JP2012080104A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の導電型半導体層と、
   前記第１の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、
   前記活性層の上に形成され、複数のホールを含む第２の導電型半導体層と、
   前記第２の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含み、
   前記透明電極は、光出面に凹凸が備えられ、
   前記凹凸は、凸部分が前記第２の導電型半導体層に形成されたホールと対応する位置に配置されるように形成される、半導体発光素子。
2. 前記複数のホールは、前記第２の導電型半導体層の厚さ方向に形成される、請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記複数のホールは、前記第２の導電型半導体層の屈折率未満の屈折率を有する光透過性材料で充填される、請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
4. 前記複数のホールには、空気が充填される、請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
5. 前記透明電極は、前記複数のホールを充填しないように形成される、請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体発光素子。
6. 前記凹凸は、均一な形状及び周期を有するように配列される、請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体発光素子。
7. 前記凹凸は、レンチキュラー（ｌｅｎｔｉｃｕｌａｒ）、半球、プリズム、円錐又は多角錐の形状である、請求項１乃至６の何れか１項に記載の半導体発光素子。
8. 成長用基板上に第２の導電型半導体層、活性層及び第１の導電型半導体層を形成する段階と、
   前記第１の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、
   前記成長用基板を前記第２の導電型半導体層から分離し当該第２の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、
   前記第２の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含み、
   前記透明電極は、光出面に凹凸が備えられ、
   前記凹凸は、前記第２の導電型半導体層に形成されたホールと対応する位置に配置されるように形成される、半導体発光素子の製造方法。
9. 前記複数のホールは、前記第２の導電型半導体層の厚さ方向に形成される、請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
10. 前記透明電極は、傾斜蒸着（ｏｂｌｉｑｕｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される、請求項８又は９に記載の半導体発光素子の製造方法。