有するディスコティック液晶性化合物は、下記式で表わされる化合物であることが好ましい。
D(−L−P)n
式中、Dは円盤状コアであり、Lは二価の連結基であり、Pは重合性基であり、nは4〜12の整数である。前記式中の円盤状コア(D)、二価の連結基(L)及び重合性基(P)の好ましい具体例は、それぞれ、特開2001−4837号公報に記載の(D1)〜(D15)、(L1)〜(L25)、(P1)〜(P18)であり、同公報に記載の内容を好ましく用いることができる。なお、液晶性化合物のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、70〜300℃が好ましく、70〜170℃がさらに好ましい。
D(−L−P)n
式中、Dは円盤状コアであり、Lは二価の連結基であり、Pは重合性基であり、nは4〜12の整数である。前記式中の円盤状コア(D)、二価の連結基(L)及び重合性基(P)の好ましい具体例は、それぞれ、特開2001−4837号公報に記載の(D1)〜(D15)、(L1)〜(L25)、(P1)〜(P18)であり、同公報に記載の内容を好ましく用いることができる。なお、液晶性化合物のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、70〜300℃が好ましく、70〜170℃がさらに好ましい。
本発明では、棒状液晶性化合物を用いて光学異方性層を形成することが好ましい。棒状液晶性化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類及びアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。棒状液晶性化合物を重合によって配向を固定することがより好ましい。液晶性化合物には活性光線や電子線、熱などによって重合や架橋反応を起こしうる部分構造を有するものが好適に用いられる。その部分構造の個数は好ましくは1〜6個、より好ましくは1〜3個である。重合性棒状液晶性化合物としては、Makromol.Chem.,190巻、2255頁(1989年)、Advanced Materials 5巻、107頁(1993年)、米国特許第4683327号明細書、同5622648号明細書、同5770107号明細書、国際公開WO95/22586号公報、同95/24455号公報、同97/00600号公報、同98/23580号公報、同98/52905号公報、特開平1−272551号公報、同6−16616号公報、同7−110469号公報、同11−80081号公報、及び特開2001−328973号公報などに記載の化合物を用いることができる。
液晶性化合物を含有する組成物を、ラビング処理面に適用すると、液晶性化合物の分子は、ラビング処理面のラビング軸に応じて、所定の配向状態になる。前記液晶性化合物が、ディスコティック液晶性化合物の場合は、該ディスコティック液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、垂直配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成するのが好ましい。また、前記液晶性化合物が、棒状液晶性化合物の場合は、該棒状液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、水平配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成するのが好ましい。
液晶性化合物の配向状態は、垂直配向、水平配向、ハイブリッド配向及び傾斜配向のいずれかに固定化されていることが好ましい。視野角依存性が対称である光学補償フィルムを作製するためには、ディスコティック液晶性化合物の円盤面がフィルム面(光学異方性層面)に対して実質的に垂直であるか、又は、棒状液晶性化合物の長軸がフィルム面(光学異方性層面)に対して実質的に水平であることが好ましい。ディスコティック液晶性化合物が実質的に垂直とは、フィルム面(光学異方性層面)とディスコティック液晶性化合物の円盤面とのなす角度の平均値が70°〜90°の範囲内であることを意味する。80°〜90°がより好ましく、85°〜90°がさらに好ましい。棒状液晶性化合物が実質的に水平とは、フィルム面(光学異方性層面)と棒状液晶性化合物のダイレクターとのなす角度が0°〜20°の範囲内であることを意味する。0°〜10°がより好ましく、0°〜5°がさらに好ましい。
液晶性化合物をハイブリッド配向させて視野角依存性が非対称である光学補償フィルムを作製する場合、液晶性化合物のダイレクターの平均傾斜角は5〜85°であることが好ましく、10〜80°であることがより好ましく、15〜75°であることがさらに好ましい。これらのハイブリッド配向した光学異方性層を含む光学補償フィルムはTNモード、OCBモード、ECBモードの視野角拡大フィルムや、それらのモードを有す反射型や半透過型用の位相差板として好ましく用いることができる。
前記光学異方性層を形成するのに用いられる組成物中には、液晶性化合物とともに、所望により、下記の重合開始剤、配向制御剤又は他の添加剤を含有させてもよい。
液晶性化合物を均一に垂直配向させるために、前記組成物中に、配向制御剤を含有させてもよい。特に、配向膜界面側及び空気界面側において液晶性化合物を垂直に配向制御するのに寄与する配向制御剤を用いるのが好ましい。かかる機能を有する配向制御剤の例には、配向膜に対して、排除体積効果、静電気的効果又は表面エネルギー効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物が含まれる。また、空気界面側の配向制御に関しては液晶性化合物の配向時に空気界面に偏在し、その排除体積効果、静電気的効果、又は表面エネルギー効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を用いてもよい。このような配向膜界面側で液晶性化合物の分子を垂直に配向させるのを促進する化合物(配向膜界面側垂直配向剤)としては、ピリジニウム誘導体が好適に用いられる。空気界面側で液晶性化合物の分子を垂直に配向させるのを促進する化合物(空気界面側垂直配向剤)としては、該化合物が空気界面側に偏在するのを促進する、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基(−COOH)、スルホ基(−SO3H)、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}及びそれらの塩からなる群より選ばれる1種以上の親水性基とを含む化合物が好適に用いられる。また、これらの化合物を配合することによって、例えば、液晶性組成物を塗布液として調製した場合に、該塗布液の塗布性が改善され、ムラ、ハジキの発生が抑制される。以下に垂直配向剤に関して詳細に説明する。
液晶性化合物を均一に垂直配向させるために、前記組成物中に、配向制御剤を含有させてもよい。特に、配向膜界面側及び空気界面側において液晶性化合物を垂直に配向制御するのに寄与する配向制御剤を用いるのが好ましい。かかる機能を有する配向制御剤の例には、配向膜に対して、排除体積効果、静電気的効果又は表面エネルギー効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物が含まれる。また、空気界面側の配向制御に関しては液晶性化合物の配向時に空気界面に偏在し、その排除体積効果、静電気的効果、又は表面エネルギー効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を用いてもよい。このような配向膜界面側で液晶性化合物の分子を垂直に配向させるのを促進する化合物(配向膜界面側垂直配向剤)としては、ピリジニウム誘導体が好適に用いられる。空気界面側で液晶性化合物の分子を垂直に配向させるのを促進する化合物(空気界面側垂直配向剤)としては、該化合物が空気界面側に偏在するのを促進する、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基(−COOH)、スルホ基(−SO3H)、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}及びそれらの塩からなる群より選ばれる1種以上の親水性基とを含む化合物が好適に用いられる。また、これらの化合物を配合することによって、例えば、液晶性組成物を塗布液として調製した場合に、該塗布液の塗布性が改善され、ムラ、ハジキの発生が抑制される。以下に垂直配向剤に関して詳細に説明する。
前記組成物中には、配向膜界面における液晶性化合物の分子の垂直配向を促進する配向膜界面側垂直配向剤を含有させてもよい。配向膜界面側垂直配向剤としては、下記式(I)で表されるピリジニウム誘導体(ピリジニウム塩)が好適に用いられる。該ピリジニウム誘導体の少なくとも1種を前記液晶性組成物に添加することによって、ディスコティック液晶性化合物の分子を配向膜近傍で実質的に垂直に配向させることができる。
式(I)において、L1は2価の連結基を表し、アルキレン基と−O−、−S−、−CO−、−SO2−、−NRa−(但し、Raは炭素原子数が1〜5のアルキル基又は水素原子である)、アルケニレン基、アルキニレン基又はアリーレン基との組み合わせからなる炭素原子数が1〜20の2価の連結基であることが好ましい。アルキレン基は、直鎖であっても分岐であってもよい。
式(I)において、R1は、水素原子、無置換のアミノ基又は炭素原子数が1〜20の置換基で置換された置換アミノ基である。R1が置換アミノ基である場合、脂肪族基によって置換されていることが好ましい。脂肪族基は、例えば、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基及び置換アルキニル基が挙げられる。また、R1が2置換アミノ基である場合、2つの脂肪族基が互いに結合して含窒素複素環を形成してもよい。このとき形成される含窒素複素環は、5員環又は6員環であることが好ましい。R1は水素原子、無置換のアミノ基又は炭素原子数が1〜20の置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、無置換のアミノ基又は炭素原子数が2〜12の置換アミノ基であることがより好ましく、水素原子、無置換のアミノ基又は炭素原子数が2〜8の置換アミノ基であることがさらに好ましい。R1がアミノ基である場合、ピリジニウム環の4位に置換されていることが好ましい。
式(I)において、Xはアニオンである。アニオンの例には、ハロゲン陰イオン(例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンなど)、スルホン酸イオン(例えば、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、メチル硫酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、p−クロロベンゼンスルホン酸イオン、1,3−ベンゼンジスルホン酸イオン、1,5−ナフタレンジスルホン酸イオン、2,6−ナフタレンジスルホン酸イオンなど)、硫酸イオン、炭酸イオン、硝酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、ギ酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、リン酸イオン(例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン)、水酸イオンなどが挙げられる。Xは、好ましくは、ハロゲン陰イオン、スルホネートイオン、水酸イオンである。
式(I)において、Y1は5員環又は6員環を部分構造として有する炭素数1〜30の2価の連結基である。Y1に含まれる環状部分構造はシクロヘキシル環、芳香族環又は複素環であることがより好ましい。芳香族環としては、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ビフェニル環、及びピレン環を挙げることができる。ベンゼン環、ビフェニル環、及びナフタレン環がさらに好ましい。複素環を構成する複素原子としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が好ましく、例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピロリン環、ピロリジン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、イミダゾリン環、イミダゾリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、フラザン環、テトラゾール環、ピラン環、ジオキサン環、ジチアン環、チイン環、ピリジン環、ピペリジン環、オキサジン環、モルホリン環、チアジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環及びトリアジン環などを挙げることができる。複素環は6員環であることが好ましい。Yで表される5員環又は6員環を部分構造として有する2価の連結基は置換基を有していてもよい。
式(I)において、Zは、ハロゲン置換フェニル基、ニトロ置換フェニル基、シアノ置換フェニル基、炭素原子数が1〜10のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数が2〜10のアルコキシ基で置換されたフェニル基、炭素原子数が1〜12のアルキル基、炭素原子数が2〜20のアルキニル基、炭素原子数が1〜12のアルコキシ基、炭素原子数が2〜13のアルコキシカルボニル基、炭素原子数が7〜26のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数が7〜26のアリールカルボニルオキシ基であり、シアノ置換フェニル基、ハロゲン置換フェニル基、炭素原子数が1〜10のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素原子数が2〜10のアルコキシ基で置換されたフェニル基、炭素原子数が7〜26のアリールオキシカルボニル基又は炭素原子数が7〜26のアリールカルボニルオキシ基であるのが好ましい。
Zは、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例には、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数が1〜16のアルキル基、炭素原子数が1〜16のアルケニル基、炭素原子数が1〜16のアルキニル基、炭素原子数が1〜16のハロゲン置換アルキル基、炭素原子数が1〜16のアルコキシ基、炭素原子数が2〜16のアシル基、炭素原子数が1〜16のアルキルチオ基、炭素原子数が2〜16のアシルオキシ基、炭素原子数が2〜16のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数が2〜16のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数が2〜16のアシルアミノ基が含まれる。
Zは、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例には、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数が1〜16のアルキル基、炭素原子数が1〜16のアルケニル基、炭素原子数が1〜16のアルキニル基、炭素原子数が1〜16のハロゲン置換アルキル基、炭素原子数が1〜16のアルコキシ基、炭素原子数が2〜16のアシル基、炭素原子数が1〜16のアルキルチオ基、炭素原子数が2〜16のアシルオキシ基、炭素原子数が2〜16のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数が2〜16のアルキル置換カルバモイル基及び炭素原子数が2〜16のアシルアミノ基が含まれる。
本発明に用いられるピリジニウム化合物としては、下記式(Ia)で表されるピリジニウム化合物が好ましい。
式(Ia)において、L3は、単結合、−O−、−O−CO−、−CO−O−、−C≡C−、−CH=CH−、−CH=N−、−N=CH−、−N=N−、−O−AL−O−、−O−AL−O−CO−、−O−AL−CO−O−、−CO−O−AL−O−、−CO−O−AL−O−CO−、−CO−O−AL−CO−O−、−O−CO−AL−O−、−O−CO−AL−O−CO−又は−O−CO−AL−CO−O−である。ALは、炭素原子数が1〜10のアルキレン基である。L3は、単結合、−O−、−O−AL−O−、−O−AL−O−CO−、−O−AL−CO−O−、−CO−O−AL−O−、−CO−O−AL−O−CO−、−CO−O−AL−CO−O−、−O−CO−AL−O−、−O−CO−AL−O−CO−又は−O−CO−AL−CO−O−であるのが好ましく、単結合又は−O−であるのがより好ましい。
式(Ia)において、L4は、単結合、−O−、−O−CO−、−CO−O−、−C≡C−、−CH=CH−、−CH=N−、−N=CH−又は−N=N−である。
式(Ia)において、R3は、水素原子、無置換アミノ基又は炭素原子数が2〜20のアルキル置換アミノ基である。R3がジアルキル置換アミノ基である場合、2つのアルキル基が互いに結合して含窒素複素環を形成してもよい。このとき形成される含窒素複素環は、5員環又は6員環が好ましい。R3は水素原子、無置換アミノ基又は炭素原子数が2〜12のジアルキル置換アミノ基がさらに好ましく、水素原子、無置換アミノ基又は炭素原子数が2〜8のジアルキル置換アミノ基が最も好ましい。R3が無置換アミノ基である場合、ピリジニウム環の4位がアミノ置換されていることが好ましい。
式(Ia)において、Y2及びY3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい6員環からなる2価の基である。6員環の例は、脂肪族環、芳香族環(ベンゼン環)及び複素環が挙げられる。6員脂肪族環の例は、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環及びシクロヘキサジエン環が挙げられる。6員複素環の例は、ピラン環、ジオキサン環、ジチアン環、チイン環、ピリジン環、ピペリジン環、オキサジン環、モルホリン環、チアジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環及びトリアジン環が挙げられる。6員環に、他の6員環又は5員環が縮合していてもよい。
置換基の例は、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数が1〜12のアルキル基及び炭素原子数が1〜12のアルコキシ基が挙げられる。アルキル基及びアルコキシ基は、炭素原子数が2〜12のアシル基又は炭素原子数が2〜12のアシルオキシ基で置換されていてもよい。アシル基及びアシルオキシ基の定義は、後述する。
置換基の例は、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数が1〜12のアルキル基及び炭素原子数が1〜12のアルコキシ基が挙げられる。アルキル基及びアルコキシ基は、炭素原子数が2〜12のアシル基又は炭素原子数が2〜12のアシルオキシ基で置換されていてもよい。アシル基及びアシルオキシ基の定義は、後述する。
式(Ia)において、X1はアニオンである。X1は、一価のアニオンであることが好ましい。アニオンの例には、ハロゲン陰イオン(例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン)及びスルホン酸イオン(例えば、メタンスルホン酸イオン、p−トルエンスルン酸イオン、ベンゼンスルン酸イオン)が含まれる。
式(Ia)において、Z1は水素原子、シアノ基、炭素原子数が1〜12のアルキル基又は炭素原子数が1〜12のアルコキシ基であって、アルキル基及びアルコキシ基は、それぞれ、炭素原子数が2〜12のアシル基又は炭素原子数が2〜12のアシルオキシ基で置換されていてもよい。
式(Ia)において、mは1又は2であって、mが2の場合、2つのL4及び2つのY3は、異なっていてもよい。
mが2の場合、Z1は、シアノ基、炭素原子数が1〜10のアルキル基又は炭素原子数が1〜10のアルコキシ基であることが好ましい。
mが1の場合、Z1は、炭素原子数が7〜12のアルキル基、炭素原子数が7〜12のアルコキシ基、炭素原子数が7〜12のアシル置換アルキル基、炭素原子数が7〜12のアシル置換アルコキシ基、炭素原子数が7〜12のアシルオキシ置換アルキル基又は炭素原子数が7〜12のアシルオキシ置換アルコキシ基であることが好ましい。
mが2の場合、Z1は、シアノ基、炭素原子数が1〜10のアルキル基又は炭素原子数が1〜10のアルコキシ基であることが好ましい。
mが1の場合、Z1は、炭素原子数が7〜12のアルキル基、炭素原子数が7〜12のアルコキシ基、炭素原子数が7〜12のアシル置換アルキル基、炭素原子数が7〜12のアシル置換アルコキシ基、炭素原子数が7〜12のアシルオキシ置換アルキル基又は炭素原子数が7〜12のアシルオキシ置換アルコキシ基であることが好ましい。
アシル基は−CO−R、アシルオキシ基は−O−CO−Rで表され、Rは脂肪族基(アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基)又は芳香族基(アリール基、置換アリール基)である。Rは、脂肪族基であることが好ましく、アルキル基又はアルケニル基であることがさらに好ましい。
式(Ia)において、pは、1〜10の整数である。CpH2pは、分岐構造を有していてもよい鎖状アルキレン基を意味する。CpH2pは、直鎖状アルキレン基であることが好ましい。また、pは1又は2であることがより好ましい。
以下に、式(I)及び/又は(Ia)で表される化合物の具体例を示す。ここで、Meはメチル基を表す。
ピリジニウム誘導体は、一般にピリジン環をアルキル化(メンシュトキン反応)して得られる。
前記液晶性組成物中における前記ピリジニウム誘導体の含有量の好ましい範囲は、その用途によって異なるが、液晶性組成物(塗布液として調製した場合は溶媒を除いた液晶性組成物)中、0.005〜8質量%であるのが好ましく、0.01〜5質量%であるのがより好ましい。
前記組成物中には、空気界面において液晶性化合物の分子の垂直配向を促進する、空気界面側垂直配向剤を含有させてもよい。本発明に使用可能な空気界面側垂直配向剤としては、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基(−COOH)、スルホ基(−SO3H)、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}及びそれらの塩からなる群より選ばれる1種以上の親水性基とを含有するフルオロ脂肪族基含有ポリマー(以下、「フッ素系ポリマー」という)、又は一般式(III)で表される含フッ素化合物が好適に用いられる。
まず、フッ素系ポリマーについて説明する。
本発明に使用可能なフッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基(−COOH)、スルホ基(−SO3H)、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}及びそれらの塩からなる群より選ばれる1種以上の親水性基とを含有することを特徴とする。ポリマーの種類としては、「改訂 高分子合成の化学」(大津隆行著、発行:株式会社化学同人、1968)1〜4ページに記載があり、例えば、ポリオレフィン類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリカーボネート類、ポリスルホン類、ポリカーボナート類、ポリエーテル類、ポリアセタール類、ポリケトン類、ポリフェニレンオキシド類、ポリフェニレンスルフィド類、ポリアリレート類、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)類、ポリビニリデンフロライド類、セルロース誘導体などが挙げられる。前記フッ素系ポリマーは、ポリオレフィン類であることが好ましい。
本発明に使用可能なフッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基(−COOH)、スルホ基(−SO3H)、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}及びそれらの塩からなる群より選ばれる1種以上の親水性基とを含有することを特徴とする。ポリマーの種類としては、「改訂 高分子合成の化学」(大津隆行著、発行:株式会社化学同人、1968)1〜4ページに記載があり、例えば、ポリオレフィン類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリカーボネート類、ポリスルホン類、ポリカーボナート類、ポリエーテル類、ポリアセタール類、ポリケトン類、ポリフェニレンオキシド類、ポリフェニレンスルフィド類、ポリアリレート類、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)類、ポリビニリデンフロライド類、セルロース誘導体などが挙げられる。前記フッ素系ポリマーは、ポリオレフィン類であることが好ましい。
前記フッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基を側鎖に有するポリマーである。前記フルオロ脂肪族基は、炭素数1〜12であるのが好ましく、6〜10であるのがより好ましい。脂肪族基は、鎖状であっても環状であってもよく、鎖状である場合は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。中でも、直鎖状の炭素数6〜10のフルオロ脂肪族基が好ましい。フッ素原子による置換の程度については特に制限はないが、脂肪族基中の50%以上の水素原子がフッ素原子に置換されているのが好ましく、60%以上が置換されているのがより好ましい。フルオロ脂肪族基は、エステル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、エーテル結合、チオエーテル結合、芳香族環などを介してポリマー主鎖と結合した側鎖に含まれる。フルオロ脂肪族基の一つは、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)又はオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれるものである。これらのフルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、「フッ素化合物の合成と機能」(監修:石川延男、発行:株式会社シーエムシー、1987)の117〜118ページや、「Chemistry of Organic Fluorine Compounds II」(Monograph 187,Ed by Milos Hudlicky and Attila E.Pavlath,American Chemical Society 1995)の747〜752ページに記載されている。テロメリゼーション法とは、ヨウ化物等の連鎖移動常数の大きいアルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロエチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を行い、テロマーを合成する方法である(Scheme−1に例を示した)。
得られた、末端ヨウ素化テロマーは通常、例えば[Scheme2]のごとき適切な末端化学修飾を施され、フルオロ脂肪族化合物へと導かれる。これらの化合物は必要に応じ、さらに所望のモノマー構造へと変換され、フッ素系ポリマーの製造に使用される。
本発明に使用可能なフッ素系ポリマーの製造に利用可能なモノマーの具体例を以下に挙げるが、本発明は以下の具体例によってなんら制限されるものではない。
本発明に使用可能なフッ素系ポリマーの一態様は、フルオロ脂肪族基含有モノマー(以下、「フッ素系モノマー」ということがある)より誘導される繰り返し単位と、下記式(II)で表される親水性基を含有する繰り返し単位とを有する共重合体である。
上記式(II)において、R1、R2及びR33はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Qはカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、又は、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩を表す。Lは下記の連結基群から選ばれる任意の基、又はそれらの2つ以上を組み合わせて形成される2価の連結基を表す。
(連結基群)
単結合、−O−、−CO−、−NRb−(Rbは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す)、−S−、−SO2−、−P(=O)(ORf)−(Rfはアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す)、アルキレン基及びアリーレン基。
(連結基群)
単結合、−O−、−CO−、−NRb−(Rbは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す)、−S−、−SO2−、−P(=O)(ORf)−(Rfはアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す)、アルキレン基及びアリーレン基。
式(II)中、R1、R2及びR33は、それぞれ独立に、水素原子又は下記に例示した置換基群から選ばれる置換基を表す。
(置換基群)
アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、さらに好ましくは炭素数1〜8のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2〜8のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリール基、2−ブテニル基、3−ペンテニル基などが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2〜8のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、3−ペンチニル基などが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、さらに好ましくは炭素数6〜12のアリール基であり、例えば、フェニル基、p−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる)、アラルキル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、さらに好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、3−フェニルプロピル基などが挙げられる)、置換もしくは無置換のアミノ基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜10、さらに好ましくは炭素数0〜6のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる)、
(置換基群)
アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、さらに好ましくは炭素数1〜8のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2〜8のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリール基、2−ブテニル基、3−ペンテニル基などが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2〜8のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、3−ペンチニル基などが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、さらに好ましくは炭素数6〜12のアリール基であり、例えば、フェニル基、p−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる)、アラルキル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、さらに好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、3−フェニルプロピル基などが挙げられる)、置換もしくは無置換のアミノ基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜10、さらに好ましくは炭素数0〜6のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる)、
アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜10のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは2〜10のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは2〜10のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは炭素数2〜10のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは炭素数2〜12のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、さらに好ましくは炭素数7〜12のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜16、さらに好ましくは炭素数0〜12のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる)、
アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、さらに好ましくは炭素数6〜12のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは1〜12のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる)、シリル基(好ましくは、炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、さらに好ましくは、炭素数3〜24のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる)が含まれる。これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基を二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。
R1、R2及びR33はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、又は後述する−L−Qで表される基であることが好ましく、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、塩素原子、−L−Qで表される基であることがより好ましく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基であることが特に好ましく、水素原子、炭素数1〜2のアルキル基であることが最も好ましい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基等が挙げられる。該アルキル基は、適当な置換基を有していてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、ヒドロキシル基、アシルオキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アシルアミノ基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルホンアミド基、スルホリル基、カルボキシル基などが挙げられる。なお、アルキル基の炭素数は、置換基の炭素原子を含まない。以下、他の基の炭素数についても同様である。
Lは、上記連結基群から選ばれる2価の連結基、又はそれらの2つ以上を組み合わせて形成される2価の連結基を表す。上記連結基群中、−NRb−のRbは、水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、好ましくは水素原子又はアルキル基である。また、−PO(ORf)−のRfはアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、好ましくはアルキル基である。Rb及びRfがアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す場合の炭素数は「置換基群」で説明したものと同じである。Lとしては、単結合、−O−、−CO−、−NRb−、−S−、−SO2−、アルキレン基又はアリーレン基を含むことが好ましく、−CO−、−O−、−NRb−、アルキレン基又はアリーレン基を含んでいることが特に好ましい。Lがアルキレン基を含む場合、アルキレン基の炭素数は好ましくは1〜10、より好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6である。特に好ましいアルキレン基の具体例として、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラブチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。Lが、アリーレン基を含む場合、アリーレン基の炭素数は、好ましくは6〜24、より好ましくは6〜18、さらに好ましくは6〜12である。特に好ましいアリーレン基の具体例として、フェニレン基、ナフタレン基等が挙げられる。Lが、アルキレン基とアリーレン基を組み合わせて得られる2価の連結基(即ちアラルキレン基)を含む場合、アラルキレン基の炭素数は、好ましくは7〜34、より好ましくは7〜26、さらに好ましくは7〜16である。特に好ましいアラルキレン基の具体例として、フェニレンメチレン基、フェニレンエチレン基、メチレンフェニレン基等が挙げられる。Lとして挙げられた基は、適当な置換基を有していてもよい。このような置換基としては先にR1、R2、R33における置換基として挙げた置換基と同様なものを挙げることができる。
以下にLの具体的構造を例示する。
以下にLの具体的構造を例示する。
前記式(II)中、Qはカルボキシル基、カルボキシル基の塩(例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩(例えばアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチル−2−ヒドロキシエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、ジメチルフェニルアンモニウムなど)、ピリジニウム塩など)、スルホ基、スルホ基の塩(塩を形成するカチオンの例は上記カルボキシル基に記載のものと同じ)、ホスホノキシ基、ホスホノキシ基の塩(塩を形成するカチオンの例は上記カルボキシル基に記載のものと同じ)を表す。より好ましくはカルボキシル基、スルホ基、ホスホ基であり、特に好ましいのはカルボキシル基又はスルホ基である。
前記フッ素系ポリマーは、前記式(II)で表される繰り返し単位を1種含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。また、前記フッ素系ポリマーは、上記各繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を1種又は2種以上有していてもよい。前記他の繰り返し単位については特に制限されず、通常のラジカル重合反応可能なモノマーから誘導される繰り返し単位が好ましい例として挙げられる。以下、他の繰り返し単位を誘導するモノマーの具体例を挙げる。前記フッ素系ポリマーは、下記モノマー群から選ばれる1種又は2種以上のモノマーから誘導される繰り返し単位を含有していてもよい。
モノマー群
(1)アルケン類
エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、1−ドデセン、1−オクタデセン、1−エイコセン、ヘキサフルオロプロペン、フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエチレン、3,3,3−トリフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデンなど;
(2)ジエン類
1,3−ブタジエン、イソプレン、1,3−ペンタジエン、2−エチル−1,3−ブタジエン、2−n−プロピル−1,3−ブタジエン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、2−メチル−1,3−ペンタジエン、1−フェニル−1,3−ブタジエン、1−α−ナフチル−1,3−ブタジエン、1−β−ナフチル−1,3−ブタジエン、2−クロロ−1,3−ブタジエン、1−ブロモ−1,3−ブタジエン、1−クロロブタジエン、2−フルオロ−1,3−ブタジエン、2,3−ジクロロ−1,3−ブタジエン、1,1,2−トリクロロ−1,3−ブタジエン及び2−シアノ−1,3−ブタジエン、1,4−ジビニルシクロヘキサンなど;
(1)アルケン類
エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、1−ドデセン、1−オクタデセン、1−エイコセン、ヘキサフルオロプロペン、フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエチレン、3,3,3−トリフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデンなど;
(2)ジエン類
1,3−ブタジエン、イソプレン、1,3−ペンタジエン、2−エチル−1,3−ブタジエン、2−n−プロピル−1,3−ブタジエン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、2−メチル−1,3−ペンタジエン、1−フェニル−1,3−ブタジエン、1−α−ナフチル−1,3−ブタジエン、1−β−ナフチル−1,3−ブタジエン、2−クロロ−1,3−ブタジエン、1−ブロモ−1,3−ブタジエン、1−クロロブタジエン、2−フルオロ−1,3−ブタジエン、2,3−ジクロロ−1,3−ブタジエン、1,1,2−トリクロロ−1,3−ブタジエン及び2−シアノ−1,3−ブタジエン、1,4−ジビニルシクロヘキサンなど;
(3)α,β−不飽和カルボン酸の誘導体
(3a)アルキルアクリレート類
メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、2−エチルへキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、tert−オクチルアクリレート、ドデシルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−クロロエチルアクリレート、2−ブロモエチルアクリレート、4−クロロブチルアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、2−アセトキシエチルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、2−クロロシクロヘキシルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールアクリレート(ポリオキシエチレンの付加モル数:n=2ないし100のもの)、3−メトキシブチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2−ブトキシエチルアクリレート、2−(2−ブトキシエトキシ)エチルアクリレート、1−ブロモ−2−メトキシエチルアクリレート、1,1−ジクロロ−2−エトキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなど);
(3a)アルキルアクリレート類
メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、2−エチルへキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、tert−オクチルアクリレート、ドデシルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−クロロエチルアクリレート、2−ブロモエチルアクリレート、4−クロロブチルアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、2−アセトキシエチルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、2−クロロシクロヘキシルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールアクリレート(ポリオキシエチレンの付加モル数:n=2ないし100のもの)、3−メトキシブチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2−ブトキシエチルアクリレート、2−(2−ブトキシエトキシ)エチルアクリレート、1−ブロモ−2−メトキシエチルアクリレート、1,1−ジクロロ−2−エトキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなど);
(3b)アルキルメタクリレート類
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、sec−ブチルメタクリレート、tert−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、n−ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、n−オクチルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アリルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、2−メトキシエチルメタクリレート、3−メトキシブチルメタクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールメタクリレート(ポリオキシエチレンの付加モル数:n=2ないし100のもの)、2−アセトキシエチルメタクリレート、2−エトキシエチルメタクリレート、2−ブトキシエチルメタクリレート、2−(2−ブトキシエトキシ)エチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、3−トリメトキシシリルプロピルメタクリレート、アリルメタクリレート、2−イソシアナトエチルメタクリレートなど;
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、sec−ブチルメタクリレート、tert−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、n−ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、n−オクチルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アリルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、2−メトキシエチルメタクリレート、3−メトキシブチルメタクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールメタクリレート(ポリオキシエチレンの付加モル数:n=2ないし100のもの)、2−アセトキシエチルメタクリレート、2−エトキシエチルメタクリレート、2−ブトキシエチルメタクリレート、2−(2−ブトキシエトキシ)エチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、3−トリメトキシシリルプロピルメタクリレート、アリルメタクリレート、2−イソシアナトエチルメタクリレートなど;
(3c)不飽和多価カルボン酸のジエステル類
マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル、イタコン酸ジメチル、タコン酸ジブチル、クロトン酸ジブチル、クロトン酸ジヘキシル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジメチルなど;
マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル、イタコン酸ジメチル、タコン酸ジブチル、クロトン酸ジブチル、クロトン酸ジヘキシル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジメチルなど;
(3d)α、β−不飽和カルボン酸のアミド類
N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N−n−プロピルアクリルアミド、N−tertブチルアクリルアミド、N−tertオクチルメタクリルアミド、N−シクロヘキシルアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド、N−(2−アセトアセトキシエチル)アクリルアミド、N−ベンジルアクリルアミド、N−アクリロイルモルフォリン、ジアセトンアクリルアミド、N−メチルマレイミドなど;
N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N−n−プロピルアクリルアミド、N−tertブチルアクリルアミド、N−tertオクチルメタクリルアミド、N−シクロヘキシルアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド、N−(2−アセトアセトキシエチル)アクリルアミド、N−ベンジルアクリルアミド、N−アクリロイルモルフォリン、ジアセトンアクリルアミド、N−メチルマレイミドなど;
(4)不飽和ニトリル類
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなど;
(5)スチレン及びその誘導体
スチレン、ビニルトルエン、エチルスチレン、p−tertブチルスチレン、p−ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレン、p−クロロメチルスチレン、ビニルナフタレン、p−メトキシスチレン、p−ヒドロキシメチルスチレン、p−アセトキシスチレンなど;
(6)ビニルエステル類
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、イソ酪酸ビニル、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロロ酢酸ビニル、メトキシ酢酸ビニル、フェニル酢酸ビニルなど;
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなど;
(5)スチレン及びその誘導体
スチレン、ビニルトルエン、エチルスチレン、p−tertブチルスチレン、p−ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレン、p−クロロメチルスチレン、ビニルナフタレン、p−メトキシスチレン、p−ヒドロキシメチルスチレン、p−アセトキシスチレンなど;
(6)ビニルエステル類
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、イソ酪酸ビニル、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロロ酢酸ビニル、メトキシ酢酸ビニル、フェニル酢酸ビニルなど;
(7)ビニルエーテル類
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、n−ペンチルビニルエーテル、n−ヘキシルビニルエーテル、n−オクチルビニルエーテル、n−ドデシルビニルエーテル、n−エイコシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、フルオロブチルビニルエーテル、フルオロブトキシエチルビニルエーテルなど;及び
(8)その他の重合性単量体
N−ビニルピロリドン、メチルビニルケトン、フェニルビニルケトン、メトキシエチルビニルケトン、2−ビニルオキサゾリン、2−イソプロペニルオキサゾリンなど。
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、n−ペンチルビニルエーテル、n−ヘキシルビニルエーテル、n−オクチルビニルエーテル、n−ドデシルビニルエーテル、n−エイコシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、フルオロブチルビニルエーテル、フルオロブトキシエチルビニルエーテルなど;及び
(8)その他の重合性単量体
N−ビニルピロリドン、メチルビニルケトン、フェニルビニルケトン、メトキシエチルビニルケトン、2−ビニルオキサゾリン、2−イソプロペニルオキサゾリンなど。
前記フッ素系ポリマー中、フルオロ脂肪族基含有モノマーの量は、該ポリマーの構成モノマー総量の5質量%以上であるのが好ましく、10質量%以上であるのがより好ましく、30質量%以上であるのがさらに好ましい。前記フッ素系ポリマーにおいて、前記式(II)で表される繰り返し単位の量は、該フッ素ポリマーの構成モノマー総量の0.5質量%以上であるのが好ましく、1〜20質量%であるのがより好ましく、1〜10質量%であるのがさらに好ましい。上記の質量百分率は使用するモノマーの分子量により好ましい範囲の数値が変動し易いため、ポリマーの単位質量当たりの官能基モル数で表す方が、式(II)で表される繰り返し単位の含有量を正確に規定できる。該表記を用いた場合、前記フッ素系ポリマー中に含有される親水性基(式(II)中のQ)の好ましい量は、0.1mmol/g〜10mmol/gであり、より好ましい量は0.2mmol/g〜8mmol/gである。
本発明に用いる前記フッ素系ポリマーの質量平均分子量は1,000,000以下が好ましく、500,000以下がより好ましく、100,000以下がさらに好ましい。質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)を用いて、ポリスチレン(PS)換算の値として測定可能である。
前記フッ素系ポリマーの重合方法は、特に限定されるものではないが、例えば、ビニル基を利用したカチオン重合やラジカル重合、又は、アニオン重合等の重合方法を採ることができ、これらの中ではラジカル重合が汎用に利用できる点で特に好ましい。ラジカル重合の重合開始剤としては、ラジカル熱重合開始剤や、ラジカル光重合開始剤等の公知の化合物を使用することができるが、特に、ラジカル熱重合開始剤を使用することが好ましい。ここで、ラジカル熱重合開始剤は、分解温度以上に加熱することにより、ラジカルを発生させる化合物である。このようなラジカル熱重合開始剤としては、例えば、ジアシルパーオキサイド(アセチルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等)、ケトンパーオキサイド(メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等)、ハイドロパーオキサイド(過酸化水素、tert−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等)、ジアルキルパーオキサイド(ジ−tert−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド等)、パーオキシエステル類(tert−ブチルパーオキシアセテート、tert−ブチルパーオキシピバレート等)、アゾ系化合物(アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル等)、過硫酸塩類(過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等)が挙げられる。このようなラジカル熱重合開始剤は、1種を単独で使用することもできるし、2種以上を組み合わせて使用することもできる。
ラジカル重合方法は、特に制限されるものでなく、乳化重合法、懸濁重合法、塊状重合法、溶液重合法等を採ることが可能である。典型的なラジカル重合方法である溶液重合についてさらに具体的に説明する。他の重合方法についても概要は同等であり、その詳細は例えば「高分子科学実験法」高分子学会編(東京化学同人、1981年)等に記載されている。
溶液重合を行うためには有機溶媒を使用する。これらの有機溶媒は本発明の目的、効果を損なわない範囲で任意に選択可能である。これらの有機溶媒は通常、大気圧下での沸点が50〜200℃の範囲内の値を有する有機化合物であり、各構成成分を均一に溶解させる有機化合物が好ましい。好ましい有機溶媒の例を示すと、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類;ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン等のエステル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は、1種単独又は2種以上を組み合わせて用いることが可能である。さらに、モノマーや生成するポリマーの溶解性の観点から上記有機溶媒に水を併用した水混合有機溶媒も適用可能である。
また、溶液重合条件も特に制限されるものではないが、例えば、50〜200℃の温度範囲内で、10分〜30時間加熱することが好ましい。さらに、発生したラジカルが失活しないように、溶液重合中はもちろんのこと、溶液重合開始前にも、不活性ガスパージを行うことが好ましい。不活性ガスとしては通常窒素ガスが好適に用いられる。
前記フッ素系ポリマーを好ましい分子量範囲で得るためには、連鎖移動剤を用いたラジカル重合法が特に有効である。連鎖移動剤としてはメルカプタン類(例えば、オクチルメルカプタン、デシルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、tert−ドデシルメルカプタン、オクタデシルメルカプタン、チオフェノール、p−ノニルチオフェノール等)、ポリハロゲン化アルキル類(例えば、四塩化炭素、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,1−トリブロモオクタンなど)、低活性モノマー類(α−メチルスチレン、α−メチルスチレンダイマー等)のいずれも用いることができるが、好ましくは炭素数4〜16のメルカプタン類である。これらの連鎖移動剤の使用量は、連鎖移動剤の活性やモノマーの組み合わせ、重合条件などにより著しく影響され精密な制御が必要であるが、使用するモノマーの全モル数に対して好ましくは0.01モル%〜50モル%程度であり、より好ましくは0.05モル%〜30モル%、さらに好ましくは0.08モル%〜25モル%である。これらの連鎖移動剤は、重合過程において重合度を制御するべき対象のモノマーと同時に系内に存在させればよく、その添加方法については特に問わない。モノマーに溶解して添加してもよいし、モノマーと別途に添加することも可能である。
なお、本発明のフッ素系ポリマーは、ディスコティック液晶性化合物の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有するものも好ましい。
以下に、フッ素系ポリマーとして本発明に好ましく用いられる具体例を示すが、本発明はこれらの具体例によってなんら限定されるものではない。ここで式中の数値(a、b、c、d等の数値)は、それぞれ各モノマーの組成比を示す質量百分率であり、MwはGPCにより測定されたPEO換算の質量平均分子量である。
本発明に用いられるフッ素系ポリマーは、公知慣用の方法で製造することができる。例えば先にあげたフッ素系モノマー、水素結合性基を有するモノマー等を含む有機溶媒中に、汎用のラジカル重合開始剤を添加し、重合させることにより製造できる。また、場合によりその他の付加重合性不飽和化合物を、さらに添加して上記と同じ方法にて製造することができる。各モノマーの重合性に応じ、反応容器にモノマーと開始剤を滴下しながら重合する滴下重合法なども、均一な組成のポリマーを得るために有効である。
前記組成物(塗布液として調製した場合は、溶媒を除いた組成物)中における前記フッ素系ポリマーの含有量は、組成物(塗布液である場合は溶媒を除いた組成物)中、0.005〜8質量%であるのが好ましく、0.01〜5質量%であるのがより好ましく、0.05〜1質量%であるのがさらに好ましい。前記フッ素系ポリマーの添加量が0.005質量%未満では効果が不十分であり、また8質量%より多くなると、塗膜の乾燥が十分に行われなくなったり、光学フィルムとしての性能(例えばレタデーションの均一性等)に悪影響を及ぼす。
次に、同様に空気界面側垂直配向剤として使用可能な、式(III)で表される含フッ素化合物について説明する。
式(III)
(R0)mo−L0−(W)no
式中、R0はアルキル基、末端にCF3基を有するアルキル基、又は末端にCF2H基を有するアルキル基を表し、moは1以上の整数を表す。複数個のR0は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にCF3基又はCF2H基を有するアルキル基を表す。L0は(mo+no)価の連結基を表し、Wはカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、又はホスホノキシ{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩を表し、noは1以上の整数を表す。
式(III)
(R0)mo−L0−(W)no
式中、R0はアルキル基、末端にCF3基を有するアルキル基、又は末端にCF2H基を有するアルキル基を表し、moは1以上の整数を表す。複数個のR0は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にCF3基又はCF2H基を有するアルキル基を表す。L0は(mo+no)価の連結基を表し、Wはカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、又はホスホノキシ{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩を表し、noは1以上の整数を表す。
式(III)中、R0は含フッ素化合物の疎水性基として機能する。R0で表されるアルキル基は置換もしくは無置換のアルキル基であり、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルキル基であり、更に好ましくは4〜16のアルキル基であり、特に好ましくは6〜16のアルキル基である。該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。
R0で表される末端にCF3基を有するアルキル基は、好ましくは炭素数1〜20であり、より好ましくは4〜16であり、さらに好ましくは4〜8である。前記末端にCF3基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。アルキル基中の水素原子の50%以上がフッ素原子で置換されているのが好ましく、60%以上が置換されているのがより好ましく、70%以上を置換されているのが特に好ましい。残りの水素原子は、さらに後述の置換基群Dとして例示された置換基によって置換されていてもよい。R0で表される末端にCF2H基を有するアルキル基は、好ましくは炭素数1〜20であり、より好ましくは4〜16であり、さらに好ましくは4〜8である。前記末端にCF2H基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。アルキル基中の水素原子の50%以上がフッ素原子で置換されていることが好ましく、60%以上が置換されていることがより好ましく、70%以上を置換されていることがさらに好ましい。残りの水素原子は、さらに後述の置換基群Dとして例示する置換基によって置換されていてもよい。R0で表される末端にCF3基を有するアルキル基、又は末端にCF2H基を有するアルキル基の例を以下に示す。
R1:n−C8F17−
R2:n−C6F13−
R3:n−C4F9−
R4:n−C8F17−(CH2)2−
R5:n−C6F13−(CH2)2−
R6:n−C4F9−(CH2)2−
R7:H−(CF2)8−
R8:H−(CF2)6−
R9:H−(CF2)4−
R10:H−(CF2)8−(CH2)−
R11:H−(CF2)6−(CH2)−
R12:H−(CF2)4−(CH2)−
R2:n−C6F13−
R3:n−C4F9−
R4:n−C8F17−(CH2)2−
R5:n−C6F13−(CH2)2−
R6:n−C4F9−(CH2)2−
R7:H−(CF2)8−
R8:H−(CF2)6−
R9:H−(CF2)4−
R10:H−(CF2)8−(CH2)−
R11:H−(CF2)6−(CH2)−
R12:H−(CF2)4−(CH2)−
式(III)において、L0で表される(mo+no)価の連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、芳香族基、ヘテロ環基、−CO−、−NRd−(Rdは炭素原子数が1〜5のアルキル基又は水素原子)、−O−、−S−、−SO−、−SO2−からなる群より選ばれる基を少なくとも2つ組み合わせた連結基であることが好ましい。
式(III)において、Wはカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、又はホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩を表す。Wの好ましい範囲は、式(II)におけるQと同一である。
前記式 (III)で表される含フッ素化合物の中でも、下記式(III)−a又は式(III)−bで表される化合物が好ましい。
式(III)−a中、R4及びR5は各々アルキル基、末端にCF3基を有するアルキル基、又は末端にCF2H基を有するアルキル基を表すが、R4及びR5が同時にアルキル基であることはない。W1及びW2は各々水素原子、カルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有する、アルキル基、アルコキシ基もしくはアルキルアミノ基を表すが、W1及びW2が同時に水素原子であることはない。
式(III)−b
(R6−L2−)m2(Ar1)−W3
式(III)−b中、R6はアルキル基、末端にCF3基を有するアルキル基、又は末端にCF2H基を有するアルキル基を表し、m2は1以上の整数を表し、複数個のR6は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にCF3基又はCF2H基を有するアルキル基を表す。L2は、アルキレン基、芳香族基、−CO−、−NR’−(R’は炭素原子数が1〜5のアルキル基又は水素原子)、−O−、−S−、−SO−、−SO2−及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる2価の連結基を表し、複数個のL2は同一でも異なっていてもよい。Ar1は芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を表し、W3はカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有する、アルキル基、アルコキシ基もしくはアルキルアミノ基を表す。
(R6−L2−)m2(Ar1)−W3
式(III)−b中、R6はアルキル基、末端にCF3基を有するアルキル基、又は末端にCF2H基を有するアルキル基を表し、m2は1以上の整数を表し、複数個のR6は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にCF3基又はCF2H基を有するアルキル基を表す。L2は、アルキレン基、芳香族基、−CO−、−NR’−(R’は炭素原子数が1〜5のアルキル基又は水素原子)、−O−、−S−、−SO−、−SO2−及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる2価の連結基を表し、複数個のL2は同一でも異なっていてもよい。Ar1は芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を表し、W3はカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有する、アルキル基、アルコキシ基もしくはアルキルアミノ基を表す。
まず、前記式(III)−aについて説明する。
R4及びR5は前記式(III)におけるR0と同義であり、その好ましい範囲も同一である。W1及びW2で表されるカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩は前記式(III)におけるWと同義でありその好ましい範囲も同一である。W1及びW2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルキル基であり、更に好ましくは1〜8のアルキル基であり、特に好ましくは1〜3のアルキル基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式(III)中のWが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。W1及びW2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルコキシ基であり、更に好ましくは1〜8のアルコキシ基であり、特に好ましくは1〜4のアルコキシ基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式(III)中のWが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。W1及びW2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルキルアミノ基であり、より好ましくは1〜8のアルキルアミノ基であり、さらに好ましくは1〜4のアルキルアミノ基である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式(III)中のWが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。
R4及びR5は前記式(III)におけるR0と同義であり、その好ましい範囲も同一である。W1及びW2で表されるカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩は前記式(III)におけるWと同義でありその好ましい範囲も同一である。W1及びW2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルキル基であり、更に好ましくは1〜8のアルキル基であり、特に好ましくは1〜3のアルキル基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式(III)中のWが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキル基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。W1及びW2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルコキシ基であり、更に好ましくは1〜8のアルコキシ基であり、特に好ましくは1〜4のアルコキシ基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式(III)中のWが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。W1及びW2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素数1〜20のアルキルアミノ基であり、より好ましくは1〜8のアルキルアミノ基であり、さらに好ましくは1〜4のアルキルアミノ基である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、又はホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基としては、前記式(III)中のWが表すカルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、ホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Dとして例示する置換基のいずれかを適用できる。
W1及びW2は、特に好ましくはそれぞれ水素原子又は−(CH2)nSO3M(nは0又は1を表す。)である。Mはカチオンを表すが、分子内で荷電が0になる場合は、Mはなくてもよい。Mで表されるカチオンとしては、例えばプロトニウムイオン、アルカリ金属イオン(リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど)、アルカリ土類金属イオン(バリウムイオン、カルシウムイオンなど)、アンモニウムイオンなどが好ましく適用される。このうち、特に好ましくはプロトニウムイオン、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンである。
次に、前記式(III)−bについて説明する。
R6は前記式(III)におけるR0と同義であり、その好ましい範囲も同一である。L2は、好ましくは炭素数1〜12のアルキレン基、炭素数6〜12の芳香族基、−CO−、−NR−、−O−、−S−、−SO−、−SO2−及びそれらの組み合わせからなる総炭素数0〜40の連結基を表し、より好ましくは炭素数1〜8のアルキレン基、フェニル基、−CO−、−NR−、−O−、−S−、−SO2−及びそれらの組み合わせからなる総炭素数0〜20の連結基を表す。Ar1は、好ましくは炭素数6〜12の芳香族炭化水素環を表し、より好ましくはベンゼン環又はナフタレン環を表す。W3で表されるカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基は、前記式(III)−aにおけるW1及びW2で表されるカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基と同義でありその好ましい範囲も同一である。
R6は前記式(III)におけるR0と同義であり、その好ましい範囲も同一である。L2は、好ましくは炭素数1〜12のアルキレン基、炭素数6〜12の芳香族基、−CO−、−NR−、−O−、−S−、−SO−、−SO2−及びそれらの組み合わせからなる総炭素数0〜40の連結基を表し、より好ましくは炭素数1〜8のアルキレン基、フェニル基、−CO−、−NR−、−O−、−S−、−SO2−及びそれらの組み合わせからなる総炭素数0〜20の連結基を表す。Ar1は、好ましくは炭素数6〜12の芳香族炭化水素環を表し、より好ましくはベンゼン環又はナフタレン環を表す。W3で表されるカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ基{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基は、前記式(III)−aにおけるW1及びW2で表されるカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、ホスホノキシ{−OP(=O)(OH)2}もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基、スルホ基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、又はアルキルアミノ基と同義でありその好ましい範囲も同一である。
W3は、好ましくはカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩、スルホ基(−SO3H)もしくはその塩、又は置換基としてカルボキシル基(−COOH)もしくはその塩又はスルホ基(−SO3H)もしくはその塩を有するアルキルアミノ基であり、特に好ましくはSO3M又はCO2Mである。Mはカチオンを表すが、分子内で荷電が0になる場合は、Mはなくてもよい。Mで表されるカチオンとしては、例えばプロトニウムイオン、アルカリ金属イオン(リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど)、アルカリ土類金属イオン(バリウムイオン、カルシウムイオンなど)、アンモニウムイオンなどが好ましく適用される。このうち、特に好ましくはプロトニウムイオン、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンである。
本明細書において、置換基群Dには、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、特に好ましくは炭素数1〜8のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2〜8のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、2−ブテニル基、3−ペンテニル基などが挙げられる)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2〜8のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、3−ペンチニル基などが挙げられる)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、さらに好ましくは炭素数6〜12のアリール基であり、例えば、フェニル基、p−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる)、置換もしくは無置換のアミノ基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜10、さらに好ましくは炭素数0〜6のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる)、
アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜12、さらに好ましくは炭素数1〜8のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、さらに好ましくは炭素数6〜12のアリールオキシ基であり、例えば、フェニルオキシ基、2−ナフチルオキシ基などが挙げられる)、アシル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のアシル基であり、例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは炭素数2〜12のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、さらに好ましくは炭素数7〜10のアリールオキシカルボニル基であり、例えば、フェニルオキシカルボニル基などが挙げられる)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは炭素数2〜10のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる)。
アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは炭素数2〜10のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、より好ましくは炭素数2〜16、さらに好ましくは炭素数2〜12のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜20、より好ましくは炭素数7〜16、さらに好ましくは炭素数7〜12のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜20、より好ましくは炭素数0〜16、さらに好ましくは炭素数0〜12のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる)、
アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜16、さらに好ましくは炭素数6〜12のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜20、より好ましくは炭素数1〜16、さらに好ましくは炭素数1〜12のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは1〜12のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる)、シリル基(好ましくは、炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、さらに好ましくは、炭素数3〜24のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる)が含まれる。これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基が二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、本発明の含フッ素化合物は、ディスコティック液晶性化合物の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有するものも好ましい。
本発明に使用可能な式(III)にて表される含フッ素化合物の具体例を以下に示すが、本発明に用いられる含フッ素化合物はこれらに限定されるものではない。
前記組成物中における前記含フッ素化合物の含有量は、前記組成物(塗布液である場合は溶媒を除いた組成物)中、0.005〜8質量%であるのが好ましく、0.01〜5質量%であるのがより好ましく、0.05〜1質量%であるのがさらに好ましい。
その他、前記組成物中には、上記の液晶性化合物と共に、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を併用して、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶性化合物の配向性等を向上させることができる。これらの素材は液晶性化合物と相溶性を有し、配向を阻害しないことが好ましい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性若しくはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基含有の液晶性化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開2002−296423号公報明細書中の段落番号[0018]〜[0020]記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に1〜50質量%の範囲にあり、5〜30質量%の範囲にあることが好ましい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性若しくはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基含有の液晶性化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開2002−296423号公報明細書中の段落番号[0018]〜[0020]記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に1〜50質量%の範囲にあり、5〜30質量%の範囲にあることが好ましい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開2001−330725号公報明細書中の段落番号[0028]〜[0056]記載の化合物、特願2003−295212号明細書中の段落番号[0069]〜[0126]記載の化合物が挙げられる。
液晶性化合物とともに使用するポリマーは、塗布液を増粘できることが好ましい。ポリマーの例としては、セルロースエステルを挙げることができる。セルロースエステルの好ましい例としては、特開2000−155216号公報明細書中の段落番号[0178]記載のものが挙げられる。液晶性化合物の配向を阻害しないように、上記ポリマーの添加量は、液晶性分子に対して0.1〜10質量%の範囲にあることが好ましく、0.1〜8質量%の範囲にあることがより好ましい。
液晶性化合物の分子は、ラビング処理面上で配向状態となった後、その状態に固定されるのが好ましい。分子の固定は、重合反応により実行されるのが好ましく、そのためには、前記組成物は、重合開始剤を含有しているのが好ましい。
重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物(米国特許2367661号、同2367670号の各明細書記載)、アシロインエーテル(米国特許2448828号明細書記載)、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物(米国特許2722512号明細書記載)、多核キノン化合物(米国特許3046127号、同2951758号の各明細書記載)、トリアリールイミダゾールダイマーとp−アミノフェニルケトンとの組み合わせ(米国特許3549367号明細書記載)、アクリジン及びフェナジン化合物(特開昭60−105667号公報、米国特許4239850号明細書記載)及びオキサジアゾール化合物(米国特許4212970号明細書記載)が含まれる。
重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物(米国特許2367661号、同2367670号の各明細書記載)、アシロインエーテル(米国特許2448828号明細書記載)、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物(米国特許2722512号明細書記載)、多核キノン化合物(米国特許3046127号、同2951758号の各明細書記載)、トリアリールイミダゾールダイマーとp−アミノフェニルケトンとの組み合わせ(米国特許3549367号明細書記載)、アクリジン及びフェナジン化合物(特開昭60−105667号公報、米国特許4239850号明細書記載)及びオキサジアゾール化合物(米国特許4212970号明細書記載)が含まれる。
光重合開始剤の使用量は、組成物(塗布液の場合は固形分)の0.01〜20質量%であることが好ましく、0.5〜5質量%であることがさらに好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、20mJ/cm2〜50J/cm2であることが好ましく、100〜800mJ/cm2であることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。
光学異方性層の厚さは、0.1〜10μmであることが好ましく、0.5〜5μmであることがさらに好ましく、1〜5μmであることが最も好ましい。
光学異方性層の厚さは、0.1〜10μmであることが好ましく、0.5〜5μmであることがさらに好ましく、1〜5μmであることが最も好ましい。
前記組成物は、塗布液として調製するのが好ましい。塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド(例、N,N−ジメチルホルムアミド)、スルホキシド(例、ジメチルスルホキシド)、ヘテロ環化合物(例、ピリジン)、炭化水素(例、ベンゼン、ヘキサン)、アルキルハライド(例、クロロホルム、ジクロロメタン)、エステル(例、酢酸メチル、酢酸ブチル)、ケトン(例、アセトン、メチルエチルケトン)、エーテル(例、テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタン)が含まれる。アルキルハライド及びケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。
本発明の製造方法により作製された光学補償フィルムは、長手方向に対して、光学異方性層の遅相軸が平行でも直交でもない方向にある。光学異方性層の遅相軸の角度はラビングの角度で調整できる。長尺状の支持体の長手方向に対して光学異方性層の遅相軸を平行でも直交でもない角度にすることで(例えば、支持体上に配向膜を形成し、該配向膜の表面を長手方向に対して2〜88°の方向にラビング処理することで)、後述する楕円偏光板の製造において、長尺状の偏光膜とロールトゥロールによる貼り合せが可能になり、貼り合せの軸角度の精度が高く、生産性の高い楕円偏光板の製造が可能になる。
まお、本発明の光学補償フィルムは、液晶性化合物を含有する光学異方性層を含むが、該光学異方性層は一層のみからなっていてもよいし、二層以上の光学異方性層の積層体であってもよい。
まお、本発明の光学補償フィルムは、液晶性化合物を含有する光学異方性層を含むが、該光学異方性層は一層のみからなっていてもよいし、二層以上の光学異方性層の積層体であってもよい。
あらかじめ、長尺状の偏光膜を積層した長尺状の支持体を用いることにより、又は、前記光学異方性層を形成した後に、長尺状の偏光膜を積層することで、偏光板を連続的に作製することもできる。遅相軸が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を有する光学補償フィルムは、偏光膜と積層することで長尺状の楕円偏光板とすることができる。該楕円偏光板は、光学異方性層が偏光膜より液晶セルに近くなるように配置することで、液晶表示装置の表示特性を補償できる。また、該楕円偏光板は、光学異方性層が偏光膜よりバックライトに近くなるように配置し、さらにコレステリック液晶フィルムを積層することでバックライト利用効率に寄与する輝度向上型偏光板として機能する。
[偏光板]
偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜及び染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。偏光膜の吸収軸は、フィルムの延伸方向に相当する。従って、縦方向(搬送方向)に延伸された偏光膜は長手方向に対して平行に吸収軸を有し、横方向(搬送方向と垂直方向)に延伸された偏光膜は長手方向に対して垂直に吸収軸を有する。
[偏光板]
偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜及び染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。偏光膜の吸収軸は、フィルムの延伸方向に相当する。従って、縦方向(搬送方向)に延伸された偏光膜は長手方向に対して平行に吸収軸を有し、横方向(搬送方向と垂直方向)に延伸された偏光膜は長手方向に対して垂直に吸収軸を有する。
本発明の偏光板の好ましい製造方法は、偏光膜と光学補償フィルムがそれぞれ長尺の状態で連続的に積層される工程を含む。該長尺の偏光板は用いられる液晶表示装置の画面の大きさに合わせて裁断される。
直線偏光膜と位相差板を組み合わせて楕円偏光板として構成しておくと、容易に反射型及び半透過型液晶表示装置に組み込むことができる。また、有機EL表示装置の反射防止膜としても用いることができる。また、長尺状の楕円偏光板に、別途作製した長尺状のコレステリック液晶フィルムもさらに積層できるので、生産性の高い輝度向上膜の製造も容易になる。
偏光膜は一般に保護膜を有する。本発明の製造方法によって製造された光学補償フィルムは、支持体を有するので、該支持体を偏光膜の保護膜として機能させることができる。その支持体とは別に偏光膜の保護膜を用いる場合は、保護膜として光学的等方性が高いセルロースエステルフィルムを用いることが好ましい。
本発明の製造方法によって製造された長尺状の光学補償フィルム、及びそれを有する偏光板は、そのまま、もしくは所望の大きさに裁断された後、液晶表示装置等に組み込まれる。
[液晶表示装置]
前記光学補償フィルムは、反射型、半透過型、透過型液晶表示装置等のいずれにも用いることができる。液晶表示装置は一般的に、偏光板、液晶セル、及び必要に応じて光学補償フィルム、反射層、光拡散層、バックライト、フロントライト、光制御フィルム、導光板、プリズムシート、カラーフィルター等の部材から構成されるが、本発明においては前記光学補償フィルムを使用することを必須とする点を除いて特に制限は無い。また前記光学補償フィルムの使用位置は特に制限はなく、また、1カ所でも複数カ所でも良い。液晶セルとしては特に制限されず、電極を備える一対の透明基板で液晶層を狭持したもの等の一般的な液晶セルが使用できる。液晶セルを構成する前記透明基板としては、液晶層を構成する液晶性を示す材料を特定の配向方向に配向させるものであれば特に制限はない。具体的には、基板自体が液晶を配向させる性質を有していている透明基板、基板自体は配向能に欠けるが、液晶を配向させる性質を有する配向膜等をこれに設けた透明基板等がいずれも使用できる。また、液晶セルの電極は、公知のものが使用できる。通常、液晶層が接する透明基板の面上に設けることができ、配向膜を有する基板を使用する場合は、基板と配向膜との間に設けることができる。前記液晶層を形成する液晶性を示す材料としては、特に制限されず、各種の液晶セルを構成し得る通常の各種低分子液晶性化合物、高分子液晶性化合物及びこれらの混合物が挙げられる。また、これらに液晶性を損なわない範囲で色素やカイラル剤、非液晶性化合物等を添加することもできる。
[液晶表示装置]
前記光学補償フィルムは、反射型、半透過型、透過型液晶表示装置等のいずれにも用いることができる。液晶表示装置は一般的に、偏光板、液晶セル、及び必要に応じて光学補償フィルム、反射層、光拡散層、バックライト、フロントライト、光制御フィルム、導光板、プリズムシート、カラーフィルター等の部材から構成されるが、本発明においては前記光学補償フィルムを使用することを必須とする点を除いて特に制限は無い。また前記光学補償フィルムの使用位置は特に制限はなく、また、1カ所でも複数カ所でも良い。液晶セルとしては特に制限されず、電極を備える一対の透明基板で液晶層を狭持したもの等の一般的な液晶セルが使用できる。液晶セルを構成する前記透明基板としては、液晶層を構成する液晶性を示す材料を特定の配向方向に配向させるものであれば特に制限はない。具体的には、基板自体が液晶を配向させる性質を有していている透明基板、基板自体は配向能に欠けるが、液晶を配向させる性質を有する配向膜等をこれに設けた透明基板等がいずれも使用できる。また、液晶セルの電極は、公知のものが使用できる。通常、液晶層が接する透明基板の面上に設けることができ、配向膜を有する基板を使用する場合は、基板と配向膜との間に設けることができる。前記液晶層を形成する液晶性を示す材料としては、特に制限されず、各種の液晶セルを構成し得る通常の各種低分子液晶性化合物、高分子液晶性化合物及びこれらの混合物が挙げられる。また、これらに液晶性を損なわない範囲で色素やカイラル剤、非液晶性化合物等を添加することもできる。
前記液晶セルは、前記電極基板及び液晶層の他に、後述する各種の方式の液晶セルとするのに必要な各種の構成要素を備えていても良い。前記液晶セルの方式としては、TN(Twisted Nematic)方式、STN(SuperTwisted Nematic)方式、ECB(Electrically Controlled Birefringence)方式、IPS(In−Plane Switching)方式、VA(Vertical Alignment)方式、MVA(Multidomain Vertical Alignment)方式、PVA(Patterned Vertical Alignment)方式、OCB(Optically Compensated Birefringence)方式、HAN(Hybrid Aligned Nematic)方式、ASM(Axially Symmetric Aligned Microcell)方式、ハーフトーングレイスケール方式、ドメイン分割方式、あるいは強誘電性液晶、反強誘電性液晶を利用した表示方式等の各種の方式が挙げられる。また、液晶セルの駆動方式も特に制限はなく、STN−LCD等に用いられるパッシブマトリクス方式、並びにTFT(Thin Film Transistor)電極、TFD(Thin Film Diode)電極等の能動電極を用いるアクティブマトリクス方式、プラズマアドレス方式等のいずれの駆動方式であっても良い。カラーフィルターを使用しないフィールドシーケンシャル方式であってもよい。
本発明における偏光板は、反射型、半透過型、及び透過型液晶表示装置に好ましく用いられる。また、本発明における偏光板は、コレステリック液晶フィルムと組み合わされることで、輝度向上膜としても好ましく用いられる。反射型液晶表示装置は、反射板、液晶セル及び偏光板を、この順に積層した構成を有する。位相差板は、反射板と偏光膜との間(反射板と液晶セルとの間又は液晶セルと偏光膜との間)に配置される。反射板は、液晶セルと基板を共有していてもよい。半透過反射型液晶表示装置は、電液晶セルと、該液晶セルより観察者側に配置された偏光板と、前記偏光板と前記液晶セルの間に配置される少なくとも1枚の位相差板と、観察者から見て前記液晶層よりも後方に設置された半透過反射層を少なくとも備え、さらに観察者から見て前記半透過反射層よりも後方に少なくとも1枚の位相差板と偏光板とを有す。このタイプの液晶表示装置では、バックライトを設置することで反射モードと透過モード両方の使用が可能となる。
前記液晶表示装置において、本発明の光学補償フィルムと偏光膜とを有する偏光板は楕円偏光板もしくは円偏光板として機能する。
本発明の光学補償フィルム及び偏光板は前記用途に限らず、その他の種々の用途に供することが出来る。たとえば、ホスト−ゲスト型液晶表示装置、タッチパネル、エレクトロルミネッセンス(EL)素子などの反射防止膜、反射型偏光板などに用いることができる。
本発明の光学補償フィルム及び偏光板は前記用途に限らず、その他の種々の用途に供することが出来る。たとえば、ホスト−ゲスト型液晶表示装置、タッチパネル、エレクトロルミネッセンス(EL)素子などの反射防止膜、反射型偏光板などに用いることができる。
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
[実施例1]
<セルロースアセテートフィルム(T1)の作製>
(セルロースアセテート溶液の調製)
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Aを調製した。
セルロースアセテート溶液Aの組成
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アセチル置換度2.94のセルロースアセテート 100.0質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 402.0質量部
メタノール(第2溶媒) 60.0質量部
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<セルロースアセテートフィルム(T1)の作製>
(セルロースアセテート溶液の調製)
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Aを調製した。
セルロースアセテート溶液Aの組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
アセチル置換度2.94のセルロースアセテート 100.0質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 402.0質量部
メタノール(第2溶媒) 60.0質量部
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(マット剤溶液の調製)
平均粒径16nmのシリカ粒子(AEROSIL R972、日本アエロジル(株)製)を20質量部、メタノール80質量部を30分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに30分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
マット剤溶液組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――
平均粒径16nmのシリカ粒子分散液 10.0質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 76.3質量部
メタノール(第2溶媒) 3.4質量部
セルロースアセテート溶液A 10.3質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――
平均粒径16nmのシリカ粒子(AEROSIL R972、日本アエロジル(株)製)を20質量部、メタノール80質量部を30分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに30分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
マット剤溶液組成
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平均粒径16nmのシリカ粒子分散液 10.0質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 76.3質量部
メタノール(第2溶媒) 3.4質量部
セルロースアセテート溶液A 10.3質量部
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(添加剤溶液の調製)
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
添加剤溶液組成
――――――――――――――――――――――――――――――
下記の光学的異方性低下剤 49.3質量部
下記の波長分散調整剤 4.9質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 58.4質量部
メタノール(第2溶媒) 8.7質量部
セルロースアセテート溶液A 12.8質量部
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下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
添加剤溶液組成
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下記の光学的異方性低下剤 49.3質量部
下記の波長分散調整剤 4.9質量部
メチレンクロライド(第1溶媒) 58.4質量部
メタノール(第2溶媒) 8.7質量部
セルロースアセテート溶液A 12.8質量部
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(セルロースアセテートフィルムの作製)
上記セルロースアセテート溶液Aを94.6質量部、マット剤溶液を1.3質量部、添加剤溶液4.1質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学的異方性を低下する化合物及び波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ12%、1.2%であった。残留溶剤量30%でフィルムをバンドから剥離し、140℃で40分間乾燥させ、厚さ80μmの長尺状のセルロースアセテートフィルムT1を製造した。得られたフィルムの面内レタデーション(Re)は1nm(遅相軸はフィルム長手方向と垂直な方向)、厚み方向のレタデーション(Rth)は−1nmであった。
上記セルロースアセテート溶液Aを94.6質量部、マット剤溶液を1.3質量部、添加剤溶液4.1質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学的異方性を低下する化合物及び波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ12%、1.2%であった。残留溶剤量30%でフィルムをバンドから剥離し、140℃で40分間乾燥させ、厚さ80μmの長尺状のセルロースアセテートフィルムT1を製造した。得られたフィルムの面内レタデーション(Re)は1nm(遅相軸はフィルム長手方向と垂直な方向)、厚み方向のレタデーション(Rth)は−1nmであった。
<光学補償フィルム(F1)の作製>
上記作製した長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化後、下記の組成の配向膜塗布液を#14のワイヤーバーで連続的に塗布した。60℃の温風で60秒、さらに100℃の温風で120秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にフィルムの長手方向に対して45°の方向に連続的にラビング処理を施して配向膜を形成した。
配向膜塗布液の組成
――――――――――――――――――――――――――
下記の変性ポリビニルアルコール 10質量部
水 371質量部
メタノール 119質量部
グルタルアルデヒド 0.5質量部
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上記作製した長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化後、下記の組成の配向膜塗布液を#14のワイヤーバーで連続的に塗布した。60℃の温風で60秒、さらに100℃の温風で120秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にフィルムの長手方向に対して45°の方向に連続的にラビング処理を施して配向膜を形成した。
配向膜塗布液の組成
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下記の変性ポリビニルアルコール 10質量部
水 371質量部
メタノール 119質量部
グルタルアルデヒド 0.5質量部
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下記の組成のディスコティック液晶性化合物を含む塗布液を上記作製した配向膜上にワイヤーバーで連続的に塗布した。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は100μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は776rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは1.0であった。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶性化合物の配向熟成のために、100℃の温風で30秒、さらに130℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF1を作製した。
光学異方性層塗布液の組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――
下記のディスコティック液晶性化合物 91質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
(V#360、大阪有機化学(株)製) 9質量部
光重合開始剤(イルガキュアー907、チバガイギー社製) 3質量部
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 1質量部
下記のピリジニウム塩 0.5質量部
下記のフッ素系ポリマー(A) 0.4質量部
メタノール 30質量部
メチルエチルケトン 165質量部
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光学異方性層塗布液の組成
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下記のディスコティック液晶性化合物 91質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
(V#360、大阪有機化学(株)製) 9質量部
光重合開始剤(イルガキュアー907、チバガイギー社製) 3質量部
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 1質量部
下記のピリジニウム塩 0.5質量部
下記のフッ素系ポリマー(A) 0.4質量部
メタノール 30質量部
メチルエチルケトン 165質量部
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自動複屈折率計(KOBRA−21ADH、王子計測機器(株)社製)を用いて、光学補償フィルムF1の589nmにおけるRe(0)、Re(40)及びRe(−40)を測定したところ、それぞれ、121.6nm、113.8nm及び113.7nmであった。これらの結果からディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は90°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることが確認できた。また、遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であり、支持体の長手方向となす角は45°であった。
作製した光学補償フィルムF1をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例2]
上記実施例1の光学補償フィルムF1のディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を698rpmにする以外は実施例1と同様にして光学補償フィルムF2を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.9であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を854rpm、621rpm、931rpmにしてそれぞれ、光学補償フィルムF3、F4、F5を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vはそれぞれ、1.1、0.8、1.2であった。
上記実施例1の光学補償フィルムF1のディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を698rpmにする以外は実施例1と同様にして光学補償フィルムF2を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.9であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を854rpm、621rpm、931rpmにしてそれぞれ、光学補償フィルムF3、F4、F5を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vはそれぞれ、1.1、0.8、1.2であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF2〜F5をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[比較例1]
上記実施例1の光学補償フィルムF1のディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を388rpmにする以外は実施例1と同様にして光学補償フィルムH1を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.5であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を1164rpmにして光学補償フィルムH2を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは1.5であった。
上記実施例1の光学補償フィルムF1のディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を388rpmにする以外は実施例1と同様にして光学補償フィルムH1を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.5であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を1164rpmにして光学補償フィルムH2を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは1.5であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムH1及びH2をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例3]
<光学補償フィルム(F6)の作製>
上記作製した長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、実施例1と同様に連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。その配向膜上に下記の組成の棒状液晶性化合物を含む塗布液をワイヤーバーで連続的に塗布した。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は50μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は786rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは1.0であった。塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶性化合物の配向熟成のために、90℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF6を作製した。
<光学補償フィルム(F6)の作製>
上記作製した長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、実施例1と同様に連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。その配向膜上に下記の組成の棒状液晶性化合物を含む塗布液をワイヤーバーで連続的に塗布した。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は50μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は786rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは1.0であった。塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶性化合物の配向熟成のために、90℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF6を作製した。
光学異方性層塗布液の組成
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下記棒状液晶性化合物 100質量部
光重合開始剤(イルガキュアー907、チバガイギー社製) 3質量部
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 1質量部
下記のフッ素系ポリマー(B) 0.4質量部
下記の水平配向剤 0.2質量部
メチルエチルケトン 194質量部
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下記棒状液晶性化合物 100質量部
光重合開始剤(イルガキュアー907、チバガイギー社製) 3質量部
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 1質量部
下記のフッ素系ポリマー(B) 0.4質量部
下記の水平配向剤 0.2質量部
メチルエチルケトン 194質量部
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実施例1と同様に、光学補償フィルムF2の589nmにおけるRe(0)、Re(40)及びRe(−40)を測定したところ、それぞれ、136.0nm、148.5nm及び148.6nmであった。これらの結果から棒状液晶性化合物の長軸のフィルム面に対する平均傾斜角は0°であり、棒状液晶性化合物がフィルム面に対して水平に配向していることが確認できた。また、遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であり、支持体の長手方向となす角は45°であった。
[実施例4]
上記実施例3の光学補償フィルムF6の棒状液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を707rpmにする以外は実施例3と同様にして光学補償フィルムF7を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.9であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を865rpm、629rpm、943rpmにしてそれぞれ、光学補償フィルムF8、F9、F10を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vはそれぞれ、1.1、0.8、1.2であった。
上記実施例3の光学補償フィルムF6の棒状液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を707rpmにする以外は実施例3と同様にして光学補償フィルムF7を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.9であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を865rpm、629rpm、943rpmにしてそれぞれ、光学補償フィルムF8、F9、F10を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vはそれぞれ、1.1、0.8、1.2であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF7〜F10をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[比較例2]
上記実施例3の光学補償フィルムF6の棒状液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を393rpmにする以外は実施例3と同様にして光学補償フィルムH3を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.5であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を1179rpmにして光学補償フィルムH4を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは1.5であった。
上記実施例3の光学補償フィルムF6の棒状液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を393rpmにする以外は実施例3と同様にして光学補償フィルムH3を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.5であった。
同様にして、ワイヤーバーの回転数を1179rpmにして光学補償フィルムH4を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは1.5であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムH3及びH4をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例5]
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。上記実施例1のディスコティック液晶性化合物を含む塗布液をワイヤーバーを用いて配向膜表面に塗布した。このとき、ラビングローラーの回転軸とワイヤーバーの芯が平行になるように配置した。すなわち、フィルムの長手方向とワイヤーバーの芯のなす角は45°であった。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は100μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は621rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは0.8であった。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶性化合物の配向熟成のために、100℃の温風で30秒、さらに130℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF11を作製した。
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。上記実施例1のディスコティック液晶性化合物を含む塗布液をワイヤーバーを用いて配向膜表面に塗布した。このとき、ラビングローラーの回転軸とワイヤーバーの芯が平行になるように配置した。すなわち、フィルムの長手方向とワイヤーバーの芯のなす角は45°であった。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は100μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は621rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは0.8であった。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶性化合物の配向熟成のために、100℃の温風で30秒、さらに130℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF11を作製した。
光学補償フィルムF11において、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は90°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることが確認できた。また、遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であり、支持体の長手方向となす角は45°であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF11をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例6]
上記実施例5の光学補償フィルムF11のディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を388rpmにする以外は実施例5と同様にして光学補償フィルムF12を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.5であった。
上記実施例5の光学補償フィルムF11のディスコティック液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を388rpmにする以外は実施例5と同様にして光学補償フィルムF12を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは0.5であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF12をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例7]
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。上記実施例3の棒状液晶性化合物を含む塗布液をワイヤーバーを用いて配向膜表面に塗布した。このとき、ラビングローラーの回転軸とワイヤーバーの芯が平行になるように配置した。すなわち、フィルムの長手方向とワイヤーバーの芯のなす角は45°であった。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は50μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は943rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは1.2であった。塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶性化合物の配向熟成のために、90℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF13を作製した。
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。上記実施例3の棒状液晶性化合物を含む塗布液をワイヤーバーを用いて配向膜表面に塗布した。このとき、ラビングローラーの回転軸とワイヤーバーの芯が平行になるように配置した。すなわち、フィルムの長手方向とワイヤーバーの芯のなす角は45°であった。使用したワイヤーバーのワイヤーの直径(R)は50μm、バーの芯の直径(r)は8mm、回転数(W)は943rpmであり、フィルムの搬送速度(V)は20m/minとした。したがって、(W×(R+2r)×π)/Vは1.2であった。塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶性化合物の配向熟成のために、90℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF13を作製した。
光学補償フィルムF13において、棒状液晶性化合物の長軸のフィルム面に対する平均傾斜角は0°であり、棒状液晶性化合物がフィルム面に対して水平に配向していることが確認できた。また、遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であり、支持体の長手方向となす角は45°であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF13をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例8]
上記実施例7の光学補償フィルムF13の棒状液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を1179rpmにする以外は実施例7と同様にして光学補償フィルムF14を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは1.5であった。
上記実施例7の光学補償フィルムF13の棒状液晶性化合物を含む光学異方性層を形成する工程において、ワイヤーバーの回転数を1179rpmにする以外は実施例7と同様にして光学補償フィルムF14を作製した。このとき、(W×(R+2r)×π)/Vは1.5であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF14をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例9]
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。図1の構成のスロットダイを用いて、上記実施例1のディスコティック液晶性化合物を含む塗布液を配向膜表面に塗布した。具体的には、スロットダイ13の上流側リップランド長IUPを1mm、下流側リップランド長ILOを50μmとしたスロットダイ13を用いて、ウェブ12上に塗布液14を6.8ml/m2で塗布した。塗布速度は60m/分とした。ウェブ12には配向膜を形成したセルロースアセテートフィルムT1を用い、下流側リップランド19との隙間の長さは40μmに設定した。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶性化合物の配向熟成のために、100℃の温風で30秒、さらに130℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF15を作製した。
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。図1の構成のスロットダイを用いて、上記実施例1のディスコティック液晶性化合物を含む塗布液を配向膜表面に塗布した。具体的には、スロットダイ13の上流側リップランド長IUPを1mm、下流側リップランド長ILOを50μmとしたスロットダイ13を用いて、ウェブ12上に塗布液14を6.8ml/m2で塗布した。塗布速度は60m/分とした。ウェブ12には配向膜を形成したセルロースアセテートフィルムT1を用い、下流側リップランド19との隙間の長さは40μmに設定した。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶性化合物の配向熟成のために、100℃の温風で30秒、さらに130℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF15を作製した。
光学補償フィルムF15において、ディスコティック液晶性分子の円盤面のフィルム面に対する平均傾斜角は90°であり、ディスコティック液晶がフィルム面に対して垂直に配向していることが確認できた。また、遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であり、支持体の長手方向となす角は45°であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF15をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例10]
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。図1の構成のスロットダイを用いて、上記実施例3の棒状液晶性化合物を含む塗布液を配向膜表面に塗布した。具体的には、スロットダイ13の上流側リップランド長IUPを1mm、下流側リップランド長ILOを50μmとしたスロットダイ13を用いて、ウェブ12上に塗布液14を3.4ml/m2で塗布した。塗布速度は60m/分とした。ウェブ12には配向膜を形成したセルロースアセテートフィルムT1を用い、下流側リップランド19との隙間の長さは40μmに設定した。塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶性化合物の配向熟成のために、90℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF16を作製した。
実施例1と同様にして、長尺状のセルロースアセテートフィルムT1の表面をケン化処理し、連続的に配向膜を形成し、長手方向に対し45°の方向にラビング処理を施した。図1の構成のスロットダイを用いて、上記実施例3の棒状液晶性化合物を含む塗布液を配向膜表面に塗布した。具体的には、スロットダイ13の上流側リップランド長IUPを1mm、下流側リップランド長ILOを50μmとしたスロットダイ13を用いて、ウェブ12上に塗布液14を3.4ml/m2で塗布した。塗布速度は60m/分とした。ウェブ12には配向膜を形成したセルロースアセテートフィルムT1を用い、下流側リップランド19との隙間の長さは40μmに設定した。塗布液の溶媒の乾燥及び棒状液晶性化合物の配向熟成のために、90℃の温風で60秒間加熱した。続いて、UV照射により液晶性化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成した。続いて、光学異方性層が形成された面の反対側のセルロースアセテートフィルム表面を連続的にケン化処理し、光学補償フィルムF16を作製した。
光学補償フィルムF16において、棒状液晶性化合物の長軸のフィルム面に対する平均傾斜角は0°であり、棒状液晶性化合物がフィルム面に対して水平に配向していることが確認できた。また、遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であり、支持体の長手方向となす角は45°であった。
実施例1と同様にして、作製した光学補償フィルムF16をクロスニコルに配置した偏光板に挟んで液晶性化合物の配向欠陥を観察した。結果を表1に示す。
[実施例11]
<偏光板の作製>
ヨウ素水溶液中で連続して染色した厚さ80μmのロール状ポリビニルアルコールフィルムを搬送方向に5倍延伸し、乾燥して長尺の偏光膜を得た。この偏光膜の一方の面に、上記作製した光学補償フィルムF1の光学異方性層が形成されていない面を、もう一方に鹸化処理したセルローストリアセテートフィルム(フジタック TD80UL、富士写真フイルム(株)製)をポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続的に貼り合せて、長尺の楕円偏光板P1を作製した。
上記楕円偏光板P1の作製において、光学補償フィルムF1の代わりに、F2〜F16をそれぞれ用いた以外は同様にして、長尺の楕円偏光板P2〜P16をそれぞれ作製した。
<偏光板の作製>
ヨウ素水溶液中で連続して染色した厚さ80μmのロール状ポリビニルアルコールフィルムを搬送方向に5倍延伸し、乾燥して長尺の偏光膜を得た。この偏光膜の一方の面に、上記作製した光学補償フィルムF1の光学異方性層が形成されていない面を、もう一方に鹸化処理したセルローストリアセテートフィルム(フジタック TD80UL、富士写真フイルム(株)製)をポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続的に貼り合せて、長尺の楕円偏光板P1を作製した。
上記楕円偏光板P1の作製において、光学補償フィルムF1の代わりに、F2〜F16をそれぞれ用いた以外は同様にして、長尺の楕円偏光板P2〜P16をそれぞれ作製した。
上記実施例11の楕円偏光板P1の作製において、光学補償フィルムF1の代わりに比較例の光学補償フィルムH1〜H4をそれぞれ用いた以外は同様にして、長尺の楕円偏光板PH1〜PH4をそれぞれ作製した。
上記作製した楕円偏光板P1〜P16及びPH1〜PH4をそれぞれ鏡の上に置いて光学補償フィルムの均一性を確認した。このとき、鏡、光学補償フィルム、偏光膜、フジタックがこの順で観察者側に近くなるように置いた。光学補償フィルムの欠陥は表1と同様に観察された。
10 コータ−
11 バックアップロール
12 ウェブ
13、30 スロットダイ
14 塗布液
15、32 ポケット
16、33 スロット
17 先端リップ部
18 上流側リップランド
19 下流側リップランド
11 バックアップロール
12 ウェブ
13、30 スロットダイ
14 塗布液
15、32 ポケット
16、33 スロット
17 先端リップ部
18 上流側リップランド
19 下流側リップランド
Claims (7)
- 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、下記式(1)を満足する回転数のワイヤーバーにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法:
式(1) 0.6<(W×(R+2r)×π)/V<1.4
[W:ワイヤーバーの回転数(rpm)、R:バーの芯の直径(m)、r:ワイヤーの直径(m)、V:支持体の搬送速度(m/min)]。 - 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、その芯が前記ラビングローラーの回転軸と実質的に平行に配置されたワイヤーバーにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法。 - 少なくとも、長尺状の支持体と、該支持体上に光学異方性層とを有する長尺状の光学補償フィルムの製造方法であって、
長手方向に平行に搬送される長尺状の支持体の表面又は該支持体上に形成された層の表面を、その回転軸が長手方向と直交していないラビングローラーにより連続的にラビング処理してラビング処理面を形成する工程と、
液晶性化合物の少なくとも一種を含有する組成物を、前記ラビング処理面に、スライドコーター又はスロットダイコーターにより連続的に適用して、遅相軸の方向が長手方向と平行でも直交でもない光学異方性層を形成する工程と、を含む光学補償フィルムの製造方法。 - 前記液晶性化合物が、ディスコティック液晶性化合物であり、該ディスコティック液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、垂直配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成する請求項1〜3のいずれか1項に記載の光学補償フィルムの製造方法。
- 前記液晶性化合物が、棒状液晶性化合物であり、該棒状液晶性化合物の分子を、前記ラビング処理面上で、水平配向、ハイブリッド配向、傾斜配向及びねじれ配向のいずれかの配向状態とし、その配向状態に固定して、光学異方性層を形成する請求項1〜3のいずれか1項に記載の光学補償フィルムの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法により製造された光学補償フィルム。
- 請求項6に記載の光学補償フィルムと偏光膜とを有する偏光板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005264857A JP2007078939A (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 光学補償フィルム、その製造方法及びそれを有する偏光板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005264857A JP2007078939A (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 光学補償フィルム、その製造方法及びそれを有する偏光板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007078939A true JP2007078939A (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=37939357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005264857A Pending JP2007078939A (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 光学補償フィルム、その製造方法及びそれを有する偏光板 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007078939A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9977163B2 (en) | 2013-04-11 | 2018-05-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Orientation layer for optically anisotropic film |
-
2005
- 2005-09-13 JP JP2005264857A patent/JP2007078939A/ja active Pending
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US9977163B2 (en) | 2013-04-11 | 2018-05-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Orientation layer for optically anisotropic film |
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