JP2012079804A - 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子部品搭載用パッケージは、上面に設けられた電子部品の搭載部1aと上面から下面にかけて設けられた貫通孔1bとを含む基体1と、貫通孔1bに充填された封止材2と、封止材2を貫通して基体1に固定されており、基体1の上面から上方へ突出している上端と基体1の前記下面から下方へ突出している下端とを有しており、電子部品が電気的に接続される端子3とを備えている。封止材2は、端子3を取り囲むように円柱状に形成されているとともに上方または下方へ隆起している突起部2aを有している。
【選択図】図2
Description
孔の内壁から封止材に加わる応力の位置が封止材の端子との接合部分の端部からずれて、封止材における端子との接合部分の端部にクラックが入り難くなり、小型で設計の自由度が高く高信頼性の電子部品搭載用パッケージとなる。
9によって基体1の上面から垂直上方向に反射されたレーザー光が通るための透光性部材がはめられた窓部を有する蓋体5の例が示されている。
品4を搭載するとともに、蓋体接合部1cに蓋体5を接合したことから、小型で設計の自由度が高く高信頼性の電子装置となる。
ある。例えば基体1がFe−Mn合金から成る場合は、この合金のインゴット(塊)に圧延加工や打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作され、貫通孔1bはドリル加工や金型による打ち抜き加工によって形成される。また、基体1が搭載部1aとして突出部を有する形状の場合は、切削加工やプレス加工することによって形成することができる。
直径が3〜6mmの円板状,半径が1.5〜8mmの円周の一部を切り取った半円板状,一
辺が3〜15mmの四角板状等である。
材3が入る0.6mm程度の大きさに形成すればよい。また、逆に貫通孔1bを上記寸法よ
りも大きくして、図1に示す例のように複数のDC端子3bを貫通させても構わない。この場合は、貫通孔1bの長径に沿ってφ0.2mmのDC端子3b間に充分な間隔(0.3mm程度)をとってDC端子3b間のピッチを0.5mmとして、貫通孔1bの寸法は長径は1.1mm短径を0.6mmとして2本のDC端子を形成できる。独立した貫通孔1bを2つ形成
する場合のDC端子3bのピッチは0.9mm程度必要となるために複数のDC端子3bを1つの貫通孔1bに形成することでDC端子3bの密度を高く形成できるようになる。上述したように、電子部品4の数や電子部品4の端子の数に応じて信号端子3aの数が、また電子部品4以外の他の素子等の数に応じてDC端子3bの数が決まるので、それに応じて貫通孔1bも適宜形成すればよい。
mのNi層と厚さが0.5〜5μmのAu層とをめっき法によって順次被着させておくのが
よい。これにより、基体1が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、電子部品4や回路基板4aあるいは蓋体5等を基体1に良好にろう付けすることができる。
に比誘電率が6.8であるものを用いればよい。あるいは信号端子3aの外径が0.25mmの
場合であれば、貫通孔1bの内径を2.2mmとして、封止材2の比誘電率が6.8であるものを用いればよい。また、同じく信号端子3aの外径が0.25mmの場合であれば、貫通孔1bの内径を1.65mmとして、封止材2の比誘電率が5であるものを用いてもよい。封止材2の比誘電率が4であれば、同じ外径0.25mmの場合で、貫通孔1bの内径を1.35mmとすれば特性インピーダンスが50Ωとなる。
て気密に固定されると共に、封止材2は、端子3を取り囲むように円柱状に形成されているとともに上方または下方へ隆起している突起部2aを有している構造となる。このときに、突起部2aの高さは0.1mm以上あると、確実に貫通孔1bの内壁から封止材2に加
わる応力の位置は封止材2の端子3との接合端部からずれることで封止材2にクラックが入り難くなるので好ましい。
材料を用いた場合でも、受けジグをカーボン(熱膨張係数:4×10-6/K)で作製すること
で実現することができる。
tとすれば、D−Dt>0.05mmを満足するような突起径(D)が好ましい。D−Dt≦0.05mmとなると、突起部2aの封止材2の厚みが薄くなるので、突起部2aの封止材2の強度が小さくなり、クラックが発生しやすくなる傾向がある。
好ましい。密着金属層の厚みが0.01μm未満では、密着金属層を絶縁基板に強固に密着することが困難となる傾向があり、0.2μmを超えると、成膜時の内部応力によって密着金
属層が絶縁基板から剥離し易くなる傾向がある。
厚みが0.1μm未満では、電気抵抗が大きなものとなって回路基板4aの配線導体に要求
される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、5μmを超えると、成膜時の内部応力によって主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Auは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。また、Cuは酸化し易いので、その上にNiおよびAuからなる保護層を被覆してもよい。
1a・・・・搭載部
1b・・・・貫通孔
1c・・・・蓋体接合部
2・・・・・封止材
2a・・・・突起部
3・・・・・端子
3a・・・・信号端子
3b・・・・DC端子
4・・・・・電子部品
4a・・・・回路基板
4b・・・・中継基板
5・・・・・蓋体
6・・・・・温度制御素子
7・・・・・ボンディングワイヤ
8・・・・・モニタPD
9・・・・・反射鏡
10・・・・・温度モニタ素子
Claims (2)
- 上面および下面を有しており、前記上面に設けられた電子部品の搭載部と前記上面から前記下面にかけて設けられた貫通孔とを含む基体と、
前記貫通孔に充填された封止材と、
該封止材を貫通して前記基体に固定されており、前記基体の前記上面から上方へ突出している上端と前記基体の前記下面から下方へ突出している下端とを有しており、前記電子部品が電気的に接続される端子とを備えており、
前記封止材は、前記端子を取り囲むように円柱状に形成されているとともに上方または下方へ隆起している突起部を有していることを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。 - 請求項1に記載された電子部品搭載用パッケージと、
該電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に搭載された電子部品と、
該電子部品および前記貫通孔を覆うように前記基体の前記上面に接合された蓋体とを備えていることを特徴とする電子装置。
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2010
- 2010-09-30 JP JP2010221583A patent/JP5705491B2/ja not_active Expired - Fee Related
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