CN102428515B - 碳膜的形成方法、磁记录介质的制造方法和碳膜的形成装置 - Google Patents

碳膜的形成方法、磁记录介质的制造方法和碳膜的形成装置 Download PDF

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Abstract

一种碳膜的形成方法，其特征在于，具有：在具备灯丝状的阴极电极、设置在所述阴极电极的周围的阳极电极和配置在与所述阴极电极离间的位置的基板保持器的成膜室内，在基板保持器上配置具有中央开口部的圆盘状的基板，使该基板的一面与所述阴极电极对向，并且，与所述阴极电极和所述基板离间地配置具有所述中央开口部的口径以上的直径和所述直径以上的高度的圆柱状构件，使该圆柱状构件的中心轴与所述基板的中心轴同轴，并且使其一个圆形面朝向所述阴极电极，使另一个圆形面平行于所述基板的一面的工序；以及，在将所述成膜室内排气后，从所述阴极电极侧朝向所述基板侧流通碳离子，在所述基板的一面形成碳膜的工序。

Description

碳膜的形成方法、磁记录介质的制造方法和碳膜的形成装置
技术领域
本发明涉及碳膜的形成方法、磁记录介质的制造方法和碳膜的形成装置。
本申请基于在2009年5月22日在日本申请的专利申请2009-124515号要求优先仅，将上述申请的内容援引到本申请中。
背景技术
近年，在硬盘驱动器(HDD)等所使用的磁记录介质的领域，记录密度的提高显著。上述记录密度以惊奇的速度继续增长，在最近10年间已达到100倍左右。
支撑上述记录密度提高的技术涉及多方面，作为关键技术的一种可举出磁头与磁记录介质之间的滑动特性的控制技术。
上述滑动特性的控制技术的一种有称作温切斯特式的技术。温切斯特式是使从磁头起动到停止的基本动成为相对于磁记录介质进行接触滑动-浮起-接触滑动的CSS(接触起动停止(Contact Start Stop))方式的方式，已成为硬盘驱动器的主流。该技术不能避免磁记录介质上的磁头的接触滑动。
因此，直到现在，在该技术中，在磁头与磁记录介质之间的摩擦学(tribology：解决摩擦、磨损和润滑的机理等的学问领域)的问题成为宿命性的技术课题。
因此，在不断努力改善层叠在磁记录介质的磁性膜上的保护膜。该介质表面(保护膜表面)的耐磨损性和耐滑动性成为提高磁记录介质可靠性的大的支柱。
上述保护膜，为了谋求磁记录介质的记录密度的提高，要求在降低了磁头的飞行高度时，即使上述磁记录介质与磁头偶然地接触，也能够保护磁记录介质的磁记录层那样的高的滑动耐久性和优异的平坦性。另外，为了降低磁记录介质与磁头的空号损耗，要求尽量减薄上述保护膜的厚度，例如成为以下的膜厚。这样，对于上述保护膜，平滑性不用说，也强烈要求薄、致密且强韧。
作为上述保护膜的材料，曾提出了各种各样的材料，但从成膜性和耐久性等的综合性的观点考虑，主要采用由碳构成的膜(以下，称为碳膜)。再者，上述碳膜的硬度、密度和动摩擦系数等的特性，也在磁记录介质的CSS特性或耐腐蚀特性上如实地反映。
上述碳膜采用溅射法、CVD法和离子束蒸镀法等形成。然而，采用溅射法形成的碳膜，例如，在为以下的膜厚的场合，存在其耐久性不充分的可能性。另外，采用CVD法形成的碳膜，在表面的平滑性低、减薄了膜厚的场合，存在磁记录介质的表面的被覆率降低、发生磁记录介质腐蚀的可能性。
另一方面，采用离子束蒸镀法形成的碳膜，与采用溅射法、CVD法形成的碳膜相比，能够形成为更高硬度、平滑性更高、更致密的膜。专利文献1公开了采用离子束蒸镀法的碳膜形成方法的一例。
专利文献1是涉及CVD装置和磁记录介质的制造方法的文献，公开了采用热灯丝(hot filament)和等离子CVD装置的离子束蒸镀法。
如专利文献1所记载，在离子束蒸镀法中，在真空气氛下的成膜室内，通过通电加热了的灯丝状阴极和阳极之间的放电，使烃系的原料气成为等离子体状态，通过激励分解上述原料气而发生的碳离子和碳自由基，被加速冲撞到与上述阴极对置地配置的负电位的基板的成膜面，其结果，稳定地成膜出硬度高的碳膜。
作为上述基板，通常使用中央具有圆形的开口部的圆盘状的基板。然而，采用专利文献1所述的离子束蒸镀法在上述基板上成膜出碳膜的场合，上述开口部的边缘部分的碳膜的膜厚，与除此之外的部分相比存在变厚的倾向。作为该倾向的原因之一，认为在上述开口部的边缘的部分，含有碳离子的等离子体集中照射从而碳离子浓度提高，并且上述开口部的边缘部分的温度比除此以外的部分高，碳膜的生长速度提高。
为了防止不均匀的厚度的发生，专利文献1记载了在基板的成膜面侧配置用于修正膜厚的膜厚修正板的构成。具体地，在基板的开口部成膜面侧设置硬币状遮蔽板(膜厚修正板)。由此，降低基板的开口部附近的等离子体密度和碳离子浓度，降低基板的开口部的边缘部分的碳膜的生长速度，谋求碳膜的平坦化和平滑化。
然而，即使配置专利文献1所述的膜厚修正板，碳膜的平坦化和平滑化也不充分。即，参与碳膜形成的碳离子，不仅包含从垂直于基板的成膜面的方向到达基板的成膜面的飞行成分，而且也包含从除此以外的方向飞行到达基板的成膜面的飞行成分。因此，即使配置了上述硬币状的遮蔽板，但要遮蔽的碳离子的一部分的飞行成分绕过上述硬币状的遮蔽板而在基板上形成碳膜。增厚了开口部的边缘部分的碳膜的膜厚。
这样，开口部的边缘部分的碳膜的膜厚比除此以外部分厚时，碳膜的平坦性和平滑性丧失。其结果，难以降低磁记录介质与磁头的距离，发生不能够提高磁记录介质的记录密度的问题。
当为了防止碳离子的绕入，增大上述硬币状的遮蔽板的直径时，失活的碳自由基到达基板的开口部的边缘部分形成了硬度低的碳膜。硬度低的碳膜不能够充分发挥作为磁记录介质的保护膜的功能，从开口部的边缘部分发生磁性层的腐蚀，磁记录介质的可靠性降低。
专利文献1：日本特开2000-226659号公报
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成，其目的在于提供能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜的碳膜的形成方法、碳膜的形成装置和记录密度高的磁记录介质的制造方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下的构成。即：
(1)一种碳膜的形成方法，其特征在于，具有：在具备灯丝状的阴极电极、设置在上述阴极电极的周围的阳极电极和配置在与上述阴极电极离间(间隔)的位置上的基板保持器(holder)的成膜室内，在基板保持器上配置具有中央开口部的圆盘状的基板，使该基板的一面与上述阴极电极对向，并且，与上述阴极电极和上述基板离间地配置具有上述中央开口部的口径以上的直径和上述直径以上的高度的圆柱状构件，使该圆柱状构件的中心轴与上述基板的中心轴同轴，并且使其一个圆形面朝向上述阴极电极，使另一个圆形面平行于上述基板的上述一面的工序；和
在将上述成膜室内排气后，从上述阴极电极侧向上述基板侧流通碳离子，在上述基板的一面形成碳膜的工序。
(2)根据(1)所述的碳膜的形成方法，其特征在于，上述基板的中央开口部是圆形，上述圆柱状构件的直径为上述基板的中央开口部的口径的1倍以上且小于1.5倍。
(3)根据(1)或(2)所述的碳膜的形成方法，其特征在于，上述圆柱状构件的高度为上述圆柱状构件的直径的3倍以上、6倍以内。
(4)根据(1)～(3)的任一项所述的碳膜的形成方法，其特征在于，上述圆柱状构件与上述基板之间的离间距离为5mm以上、40mm以下。
(5)根据(1)～(4)的任一项所述的碳膜的形成方法，其特征在于，使上述圆柱状构件处于非接地电位而配置。
(6)根据(1)～(5)的任一项所述的碳膜的形成方法，其特征在于，在由上述阴极电极加热导入到上述成膜室内的含有碳的原料气的同时，在上述阴极电极与上述阳极电极之间放电，形成上述碳离子。
(7)根据(1)～(6)的任一项所述的碳膜的形成方法，其特征在于，在上述阴极电极与上述基板之间或上述阳极电极与上述基板之间施加电压，将上述碳离子从上述阴极电极侧向上述基板侧加速。
(8)根据(1)～(8)的任一项所述的碳膜的形成方法，其特征在于，包围上述阳极电极而配置永久磁铁。
(9)一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，具有：在非磁性基板的至少一面形成磁性层的工序；和采用(1)～(8)的任一项所述的碳膜的形成方法在上述磁性层上形成碳膜的工序。
(10)一种碳膜的形成装置，其特征在于，具有：能够减压的成膜室；配置在上述成膜室内的灯丝状的阴极电极；配置在上述阴极电极的周围的阳极电极；配置在与上述阴极电极离间的位置上的基板保持器；配置在上述基板保持器与上述阴极电极之间的圆柱状构件；通过通电来加热上述阴极电极的第1电源；在上述阴极电极与上述阳极电极之间产生放电的第2电源；和对上述阴极电极与上述基板保持器之间或上述阳极电极与上述基板保持器之间给予电位差的第3电源。
(11)根据(10)所述的碳膜的形成装置，其中，上述基板的中央开口部为圆形，上述圆柱状构件的直径为上述基板的中央开口部的口径的1倍以上且小于1.5倍，上述圆柱状构件的高度为上述圆柱状构件的直径的3倍以上、6倍以内，上述圆柱状构件与上述基板之间的离间距离为5mm以上、40mm以下，使上述圆柱状构件处于非接地电位而配置。
根据上述的构成，能够提供可以形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜的碳膜形成方法、碳膜的形成装置和记录密度高的磁记录介质的制造方法。
本发明的碳膜的形成方法为下述方案：将具有中央开口部的圆盘状的基板，使其一面与阴极电极对向而配置后，将具有上述中央开口部的口径以上的直径和上述直径以上的高度的圆柱状构件离间地配置，使该圆柱状构件的中心轴与上述基板的中心轴同轴，并且，使其一个圆形面朝向上述阴极电极，使另一个圆形面平行于上述基板的一面。因此，能够将离子束或等离子体本身进行整流，提高在垂直于基板的一面的方向飞行的碳离子浓度以及等离子体密度，抑制碳离子的绕入，可以形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。另外，通过抑制离子束以及等离子体向基板的中央开口部的集中，防止基板的中央开口部的边缘部分的温度上升，能够降低基板的中央开口部的边缘部分的碳膜生长速度，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
本发明的磁记录介质制的造方法，是具有采用先前所述的碳膜的形成方法在磁性层上形成碳膜的工序的方案。因此，能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜作为保护膜，通过减薄上述保护膜的膜厚、降低磁头的浮起高度，能够制造记录密度高的磁记录介质。
本发明的碳膜的形成装置，是具有配置在基板保持器与阴极电极之间的圆柱状构件的构成。因此，能够将离子束或等离子体本身进行整流，提高在垂直于基板的一面的方向飞行的碳离子浓度以及等离子体密度，能够抑制碳离子的绕入，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。另外，通过抑制离子束和等离子体向基板的中央开口部的集中、防止基板的中央开口部的边缘部分的温度上升，能够降低基板的中央开口部的边缘部分的碳膜的生长速度，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
附图说明
图1是表示本发明的碳膜的形成装置的一例的概略模式图。
图2A是表示在本发明的碳膜的形成装置中，永久磁铁施加的磁场及其磁力线的方向的一例的模式图。
图2B是表示在本发明的碳膜的形成装置中，永久磁铁施加的磁场及其磁力线的方向的一例的模式图。
图2C是表示在本发明的碳膜的形成装置中，永久磁铁施加的磁场及其磁力线的方向的一例的模式图。
图3是表示采用本发明的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质的一例的剖面图。
图4是表示采用本发明的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质的另一例的剖面图。
图5是表示具有采用本发明的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置的一例的剖面图。
图6是在线式成膜装置的托架(carrier)的放大图。
图7是表示在本发明的磁记录介质的制造方法中使用的在线式成膜装置的一例的平面图。
图8是表示在本发明的磁记录介质的制造方法中使用的在线式成膜装置的托架的一例的侧面图。
图9是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图10是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图11是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图12是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图13是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图14是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图15是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图16是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
图17是表示图4所示的磁记录介质的制造方法的一例的工序剖面图。
具体实施方式
<<碳膜的形成装置>>
以下，对用于实施本发明的优选方式进行说明。再者，本发明并不只限定于这些例子。在不脱离本发明的要旨的范围内，可以对材料、数量、位置、大小、长度、数值等进行变更、追加、省略。在以下的说明中使用的附图，为了容易理解特征有时为方便起见放大地表示成为特征的部分，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
图1是表示作为本发明的实施方式的碳膜的形成装置的概略模式图。
如图1所示，作为本发明的实施方式的碳膜的形成装置(成膜装置)121，是采用离子束蒸镀法的成膜装置，备有：能够减压的成膜室101、备于成膜室101内的灯丝状的阴极电极104、设置于阴极电极104的周围的阳极电极105、配置在与阴极电极104离间的位置上的基板保持器102、连接在成膜室101的壁面的第1导入管(以下，称为原料气导入管)103、排气管110。再者，在本发明中所谓设置在阴极电极的周围的阳极电极，意指在位于中心的阴极电极的周围离间地配置，只要是在阴极电极与阳极电极之间产生放电的构成即可。能够任意地选择数量、大小、各类和位置等的条件。例如，优选的阴极电极的条件，是圆筒状、使用平行平板的口字、多角形状、以挖空内部的半球使开口部朝向基板侧的形状、或者以挖空内部的圆锥使底部朝向基板侧的形状等。另外，在本发明中所谓灯丝状的阴极电极，可以使用一般作为灯丝电极熟知的电极，例如可举出螺旋状、直线状、在平面上蛇行蜿蜒的形状等。
另外，基板D被基板保持器102支撑，使得基板D的一面(成膜面)131a与阴极电极104对向。此外，离间地配置圆柱状的遮蔽物(以下，称为圆柱状构件)133，使得其一个圆形面133a朝向阴极电极104，另一个圆形面平行于基板D的一面131a。
<成膜室101>
成膜室101由室壁101a气密地构成。另外，在成膜室101上连接着排气管110，通过与排气管110连接的真空泵(图示略)能够将内部进行减压排气。
<第1～第3电源>
在成膜室101的外部配置有通过通电加热阴极电极104的第1电源106、使阴极电极104与阳极电极105之间产生放电的第2电源107、在阴极电极104或阳极电极105、与基板D之间施加电压给予电位差的第3电源108。
第1电源106是与阴极电极104连接的交流电源，在碳膜的成膜时能够对阴极电极104供给电力。再者，第1电源106不限定于交流电源，也可以使用直流电源。
第2电源107，是负电极侧与阴极电极104连接，正电极侧与阳极电极105连接的直流电源，在碳膜的成膜时能够使阴极电极104与阳极电极105之间产生放电。
第3电源108，是正电极侧与阳极电极105连接、负电极侧与保持器102连接的直流电源，在碳膜的成膜时对阳极电极105与被保持器102保持的基板D之间给予电位差。再者，第3电源108也可以为正电极侧与阳极电极104连接的构成。
再者，操作第1电源106～第3电源108施加的电压没有特别的限定，优选根据基板D的尺寸适当设定。
例如，在基板D是圆盘状，其尺寸为外径3.5英寸的场合，第1电源106优选将其电压设为10～100V的范围，将电流按直流或交流设定在5～50A的范围。另外，第2电源107，优选将其电压设为50～300V的范围，将电流设定在10～5000mA的范围。此外，第3电源108，优选将其电压设为30～500V的范围，将电流设定在10～200mA的范围。
<原料气>
从原料气导入管103向成膜室101内导入含有碳的气体(以下，称为原料气)G。
作为原料气G，可举出含有烃的气体。原料气G也可以只由烃构成。根据需要，烃也可以是含有其他的元素、例如氮、氟等的烃。作为上述烃，优选使用低级饱和烃、低级不饱和烃或低级环式烃中的任1种或2种以上的低级烃。再者，所谓在此所说的低级，意指碳原子数为1～10的情况。
在上述烃的碳原子数超过10的场合，除了难以从气体导入管103供给原料气G以外，在放电时还难以进行含于原料气G中的烃的分解。虽然在基板上形成了碳膜，但成为强度差的含有大量高分子成分的膜。
作为低级饱和烃，可举出甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和辛烷等。另外，作为低级不饱和烃，可举出异戊二烯、乙烯、丙烯、丁烯和丁二烯等。另外，作为低级环式烃，可举出苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、萘、环己烷和环己二烯等。
进而，原料气G优选使用其中含有Ar、He、H2、N2和O2等的惰性气体和氢气等的混合气等。另外，该混合气中的烃与惰性气体等的混合比例，优选使烃∶惰性气体为2∶1～1∶100(体积比)的范围，更优选为1.5∶1～1∶75(体积比)，最优选为1∶1～1∶50(体积比)的范围。由此，能够诱发成膜室101内的等离子体的发生，能够形成高硬度的耐久性高的碳膜。
<永久磁铁>
优选在成膜室101的外部，以包围阳极电极105的方式备有圆筒状的永久磁铁109。永久磁铁109，优选以包围将原料气G离子化，并将上述离子化了的气体(以下，称为离子束)加速的区域(以下、称为激励空间)的至少一部分的方式进行配置。由此，在阴极电极104、与阳极电极105或基板D之间施加磁场，能够提高向基板D的一面131a加速照射的碳离子的离子密度。永久磁铁的数量、尺寸、磁力、形状和位置等的条件可以任意地选择。在将离子的加速区域的磁场分布均匀化方面，优选：永久磁铁相对于连接阳极电极与基板的轴旋转对称形地配置多个。
<基板>
作为基板D，使用在中央具有圆形的开口部(以下，称为中央开口部)131c的圆盘状的基板。如图1所示，中央开口部131c的直径为d2。
再者，作为磁记录介质用的基板，可以任意选择优选的基板，可例举外径0.85英寸的基板(外径21.6mm、中央开口部口径6mm)、外径1.9英寸的基板(外径48mm、中央开口部口径12mm)、外径2.5英寸的基板(外径65mm、中央开口部口径20mm)、外径3.5英寸的基板(外径95mm、中央开口部口径25mm)等。
<圆柱状构件>
圆柱状构件133是其直径d1比基板D的中央开口部131c的直径d2大，圆柱状构件133的高度I比圆柱状构件133的直径d1大的圆柱状的构件。
圆柱状构件133以其一个圆形面133a朝向阴极电极104的方式配置在基板D与阴极电极104之间。另外，圆柱状构件133的另一个圆形面133b，与基板D的一面131a平行地进行配置，并且与基板D的一面131a离间。此外，圆柱状构件133的中心轴C2，配置成与基板D的中心轴C1同轴。
圆柱状构件133的直径d1，优选为基板D的中央开口部131c的直径d2的1倍以上且小于1.5倍。
通过使圆柱状构件133的直径d1为基板D的中央开口部131c的直径d2的1倍以上且小于1.5倍，能够以只遮蔽基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的方式配置圆柱状构件133，能够将基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳膜的膜厚更平坦化和平滑化。
在圆柱状构件133的直径d1小于基板D的中央开口部131c的直径d2的1倍的场合，没有圆柱状构件133的遮蔽效果，成膜于基板D的中央开口部131c的边缘部分131d上的碳膜的平坦性和平滑性降低。
反之，在圆柱状构件133的直径d1超过基板D的中央开口部131c的直径d2的1.5倍的场合，圆柱状构件133的遮蔽效果变得过大，在基板D的中央开口部131c的边缘部分131d上不析出碳膜或者形成过薄的碳膜部分。
圆柱状构件133的高度I，优选为圆柱状构件133的直径d1的3倍以上、6倍以内。更优选为3.5倍以上、5倍以内。
通过使圆柱状构件133的高度I为圆柱状构件133的直径d1的3倍以上、6倍以内，能够更显著地呈现整流离子束和等离子体的效果。由此能够进一步防止离子束和等离子体向基板D的中央开口部131c的集中，并且进一步提高在垂直于基板D的一面131a的方向飞行的碳离子浓度、等离子体密度，能够形成平坦性和平滑性更高、高硬度且致密的碳膜。
在圆柱状构件133的高度I小于圆柱状构件133的直径d1的3倍的场合，在与基板D的一面131a垂直的方向飞行的飞行成分以外的碳离子变多，由于碳离子的绕入，碳膜的膜厚在基板D的中央开口部131c的周边变厚。
反之，在圆柱状构件133的高度I超过圆柱状构件133的直径d1的6倍的场合，离子束和等离子体的整流变得过度。其结果，在圆柱状构件133的周围流过的离子束和等离子体密度降低，在作为等离子体空间的激励空间R中的碳离子的激励力降低，使形成于基板D的一面131a上的碳膜的硬度降低。
圆柱状构件133与基板D之间的离间距离d3，优选为5mm以上、40mm以下。其中，更优选为20mm以下。
通过使圆柱状构件133与基板D之间的离间距离d3为5mm以上、40mm以下，能够使基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳膜的膜厚平坦化和平滑化，并且能够形成高硬度且致密的碳膜。
在圆柱状构件133与基板D之间的离间距离d3小于5mm的场合，通过圆柱状构件133到达基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳自由基失活，在基板D的中央开口部131c的边缘部分131d析出的碳膜的硬度降低。
反之，在圆柱状构件133与基板D之间的离间距离d3超过40mm的场合，圆柱状构件133的遮蔽效果降低，在基板D的中央开口部131c的边缘部分131d上形成的碳膜的平坦性和平滑性降低。
优选：圆柱状构件133处于非接地电位(浮动电位)而配置。通过使圆柱状构件133处于非接地电位(浮动电位)而配置，能够不阻碍碳离子的飞行，能够对基板D的一面131a垂直地照射碳离子。
再者，图1所示的碳膜的形成装置，为只在基板D的一面131a上成膜出碳膜的构成。然而，也可以准备2个与只在基板D的一面131a上成膜出碳膜的场合同样的装置，成为在成膜室101内的夹持基板的两侧配置，在基板D的两面131a、131b上成膜出碳膜的构成。
在本发明中，圆柱状构件133并不限定于本实施方式中表示的一面和多面为同形的圆的圆柱构件，也可以包括其他的柱状构件，例如也可以使用四棱柱或五棱柱等的多棱柱或圆锥台等。
在使用多棱柱或圆锥台的场合，直径d1和高度I表示最大尺寸。即，四棱柱的场合，底面的对角线的长度为d1。另外，圆锥台的场合，直径大的面的直径为d1。另外，任何的场合都使用使高度I比d1大、并且使d1比基板D的中央开口部131c的直径d2大的构件。
然而，在这些之中，最优选如前述那样的圆柱构件(圆筒构件)作为圆柱状构件133。
<<碳膜的形成方法>>
接着，对作为本发明的实施方式的碳膜的形成方法进行说明。
作为本发明的实施方式的碳膜的形成方法，是使用作为本发明的实施方式的碳膜的形成装置实施的方法，具有圆柱状构件配置工序和碳膜形成工序。再者，对与作为本发明的实施方式的碳膜的形成装置中表示的构件相同的构件，标注相同的标记进行说明。
<圆柱状构件配置工序>
首先，在备有灯丝状的阴极电极104，设置在阴极电极104的周围的阳极电极105和配置在与上述阴极电极104离间的位置上的基板保持器102的成膜室101内，在基板保持器102上设置具有中央开口部131c的圆柱盘状的基板D，使得基板D的一面131a与阴极电极104对向。
接着，在基板D与阴极电极104之间配置圆柱状构件133。此时，使圆柱状构件133的一个圆形面133a朝向阴极电极104，并且使另一个圆形面133b平行于基板D的一面131a，与基板D的一面131a离间地配置圆柱状构件133。另外，使圆柱构件133的中心轴C2与基板D的中心轴C1同轴地进行配置。
<碳膜形成工序>
首先，开动连接在排气管110上的真空泵，对成膜室101内进行减压。再者，从生产效率的观点考虑，根据需要选择减压的程度，但越是高真空度越好。
接着，从连接在成膜室101上的原料气导入管103向成膜室101内导入原料气G。
接着，由第1电源106供给电力，通电加热灯丝状的阴极电极104使其发生热等离子体。另外，操作第2电源107，使阴极电极104与阳极电极105之间放电从而发生等离子体。由此，激励分解原料气G形成碳离子。也有时在上述碳离子中含有碳自由基。通电加热的阴极电极的加热温度可任意地设定，但为了提高阴极电极上的原料气G的分解、激励力，越是高温越好。
接着，利用第3电源108对阴极电极104或阳极电极105、与基板D之间施加电压来给予电位差，使上述碳离子向负电位的基板D加速，对基板D的一面131a进行照射。上述碳离子碰撞到基板D的一面131a上形成碳膜。再者，由于上述碳离子处于被激励的高能状态，因此形成平坦和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
在基板D的一面131a侧，设置圆柱状构件133使之遮蔽中央开口部131c。由此，在圆柱状构件133的周围流过的离子束和等离子体本身被整流，防止离子束和等离子体集中在基板D的中央开口部131c上。并且，通过防止离子束和等离子体向基板D中央开口部131c的集中，使基板131的中央开口部131c的周边的等离子体密度、碳离子浓度降低，从而降低基板131的中央开口部131c的周边的碳膜的生长速度。
另外，通过防止离子束和等离子体向基板D的中央开口部131c的集中，可防止基板D的中央开口部131c的边缘部分131d(边缘部分)的温度上升，降低基板D的中央开口部131c的近缘部分131d的碳膜的生长速度，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
此外，通过对离子束和等离子体本身进行整流，提高在垂直于基板D的一面131a的方向飞行的碳离子浓度、等离子体密度，抑制因碳离子的绕入导致的硬度低的碳膜的形成，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
再者，对作为加速上述碳离子的区域的激励空间R，由永久磁铁109施加磁场。由此，能够提高向基板D的一面131a加速照射的上述碳离子的离子密度，形成平坦性和平滑性更高、更高硬度且致密的碳膜。
碳膜的膜厚优选为5nm以下，更优选为3nm以下。通过使碳膜的膜厚较薄地形成为5nm以下，磁头与磁性层的距离变短，能够提高磁记录介质的记录密度。碳膜的膜厚的下限，优选设定在满足对磁记录介质的保护能力的下限。
<永久磁铁施加的磁场及其磁力线>
图2A～2C是表示图1所示的成膜装置中备置的永久磁铁施加的磁场及其磁力线的方向的例子的模式图。
图2A表示在成膜室101的室壁101a的周围配置永久磁铁109，使得S极为基板D侧、N极为阴极电极104侧的例子。另外，图2B表示在成膜室101的室壁101a的周围配置永久磁铁109，使得S极为阴极电极104侧、N极为基板D侧的例子。此外，图2C表示在成膜室101的室壁101a的周围，配置将N极和S极的方向在内周侧和外周侧交替改换的多个永久磁铁109的例子。
在图2A～2C所示的任何一种的构成中，由永久磁铁109产生的磁力线M，在成膜室101的中央附近，与所加速照射的碳离子(以下，称为离子束)B的加速方向大致平行。因此，能够以沿着由永久磁铁109产生的磁力线M的方向的方式，即，以垂直于基板D的一面131a的方向为主的方式整流离子束B，能够减少向圆柱状构件133的背侧的绕入。
另外，离子束B的碳离子具有磁矩，因此借助于由永久磁铁109产生的磁场，集中在成膜室101内的激励空间R内的中央附近，能够提高有助于碳膜形成的离子束B的碳离子的离子密度，形成平坦性和平滑性更高、更高硬度且致密的碳膜。
<<磁记录介质的制造方法>>
首先，对磁记录介质和磁记录再生装置进行说明。
<磁记录介质>
图3是表示采用作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质的一例的剖面图。
如图3所示，磁记录介质122，在非磁性基板80的两面依次分别层叠磁性层810、保护层84和润滑膜85而构成。另外，磁性层810是从非磁性基板80侧依次层叠软磁性层81、中间层82、记录磁性层83而成。
<保护层>
保护层84形成在磁性层810上。保护层84是采用作为本发明的实施方式的碳膜的形成方法形成的高硬度且致密的碳膜。因此，即使使保护层84的膜厚薄到例如2nm左右以下，也能够确保作为保护膜的效果。
在将磁记录介质122搭载在硬盘驱动装置(HDD装置)等的场合，通过减薄保护层84的膜厚，能够较窄地设定磁记录介质122与磁头的距离。由此，能够提高磁记录介质122的记录密度。另外，保护层84是高硬度且致密的碳膜，因此能够提高磁记录介质的耐腐蚀性。
<非磁性基板>
作为非磁性基板80，可以使用以Al为主成分的例如Al-Mg合金等的Al合金基板、由通常的钠玻璃、铝硅酸盐系玻璃、结晶化玻璃、硅、钛、陶瓷、各种树脂构成的基板等，只要是非磁性基板则可以使用任意的基板。
其中，优选使用Al合金基板、结晶化玻璃等的玻璃制基板、或硅基板。另外，这些基板的平均表面粗糙度(Ra)优选为1nm以下，更优选为0.5nm以下，其中，特别优选为0.1nm以下。
<磁性层>
磁性层810可以是面内磁记录介质用的面内磁性层，也可以是垂直磁记录介质用的垂直磁性层，但为了实现更高的记录密度优选垂直磁性层。
另外，磁性层810优选由主要以Co为主成分的合金形成。例如，作为垂直磁记录介质用的磁性层810，可以利用例如层叠有软磁性层81、由Ru等构成的中间层82和记录磁性层83的磁性层，软磁性层81由软磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)以及Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等构成，记录磁性层83由70Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金构成。另外，也可以在软磁性层81与中间层82之间层叠由Pt、Pd、NiCr或NiFeCr等构成的取向控制膜。
另一方面，作为面内磁记录介质用的磁性层810，可以利用层叠有非磁性的CrMo基底层和强磁性的CoCrPtTa磁性层的层。
磁性层810的整体的厚度为3nm以上、20nm以下，优选为5nm以上、15nm以下。磁性层810只要以相应于使用的磁性合金的种类和叠层结构能够得到充分的磁头输出输入的方式形成即可。磁性层810的膜厚，为了在再生时得到一定以上的输出，需要某个程度以上的磁性层的膜厚，另一方面，通例是表示记录再生特性的各种参数随着输出的上升而劣化，因此必须设定最佳的膜厚。
<润滑膜>
作为用于润滑膜85的润滑剂，可以使用全氟醚(PFPE)等的氟系液体润滑剂和脂肪酸等的固体润滑剂等。通常以1～4nm的厚度形成润滑层85。作为润滑剂的涂布方法，只要使用浸渍法、旋转涂布法等以往公知的方法即可。
图4是表示采用作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质的另一例的剖面图。
如图4所示，磁记录介质123，在非磁性基板80的两面上依次层叠磁性层810、保护层84和润滑膜85而构成。保护层84形成在磁性层810上。另外，磁性层810是从非磁性基板80侧依次层叠软磁性层81和/或中间层82、记录磁性层83而成。此外，对于记录磁性层83而言，磁记录图案83a被非磁性区域83b分离而形成，成为所谓的分离型的磁记录介质。
上述分离型的磁记录介质，可以是每1位具有一定的规则性地配置磁记录图案83a的所谓的图案介质、磁记录图案83a配置成磁道状的介质，此外可以是磁记录图案83a包括伺服信号图案等的介质。
上述分离型的磁记录介质，是通过在记录磁性层83的表面设置掩模层后，将没有被上述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子体处理或离子照射处理等，将记录磁性层83的一部分由磁性体改性成为非磁性体，形成非磁性区域83b来制作的。
<磁记录再生装置>
图5是表示搭载了采用作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置的一例的剖面图。上述磁记录再生装置是硬盘(驱动)装置(以下，称为HDD装置)。
磁记录再生装置124，具有：采用作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质(以下、称为磁盘)96、使磁盘96旋转驱动的介质驱动部97、在磁盘96上记录再生信息的磁头98、将磁头98驱动到任意的位置的磁头驱动部99和磁记录再生信号处理系统100。磁记录再生信号处理系统100，将输入的数据处理，将(磁)记录信号送到磁头98，将来自磁头98的再生信号处理并输出数据。
<磁记录介质的制造方法>
接着，对作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法进行说明。
作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法，具有：在非磁性基板的至少一面形成磁性层的工序(磁性层形成工序)和采用先前所述的碳膜的形成方法在上述磁性层上形成碳膜的工序(碳膜形成工序)。
再者，在本实施方式中，举出使用一边在多个成膜室之间依次运送作为成膜对象的基板一边进行成膜处理的在线式成膜装置来制造搭载在HDD装置上的磁记录介质的情况为例进行说明。
首先，对于在线式成膜装置进行说明。
<在线式成膜装置>
图7是表示在作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法中使用的在线式成膜装置(磁记录介质的制造装置)的一例的平面模式图。
如图7所示，在线式成膜装置125，具有：机器人台1、载置在机器人台1上的基板盒移载机器人3、与机器人台1相邻的基板供给机器人室2、配置在基板供给机器人室2内的基板供给机器人34、与基板供给机器人室2相邻的基板安装室52、使托架25旋转的拐角室4、7、14、17、配置在各拐角室4、7、14、17之间的处理室5、6、8～13、15、16、18～21、与处理室20相邻地配置的基板拆卸室53、配置在基板安装室52与基板拆卸定53之间的灰化室3A、与基板拆卸室53相邻地配置的基板拆卸机器人室22、设置在基板拆卸机器人室22内的基板拆卸机器人49、在这些各室之间运送的多个托架25从而概略构成。另外，图中，31意指用于向基板供给机器人室2、基板拆卸机器人室22内送入、送出基板的气锁室。标记54意指基板拆卸室与处理室之间的闸阀。
各室2、52、4～21、53、3A分别与相邻的2个壁部连接，在各室2、52、4～21、53、3A的连接部设置有闸阀55～72。并且，在闸阀55～71为关闭状态时，各室内分别成为独立的密闭空间。另外，各室2、52、4～20、53、3A上，分别连接着真空泵(图示略)，通过真空泵的工作，各室内成为减压状态。
各拐角室4、7、14、17是变更托架25的移动方向的室，在内部设置有使托架25旋转并移动到下一个成膜室的机构。
各室5、6、8～13、15、16、18～20是处理室。各处理室上连接着处理用气体供给管(图示略)，在上述处理用气体供给管上设置有控制开关的阀。
通过对上述阀和泵用的闸阀55～72进行开关操作，可以控制来自处理用气体供给管的气体的供给、各处理室内的压力和气体的排出。
上述处理室之中，各室5、6、8～13、15、16是用于形成磁性层的处理室。该处理室中备有在非磁性基板的两面上成膜出包含软磁性层81、中间层和记录磁性层的磁性层的机构。在这些处理室中进行磁性层形成工序。
另外，上述处理室之中，各室18～20是用于形成保护层的处理室。在该处理室内备有具有与图1所示的成膜装置(离子束蒸镀装置)同样的构成的装置。在这些处理室中进行碳膜形成工序。
再者，也可以根据需要追加对掩模层进行图案化的处理室、实施反应性等离子处理或离子照射处理的处理室、除去掩模层的处理室等。由此，能够制造图4所示的分离型的磁记录介质。
基板盒移载机器人3，从收纳有成膜前的非磁性基板80的盒向基板供给机器人室2供给非磁性基板，并且取出在基板拆卸机器人室22中拆下的成膜后的非磁性基板(磁记录介质)。在该基板供给机器人室和基板拆卸机器人室2、22的一侧壁上设置有通往气锁室的开口和对该开口进行开关的构件51、55′。
在基板安装室52的内部，使用基板供给机器人34将成膜前的非磁性基板安装在托架25上。另一方面，在基板拆卸室53的内部，使用基板拆卸机器人49拆卸安装在托架25上的成膜后的非磁性基板(磁记录介质)。灰化室3A，进行从基板拆卸室53运送的托架25的灰化后，使托架25向基板安装室52运送。
图8是表示在线式成膜装置的托架的一例的侧面图。另外，图6是图8所示的托架的放大侧面图。
如图6和图8所示，托架25具有支撑台26和设置在支撑台26的上面的基板安装部27。
再者，在本实施方式中，是搭载了2台基板安装部27的构成，因此装在这些基板安装部27上的2枚非磁性基板，分别作为第1成膜用基板23和第2成膜用基板24表示。
基板安装部27，具有：有第1和第2成膜用基板23、24的厚度的1～数倍左右的厚度的板体28、直径比成膜用基板23、24的外周大一些的圆形状的贯通孔29、设置在贯通孔29的周围的并朝向该贯通孔29的内侧突出的多个支撑构件30，从而构成。
通过第1和第2成膜用基板23、24嵌入贯通孔29中，支撑构件30与其边缘卡合，将成膜用基板23、24保持成竖置(基板23、24的主面与重力方向平行的状态)。由此，安装在托架25上的第1和第2成膜用基板23、24以主面相对于支撑台26的上面大致正交，并且，处于大致同一面上的方式在支撑台26的上面并列配置。
如图8所示，在处理室5、6、9、19的每一个中，沿着运送方向夹着托架25而具有2个支撑台26。再者，虽然在图7中省略了，但处理室8、10～13、15、16、18、20也为同样的构成。在图中，36意指用于对处理室进行排气的真空泵，38、46意指用于对载置在托架上的左侧的基板进行处理的托架的停止位置，39、47意指用于对载置在托架上的右侧的基板进行处理的托架的停止位置。
在处理时，例如，首先，在由图8中的实线表示的第1处理位置，在托架25停止的状态下，对该托架25的左侧的第1成膜用基板23进行成膜处理等。
接着，托架25移到由图7中的虚线表示的第2处理位置，在该第2处理位置，在托架25停止的状态下，对托架25的右侧的第2成膜用基板24进行成膜处理等。
再者，在夹着托架25的两侧，具有分别与第1和第2成膜用基板23、24对向的4个处理装置的场合，不需要托架25的移动。可以对保持在托架25上的第1和第2成膜用基板23、24同时地进行成膜处理等。
成膜后，从托架25上卸下第1和第2成膜用基板23、24，只将沉积有碳膜的托架25送往灰化室3A内。
然后，使用从灰化室3A的任意的部位导入的氧气，使灰化室3A内发生氧等离子体。
使上述氧等离子体与沉积在托架25的表面上的碳膜接触，将碳膜分解成CO、CO2气体来除去。
接着，对使用上述图7所示的在线式成膜装置125(磁记录介质的制造装置)，制造上述图4所示的分离型的磁记录介质的工序进行说明。
首先，使用上述在线式成膜装置125，将非磁性基板80安装在托架25上后，一边在多个处理室之间顺次运送，一边在该非磁性基板80的两面依次层叠由软磁性层81、中间层82、记录磁性层83构成的磁性层810、和保护层84。
另外，在成膜出记录磁性层83后，通过对该记录磁性层83进行反应性等离子处理或离子照射处理，对记录磁性层83的一部分的磁特性进行改性，优选从磁性体改性成为非磁性体，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案83a。或者，通过蚀刻除去记录磁性层83的一部分，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案83a。
此外，使用上述在线式成膜装置125后，通过使用省略图示的涂布装置，在成膜后的被处理基板W的最表面成膜出润滑膜85，能够得到上述图9所示的磁记录介质。
具体地讲，上述图4所示的分离型的磁记录介质，可以通过经过图9～图17所示的工序进行制造。再者，在得到图4所示的磁记录介质的工序中，虽然实际上优选同时处理非磁性基板80的两面，但在图9～图17中，只图示了被实施处理的非磁性基板80的一面。
制造该分离型的磁记录介质时，首先，如图9所示，在非磁性基板80的两面依次层叠软磁性层81和中间层82后，采用溅射法形成记录磁性层83。
接着，如图10所示，在记录磁性层83上形成掩模层87。该掩模层87优选使用含有选自Ta、W、Ta氮化物、W氮化物、Si、SiO2、Ta2O5、Re、Mo、Ti、V、Nb、Sn、Ga、Ge、As、Ni中的任1种或2种以上的材料。另外，在这些的物质中，更优选使用选自As、Ge、Sn和Ga中的任1种或2种以上。进一步优选使用选自Ni、Ti、V、Nb中的任1种或2种以上，最优选使用选自Mo、Ta、W中的任1种或2种以上。
通过使用这样的材料，能够提高由掩模层87带来的对于铣削离子的遮蔽性，提高磁性记录图案83a的形成特性。此外，这些物质因为使用反应性气体的干蚀刻容易，因此在除去掩膜层87时，能够减少残留物，减少磁记录介质的表面的污染。
然而，在形成上述掩模层87时，需要使用例如纳米压印法、光刻法等将掩模层87图案化。即，采用纳米压印法、光刻法等将掩模层87图案化时，有时使用液体状的抗蚀剂，因此难以使用在线式成膜装置125实行这些方法。
因此，在本实施方式中，暂且从在线式成膜装置125中取出已形成直到记录磁性层83为止的非磁性基板80，然后，对从该在线式成膜装置125中取出的非磁性基板80，如图11所示地采用优选的方法在掩模层87上形成抗蚀剂层88。抗蚀剂层88优选使用通过放射线照射具有固化性的材料，例如，可以使用酚醛清漆系树脂、丙烯酸酯和脂环式环氧类等的紫外线固化树脂等。
接着，如图12所示，使用压印模89将磁记录图案83a的负图案转印在抗蚀剂层88上。再者，图12中的箭头表示压印模89的移动。该压印模89优选使用对于紫外线透射性高的玻璃或树脂。另外，压印模89，例如可以使用采用电子束描绘等的方法在Ni等的金属板上形成与微细的记录磁道相对应的负图案的压印模。再者，压印模89只要是具有可以耐受上述工艺的硬度和耐久性的材质，则对于其材质并不特别限定。
在使用压印模89将图案转印在抗蚀剂层88上的工序中或该工序后，为了使抗蚀剂层88固化，对抗蚀剂层88照射任意选择的放射线，再者，所谓在此所说的放射线，是热射线、可见光线、紫外线、X射线和伽马射线等的宽泛概念的电磁波。可根据使用的材料任意地选择。另外，所谓通过放射线照射具有固化性的材料，例如，对于热射线，有热固化树脂，对于紫外线，有紫外线固化树脂。
尤其是，使用压印模89将图案转印在抗蚀剂层88上的工序中，优选在抗蚀剂层88的流动性高的状态下，将压印模89按压在该抗蚀剂层88上，在该按压的状态下对抗蚀剂层88照射放射线。由此，使抗蚀剂层88固化后，通过使压印模89从该抗蚀剂层88分离，能够精度好地将压印模89的形状转印在抗蚀剂层88上。
作为在将压印模89按压在抗蚀剂层88上的状态下，对该抗蚀剂层88照射放射线的方法，可以任意地选择。例如，可以采用：从压印模89的相反侧、即从非磁性基板80侧照射线的方法；压印模89的构成材料选择能够透过放射线的物质，从该压印模89侧照射放射线的方法；从压印模89的侧面照射放射线的方法；使用如热射线那样对于固体传导性高的放射线，介由压印模89或非磁性基板80，通过热传导照射放射线的方法；等等。
通过采用这样的方法，能够精度良好地将压印模89的形状转印在抗蚀剂层88上，在掩模层87的图案化工序中，没有掩模层87的边缘部分的塌边，能够由该掩模层87提高对于注入离子的遮蔽性，另外，能够提高由掩模层87带来的磁记录图案83a的形成特性。
另外，通过利用压印模89，将图案转印在抗蚀剂层88上后的抗蚀剂层88的残留部88a的厚度，优选为0～10nm的范围。由此，在后述的利用掩模层87的图案化工序中，没有掩模层87的边缘部分的塌边，能够由掩模层87提高对于铣削离子的遮蔽性，能够精度良好地在记录磁性层83上形成凹部83c。并且，能够利用掩模层87提高磁记录图案83a的形成特性。
再者，通过使用上述压印模89，除了记录通常的数据的磁道图案以外，还可以形成例如脉冲串图案、格雷码图案、前置码图案这些伺服信号的图案。
接着，将到此为止处理了的非磁性基板80再投入到在线式成膜装置125中。然后，将非磁性基板80安装在托架4上后，一边依次运送安装在该托架4上的非磁性基板80，一边在例如上述在线式成膜装置125的处理室中，利用被转印了图案的抗蚀剂层88，如图13所示地将掩模层87图案化。
接着，如图14所示，在上述在线成膜装置125的处理室中，对通过掩模层87的图案化而露出的记录磁性层83的表面部分性地离子铣削处理，由此形成凹部83c。设置在该记录磁性层83上的凹部83c的深度d，优选为0.1nm～15nm的范围，更优选为1～10nm的范围。离子铣削的除去深度d小于0.1nm的场合，不呈现上述的记录磁性层83的除去效果。另外，除去深度大于15nm时，磁记录介质的表面平滑性恶化，制造磁记录再生装置时的磁头的浮起特性变差。
接着，如图15所示，在上述在线式成膜装置125的三个处理室中，对记录磁性层83中的没有被掩模层87覆盖的部位，进行反应性等离子处理或反应性离子照射处理，将构成记录磁性层83的磁性体改性成为非磁性体。由此，能够在记录磁性层83上形成磁记录图案83a和非磁性区域83b。
再者，在如本实施方式那样，设置上述凹部83c后，将记录磁性层83的表面暴露在反应性等离子体或反应性离子中，使该记录磁性层83的磁特性改性的场合，与不设置上述凹部83c的记录磁性层83的表面暴露在反应性等离子体或反应性离子中的场合相比，磁记录图案83a与非磁性区域83b的对比度变得更鲜明，能够提高磁记录介质的S/N。作为其原因，可以认为通过除去记录磁性层83的表层部，可以谋求其表面的清洁化和活化，提高与反应性等离子体或反应性离子的反应性，并且在记录磁性层83的表层部不导入空穴等的缺陷，反应性离子不容易通过该缺陷侵入到记录磁性层83中。
用于改性成为非磁性体的反应性等离子体，可以任意地选择，可以例举感应耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)、反应性等离子体(RIE：Reactive Ion Plasma)等。另外，作为反应性离子，可以例举上述的感应耦合等离子体、存在于反应性离子等离子体内的反应性的离子。
作为感应耦合等离子体，可以例举通过对气体施加高电压而等离子体化，再通过利用高频率的变动磁场使该等离子体内部发生涡电流导致的焦耳热从而得到的高温的等离子体。感应耦合等离子体，电子密度高，与以往的使用离子束制造分离型的磁记录介质的场合相比，对记录磁性层83，能够对宽的面积以高的效率进行磁特性的改性。
所谓反应性离子等离子体，是在等离子体中加入了O2、SF6、CHF3、CF4、CCl4等的反应性气体的反应性高的等离子体。通过使用这样的等离子体，能够以更高的效率实现记录磁性层83的磁特性的改性。
本发明中，虽然通过将成膜了的记录磁性层83暴露在反应性等离子体中将记录磁性层进行改性，但优选通过构成记录磁性层83的磁性金属与反应性等离子体中的原子或离子的反应来实现。
在该场合，所谓反应，可例举：反应性等离子体中的原子等侵入到磁性金属中，磁性金属的结晶结构变化、磁性金属的组成变化、磁性金属氧化、磁性金属氮化、磁性金属硅化等。
特别优选：通过使反应性等离子体含有氧原子，使构成记录磁性层83的磁性金属与反应性等离子体中的氧原子反应，来使记录磁性层83氧化。通过使记录磁性层83部分地氧化，能够高效率地降低氧化部分的剩余磁化和矫顽力。另外，能够缩短利用反应性等离子体形成磁记录图案83a的时间。
另外，优选：使反应性等离子体中含有卤素原子。作为卤素原子，特别优选使用F原子。卤素原子，可以与氧原子一起添加到反应性等离子体中使用，还可以不使用氧原子且添加到反应性等离子体中。如上所述，通过向反应性等离子体中加入氧原子，构成记录磁性层83的磁性金属与氧原子等反应，能够将记录磁性层83的磁特性改性。此时，通过使反应性等离子体中含有卤素原子，能够进一步促进这样的反应。
另一方面，即使在反应性等离子体中不添加氧原子的场合，卤素原子也与磁性合金反应，能够使记录磁性层83的磁特性改性。在这样的反应中，特别优选使用氟。其原因的详细情况虽然还不清楚，但可以认为反应性等离子体中的卤素原子腐蚀形成于记录磁性层83的表面上的异物，由此，记录磁性层83的表面清洁化，记录磁性层83的反应性提高。并且可以认为清洁化了的记录磁性层83的表面与卤素原子以高的效率进行反应。
接着，如图16所示，在上述在线式成膜装置125的2个处理室中除去抗蚀剂层88后，在上述在线式成膜装置125的2个处理室中除去掩模层87。抗蚀剂层88和掩模层87的除去可以任意地选择，例如可以采用干蚀刻、反应性离子蚀刻、离子铣削和湿式蚀刻等。
接着，如图17所示，在上述在线式成膜装置125的2个处理室中，在记录磁性层83的表面上形成保护层84。该保护层84的形成，只要采用上述的碳膜的形成方法即可。即，只要将圆柱状构件133与非磁性基板80的一面离间地配置，将成膜室内排气，流通碳离子形成由碳膜构成的保护膜即可。
在使用了上述在线式成膜装置125后，使用省略图示的涂布装置在非磁性基板80的最表面成膜出润滑膜85。作为用于该润滑膜85的润滑剂，可举出氟系润滑剂、烃系润滑剂以及它们的混合物等。通常以1～4nm的厚度形成润滑膜85。
通过经由以上的工序，能够制造上述图4所示的分离型的磁记录介质。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，是具有下述工序的方法：在具备灯丝状的阴极电极104、设置在阴极电极104的周围的阳极电极105、和配置在与阴极电极104离间的位置的基板保持器102的成膜室101内，在基板保持器上配置具有中央开口部131c的圆盘状的基板D，使该基板的一面131a与阴极电极104对向，并且，与上述阴极电极和上述基板离间地配置具有中央开口部131c的口径d2以上的直径d1和直径d1以上的高度I的圆柱状构件，使该圆柱状构件的中心轴C2与基板D的中心轴C1同轴，并且使一个圆形面133a朝向阴极电极104，使另一个圆形面133b平行于基板D的上述一面的工序；以及，将成膜室101内排气后，从阴极电极104侧向基板D侧流通碳离子，在基板D的一面形成碳膜的工序。因此，能够将离子束和等离子体本身整流，提高在垂直于基板D的一面131a的方向飞行的碳离子浓度、等离子体密度。能够抑制碳离子的绕入，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。另外，通过抑制离子束和等离子体向基板D的中央开口部131c的集中，防止基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的温度上升，可降低基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳膜的生长速度，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选实施方式的碳膜的形成方法，由于是上述基板的中央开口部为圆形，圆柱状构件133的直径d1是基板D的中央开口部131c的口径d2的1倍以上且小于1.5倍的构成，因此能够以只遮蔽基板D的中央开口部131c的边缘部分(边缘部分)131d的方式配置圆柱状构件133，能够使基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳膜的膜厚更平坦化和平滑化。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，由于是圆柱状构件133的高度I为圆柱状构件133的直径d1的3倍以上、6倍以内的构成，因此更显著地呈现整流离子束和等离子体的效果，进一步防止离子束和等离子体向基板D的中央开口部131c的集中，并且进一步提高在垂直于基板D的一面131a的方向飞行的碳离子浓度、等离子体密度，能够形成平坦性和平滑性更高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，由于是圆柱状构件133与基板D之间的离间距离d2为5mm以上、40mm以下的构成，因此能够使基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳膜的膜厚度更平坦化和平滑化，并且能够形成高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，由于是使圆柱状构件133处于非接地电位地配置的构成，因此能够不阻碍碳离子的飞行，对基板D的一面131a垂直地照射碳离子，能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，由于是通过阴极电极104的加热、阴极电极104与阳极电极105之间的放电，在阴极电极104或阳极电极105、与基板D之间施加电压后，将由含有碳的原料气生成的碳离子从阴极电极104侧向基板D侧加速形成上述离子束的构成，因此能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，由于是在由阴极电极104加热导入到成膜室101内的含有碳的原料气的同时，在阴极电极104与阳极电极105之间进行放电，形成上述碳离子的构成，因此能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成方法，由于是在阴极电极104或阳极电极105、与基板D之间施加电压，将上述碳离子从阴极电极104侧向基板D进行加速的构成，因此能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的实施方式的碳膜的形成方法，由于是以包围阳极电极105的方式配置永久磁铁109的构成，因此能够形成平坦性和平滑性更高、高硬度且致密的碳膜。
作为本发明的优选的实施方式的磁记录介质的制造方法，由于是具有在非磁性基板的至少一面形成磁性层810的工序、和采用先前所述的碳膜的形成方法在磁性层810上形成碳膜的工序的构成，因此能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜作为保护膜84，通过减薄保护膜84的膜厚、降低磁头的浮起高度，能够制造记录密度高的磁记录介质。
作为本发明的优选的实施方式的碳膜的形成装置，为下述构成，即，具有：能够减压的成膜室101；配置在成膜室101内的灯丝状的阴极电极104；配置在阴极电极104的周围的阳极电极105；配置在与阴极电极104离间的位置的基板保持器102；配置在基板保持器102与阴极电极104之间的圆柱状构件133；通过通电加热阴极电极104的第1电源106；在阴极电极104与阳极电极105之间产生放电的第2电源107；对阴极电极104或阳极电极105、与基板保持器102之间给予电位差的第3电源108。因此，圆柱状构件133整流离子束或等离子体本身，能够提高在垂直于基板D的一面131a的方向飞行的碳离子浓度、等离子体密度，抑制碳离子的绕入，能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。另外，通过抑制离子束和等离子体本身向基板D的中央开口部131c的集中，防止基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的温度上升，由此能够降低基板D的中央开口部131c的边缘部分131d的碳膜的生长速度，形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜。
实施例
以下，基于实施例具体地说明本发明。但是，本发明并不只限定于这些实施例。
(实施例1)
首先，作为非磁性基板(以下，称为基板)，准备了外径3.5英寸的在中央具有开口部的圆盘状的基板(外径95mm、中央开口部口径25mm)，该基板是实施了镀NiP的铝基板。
接着，在备于图7所示的在线式成膜装置中的任意的处理室中，在安装在A5052铝合金制的托架上的基板的两面，形成磁性层，该磁性层是依次层叠膜厚60nm的由FeCoB构成的软磁性层、膜厚10nm的由Ru构成的中间层和膜厚15nm的由70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金构成的记录磁性层而成的。
接着，向备于图7所示的在线式成膜装置、在基板的两面侧备有与图1所示的成膜装置同样的装置构成的处理室中，运送形成了磁性层的基板。
作为在基板的两面侧备有与图1所示的成膜装置同样的装置构成的处理室，使用室壁的材质是SUS304，具有外径180mm，长度250mm的圆筒形状的处理室。
另外，在处理室内设置了长度约30mm的由钨构成的螺旋状的阴极电极和包围阴极电极的周围的圆筒状的阳极电极。作为阳极电极，使用材质是SUS304，外径为140mm、长度为40mm的电极。
另外，以包围室壁的周围的方式配置圆筒状的永久磁铁。作为永久磁铁，内径为185mm、长度为40mm，以阳极电极位于其中心，并且，以S极为基板侧、N极为阴极电极侧的方式进行配置。该永久磁铁的总磁力为50G(5mT)。
另外，阴极电极与基板的距离为160mm。
并且，在基板的两面侧，与阴极电极离间10mm地配置直径26mm、长度100mm的铜制的圆柱状构件，使该构件的中心轴与基板的中心轴同轴，使其一个圆形面朝向阴极电极，使另一个圆形面平行于基板的一面。再者，圆柱状构件利用安装在处理室壁上的3根直径3mm的SUS304制的杆保持。
接着，在基板的两面形成的磁性层上，分别如以下那样地形成由碳膜构成的保护层。
首先，以气体流量2.9SCCM的条件从气体导入管向成膜室内导入由气化了的甲苯构成的原料气。然后，在反应压力0.3Pa、阴极电力225W(AC22.5V、10A)、阴极电极与阳极电极间的电压75V、电流1650mA、离子的加速电压200V、60mA的成膜条件下，在基板的一面和另一面的磁性层上分别以膜厚3.5nm形成碳膜。
然后，取出形成了碳膜的磁记录介质(实施例1)。
<膜厚测定>
首先，使用公知的膜厚测定装置，测定形成了碳膜的磁记录介质(实施例1)的形成于两面的碳膜的平均膜厚。
接着，测定基板的中央开口部的边缘部分(距基板的中央开口部3mm外周侧的位置)的碳膜的平均膜厚。
相对于碳膜的平均膜厚，基板的中央开口部的边缘部分的平均膜厚约厚了4％。
(实施例2～12)
除了设为表1所示的条件以外，与实施例1同样地制造形成了碳膜的磁记录介质(实施例2～12)。然后，与实施例1同样地进行膜厚测定。
(比较例1)
与阴极电极离间10mm地使用高度3mm、直径26mm的硬币状的遮蔽物，除此以外，与实施例1同样地制造形成了碳膜的磁记录介质(比较例1)。然后，与实施例1同样地进行膜厚测定。相对于碳膜的平均膜厚，基板的中央开口部的边缘部分的平均膜厚约厚了12％。
(比较例2)
除了将圆柱状构件的直径设为比基板D的中央开口部口径25mm小的24mm以外，与实施例1同样地制造形成了碳膜的磁记录介质(比较例2)。然后，与实施例1同样地进行膜厚测定。
对于得到的结果，归纳于表1中。
表1
产业上的利用可能性
本发明的碳膜的形成方法、碳膜的形成装置和磁记录介质的制造方法，能够形成平坦性和平滑性高、高硬度且致密的碳膜，在制造和利用提高了磁记录密度的磁记录介质的产业中具有利用可能性。
附图标记说明
1-基板盒移载机器人台；2-基板供给机器人室；3-基板盒移载机器人；3A-灰化室；4、7、14、17-拐角室；5、6、8～13、15、16、18～20-处理室；22-基板拆卸机器人室；23-第1成膜用基板；24-第2成膜用基板；25-托架；26-支撑台；27-基板安装部；28-板体；29-圆形状的贯通孔；30-支撑构件；34-基板供给机器人；49-基板拆卸机器人；52-基板安装室；53-基板拆卸室；55～72-闸阀；80-非磁性基板；81-软磁性层；82-中间层；83-记录磁性层；83a-磁记录图案；83b-非磁性区域；83c-凹部；84-保护层；85-润滑膜；87-掩模层；88-抗蚀剂层；88a-残留部；89-压印模；96-磁记录介质(磁盘)；97-介质驱动部；98-磁头；99-磁头驱动部；100-磁记录再生信号处理系统；101-成膜室；101a-室壁；102-基板保持器；103-原料气导入管；104-阴极电极；105-阳极电极；106-第1电源；107-第2电源；108-第3电源；109-永久磁铁；110-排气管；121-成膜装置；122、123-磁记录介质；124-磁记录再生装置(HDD装置)；125-在线成膜装置；131a-一面；131b-另一面；131c-中央开口部；131d-边缘部分；133-圆柱状构件；133a-一个圆形面；133b-另一个圆形面；810-磁性层；8-离子束(含有碳的气体)；D-基板；G-原料气；M-磁力线；R-激励空间。

Claims (11)

1.一种碳膜的形成方法，其特征在于，具有：在具备灯丝状的阴极电极、设置在所述阴极电极的周围的阳极电极和配置在与所述阴极电极离间的位置的基板保持器的成膜室内，在基板保持器上配置具有中央开口部的圆盘状的基板，使该基板的一面与所述阴极电极对向，并且，与所述阴极电极和所述基板离间地配置具有所述中央开口部的口径以上的直径和所述直径以上的高度的圆柱状构件，使该圆柱状构件的中心轴与所述基板的中心轴同轴，并且使其一个圆形面朝向所述阴极电极，使另一个圆形面平行于所述基板的一面的工序；和
在将所述成膜室内排气后，从所述阴极电极侧朝向所述基板侧流通碳离子，在所述基板的一面形成碳膜的工序。
2.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，所述基板的中央开口部为圆形，所述圆柱状构件的直径为所述基板的中央开口部的口径的1倍以上且小于1.5倍。
3.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，所述圆柱状构件的高度为所述圆柱状构件的直径的3倍以上、6倍以内。
4.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，所述圆柱状构件与所述基板之间的离间距离为5mm～40mm。
5.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，使所述圆柱状构件处于非接地电位地配置。
6.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，在由所述阴极电极加热导入到所述成膜室内的含有碳的原料气的同时，在所述阴极电极与所述阳极电极之间放电，形成所述碳离子。
7.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，在所述阴极电极与所述基板之间或所述阳极电极与所述基板之间施加电压，将所述碳离子从所述阴极电极侧朝向所述基板侧加速。
8.根据权利要求1所述的碳膜的形成方法，其特征在于，以包围所述阳极电极的方式配置永久磁铁。
9.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，具有：
在非磁性基板的至少一面形成磁性层的工序；和
采用权利要求1所述的碳膜的形成方法在所述磁性层上形成碳膜的工序。
10.一种碳膜的形成装置，其特征在于，具有：
能够减压的成膜室；
配置在所述成膜室内的灯丝状的阴极电极；
配置在所述阴极电极的周围的阳极电极；
配置在与所述阴极电极离间的位置的基板保持器；
配置在所述基板保持器与所述阴极电极之间的圆柱状构件，所述圆柱状构件具有基板的中央开口部的口径以上的直径和所述直径以上的高度；
通过通电来加热所述阴极电极的第1电源；
在所述阴极电极与所述阳极电极之间产生放电的第2电源；和
对所述阴极电极与所述基板保持器之间或所述阳极电极与所述基板保持器之间给予电位差的第3电源。
11.根据权利要求10所述的碳膜的形成装置，其中，所述基板的中央开口部为圆形，所述圆柱状构件的直径为所述基板的中央开口部的口径的1倍以上且小于1.5倍，所述圆柱状构件的高度为所述圆柱状构件的直径的3倍以上、6倍以内，所述圆柱状构件与所述基板之间的离间距离为5mm～40mm，使所述圆柱状构件处于非接地电位地配置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9991099B2 (en) 2014-12-05 2018-06-05 Seagate Technology Llc Filament holder for hot cathode PECVD source
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
JP7219941B2 (ja) * 2017-07-14 2023-02-09 ジャパンクリエイト株式会社 プラズマｃｖｄ装置、磁気記録媒体の製造方法及び成膜方法
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0379768A (ja) * 1989-08-23 1991-04-04 Tdk Corp ダイヤモンド様薄膜の製造方法及び装置
JP2000226659A (ja) * 1999-02-02 2000-08-15 Mitsubishi Chemicals Corp Ｃｖｄ装置および磁気記録媒体の製造方法
JP2001220681A (ja) * 2000-02-07 2001-08-14 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置及び薄膜形成方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61207575A (ja) 1985-03-11 1986-09-13 Hitachi Ltd 円板状被成膜基板両面への同時スパッタリング方法およびその装置
JPH0799583B2 (ja) * 1986-11-15 1995-10-25 株式会社クボタ スパツタリングによる磁気デイスク基板の製膜方法
US5185067A (en) 1989-07-10 1993-02-09 Tdk Corporation Process for manufacturing diamond-like thin film
US5169452A (en) * 1990-05-14 1992-12-08 Tdk Corporation Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films
JP3213029B2 (ja) * 1991-11-20 2001-09-25 株式会社日立製作所 ディスク基板用プラズマ処理装置およびその処理方法
JP3621721B2 (ja) 1994-06-24 2005-02-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及び処理装置
JP2003030823A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法および製造装置
JP4269263B2 (ja) 2003-07-01 2009-05-27 富士電機デバイステクノロジー株式会社 硬質カーボン膜の形成方法および装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0379768A (ja) * 1989-08-23 1991-04-04 Tdk Corp ダイヤモンド様薄膜の製造方法及び装置
JP2000226659A (ja) * 1999-02-02 2000-08-15 Mitsubishi Chemicals Corp Ｃｖｄ装置および磁気記録媒体の製造方法
JP2001220681A (ja) * 2000-02-07 2001-08-14 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置及び薄膜形成方法

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