JP2012106986A - スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012106986A JP2012106986A JP2011218958A JP2011218958A JP2012106986A JP 2012106986 A JP2012106986 A JP 2012106986A JP 2011218958 A JP2011218958 A JP 2011218958A JP 2011218958 A JP2011218958 A JP 2011218958A JP 2012106986 A JP2012106986 A JP 2012106986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist material
- sulfonium salt
- acid
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/01—Sulfonic acids
- C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
- C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
- C07D493/12—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains three hetero rings
- C07D493/18—Bridged systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
- C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D333/46—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings substituted on the ring sulfur atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
- C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07J—STEROIDS
- C07J33/00—Normal steroids having a sulfur-containing hetero ring spiro-condensed or not condensed with the cyclopenta(a)hydrophenanthrene skeleton
- C07J33/002—Normal steroids having a sulfur-containing hetero ring spiro-condensed or not condensed with the cyclopenta(a)hydrophenanthrene skeleton not condensed
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07J—STEROIDS
- C07J31/00—Normal steroids containing one or more sulfur atoms not belonging to a hetero ring
- C07J31/006—Normal steroids containing one or more sulfur atoms not belonging to a hetero ring not covered by C07J31/003
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
請求項1:
下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩。
(式中、R1は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。Rfは少なくとも1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜4のアルキル基を示す。)
請求項2:
式(1)において、R1が下記の基
(式中、破線は結合手を示す。)
から選択され、Rfが下記の基
(式中、破線は結合手を示す。)
から選択される請求項1記載のスルホニウム塩。
請求項3:
請求項1又は2記載のスルホニウム塩を含むことを特徴とする化学増幅レジスト材料。
請求項4:
請求項1又は2記載のスルホニウム塩を含むことを特徴とするポジ型化学増幅レジスト材料。
請求項5:
請求項3又は4記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項6:
請求項3又は4記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、水に不溶でアルカリ現像液に可溶な保護膜を塗布する工程と、当該基板と投影レンズの間に水を挿入しフォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
(式中、R1は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。Rfは炭素数1〜4のフルオロアルキル基を示す。以下、Rfを「フルオロアルキル基」と称する。)
上記式(1)で示されるスルホニウム塩のアニオンは、下記一般式(2)
(式中、R1及びR2は上記と同様である。)
で示されるが、R1のヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基として、具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。
これらの中、tert−ブチル基、アダマンチル基、4−オキソアダマンチル基等が酸拡散性や感度等を考慮した場合、好適に用いられる。
一般式(1)で示されるスルホニウム塩のアニオンは、特開2007−145797号公報や特開2008−299069号公報を参考に合成できる。
上記カチオンとアニオンのイオン交換反応はジクロロメタン、酢酸エチル、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、アセトニトリル等の有機溶剤単独又は水を併用することで行うことができる。
ここで、本発明のレジスト材料は、
(A)上記光酸発生剤(即ち、式(1)で示されるスルホニウム塩)、
(B)有機溶剤、
(C)酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化するベース樹脂、
必要により、
(D)クエンチャー、
更に必要により、
(S)水不溶又は難溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤、
更に必要により、
(E)上記光酸発生剤以外の光酸発生剤、
更に必要により、
(F)有機酸誘導体及び/又はフッ素置換アルコール、
更に必要により、
(G)重量平均分子量3,000以下の溶解阻止剤
を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト材料、
あるいは
(A)上記光酸発生剤(即ち、式(1)で示されるスルホニウム塩)、
(B)有機溶剤、
(C’)アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤によってアルカリ難溶となるベース樹脂、
(H)酸によって架橋する架橋剤、
必要により、
(D)クエンチャー、
更に必要により、
(S)水不溶又は難溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤、
更に必要により、
(E)上記光酸発生剤以外の光酸発生剤
を含有することを特徴とするネガ型化学増幅レジスト材料である。
(式中、RC01は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。RC02及びRC03はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。XAは酸不安定基を示す。YLはラクトン構造を有する置換基を示す。ZAは水素原子、炭素数1〜15のフルオロアルキル基、又は炭素数1〜15のフルオロアルコール含有置換基を示す。)
また、式(L1)において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。RL03は炭素数1〜18、好ましくは1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03のうち環形成に関与する基はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
本発明のレジスト材料における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト材料中のベース樹脂100部に対し2部以下、好ましくは1部以下である。添加量が多すぎる場合は拡散の制御が難しく、解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる。
本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えば、集積回路製造用の基板(Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜等)、あるいはマスク回路製造用の基板(Cr,CrO,CrON,MoSi等)にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05〜2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜140℃、1〜5分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を露光量1〜200mJ/cm2、好ましくは10〜100mJ/cm2となるように照射する。あるいは、パターン形成のためのマスクを介さずに電子線を直接描画する。露光は通常の露光法の他、場合によってはマスクとレジスト膜の間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。その場合には水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60〜150℃、1〜5分間、好ましくは80〜140℃、1〜3分間ポストエクスポージャーベーク(PEB)する。更に、0.1〜5質量%、好ましくは2〜3質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、浸漬(dip)法、パドル(puddle)法、スプレー(spray)法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも250〜190nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。また、上記範囲が上限又は下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。
後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール残基を有する高分子化合物をベースポリマーとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶剤に溶解させた材料が好ましい。
上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8〜12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤に溶解させた材料とすることもできる。
また、パターン形成方法の手段として、フォトレジスト膜形成後に、純水リンス(ポストソーク)を行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンス(ポストソーク)を行ってもよい。
本発明のスルホニウム塩を以下に示す方法で合成した。
[合成例1−1]ベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−1−スルホネートの合成
特開2007−304490号公報記載の方法に準じて、ベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−(ピバロイルオキシ)プロパン−1−スルホネートを合成した。次いで特開2007−145804号公報記載の方法に準じてピバロイル基の加水分解(加溶剤分解)を行い、目的の中間体、ベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−1−スルホネートを白色結晶として得た。
[合成例1−1]で合成したベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−1−スルホネートと1−アダマンタンカルボン酸クロリドを用いて、特開2008−106045号公報記載の方法に準じて目的のベンジルトリメチルアンモニウム=2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネートを白色結晶として得た。
窒素雰囲気下、1−ナフトール34g、p−トルエンスルホン酸=2,2,2−トリフルオロエチル40g、炭酸カリウム33g、ジメチルスルホキシド80gの懸濁溶液を100℃で12時間加熱撹拌を行った。冷却後に水100gとトルエン200gを加えて有機層を分取し、5質量%水酸化ナトリウム水溶液100gで5回洗浄した。次いで水100gで4回洗浄した後に有機層を濃縮し、油状物36gを得た。これを減圧蒸留し(75℃/13Pa)、目的物を28g得た(収率76%)。
[合成例1−3]で合成した1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ナフタレン3g(0.0127モル)をアルドリッチ社製Eaton’s試薬(五酸化二燐−メタンスルホン酸溶液)6gに分散させ、テトラメチレンスルホキシド2.6g(0.0253モル)を滴下混合した。室温で一晩熟成を行い、水30gとジイソプロピルエーテル30gを加えて水層を分取した。水層を再度ジイソプロピルエーテル30gで洗浄し、この水溶液に[合成例1−2]で合成したベンジルトリメチルアンモニウム=2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート5.5g(0.0101モル)を混合し、ジクロロメタン50gを用いて2回抽出を行った。有機層を水洗し、溶剤を減圧留去した後にシリカゲルカラムクロマト(溶出液:ジクロロメタン−メタノール)にて精製を行った。次いでメチルイソブチルケトンに溶解し、水洗を行った後に溶剤除去、減圧乾燥を行い、イソプロピルエーテルを加えて結晶化させ、濾過、乾燥して目的物を得た(白色結晶5.6g、収率78%)。
IR(D−ATR):ν=2914、2858、1758、1747、1595、1574、1512、1466、1456、1433、1376、1334、1317、1273、1263、1241、1213、1182、1163、1102、1090、1078、1051、1036、1018、991、974、916、861、842、814、755、672、643、617、582cm-1。
1H−NMR(300MHz in DMSO−d6):δ=1.60−2.00(15H、m)、2.25−2.43(4H、m)、3.75−3.90(2H、m)、3.95−4.15(2H、m)、5.17(2H、q)、5.93(1H、m)、7.36(1H、m)、7.81(1H、m)、7.91(1H、m)、8.17(1H、m)、8.30(1H、m)、8.37(1H、m)ppm。
[合成例1−3]で合成した1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ナフタレン2.4g(0.0107モル)をアルドリッチ社製Eaton’s試薬(五酸化二燐−メタンスルホン酸溶液)6gに分散させ、テトラメチレンスルホキシド2.2g(0.0214モル)を滴下混合した。室温で一晩熟成を行い、水30gとジイソプロピルエーテル30gを加えて水層を分取した。水層を再度ジイソプロピルエーテル30gで洗浄し、この水溶液に特開2008−106045号公報に記載の方法に準じて合成したトリエチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−(4−オキソアダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1−プロパンスルホネート水溶液(0.0086モル相当)を混合し、ジクロロメタン50gを用いて2回抽出を行った。有機層を水洗し、溶剤を減圧留去、乾燥して目的物を得た(不定形固体5.2g、収率84%)。
IR(D−ATR):ν=2939、2865、1758、1723、1622、1593、1572、1510、1456、1435、1376、1333、1265、1247、1219、1164、1101、1090、1034、992、973、918、908、881、860、837、765、735、714、694、672、661、642、616、573cm-1。
1H−NMR(300MHz in DMSO−d6):δ=1.75−2.25(13H、m)、2.25−2.50(4H、m)、3.75−3.90(2H、m)、4.00−4.15(2H、m)、5.17(2H、q)、5.94(1H、m)、7.37(1H、m)、7.81(1H、m)、7.92(1H、m)、8.17(1H、m)、8.30(1H、m)、8.37(1H、m)ppm。
[合成例1−3]で合成した1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ナフタレン2.4g(0.0107モル)をアルドリッチ社製Eaton’s試薬(五酸化二燐−メタンスルホン酸溶液)6gに分散させ、テトラメチレンスルホキシド2.2g(0.0214モル)を滴下混合した。室温で一晩熟成を行い、水30gとジイソプロピルエーテル30gを加えて水層を分取した。水層を再度ジイソプロピルエーテル30gで洗浄し、この水溶液に特開2007−145797号公報に記載の方法に準じて合成した2−ベンゾイルオキシ−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパンスルホン酸ナトリウム3.4g(0.0095モル)を混合し、ジクロロメタン50gを用いて2回抽出を行った。有機層を水洗し、溶剤を減圧留去後、イソプロピルエーテルを加えて結晶化させ、濾過、乾燥して目的物を得た(白色結晶5.3g、収率87%)。
IR(D−ATR):ν=1748、1622、1593、1574、1514、1469、1456、1445、1434、1384、1336、1323、1290、1272、1256、1245、1223、1193、1164、1112、1074、1044、1020、991、976、949、904、885、862、843、809、776、765、752、716、695、673、658、642、607、576、552cm-1。
1H−NMR(300MHz in DMSO−d6):δ=2.25−2.45(4H、m)、3.70−3.90(2H、m)、3.95−4.20(2H、m)、5.16(2H、q)、6.18(1H、m)、7.36(1H、m)、7.57(2H、m)、7.72(1H、m)、7.81(1H、m)、7.91(1H、m)、8.01(2H、m)、8.17(1H、m)、8.30(1H、m)、8.37(1H、m)ppm。
[合成例1−1]で合成したベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ヒドロキシプロパン−1−スルホネートとデヒドロコール酸クロリドより、特開2009−80474号公報記載の方法に準じてベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−(3,7,12−トリオキソコーラノイルオキシ)−1−プロパンスルホネートを白色固体として得た。
[合成例1−3]で合成した1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ナフタレン3.4g(0.0150モル)をアルドリッチ社製Eaton’s試薬(五酸化二燐−メタンスルホン酸溶液)6gに分散させ、テトラメチレンスルホキシド3.2g(0.0300モル)を滴下混合した。室温で一晩熟成を行い、水30gとジイソプロピルエーテル30gを加えて水層を分取した。水層を再度ジイソプロピルエーテル30gで洗浄し、この水溶液に[合成例1−7]で合成したベンジルトリメチルアンモニウム=1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−(3,7,12−トリオキソコーラノイルオキシ)−1−プロパンスルホネート3.4g(0.0100モル)を混合し、ジクロロメタン50gを用いて2回抽出を行った。有機層を水洗し、溶剤を減圧留去した後にシリカゲルカラムクロマト(溶出液:ジクロロメタン−メタノール)にて精製を行った。次いでメチルイソブチルケトンに溶解し、水洗を行った後に溶剤除去、減圧乾燥を行い、イソプロピルエーテルを加えて結晶化させ、濾過、乾燥して目的物を得た(白色結晶6.2g、収率67%)。
IR(D−ATR):ν=2969、2878、1769、1712、1622、1593、1572、1510、1466、1434、1378、1334、1266、1247、1217、1168、1073、1033、1010、992、974、937、923、893、860、834、765、717、672、643、553、525、479、464、437、412cm-1。
1H−NMR(300MHz in DMSO−d6):δ=0.75(3H、d)、0.99(3H、s)、1.10−2.50(28H、m)、2.83(1H、m)、3.01(2H、m)、3.75−3.90(2H、m)、3.95−4.20(2H、m)、5.17(2H、q)、5.93(1H、m)、7.36(1H、m)、7.81(1H、m)、7.91(1H、m)、8.17(1H、m)、8.30(1H、m)、8.37(1H、m)ppm。
特開2009−7327号公報に準じて合成した2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1−ジフルオロエタン−1−スルホン酸ナトリウムを用いた以外は、上記[合成例1−4]と同様の方法により、4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム=2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1−ジフルオロエタン−1−スルホネートを得た。
本発明のレジスト材料に用いる高分子化合物を以下に示す方法で合成した。なお、下記例中における“GPC”はゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーのことであり、得られた高分子化合物の重量平均分子量(Mw)は、溶剤としてテトラヒドロフランを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算値として測定した。
窒素雰囲気としたフラスコに50.6gのメタクリル酸=1−(1−メチルエチル)シクロペンチル、23.1gのメタクリル酸=2−オキソ−4−オキサヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−6−イル、26.3gのメタクリル酸2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル、1.19gのV−601(和光純薬工業(株)製)、1.51gの2−メルカプトエタノール、175gのPMA(プロピレングリコールメチルエーテルアセテート)をとり、単量体−重合開始剤溶液を調製した。窒素雰囲気とした別のフラスコに58.3gのPMA(プロピレングリコールメチルエーテルアセテート)をとり、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体−重合開始剤溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま2時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を、激しく撹拌した1.6kgのメタノールに滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体をメタノール0.6kgで2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して83.3gの白色粉末状の共重合体を得た。共重合体を13C−NMRで分析したところ、共重合組成比は上記の単量体順で46.4/22.2/31.4モル%であった。GPCにて分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は6,100であった。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、上記[合成例2−1]と同様の手順により、下記に示した高分子化合物を製造した。
レジスト溶液の調製
上記合成例で示したスルホニウム塩と高分子化合物を使用し、下記クエンチャーを下記表1に示す組成で下記界面活性剤A(オムノバ社製)0.01質量%を含む溶剤中に溶解してレジスト材料を調合し、更にレジスト材料を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することにより、レジスト溶液をそれぞれ調製した。
P−1:polymer−1
P−2:polymer−2
P−3:polymer−3
PAG−1、PAG−2、PAG−3、PAG−4、PAG−5:上述の通り
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
GBL:γ−ブチロラクトン
amine−1:1−tert−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾール
PAG−X:
トリフェニルスルホニウム=2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート
PAG−Y:
4−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム=2−(アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート
ポリ(メタクリル酸=3,3,3−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−1,1−ジメチル−2−トリフルオロメチルプロピル・メタクリル酸=1,1,1−トリフルオロ−2−ヒドロキシ−6−メチル−2−トリフルオロメチルヘプタ−4−イル)
界面活性剤A:
3−メチル−3−(2,2,2−トリフルオロエトキシメチル)オキセタン・テトラヒドロフラン・2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール共重合物(オムノバ社製)(下記式)
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学工業(株)製、ARC−29A)を塗布し、200℃で60秒間ベークして作製した反射防止膜(100nm膜厚)基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、120nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製、NSR−S610C、NA=1.30、二重極、Crマスク)を用いて液浸露光し、80℃で60秒間ベーク(PEB)を施し、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。
ダークエリアパターン形状の評価基準は、以下のものとした。
矩形:ライン側壁が垂直であり、ボトム(基板付近)からトップまで寸法変化が少なく良好。
T−トップ:ライントップ付近で寸法が大きくなり、不適。
トップラウンディング:ライントップ付近が丸みを帯び寸法が小さくなり、不適。
また、上記Eopにおけるブライトエリアのラインアンドスペースパターンの線幅を測定してダーク・ブライト差とした。数値が小さいほどダークエリア、ブライトエリアでの寸法差が小さく良好なことを示す。
各レジスト材料の評価結果を表2に示す。
以上の通り、本発明のスルホニウム塩を用いたレジスト材料は、解像性、特にダークエリアのラインアンドスペースパターン形状に優れ、また、水への塩成分の溶出が少ない点から、液浸リソグラフィーの材料として好適である。
Claims (6)
- 請求項1又は2記載のスルホニウム塩を含むことを特徴とする化学増幅レジスト材料。
- 請求項1又は2記載のスルホニウム塩を含むことを特徴とするポジ型化学増幅レジスト材料。
- 請求項3又は4記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項3又は4記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、水に不溶でアルカリ現像液に可溶な保護膜を塗布する工程と、当該基板と投影レンズの間に水を挿入しフォトマスクを介して高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011218958A JP5768640B2 (ja) | 2010-10-25 | 2011-10-03 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010238158 | 2010-10-25 | ||
JP2010238158 | 2010-10-25 | ||
JP2011218958A JP5768640B2 (ja) | 2010-10-25 | 2011-10-03 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012106986A true JP2012106986A (ja) | 2012-06-07 |
JP5768640B2 JP5768640B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=45973298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011218958A Expired - Fee Related JP5768640B2 (ja) | 2010-10-25 | 2011-10-03 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8597869B2 (ja) |
JP (1) | JP5768640B2 (ja) |
KR (1) | KR101603359B1 (ja) |
TW (1) | TWI427056B (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012153644A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2014133725A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US9164384B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
US9366958B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generator, chemically amplified resist composition, and patterning process |
EP3088955A2 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
EP3184561A1 (en) | 2015-12-25 | 2017-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition, pattern forming process, polymer, and monomer |
EP3205640A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US9897916B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound, polymer compound, resist composition, and patterning process |
US9989847B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt compound, resist composition, and pattern forming process |
US10754248B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
US11340527B2 (en) | 2019-11-07 | 2022-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US11579526B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-02-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US12013639B2 (en) | 2020-08-13 | 2024-06-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist material and patterning process |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5754444B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2015-07-29 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物 |
JP5666408B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2015-02-12 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法 |
US9465288B2 (en) * | 2012-12-07 | 2016-10-11 | Dsp Gokyo Food & Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt compound, method for producing the same, and photoacid generator |
JP5815575B2 (ja) | 2013-01-11 | 2015-11-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP6014507B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2016-10-25 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP6846127B2 (ja) | 2016-06-28 | 2021-03-24 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6902832B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2021-07-14 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 |
JP7042551B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2022-03-28 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2021152646A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004157158A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物及び酸発生剤 |
JP2007145797A (ja) * | 2005-04-06 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009042748A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-02-26 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009080474A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3632410B2 (ja) | 1996-12-19 | 2005-03-23 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
US6187504B1 (en) | 1996-12-19 | 2001-02-13 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
JP3995575B2 (ja) | 2002-09-30 | 2007-10-24 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
CN1946751B (zh) * | 2004-04-27 | 2010-12-08 | 东京应化工业株式会社 | 用于形成液浸曝光工艺用光刻胶保护膜的材料、以及使用该保护膜的光刻胶图案形成方法 |
TWI332122B (en) | 2005-04-06 | 2010-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process |
EP1780199B1 (en) | 2005-10-31 | 2012-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
JP4905667B2 (ja) | 2005-10-31 | 2012-03-28 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
US7771913B2 (en) | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP4842844B2 (ja) | 2006-04-04 | 2011-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5054929B2 (ja) | 2006-04-27 | 2012-10-24 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP4548616B2 (ja) | 2006-05-15 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法 |
KR101035742B1 (ko) | 2006-09-28 | 2011-05-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규 광산 발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴형성 방법 |
JP5083528B2 (ja) | 2006-09-28 | 2012-11-28 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4849267B2 (ja) | 2006-10-17 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
KR101242332B1 (ko) | 2006-10-17 | 2013-03-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
CN101687781B (zh) | 2007-02-15 | 2015-08-12 | 中央硝子株式会社 | 光产酸剂用化合物以及使用它的抗蚀剂组合物、图案形成方法 |
JP2008299069A (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤を含有するレジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI438182B (zh) * | 2007-07-25 | 2014-05-21 | Sumitomo Chemical Co | 適用於酸產生劑之鹽以及含有該鹽之化學放大正型抗蝕劑組成物 |
JP4993138B2 (ja) | 2007-09-26 | 2012-08-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5071658B2 (ja) | 2008-02-14 | 2012-11-14 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
JP5131461B2 (ja) | 2008-02-14 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP4569786B2 (ja) | 2008-05-01 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4650644B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5125832B2 (ja) | 2008-07-14 | 2013-01-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5492396B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-05-14 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
TWI400226B (zh) * | 2008-10-17 | 2013-07-01 | Shinetsu Chemical Co | 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法 |
TWI424994B (zh) | 2008-10-30 | 2014-02-01 | Shinetsu Chemical Co | 具有環狀縮醛構造之含氟單體、高分子化合物、光阻保護膜材料、光阻材料、圖型之形成方法 |
JP4666190B2 (ja) | 2008-10-30 | 2011-04-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4748331B2 (ja) | 2008-12-02 | 2011-08-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2011
- 2011-09-23 US US13/243,204 patent/US8597869B2/en active Active
- 2011-10-03 JP JP2011218958A patent/JP5768640B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-05 TW TW100136056A patent/TWI427056B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-10-20 KR KR1020110107686A patent/KR101603359B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004157158A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物及び酸発生剤 |
JP2007145797A (ja) * | 2005-04-06 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009042748A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-02-26 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009080474A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012153644A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2014133725A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US9122155B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-09-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition and patterning process |
US9164384B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
US9366958B2 (en) | 2014-04-22 | 2016-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generator, chemically amplified resist composition, and patterning process |
US9989847B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt compound, resist composition, and pattern forming process |
EP3088955A2 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US9897916B2 (en) | 2015-08-05 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compound, polymer compound, resist composition, and patterning process |
EP3184561A1 (en) | 2015-12-25 | 2017-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition, pattern forming process, polymer, and monomer |
EP3205640A1 (en) | 2016-02-10 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
US10754248B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt, resist composition, and patterning process |
US11579526B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-02-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US11340527B2 (en) | 2019-11-07 | 2022-05-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US11693314B2 (en) | 2019-11-07 | 2023-07-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US12013639B2 (en) | 2020-08-13 | 2024-06-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist material and patterning process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120100486A1 (en) | 2012-04-26 |
TW201219362A (en) | 2012-05-16 |
US8597869B2 (en) | 2013-12-03 |
TWI427056B (zh) | 2014-02-21 |
JP5768640B2 (ja) | 2015-08-26 |
KR101603359B1 (ko) | 2016-03-14 |
KR20120042670A (ko) | 2012-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5768640B2 (ja) | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5246220B2 (ja) | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
KR101931427B1 (ko) | 신규 카르복실산오늄염, 화학 증폭 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
KR101839179B1 (ko) | 술포늄염, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 및 패턴 형성 방법 | |
JP5387181B2 (ja) | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 | |
TWI552987B (zh) | 光酸產生劑、化學增幅型光阻材料及圖案形成方法 | |
JP5491450B2 (ja) | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。 | |
KR101764443B1 (ko) | ArF 액침 노광용 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
KR101785758B1 (ko) | 술포늄염, 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
JP5561184B2 (ja) | スルホニウム塩 | |
KR101695054B1 (ko) | 술포늄염, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
JP5678864B2 (ja) | ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5609815B2 (ja) | ポジ型化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5699943B2 (ja) | パターン形成方法及びレジスト材料 | |
KR20180025272A (ko) | 술포늄 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP5790631B2 (ja) | スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法、並びに該高分子化合物の製造方法 | |
KR101747483B1 (ko) | 술포늄염, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5768640 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |