JP2012064729A - 太陽電池モジュールおよびラミネート方法 - Google Patents

太陽電池モジュールおよびラミネート方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012064729A
JP2012064729A JP2010207307A JP2010207307A JP2012064729A JP 2012064729 A JP2012064729 A JP 2012064729A JP 2010207307 A JP2010207307 A JP 2010207307A JP 2010207307 A JP2010207307 A JP 2010207307A JP 2012064729 A JP2012064729 A JP 2012064729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal foil
foil wire
protective film
wire
main metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010207307A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Tanda
真之 反田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2010207307A priority Critical patent/JP2012064729A/ja
Priority to EP11179151A priority patent/EP2432032A2/en
Priority to CN2011102853753A priority patent/CN102403372A/zh
Priority to US13/228,700 priority patent/US20120060892A1/en
Publication of JP2012064729A publication Critical patent/JP2012064729A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/022458Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for emitter wrap-through [EWT] type solar cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1002Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
    • Y10T156/1051Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina by folding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】フレキシブル性を損なうことなく、シート状の複数の光起電力素子に内部配線を接続できるようにする。
【解決手段】光起電力素子P1、P2の背面電極層15にそれぞれ接触するように従金属箔線33を配置し、粘着テープ32にて背面電極層15に固定するとともに、従金属箔線33を折り返すことで主金属箔線34を従金属箔線33に挟み込んで接続し、粘着テープ35にて背面電極層15に固定する。
【選択図】 図2

Description

本発明は太陽電池モジュールおよびラミネート方法に関し、特に、太陽電池モジュールの配線の形成方法に好適なものである。
太陽電池を屋根などに設置して使用する場合、量産性やコストなどの点から、アモルファスシリコン太陽電池が有望視されている。
そして、アモルファスシリコン太陽電池では、フィルム基板上に光起電力素子を作り込み、その表面を保護フィルムおよび接着シートで覆ったフレキシブル型モジュールが開発されている。
このような保護フィルムで覆われた太陽電池モジュールから電力を外部に取り出すために、主配線および従配線から成る内部配線を用い、太陽電池モジュール内部の光起電力素子を従配線に接続し、その従配線を主配線に接続し、主配線の端部上の保護フィルムおよび接着シートを除去することにより主配線の端部を露出させ、この露出部に外部リードの端部をはんだ付けすることが行われている(特許文献1)。
特開平10−173209号公報
しかしながら、従配線の数が増えるとこれらを主配線に歪みなく接続するのが次第に難しくなるうえ、従配線を主配線に接続することで太陽電池モジュールの内部配線形状が定まってしまうと、その後のモジュール製造工程において主に加熱によって生じる光起電力素子や保護フィルムの変形と内部配線形状との差が歪みとなって残り、太陽電池モジュールのフレキシブル性が損なわれるという問題があった。
また、主配線の端部上の保護フィルムおよび接着シートを除去して主配線端部を露出させる工程では、接着シートを除去しきれず主配線表面に絶縁物が残ったり、除去の際に主配線を傷つけやすいという問題があった。さらに、これらを解決しようとすると除去に時間がかかってしまうという問題もあった。
本発明の目的は、フレキシブル性を損なうことなく光起電力素子に内部配線を接続し、その内部配線に外部配線を容易に接続することが可能な太陽電池モジュールおよびラミネート方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、請求項1記載の太陽電池モジュールによれば、シート状の複数の光起電力素子と、前記複数の光起電力素子の電極にそれぞれ接触するように配置された従金属箔線と、前記従金属箔線を折り返すことで前記従金属箔線に挟み込まれて接続され、前記複数の光起電力素子で発生した電力を外部に取り出すための主金属箔線と、前記主金属箔線および前記従金属箔線とともに前記複数の光起電力素子の両面を覆うように配置された保護フィルムおよび接着シートとを備えることを特徴とする。
これにより、太陽電池モジュールの内部配線を構成する主金属箔線と従金属箔線の接続部分に自由度が生じ、モジュール製造時に生じる前記歪みを吸収するようになるため、モジュールのフレキシブル性を損なうことなく複数の光起電力素子に内部配線を接続することが可能となる。
また、請求項2記載の太陽電池モジュールは、請求項1記載の発明において、前記従金属箔線の前記折り返した部分の長さは、前記主金属箔線の幅以上であることを特徴とする。
これにより、従金属箔線によって確実に主金属箔線を挟み込んで両者を接続することができる。
このとき、請求項3記載のように、前記折り返した部分を粘着テープにより前記電極に固定すると、従金属箔線を確実に電極に固定することできるとともに、主金属箔線が挟み込み部から外れるのを防ぐことができる。
さらに、請求項4記載のように、前記折り返した部分のうち、前記主金属箔線上から外れた部分のみを前記粘着テープにより前記電極に固定すると、主金属箔線と従金属箔線の位置関係の自由度をより確実に確保することができる。
また、請求項5記載のラミネート方法によれば、複数の光起電力素子の電極にそれぞれ接触するように従金属箔線を配置する工程と、前記従金属箔線を折り返すことにより、前記複数の光起電力素子で発生した電力を外部に取り出すための主金属箔線を前記従金属箔線に挟み込んで接続する工程と、第1の保護フィルム、第1の接着シート、前記従金属箔線および前記主金属箔線が設けられた光起電力素子、第2の接着シートおよび第2の保護フィルムを順次配置したものに熱処理を施すことにより、これらを一体化する工程と、を備えることを特徴とする。
これにより、シート状の複数の光起電力素子を従金属箔線および主金属箔線で接続したものを保護フィルムで覆った構造を、フレキシブル性を損なうことなく製造することが可能となる。
さらに、請求項6記載のように、前記主金属箔線の端部の折り返し部分にかかるように前記第1の保護フィルムおよび第1の接着シートと前記第2の保護フィルムおよび第2の接着シートをトリミングする工程とを備えることにより、主金属箔線の折り返し部分をトリミングしてできた隙間に外部リード線を差し込むことで複数の光起電力素子から電力を外部に取り出すことが可能となり、外部リードと主金属箔線とを容易に接続することができる。
請求項7記載のラミネート方法によれば、請求項6記載の発明において、主金属箔線の端部の折り返された部分を、前記第1の保護フィルムおよび第1の接着シートもしくは前記第2の保護フィルムおよび第2の接着シートとともに除去する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、主金属箔線の表面に絶縁物を残すことなく容易に主金属箔線を露出させることができる。
以上説明したように、本発明によれば、保護フィルムにて覆われたシート状の複数の光起電力素子に金属箔線を接触させて電力を外部に取り出すにあたり、金属箔線の配置形状に自由度を持たせることができる。このため、太陽電池モジュールのフレキシブル性を損なうことなく、複数の光起電力素子に内部配線を接続することが可能となる。
図1(a)は、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの概略構成を示す斜視図、図1(b)は、図1(a)のA−A´線で切断した太陽電池モジュールの概略構成を示す断面図、図1(c)は、図1(b)の光起電力素子3を拡大して示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの配線接続方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの従金属箔線33と主金属箔線34との接続方法を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの主金属箔線34の外部接続方法を示す平面図および斜視図である。
以下、本発明の実施形態に係る太陽電池モジュールについて図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの概略構成を示す斜視図および断面図である。
図1(a)および図1(b)において、保護フィルム1上には、接着シート2を介して複数の光起電力素子3が接着され、これらの光起電力素子3上には、接着シート4を介して保護フィルム5が接着されている。また、光起電力素子3の電極には、これらの光起電力素子3から電力を外部に取り出す主金属箔線34が配置されている。
さらに、図1(c)において、フィルム基板11上には裏面電極層12を介して光電変換層13が積層され、光電変換層13上には透明電極層14が積層されている。また、フィルム基板11の裏面には背面電極層15が形成されている。なお、フィルム基板11としては、例えば、ポリイミドやポリアミドなどの樹脂フィルム、光電変換層13としては、例えば、アモルファスシリコンからなるpin構造、透明電極層14としては、例えば、ITOを用いることができる。
そして、背面電極層15には、背面電極層15を分割する溝19が形成されるとともに、裏面電極層12、光電変換層13および透明電極層14には、裏面電極層12、光電変換層13および透明電極層14を分割する溝18が溝19と平行に互い違いに形成され、ユニットセルU1〜U4が構成されている。そして、フィルム基板11には、分割された光電変換層13を直列接続する直列ホール16がユニットセルU1〜U4ごとに形成され、フィルム基板11にて隔てられた背面電極層15と裏面電極層12とは直列ホール16を介して互いに接続されている。
また、フィルム基板11、裏面電極層12および背面電極層15には、光電変換層13で発生した電荷を背面電極層15側に集電する集電ホール17がユニットセルU1〜U4ごとに形成され、透明電極層14は集電ホール17を介して背面電極層15に接続されている。
ここで、直列ホール16および集電ホール17は、各ユニットセルU1〜U4の直列ホール16がその直下の背面電極層15にそれぞれ接続されるとともに、直列ホール16が接続された背面電極層15にそれぞれ隣接する背面電極層15に各ユニットセルU1〜U4の集電ホール17が接続されるように配置されている。
そして、図2に示すように、光起電力素子P1、P2の背面電極層15にそれぞれ接触するように従金属箔線33が配置され、従金属箔線33は粘着テープ32にて背面電極層15に固定されている。また、主金属箔線34は、従金属箔線33を折り返すことで従金属箔線33に挟み込まれて接続され、保護フィルム5の端部に延伸されている。なお、従金属箔線33および主金属箔線34としては、例えば、はんだ被覆銅箔線を用いることができる。また、主金属箔線34が異なるユニットセルU1〜U4の背面電極層15を横切る場合、そのユニットセルU1〜U4の主金属箔線34下に絶縁シートを介挿させたり、主金属箔線34を絶縁物で覆ったりすることにより、異なるユニットセルU1〜U4間の絶縁を保つようにしてもよい。
これにより、太陽電池モジュールの内部配線を構成する主金属箔線と従金属箔線の接続部分に自由度が生じ、モジュール製造時に生じる前記歪みを吸収するようになるため、モジュールのフレキシブル性を損なうことなく、複数の光起電力素子P1、P2に内部配線を接続することが可能となる。
図3は、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの従金属箔線33と主金属箔線34との接続方法を示す平面図である。
図3(a)において、従金属箔線33と主金属箔線34とが直交するようにして、主金属箔線34を従金属箔線33上に重ね合わせる。そして、図3(b)に示すように、従金属箔線33を折り返すことにより、主金属箔線34を巻き込むようにして従金属箔線33を重ね合わせる。つまり、主金属箔線34を従金属箔線33で上下から挟み込むようにする。従金属箔線33の折り返した部分の長さは、主金属箔線34の幅以上とすると挟み込みが確実となり、さらに、主金属箔線34の幅寸法の4〜5倍以上とするとより確実となるうえ、誤って粘着テープ35で主金属箔線34まで固定してしまうことを防ぐことができる。そして、図3(c)に示すように、従金属箔線33の折り返し部分を粘着テープ35にて背面電極層15に固定することにより、従金属箔線33の折り返し部分から主金属箔線34が外れないようにできる。なお、粘着テープ32、35として、例えば導電性粘着剤付き金属箔ラベルを用いると、従金属箔線33と背面電極層15との電気的接続をより確実にすることができる。
図4は、本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュールの主金属箔線34の外部接続方法を示す平面図および斜視図である。
図4(a)において、図1の光起電力素子3の外側に引き出されるようにして、主金属箔線34を配線し、主金属箔線34の端部が2重に重なるように主金属箔線34の端部を折り返す。そして、図4(b)に示すように、光起電力素子3を主金属箔線34とともに保護フィルム1、5にてラミネートすることにより、光起電力素子3を主金属箔線34とともに封入する。そして、図4(c)に示すように、主金属箔線34の端部の折り返し部分にかかるように保護フィルム1、5をトリミングする。そして、図4(d)に示すように、主金属箔線34の端部の折り返された部分を、保護フィルム1もしくは5とともに除去すると、主金属箔線34の表面を容易に外部に晒すことができる。また、図4(d)の工程を経ず、図4(e)に示すように、折り返した2枚の主金属箔線34どうしの隙間に、外部リード線37に設けられた圧着端子38などを差し込むことによっても、外部リード線37と主金属箔線34とを接続することができる。
1、5 保護フィルム
2、4 接着シート
3 光起電力素子
P1、P2 光起電力素子
U1〜U4 ユニットセル
11 フィルム基板
12 裏面電極層
13 光電変換層
14 透明電極層
15 背面電極層
16 直列ホール
17 集電ホール
18、19 溝
32、35 粘着テープ
33 従金属箔線
34 主金属箔線
37 外部リード線
38 圧着端子

Claims (7)

  1. シート状の複数の光起電力素子と、
    前記複数の光起電力素子の電極にそれぞれ接触するように配置された従金属箔線と、
    前記従金属箔線を折り返すことで前記従金属箔線に挟み込まれて接続され、前記複数の光起電力素子で発生した電力を外部に取り出すための主金属箔線と、
    前記主金属箔線および前記従金属箔線とともに前記複数の光起電力素子の両面を覆うように配置された保護フィルムとを備えることを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 前記従金属箔線の前記折り返した部分の長さは、前記主金属箔線の幅以上であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記従金属箔線の前記折り返した部分を粘着テープにより前記電極に固定したことを特徴とする請求項2記載の太陽電池モジュール。
  4. 前記従金属箔線の前記折り返した部分のうち、前記主金属箔線上から外れた部分のみを前記粘着テープにより前記電極に固定したことを特徴とする請求項3記載の太陽電池モジュール。
  5. シート状の複数の光起電力素子の電極にそれぞれ接触するように従金属箔線を配置する工程と、
    前記従金属箔線を折り返すことにより、前記複数の光起電力素子で発生した電力を外部に取り出すための主金属箔線を前記従金属箔線に挟み込んで接続する工程と、
    第1の保護フィルム、第1の接着シート、前記従金属箔線および前記主金属箔線が設けられた光起電力素子、第2の接着シートおよび第2の保護フィルムを順次配置したものに熱処理を施すことにより、これらを一体化する工程と、を備えることを特徴とするラミネート方法。
  6. シート状の複数の光起電力素子の電極にそれぞれ接触するように従金属箔線を配置する工程と、
    前記従金属箔線を折り返すことにより、前記複数の光起電力素子で発生した電力を外部に取り出すための主金属箔線を前記従金属箔線に挟み込んで接続する工程と、
    第1の保護フィルム、第1の接着シート、前記従金属箔線および前記主金属箔線が設けられた光起電力素子、第2の接着シートおよび第2の保護フィルムを、前記主金属箔線の端部を折り返すようにして順次配置したものに熱処理を行うことにより、これらを一体化する工程と、
    前記主金属箔線の端部の折り返し部分にかかるように前記第1の保護フィルムおよび前記第2の保護フィルムをトリミングする工程と、を備えることを特徴とするラミネート方法。
  7. 前記主金属箔線の端部の折り返された部分を、前記第1の保護フィルムおよび第1の接着シートもしくは前記第2の保護フィルムおよび第2の接着シートとともに除去する工程とを備えることを特徴とする請求項6に記載のラミネート方法。
JP2010207307A 2010-09-15 2010-09-15 太陽電池モジュールおよびラミネート方法 Withdrawn JP2012064729A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010207307A JP2012064729A (ja) 2010-09-15 2010-09-15 太陽電池モジュールおよびラミネート方法
EP11179151A EP2432032A2 (en) 2010-09-15 2011-08-29 Solar cell module and laminating method
CN2011102853753A CN102403372A (zh) 2010-09-15 2011-09-06 太阳能电池模块及层压方法
US13/228,700 US20120060892A1 (en) 2010-09-15 2011-09-09 Solar cell module and laminating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010207307A JP2012064729A (ja) 2010-09-15 2010-09-15 太陽電池モジュールおよびラミネート方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012064729A true JP2012064729A (ja) 2012-03-29

Family

ID=44785280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010207307A Withdrawn JP2012064729A (ja) 2010-09-15 2010-09-15 太陽電池モジュールおよびラミネート方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120060892A1 (ja)
EP (1) EP2432032A2 (ja)
JP (1) JP2012064729A (ja)
CN (1) CN102403372A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014007384A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Lg Electronics Inc 太陽電池モジュール及びそれに適用されるリボン結合体

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102886961B (zh) * 2012-10-24 2015-04-22 秦皇岛丰泰自动化设备制造有限公司 一种电池组件层压机
CN106206767B (zh) * 2014-10-31 2019-01-11 比亚迪股份有限公司 太阳能电池单元、电池片阵列、电池组件及其制备方法
CN104960312B (zh) * 2015-06-10 2017-07-04 河北大学 柔性光伏组件层压用基板及柔性光伏组件的层压方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4321416A (en) * 1980-12-15 1982-03-23 Amp Incorporated Photovoltaic power generation
JPH0918044A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 太陽電池モジュールおよびその接続方法
JPH10173209A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 外部リード付き太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2006278710A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2012015031A1 (ja) * 2010-07-30 2012-02-02 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653549B2 (en) * 2000-07-10 2003-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic power generation systems and methods of controlling photovoltaic power generation systems
WO2007035677A2 (en) * 2005-09-19 2007-03-29 Solar Roofing Systems, Inc. Integrated solar roofing system
TWI487124B (zh) * 2006-08-25 2015-06-01 Sanyo Electric Co 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4321416A (en) * 1980-12-15 1982-03-23 Amp Incorporated Photovoltaic power generation
JPH0918044A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 太陽電池モジュールおよびその接続方法
JPH10173209A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 外部リード付き太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2006278710A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2012015031A1 (ja) * 2010-07-30 2012-02-02 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014007384A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Lg Electronics Inc 太陽電池モジュール及びそれに適用されるリボン結合体

Also Published As

Publication number Publication date
US20120060892A1 (en) 2012-03-15
CN102403372A (zh) 2012-04-04
EP2432032A2 (en) 2012-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8952240B2 (en) Solar cell module
JP5268596B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP3099604B2 (ja) 可撓性光電変換モジュール、その接続方法およびその製造装置
JP3747096B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5136700B2 (ja) 薄膜太陽電池モジュール
JP2000068542A (ja) 集積型薄膜太陽電池モジュール
JP2010056251A (ja) 太陽電池モジュール
JP2012064729A (ja) 太陽電池モジュールおよびラミネート方法
JP2005005308A (ja) バスバー組品、並びにこのバスバー組品を使用した太陽電池モジュール
JP5191406B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法
JP2010283231A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
US9935226B2 (en) Photovoltaic module with simplified connection
JP2019080007A (ja) 太陽電池モジュール、配線シートおよびその製造方法
JP4314872B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法
JP6568479B2 (ja) 電気モジュール及び電気モジュールの製造方法
JP4461607B2 (ja) 太陽電池モジュールの電力リード引き出し方法
JP6042710B2 (ja) 太陽電池モジュール、及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2001077395A (ja) 太陽電池モジュール
JP5339295B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2011166069A (ja) 光電変換装置及びその製造方法
JP2003017732A (ja) 太陽電池モジュールの電力リード引き出し方法
WO2024013188A2 (en) Method for manufacturing a solar cell module and solar cell module and junction box
JP2012142635A (ja) 太陽電池モジュール
JP2022102585A (ja) 太陽電池モジュール
JP2012142634A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140204

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20140310