JP2012097328A - 薄膜製造方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。
【選択図】図2
Description
(2) 好ましくは、該イオン輸送路は、屈曲または湾曲した管で構成されている。
(3) また、好ましくは該イオン輸送路に磁界発生手段が取り付けられており、該プラズマ室から該成膜室に至る磁束が形成される。
(4) さらに、好ましくは該磁界発生手段が、該イオン輸送路を構成する管の断面を囲むように該管の外側あるいは内側に配置された電磁コイルまたは磁石である。
(5) さらに、好ましくは該分岐管は、該プラズマ室からイオンを抽出する方向と直線的に配置されている。
(6) また、好ましくは該装置が、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを1つ有し、該イオン輸送路が該成膜室の1つの面に接続され、被成膜基板の片面に薄膜を成膜する。
(7) あるいは、好ましくは該装置が、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを2つ有し、該イオン輸送路のそれぞれが該成膜室の対向する面に接続され、被成膜基板の両面に薄膜を成膜する。
(8) そしてこの時、好ましくは該イオン輸送路のそれぞれに同一方向の磁束が形成される。
(9) あるいは、好ましくは該イオン輸送路のそれぞれに逆方向の磁束が形成される。
(10) また、好ましくは該プラズマが1010/cm3以上の密度を有する。
(11) また、好ましくは1回あるいは複数回の成膜毎に、酸素、窒素酸化物、アルゴンまたはヘリウムからなる群から選択されるガスのプラズマを発生させ、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管および該成膜室の堆積物および塵埃を除去する。
(12) あるいは、原料ガスからプラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有することを特徴とする薄膜製造装置である。
(13) このとき、好ましくは該イオン輸送路は、屈曲または湾曲した管によって構成されている。
(14) また、好ましくは該イオン輸送路に、該プラズマ室から該成膜室に至る磁束を発生させるための磁界発生手段が取り付けられている。
(15) また、好ましくは該磁界発生手段が、該イオン輸送路を構成する管の断面を囲むように該管の外側あるいは内側に電磁コイルまたは磁石である。
(16) また、好ましくは該分岐路は、該プラズマ室からイオンを抽出する方向と直線的に配置されている。
(17) この時、好ましくは該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを1つ有し、該イオン輸送路が該成膜室の1つの面に接続され、被成膜基板の片面に薄膜を成膜する。
(18) あるいは、好ましくは該装置が、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを2つ有し、該イオン輸送路のそれぞれが該成膜室の対向する面に接続され、被成膜基板の両面に薄膜を成膜する。
11 プラズマ
111 イオン粒子
112、1121 ラジカル粒子
2 成膜室
3、3a、3b イオン輸送路
31 フィン
4、4a、4b 磁束
41、41a、41b、42、42a、42b、43、43a、43b、44、44a、44b 電磁コイル
5 被成膜基板
6 電極
7、7a、7b 分岐管
G、G1、G2 原料ガス
P、P1、P2 排気ポンプ(排気系統)
Claims (18)
- 原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法であって、該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施され、該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成することを特徴とする薄膜製造方法。
- 該イオン輸送路は、屈曲または湾曲した管で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 該イオン輸送路に磁界発生手段が取り付けられており、該プラズマ室から該成膜室に至る磁束が形成されることを特徴とする請求項2に記載の薄膜製造方法。
- 該磁界発生手段が、該イオン輸送路を構成する管の断面を囲むように該管の外側あるいは内側に配置された電磁コイルまたは磁石であることを特徴とする請求項3に記載の薄膜製造方法。
- 該分岐管は、該プラズマ室からイオンを抽出する方向と直線的に配置されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 該装置が、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを1つ有し、該イオン輸送路が該成膜室の1つの面に接続され、被成膜基板の片面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 該装置が、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを2つ有し、該イオン輸送路のそれぞれが該成膜室の対向する面に接続され、被成膜基板の両面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 該イオン輸送路のそれぞれに同一方向の磁束が形成されることを特徴とする請求項7に記載の薄膜製造方法。
- 該イオン輸送路のそれぞれに逆方向の磁束が形成されることを特徴とする請求項7に記載の薄膜製造方法。
- 該プラズマが1010/cm3以上の密度を有することを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 1回あるいは複数回の成膜毎に、酸素、窒素酸化物、アルゴンまたはヘリウムからなる群から選択されるガスのプラズマを発生させ、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管および該成膜室の堆積物および塵埃を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の薄膜製造方法。
- 原料ガスからプラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有することを特徴とする薄膜製造装置。
- 該イオン輸送路は、屈曲または湾曲した管で構成されていることを特徴とする請求項12に記載の薄膜製造装置。
- 該イオン輸送路に、該プラズマ室から該成膜室に至る磁束を発生させるための磁界発生手段が取り付けられていることを特徴とする請求項13に記載の薄膜製造装置。
- 該磁界発生手段が、該イオン輸送路を構成する管の断面を囲むように該管の外側または内側に配置された電磁コイルまたは磁石であることを特徴とする請求項14に記載の薄膜製造装置。
- 該分岐路は、該プラズマ室からイオンを抽出する方向と直線的に配置されていることを特徴とする請求項12から15のいずれかに記載の薄膜製造装置。
- 該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを1つ有し、該イオン輸送路が該成膜室の1つの面に接続され、被成膜基板の片面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項12から16のいずれかに記載の薄膜製造装置。
- 該装置が、該プラズマ室、該イオン輸送路、該分岐管の組み合わせを2つ有し、該イオン輸送路のそれぞれが該成膜室の対向する面に接続され、被成膜基板の両面に薄膜を成膜することを特徴とする請求項12から16のいずれかに記載の薄膜製造装置。
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