JP2012079960A - キャパシタ構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】穴20は、シリコン基板10の一方の主面に開口する有底穴であり、穴20の内部にはシリコン基板10よりなる突起21が設けられ、穴20の底面は、突起21による凹凸面とされており、穴20の内部では、穴20の底面および側面に、これらの面側から第1の導電体31、誘電体40、第2の導電体32が順次積層されているとともに、第1の導電体31および誘電体40は、突起21による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係るキャパシタ構造体の概略断面構成を示す図であり、図2は、同キャパシタ構造体における穴20部分を、図1中の矢印A方向より見たときの概略平面構成を示す図である。なお、図2では、本実施形態で採用し得る穴20の開口形状として、円形、四角形、六角形といったホール状のものと、溝状(つまりトレンチ状)のものを示してある。
図5は、本発明の第2実施形態に係るキャパシタ構造体の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、シリコン基板10に第1の導電体の機能を持たせたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
図7は、本発明の第3実施形態に係るキャパシタ構造体の製造方法の要部を示す概略平面図であり、シリコン基板10の一方の主面にマイクロマスクMを発生させた状態を示すものである。なお、図7では、シリコン基板10に形成されるべき穴20の開口形状も示してあるが、エッチングにおいては、シリコン基板10の一方の主面のうちこの穴20以外の部位は、図示しないマスクパターンにより被覆されており、当該穴20の部位はそのマスクパターンの開口部とされている。
なお、上記各実施形態に示した構成のように、シリコン基板10に対して、突起21を有する穴20を形成する方法としては、ボッシュプロセス以外にも、たとえば、特開平2007−144310号公報の段落(0019)に記載されているようなSF6ガスとO2ガスを用いたエッチング方法でもよい。
20 穴
21 突起
31 第1の導電体
32 第2の導電体
40 誘電体
M マイクロマスク
Claims (12)
- シリコン基板(10)に設けられた穴(20)の内部にて、第1の導電体(31)と第2の導電体(32)との間に誘電体(40)を介在させることにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体であって、
前記穴(20)は、前記シリコン基板(10)の一方の主面に開口し、他方の主面では閉塞された有底穴であり、
前記穴(20)の内部には、前記シリコン基板(10)よりなり、前記穴(20)の底部側から開口部側に向かって突出する突起(21)が設けられており、
前記穴(20)の底面は、前記突起(21)による凹凸面とされており、
前記穴(20)の内部では、前記穴(20)の底面および側面に、これらの面側から前記第1の導電体(31)、前記誘電体(40)、前記第2の導電体(32)が順次積層されているとともに、前記第1の導電体(31)および前記誘電体(40)は、前記突起(21)による凹凸面の形状を承継した層形状とされており、
これら前記第1の導電体(31)、前記誘電体(40)、前記第2の導電体(32)による積層体によってキャパシタが構成されていることを特徴とするキャパシタ構造体。 - シリコン基板(10)に設けられた穴の内部にて、第1の導電体と第2の導電体(32)との間に誘電体(40)を介在させることにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体であって、
前記穴(20)は、前記シリコン基板(10)の一方の主面に開口し、他方の主面では閉塞された有底穴であり、
前記穴(20)の内部には、前記シリコン基板(10)よりなり、前記穴(20)の底部から開口部側に向かって突出する突起(21)が設けられており、
前記穴(20)の底面は、前記突起(21)による凹凸面とされており、
前記シリコン基板(10)における前記穴(20)および前記突起(21)を含む部位が前記第1の導電体とされており、
前記穴(20)の内部では、前記穴(20)の底面および側面に、これらの面側から前記誘電体(40)、前記第2の導電体(32)が順次積層されているとともに、前記誘電体(40)は、前記突起(21)による凹凸面の形状を承継した層形状とされており、
これら前記第1の導電体、前記誘電体(40)、前記第2の導電体(32)による積層体によってキャパシタが構成されていることを特徴とするキャパシタ構造体。 - 前記突起(21)の突出高さ方向に沿った断面において、当該突起の高さ/当該突起の幅で表されるアスペクト比が1以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のキャパシタ構造体。
- 前記突起(21)の形状は、円錐もしくは角錐形状であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のキャパシタ構造体。
- 前記第2の導電体(32)は前記穴(20)の空間全体に充填されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のキャパシタ構造体。
- シリコン基板(10)の一方の主面から前記シリコン基板(10)をエッチングすることにより、当該一方の主面に開口し、他方の主面では閉塞された有底穴としての穴(20)を形成し、前記穴(20)の内部に、導電体(31、32)と誘電体(40)を設けることにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体の製造方法であって、
前記シリコン基板(10)のエッチングでは、エッチング面に島状に存在するマイクロマスク(M)を起点としたエッチング残りによる突起(21)を、前記穴(20)の底面から開口部側に突出するように前記穴(20)内に形成し、
その後、前記突起(21)の表面および前記穴(20)の側面に沿って前記誘電体(40)および前記導電体(31、32)を形成することを特徴とするキャパシタ構造体の製造方法。 - 前記シリコン基板(20)のエッチングは、前記穴(20)の側面および底面に保護膜を堆積する保護膜堆積ステップと、前記保護膜のうち前記穴(20)の底面に形成された部分を除去して前記穴(20)の底面をエッチングすることで前記穴(20)を深くするエッチングステップとを繰り返しながら、シリコンの深堀りエッチングを行うものであり、
前記マイクロマスクは、1回の前記保護膜堆積ステップにおける前記保護膜の堆積量を、1回の前記エッチングステップで除去し得る量よりも多く設定することによって発生させるようにすることを特徴とする請求項6に記載のキャパシタ構造体の製造方法。 - 前記マイクロマスク(M)は、前記シリコン基板(10)のエッチングの前に微粒子材料を前記シリコン基板(10)の一方の主面にばらまくことにより発生させることを特徴とする請求項6に記載のキャパシタ構造体の製造方法。
- 前記微粒子材料はガラスもしくは金属を含む材料であることを特徴とする請求項8に記載のキャパシタ構造体の製造方法。
- 前記微粒子材料をターゲット材料としてスパッタリングを行うことにより、前記微粒子材料を前記シリコン基板(10)の一方の主面にばらまくことを特徴とする請求項9に記載のキャパシタ構造体の製造方法。
- 前記微粒子材料を含むガスを前記シリコン基板(10)の一方の主面に吹き付けることにより、前記微粒子材料を前記シリコン基板(10)の一方の主面にばらまくことを特徴とする請求項9に記載のキャパシタ構造体の製造方法。
- 前記誘電体(40)および前記導電体(31、32)はALD法によって形成することを特徴とする請求項6ないし11のいずれか1つに記載のキャパシタ構造体の製造方法。
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