JP2012064289A - 磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 プロセスダメージや工程増加を招くことなく、表面凹凸を小さくできる磁気記録媒体を製造する。
【解決手段】 基板上に強磁性記録部を所望のトラックパターン又はビットパターンに形成した磁気記録媒体の製造方法であって、基板４０上に強磁性体膜４４を形成した後、強磁性体膜４４をトラック間又はビット間で分離するための領域にＢ薄膜５１を形成する。次いで、Ｂ薄膜５１にイオンを照射することにより、強磁性体膜４４のＢ薄膜５１が形成された部分を、Ｂ含有量を１５at％以上にして非磁性化する。
【選択図】 図５

Description

本発明の実施形態は、基板上に強磁性記録部を所望のトラックパターン又はビットパターンに形成した磁気記録媒体その製造方法及び磁気記録装置に関する。

近年、高密度磁気記録媒体として、記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターン媒体（ＤＴＲ媒体）や、ダウントラック方向（ディスク円周方向）にも記録ビットを物理的に分離したビットパターンド媒体（ＢＰＭ）が注目されている。

この種のパターンド媒体は、１０ｎｍ以下の浮上量で浮上した記録再生ヘッドと組み合わせてＨＤＤ（磁気記録装置）を成すものであるから、媒体の表面平坦性が重要である。記録再生ヘッドを安定浮上させるためには、パターンド媒体の表面凹凸は１０ｎｍ以下が望ましい。そこで、物理的に分離された記録トラック、若しくは記録ビット間の空隙に非磁性体を埋め込み、表面を平坦化することが一般的に実施されている。

しかし、非磁性体埋め込み及び平坦化という工程が加わることで、プロセスダメージ及び工程増加による生産性低下、高コスト化という課題がある。

特許第３６８６０６７号公報 特許第４３０９９４４号公報

前述したようにＤＴＲ媒体やＢＰＭでは、表面凹凸を１０ｎｍ以下にする必要があるが、記録トラック間や記録ビット間の空隙に非磁性体を埋め込んで表面を平坦化すると、プロセスダメージ及び工程増加を招く問題があった。

本実施形態は、プロセスダメージや工程増加を招くことなく、表面凹凸を小さくできる磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置を提供する。

実施形態によれば、基板上に強磁性記録部を所望のトラックパターン又はビットパターンに形成した磁気記録媒体の製造方法であって、基板上に強磁性体膜を形成する工程と、強磁性体膜をトラック間又はビット間で分離するための領域にＢ薄膜を形成する工程と、Ｂ薄膜にイオンを照射することにより、強磁性体膜の前記Ｂ薄膜が形成された部分を、Ｂ含有量を１５at％以上にして非磁性化する工程と、を含むことを特徴とする。

実施形態に用いたＵＶインプリント用スタンパの製造工程を示す断面図。 ＤＴＲ媒体のセクタパターンを示す平面図。 ＢＰＭのセクタパターンを示す平面図。 第１の実施形態に係わるパターンド媒体の製造工程を示す断面図。 第１の実施形態に係わるパターンド媒体の製造工程を示す断面図。 第１の実施形態のパターンド媒体の構造を従来例と比較して示す断面図。 第１の実施形態のパターンド媒体の構造を拡大して示す断面図。 第２の実施形態に係わる磁気記録装置の概略構成を示す斜視図。 ＤＴＲ媒体の表面の凹凸高さと記録密度との関係を示す特性図。 ＤＴＲ媒体の非記録部のＢ含有量と記録密度との関係を示す特性図。 ＤＴＲ媒体の非記録部の膜厚方向位置とＢ含有量との関係を示す特性図。 表面粗さＲａの差と衝撃試験パス率との関係を示す特性図。

前述したようにＤＴＲ媒体やＢＰＭでは、表面凹凸を１０ｎｍ以下にする必要がある。本発明者らは、非磁性体埋め込み及び平坦化工程を行うことなく、記録再生ヘッドの浮上性を確保しつつサイドイレース現象、サイドリード現象を抑制できるパターンド媒体作製方法を既に考案している（特許文献２）。これは、強磁性記録層膜厚の１５ｎｍのうち１０ｎｍを物理的に除去し、残りの５ｎｍをＨｅ（ヘリウム）ガスとＮ₂（窒素）ガスの混合ガスを用いたＩＢＥ（イオンビームエッチング）により磁気的に失活させる方法である。物理的な凹凸は１０ｎｍであるが、磁気的には１５ｎｍ深さで分離している構造になっている。

しかし、１Ｔｂ／ｉｎ² 超の記録密度を達成するには、記録媒体と記録再生ヘッドの隙間（スペーシング）を可能な限り小さくし、記録再生ヘッドの記録能力を向上させ、線方向記録密度（ｂｐｉ）を向上しなくてはならない。記録再生ヘッドの浮上量を一時的に小さくする方法として、ＤＦＨ（ダイナミックフライトハイトコントロール）がある。ＤＦＨを活用することで、一時的に記録媒体と記録再生ヘッドのスペーシングを極小にできるが、ＤＴＲ媒体／ＢＰＭの表面凹凸が１０ｎｍあると、ＤＦＨ制御が極めて不安定になる。従って、１Ｔｂ／ｉｎ² 超の記録密度を達成するためには、ＤＴＲ媒体／ＢＰＭの表面凹凸を可能な限り小さくする必要がある。

本発明者らは、上記の課題を鑑みて鋭意検討した結果、Ｂ（ボロン）を強磁性記録層にミキシングさせることで非磁性化（磁化ゼロ）できることを見出した。この現象を利用してＤＴＲ媒体／ＢＰＭを作製すると、表面凹凸を４ｎｍ以下にすることができる。

Ｂを強磁性記録層にミキシングさせるには、固体ＢターゲットをＤＣスパッタすることで、非磁性化したい部分に選択的にＢを成膜し、その後にＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ等のイオン照射を行う方法がある。Ｂと強磁性記録層がＨｅ等のアシストで効率的にミキシングし、非磁性化する。

強磁性記録層としては、ＤＴＲ媒体にはＣｏＣｒＰｔ合金、ＢＰＭにはＣｏＰｔ合金が一般的に用いられる。これらＣｏＰｔ系合金にＢをミキシングさせていくと、５at％未満であれば、ＣｏＣｒＰｔ若しくはＣｏＰｔのグラニュラー化を促進し、保磁力（Ｈｃ）が増大する。ミキシング量が５at％以上、１５at％未満だと軟磁性化し、Ｈｃが1000Ｏｅ以下となる。そして、ミキシング量を１５at％以上にすると非磁性化し、Ｈｃはゼロとなる。即ち、Ｂのミキシング量を１５at％以上にすることにより、強磁性記録部を確実に分離することが可能となる。

本実施形態は、上記の研究結果に基づき、表面平坦性が良く、１Ｔｂ／ｉｎ² 超の記録密度に対応可能なパターンド媒体を作製する方法である。

（第１の実施形態）
まず、パターンド媒体を製造するには、ＵＶインプリント用スタンパ（樹脂スタンパ）が必要になるが、これは周知の方法により作製されたものを用いればよい。

図１は、本実施形態に用いたＵＶインプリント用スタンパの製造工程を示す断面図である。

図１（ａ）に示すように、例えば直径６インチＳｉ基板１１上にＥＢ（電子ビーム）描画レジストをスピンコートした後、２００℃で３分間プリベークして、厚さ約５０ｎｍのレジスト層１２を形成する。続いて、ＥＢ描画装置を用いて基板１１上のレジスト層１２に、図２又は図３に示したパターンを直接描画した。その後、現像液に９０秒間浸漬してレジスト層１２を現像し、図１（ｂ）に示すようなマスタ原盤を作製した。

ここで、図２及び図３のパターンはセクターの一例を示しており、図２はＤＴＲ媒体の例、図３はＢＰＭの例である。セクターは、サーボパターンが形成されたサーボデータ領域２１と記録データを保存するための記録データ領域２２とに分けられる。サーボデータ領域２１は、回転制御のためのプリアンブルパターン２１１、セクター識別のためのセクター情報パターン２１２、半径方向にトラックを識別するためのトラック情報パターン２１３、及びトラックの位置を合わせるためのバーストパターン２１４に分けられる。記録データ領域２２は、連続したトラック２２１の場合、いわゆるディスクリートトラック媒体となり、ビット毎に分割された記録ビット２２２の場合、いわゆるビットパターンド媒体となる。本実施形態は何れの媒体にも適用可能である。

次いで、Ｎｉスタンパを作製した。図１（ｃ）に示すように、上記のマスタ原盤に、スパッタによって厚さ約１０ｎｍのＮｉ導電膜１３を形成した。続いて、図１（ｄ）に示すように、導電膜を付けたマスタ原盤をスルファミン酸ニッケル鍍金液に浸漬することによりＮｉメッキ層１４を形成した。その後、表面に付着したレジスト層１２を酸素ＲＩＥで除去することにより、Ｎｉスタンパを作製した。

次いで、図１（ｅ）に示すように、Ｎｉスタンパを射出成形装置にセットし、射出成形にて樹脂スタンパ３０を作製した。樹脂スタンパ３０の成形材料は環状オレフィンポリマーであるが、ポリカーボネート材でもよい。

次に、本実施形態に係わるパターンド媒体の製造工程を、図４及び図５を参照して説明する。

まず、図４（ａ）に示すように、円盤状のガラス基板４１上に、厚さ１２０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層（軟磁性層）４２及び厚さ２０ｎｍのＲｕ層（配向制御用下地層）４３を形成した支持基板４０上に、厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂ 層（強磁性記録層）４４を成膜した。強磁性記録層４４としては、ＣｏＣｒＰｔやＣｏＰｔでも同様に用いることができる。続いて、強磁性記録層４４上に厚さ１５ｎｍのＣ層（保護層）４５を成膜した。その後、保護層４５上に、ＵＶインプリントレジストを磁気記録媒体上に密着させるための密着層４６（３〜５ｎｍ）を成膜した。密着層４６としては、ＣｏＰｔ，Ｃｕ，Ａｌ，ＮｉＴａ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｒ，ＮｉＮｂＺｒＴｉの材料の中から選ぶことができる。今回はＳｉを選んだ。

次いで、図４（ｂ）に示すように、密着層４６上に、スピンコート法で、ＵＶインプリントレジスト４７を厚さ５０ｎｍになるように塗布した。このレジスト４７は、前記図１に示す工程で作製された樹脂スタンパ３０によりパターンを形成するものである。ＵＶインプリントレジスト４７は紫外線硬化性を持つ材料であり、モノマー、オリゴマー、重合開始剤から構成されるものである。例えば、モノマーをイソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）、オリゴマーをポリウレタンジアクリレート（ＰＵＤＡ）、重合開始剤としてダロキュア（登録商標）１１７３とし、組成はＩＢＯＡ８５％、ＰＵＤＡ１０％、重合開始剤５％としたものを用いることができる。

次いで、図４（ｃ）に示すように、レジスト４７に樹脂スタンパ３０を密着させ、スタンパ３０の裏面側から紫外線を照射させることでＵＶインプリントを行った。

次いで、図４（ｄ）に示すように、樹脂スタンパ３０をレジスト４７から剥離した後、ＣＦ₄ プラズマ、若しくはアルゴンイオンビームを用いてインプリント残渣を除去する。例えば、ＣＦ₄ プラズマを用いて、チャンバ圧２ｍTorr、投入電力１００ＷのＲＩＥ装置で、１５秒のエッチングを行うことにより、インプリントプロセスで形成された残渣及びＳｉ密着層４６を除去できる。

次いで、図５（ｅ）に示すように、酸素ガスを用いたＩＣＰエッチング装置（例えば、チャンバ圧２ｍTorr、投入電力１００Ｗ）を用いて、保護膜４５をエッチングすることにより、Ｃマスクを作製した。なお、このエッチングが終了した時点では、レジスト４７はその大部分が消失している。

マスク材料としてはＣ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｕを用いることができる。マスク材料としてＭｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗを用いた場合、後述するマスク剥離工程（図５（ｈ））でフッ素系ガスを用いたＲＩＥを用いるのが好適である。フッ素系ガスとは、ＣＦ₄ ，Ｃ₂Ｆ₈ ，ＣＨＦ₃ ，ＳＦ₆ 等があげられる。フッ素系ガスのＲＩＥでマスク剥離を行う場合、再付着物が生成する可能性があるので、マスク剥離工程の後に水洗工程をいれると良い。これら金属マスクは、後述するイオン照射工程（図５（ｇ））のイオンの遮蔽効果が高いという利点がある。遮蔽効果が高い金属マスクとしてＣｕを用いても良い。Ｃｕの場合、酸素ＲＩＥやフッ素ＲＩＥで剥離できないので、Ａｒイオンエッチングでマスク剥離を行う。ＣｕはＡｒイオンエッチング耐性が低いため、容易に剥離可能である。

次いで、図５（ｆ）に示すように、固体Ｂ（ボロン）ターゲットを用いたＤＣスパッタでＢ薄膜５１を成膜する。Ｂ薄膜５１の膜厚は１０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下が好適である。今回は低圧（０．５Ｐａ）で３ｎｍの膜厚で成膜した。

次いで、図５（ｇ）に示すように、Ｂをミキシングさせるためにイオンを照射した。イオンは不活性な軽元素が好ましく、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒが好適である。軽い元素ほど低加速で強磁性体深くまで進入できるため、Ｂのミキシングには好適である。今回はＨｅガスをＥＣＲ（電子サイクロトロン）でイオン化し、１０００ｋＶの加速電圧で試料に照射した。この工程を経ることで、試料表面に成膜されたＢが強磁性記録層４４に拡散され、ミキシングして磁性が失活する。これにより、磁性失活部５２が形成される。

ここで、磁性失活部５２が強磁性記録層４４にＢをミキシングすることにより形成されることから、磁性失活部５２は元の強磁性体よりも体積が増すため、磁性失活部５２の表面が強磁性記録層４４の表面よりも高くなり、さらに磁性失活部５２の表面粗さが大きくなる。

次いで、図５（ｈ）に示すように、酸素ガスを用いたＲＩＥ（例えば１００ｍTorr、１００Ｗ、エッチング時間３０秒）で酸素プラズマ処理を行うことにより、Ｃマスク及びマスク上に形成されたＢ薄膜５１を除去した。

なお、前記図５（ｆ）の工程でＢ薄膜５１を成膜する際に、低圧スパッタを用いることで、Ｃマスク側面へのＢの付着を抑制し、ドライプロセスでのリフトオフでマスク及びＢ薄膜５１を効果的に除去することができる。

Ｂ薄膜５１の膜厚が厚すぎたり、高圧スパッタで成膜した場合、Ｃマスク側壁にＢが付着してしまうため、ドライプロセスでのリフトオフは困難になる。この場合は、ウェットプロセスでのリフトオフを用いることができる。ウェットプロセスでリフトオフするには、前記図４（ａ）の工程で強磁性記録層４４を成膜した後、リフトオフ層（例えばＭｏ，Ｍｇ等）を成膜し、その上にＣ保護層４５を順次成膜する。リフトオフ層は過酸化水素水Ｈ₂Ｏ₂ に溶解するので、図５（ｈ）の工程で酸素プラズマプロセスの代わりにＨ₂Ｏ₂ 溶液に浸漬することで、Ｍｏ若しくはＭｇの上にあるＣマスク及びＢ薄膜５１を除去することができる。

ウェットプロセスでのリフトオフは、酸素プラズマを用いないため、強磁性記録層４４のプロセスダメージを抑制できるという利点があるが、試料表面に汚れが発生するリスクがある。その場合は二流体洗浄、超音波洗浄、メガソニック洗浄、スクラブ洗浄等を組み合わせればよい。

最後に、図５（ｉ）に示すように、ＣＶＤで表面Ｃ保護膜５３を４ｎｍ形成し、潤滑剤を塗布することでＤＴＲ媒体、ＢＰＭを得ることができる。

このようにして作製された本実施形態のパターンド媒体の構造は、図６（ａ）に示したように、非記録部（磁性失活部）５２の上面が強磁性記録層（記録トラック，ビット）４４の上面に比べて僅かに高いことが特徴となっている。即ち、表面凹凸が４ｎｍ以下であり、強磁性記録層４４が凹になっており、磁性失活部５２が凸となった構造である。これは、図６（ｂ）に示す従来構造とは逆の構成となっている。さらに、図７（ａ）（ｂ）に示すように、凸部である磁性失活部５２の表面粗さが、凹部の強磁性記録層４４の表面粗さよりも大きくなっている。これは、Ｂのミキシングにより体積が増したためである。

本実施形態のパターンド媒体は、ＨＤＤに組み込んだ場合、落下等の衝撃を受けた際に故障し難いという特徴がある。これは、次の理由による。即ち、落下等の衝撃で記録再生ヘッドとパターンド媒体が接触する際に、記録部と接触した場合は、接触した記録部が破損して記録できない状態になる。しかし、本実施形態の構造だと、強磁性記録部ではなく磁性失活部が凸部となっているため、ヘッドに接触するのは非記録部となる。このため、例え記録再生ヘッドが接触してパターンド媒体が破損したとしても、非記録部のみ破損した状態になるので、記録は保持される。つまり、従来のパターンド媒体記録装置では落下等の衝撃でユーザーの記録が失われるリスクが多大であるが、本実施形態のパターンド媒体記録装置は、落下等で記録が失われるリスクが少ない。

ここで、非記録部と記録部を別々の工程で作られた別々の材料とした場合、非記録部と記録部の境の密着性が悪く、落下等の衝撃で破損する可能性が極めて高い。これに対して本実施形態では、磁性失活部５２が強磁性記録層４４を部分的にＢで変質させた構造であるため、記録部と非記録部は同一工程で作製した同種材料の薄膜である。このため、記録部と非記録部を別々の工程で作られた別々の材料とした場合に比べて、大幅な耐久性の向上がある。

また、従来のパターンド媒体は、非磁性体からなる非記録部と強磁性体からなる記録部で構成されるが、非磁性体表面は、保護膜Ｃとの密着性が悪いことが知られている。保護膜ＣはＣＶＤ（化学気相堆積法）で成膜するが、ＣＶＤは下地の影響を大きく受ける成膜法であり、強磁性体に合わせた条件でＣＶＤによりＣを成膜すると、非磁性体上に成膜されたＣの強度が低下する。例えば、ＣＶＤを行うために２００℃程度にパターンド媒体表面を加熱する必要があるが、真空中でランプ加熱を行うと、強磁性体は温まりやすく、非磁性体は温まり難い。強磁性体を２００℃に加熱する条件だと、非磁性体部表面温度は２００℃にならないため、非磁性体部のみ局所的に低温でＣＶＤ成膜を行うことになり、保護膜Ｃの質が劣化して強度低下する。

本実施形態のパターンド媒体の非記録部は、前記図４（ａ）の工程で成膜した強磁性記録層にＢを添加したものであるため、真空中でランプ加熱を行ったとしても、記録部と非記録部での温度上昇率は概ね同一であり、従来例のような局所的な温度変動がなく、強固なＣ保護膜が作製できる。Ｃ保護膜の強度劣化は、下地との密着性に密接な関わりがあり、密着性が高いほど剥がれ難く強固なＣ保護膜が得られる。

また、下地の表面粗さが大きい方が、その上に形成されるＣ保護膜５３の密着性は良くなる。そこで、実施形態のパターンド媒体は、非記録部５２の表面粗さを意図的に大きくすることによって、非記録部上部のＣ保護膜５３の密着強度を増している。これにより、
落下等の衝撃に伴うパターンド媒体記録装置の破損に対してより強い耐性を得ることができる。

このように本実施形態によれば、Ｂ薄膜５１の形成とイオン照射によるミキシングを利用して強磁性記録層４４に磁性失活部５２を形成することにより、プロセスダメージや工程増加を招くことなく、表面凹凸を小さくできる磁気記録媒体を製造することができる。しかも、記録部４４に対して非記録部５２の表面高さが高くなるため、落下等の衝撃にも強いという特徴がある。また、非記録部５２の表面粗さが大きいため、表面保護層５３との密着性が向上し、信頼性の更なる向上をはかることができる。

（第２の実施形態）
図８は、パターンド媒体を用いたハードディスクドライブ（磁気記録装置）の概略構成を示す斜視図である。

この装置は、ロータリーアクチュエータを用いた形式であり、筐体６０の内部に、磁気ディスク（磁気記録媒体）６１と、スピンドルモータ６２と、磁気ヘッドを含むヘッドスライダー６６と、ヘッドスライダー６６を支持するヘッドサスペンションアッセンブリ６７と、ボイスコイルモータ６８と、回路基板（図示せず）とを備えている。

磁気ディスク６１はパターン媒体であり、垂直磁気記録方式により各種のデジタルデータが記録されるものであり、スピンドルモータ６２に装着されて回転されるようになっている。ここで、本装置は、複数の磁気ディスク６１を備えたものとしても良い。

磁気ディスク６１に対して情報の記録再生を行うヘッドスライダー６６は、薄膜状のサスペンションの先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダー６６は、磁気記録ヘッドをその先端付近に搭載している。ヘッドスライダー６６に組み込まれている磁気ヘッドはいわゆる複合型ヘッドであり、単磁極構造のライトヘッドと、シールド型ＭＲ再生素子（ＧＭＲ，ＴＭＲなど）を用いたリードヘッドとを含む。

装置の基本構成は従来装置と同様であるが、本実施形態が従来装置と異なる点は、パターンド媒体６１として第１の実施形態で製造したものを用いたことにある。このようなバターンド媒体６１を用いることにより、記録密度の更なる向上をはかることができる。また、先にも説明したように、パターンド媒体の磁性失活部の方が強磁性記録部よりも凸となっているため、落下等の衝撃で記録再生ヘッドとパターンド媒体が接触しても、非記録部のみ破損した状態になるので、落下等で記録が失われるリスクが少ないと云う利点もある。

以下、本実施形態を更に具体的に示す実施例を説明する。

（実施例１）
前記図４及び図５に示した方法で１Ｔｂ／ｉｎ² （トラックピッチＴＰ：５０ｎｍ）のＤＴＲ媒体を作製した。照射イオン種にＨｅを用い、Ｍｏリフトオフ層を採用したウエットリフトオフ法で作製した。表面凹凸は４ｎｍであった。作製したＤＴＲ媒体をドライブに組み込みＢＥＲ（ビットエラーレート）を測定したところ−７乗が得られた。

続いて、ＤＦＨを用いた記録密度試験を行ったところ、記録密度１．５Ｔｂ／ｉｎ² の記録再生を確認できた。これは、表面凹凸が従来のＤＴＲ媒体よりも小さいため、ＤＦＨを強く効かせることができたためである。

このように本実施例によれば、エッチングマスクの上から固体Ｂを付着させ、アシストイオン（Ｈｅ）を照射することで、表面凹凸が小さく、高記録密度なＤＴＲ媒体を作製可能となる。

なお、本実施例の場合、ＤＦＨを用いない状態で、１Ｔｂ／ｉｎ² の記録密度ではＢＥＲ＝−７乗である。この状態をリファレンスとし、その状態からＤＦＨを用いて記録再生ヘッドの浮上量を下げることで記録能力を向上させ、記録周波数を上げてｂｐｉ（ビット方向密度）を大きくしていく。通常の場合、ＤＦＨも用いると記録容量は増大していくが、ＢＥＲが劣化していく。ＢＥＲが−５．５乗まで劣化した状態（パターンド媒体搭載装置作動の下限）の密度を、そのパターンド媒体における「最大記録密度」とした。本明細書中では、この試験による記録密度見積もりを記録密度試験と称した。

（実施例２）
前記図５（ｆ）の工程でＢを成膜する際に、０．５Ｐａの低圧スパッタを用いた。この条件にすることでＣマスク側面にＢが付着せず、図５（ｈ）の工程で酸素ＲＩＥによるマスク剥離を行うことができた。この場合、作成したＤＴＲ媒体の表面パーティクル数は２０個以下であった。

Ｂ成膜圧力を０．５〜９Ｐａの間で変えた実験を行ったところ、０．５Ｐａ以上１．０Ｐａ未満の成膜条件では、Ｃマスク側壁にＢが付着することがなく、図５（ｆ）の工程で酸素ＲＩＥによるマスク剥離を行うことができた。１．０Ｐａ以上９．０Ｐａ以下の圧力でＢを成膜した場合は、Ｃマスク側壁にＢが付着することが判り、酸素ＲＩＥによるマスク剥離を行うことができなかった。

そこで、前記図４（ａ）の工程で強磁性記録層４４を成膜した後、リフトオフ層としてＭｏを１ｎｍ成膜し、その上にＣ保護膜４５を成膜してマスクを作製したところ、過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂ ）によるウエットリフトオフでマスク剥離（図５（ｈ）工程）を行うことができた。この場合、Ｃマスク剥離に酸素ＲＩＥを用いないため、酸化によるプロセスダメージを完全に抑制できるが、生成したＤＴＲ媒体の表面パーティクル数は４０個以下と若干多くなった。

このように本実施例によれば、Ｂ薄膜を成膜する条件が、０．５Ｐａ以上１．０Ｐａ以下の場合、表面パーティクル数の極めて少ないＤＴＲ媒体を作製できる。また、Ｂ薄膜を成膜する条件が１．０Ｐａ以上９．０Ｐａ以下の場合、酸化プロセスダメージを完全に抑制できる。

（実施例３）
照射イオン種にＮｅ，Ａｒを用いた以外は（実施例１）と同一の方法でＤＴＲ媒体（ＴＰ：５０ｎｍ）を作製した。Ｎｅイオンを用いたＤＴＲ媒体の凹凸は３ｎｍ、Ａｒイオンを用いて作製したＤＴＲ媒体の凹凸は２ｎｍであった。これは、前記図５（ｇ）の工程で照射したイオン種によって「ミキシング効果」に加えて「スパッタエッチ効果」が生じるからである。つまり、ＨｅよりもＮｅ，Ａｒの方が「スパッタエッチ効果」が強いということである。

作製したＤＴＲ媒体をドライブに組み込み、ＤＦＨを用いて記録密度を算出したところ、全てのサンプルにおいて記録密度１．５Ｔｂ／ｉｎ² の記録再生を確認できた。凹凸が小さいほどＤＦＨが効いて密度が向上するはずであるが、結果はＨｅ（実施例１）と同じであった。これは、Ｎｅ，Ａｒは「スパッタエッチ効果」が強いため凹凸を小さくすることができ、その分ＤＦＨを強くすることができ、記録密度向上が期待できるが、反面「ミキシング効果」が小さくなるため、ＢＥＲが相殺されるからである。

このように、Ｂ薄膜に照射するガス種がＮｅやＡｒでも、（実施例１）と同様の結果となる。

（実施例４）
先に説明した（実施例１）と同じ方法でＤＴＲ媒体（ＴＰ：５０ｎｍ）を作製した。ＤＴＲ媒体の断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）測定を行ったところ、凸部が非記録部になっており、凹凸４ｎｍである構造（図６の構造）であることが確認できた。

続いて、図５（ｆ）の工程のプロセス条件を変えて凹凸の異なるＤＴＲ媒体を作製した。具体的には、加速電圧とガス流量、チャンバ内圧を変化させた。凹凸が０〜１８ｎｍのサンプルを作製した。凹凸０ｎｍを実現するには、加速減圧を装置スペック極限まで小さくする必要があり、そのためプロセス時間が数１０分と長時間化してしまう。凹凸１ｎｍ以上のサンプルは、加速電圧を一般的な値（３００ｋＶ以上）に設定できるため、プロセス時間は数分以下で済む。

記録密度試験を行い、凹凸と記録密度の関係を調べると、図９のようになった。凹凸１５ｎｍ以上のサンプルは、記録再生ヘッドが浮上せず、記録密度試験を行うことができなかった。記録密度は凹凸が小さくなる毎に向上する傾向が得られた。凹凸が４ｎｍ以下で飛躍的に向上し、リファレンスと比べて１．５倍の向上が見られた。この結果から、凹凸は小さい程良く、８ｎｍ以下、望ましくは４ｎｍ以下が好適である。しかし、凹凸０ｎｍサンプルは、図５（ｇ）の工程のプロセス時間を著しく長時間化しなくてはならない。このため、製造的観点からは凹凸１ｎｍ以上、４ｎｍ以下が好適である。

このように本実施例によれば、表面の凹凸（記録部と非記録部との段差）を１ｎｍ以上、４ｎｍ以下に設計することで、高記録密度と製造性が両立できる。

（実施例５）
先に説明した（実施例１）と同じ方法でＤＴＲ媒体（ＴＰ：５０ｎｍ）を作製した。ＤＴＲ媒体の断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）測定を行ったところ、凸部が非記録部になっており、凹凸４ｎｍである構造（図６の構造）であることが確認できた。凸部非記録部の物理組成をＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）で分析したところ、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔ及びＢの元素から成ることが判明した。Ｂの含有量は１５at％であった。

続いて、図５（ｆ）（ｇ）の工程を様々な条件に変更してＤＴＲ媒体を作製した。図１０にＥＤＸで分析したＢの量と、ＤＦＨを用いた記録密度試験の結果をまとめた。非記録部に対するＢ含有量が大きいほど記録密度が向上し、１５at％以上だと密度向上が飽和する。８at％以上の含有でリファレンス（１．０Ｔｂ／ｉｎ２）に比べて密度向上が見られるが、密度向上幅は１．１倍であり、それほど大きくはない。

続いて、ＤＦＨを用いた記録密度試験を行い、１．５Ｔｂ／ｉｎ² の記録再生を確認できたサンプルをＥＤＸ分析したところ、Ｂ含有量は１５at％であった。図５（ｆ）（ｇ）工程のプロセス条件を変えてサンプルを作製し、ＥＤＸでＢ含有量を調査したところ、概ね図１０と同等の結果が得られた。この結果より、パターンド媒体の性能は作り方ではなく非記録領域に含まれるＢの量で決まることが分かった。Ｂ含有量は８at％以上、望ましくは１５at％以上が好適である。ＣｏＰｔ系合金にＢをミキシングさせていくと、５at％以上、１５at％未満だと軟磁性化するので、８at％以上、１５at％未満のＢ含有量であるＤＴＲ媒体は、非記録部が軟磁性化している可能性があり、予期せぬ不良が発生する可能性がある。５０at％以上の含有量は過剰となり、薄膜表面が荒れてしまうため好ましくない。

ここで測定したＢ含有量は、検出感度を上げるため試料表面から２０ｎｍ程度の深さまで存在する全てのＢ含有量を測定する条件で行った。実際のＢ含有量は図１１に示したようにＢ含有量は磁性層深さ方向に対して一定ではないため、ここに記載したＢ含有量は磁性層に含まれた平均的なＢ含有量を示している。

続いて、作製したＤＴＲ媒体（実施例１）の非記録部のＥＤＸによる深さ方向解析を行った。図１１にＢ含有量の概念図を示した。最表面は図５（ｆ）工程で形成したＢ薄膜があるため、Ｂ含有量は１００at％である。イオン照射（図５（ｇ））の効果でＢが強磁性層（ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂ ）にミキシングし、表面から深くなるに従って徐々にＢ含有量が減衰していく。下地のＲｕ層に入ると急激にＢ含有量が減少するが、これは照射されたイオンがＲｕまで届きにくい加速電圧（1000Ｖ）だからである。

このように本実施例によれば、Ｂ含有量を１５at％以上、５０at％未満にすることで、表面平坦性と高記録密度を両立できる。

（実施例６）
先に説明した（実施例１）と同様の方法でＤＴＲ媒体（ＴＰ：５０ｎｍ）を作製し、前記図８に示したような磁気記録装置を作製した。２ｍの高さから落下させる衝撃試験を実施したところ、故障したのは５０台中３台であった。続いて、一般的な方法で製造されたＤＴＲ媒体を磁気記録装置に組み込んで同様の試験を行ったところ、約半数である２３台の故障が確認された。本実施例のパターンド媒体を搭載した磁気記録装置は、落下等の衝撃に強いことが分かった。

このように本実施例によれば、パターンド媒体は保護膜が強固であり、落下等の衝撃に強い。

（実施例７）
先に説明した（実施例６）で衝撃試験を行った装置を分解し、搭載されているＤＴＲ媒体の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定したところ、記録部表面粗さ（Ｒａ）：０．６５ｎｍ、非記録部Ｒａ：１．００ｎｍが得られた。記録部と非記録部のＲａ差はパターンド媒体のＣ保護膜強度に相関があると考え、非記録部と記録部のＲａの差と衝撃試験パス率（衝撃を加えた後にＤＴＲ媒体搭載装置が異常動作しない確率）の関係を調べると、図１２のようになった。

パス率９０パーセントを超えているのはＲａの差が０．２ｎｍ以上、２．０ｎｍ以下のサンプルであった。Ｒａ差が０．２ｎｍ以下のサンプルの衝撃試験パス率が低いのは、記録部上部のＣ保護膜と非記録部上部の保護膜の強度が大きく異なり、衝撃に対して弱くなっているのを反映している。Ｒａ差が２．０ｎｍ以上のサンプルで極端に衝撃試験パス率が低くなっているのは、そもそも非記録部のＲａが悪くなっているので（３ｎｍ程度）、記録再生ヘッドの浮上性が悪化し、衝撃に対して弱くなっているのが原因である。

このように本実施例によれば、非記録部と記録部のＲａの差が０．２ｎｍ以上、２．０ｎｍ以下にすることで、耐衝撃性を増すことができる。

（実施例８）
本実施形態の製造方法でパターンド媒体を作製するための原理検証を行った。パターンを形成しない以外は、図４及び図５と同様の製造方法でサンプルを作製した。ＶＳＭ（振動試料型磁力系）で磁化を調べたところ、磁化ゼロを確認した。イオンはＨｅ，Ｎｅ，Ａｒを確認したが、全てのサンプルで磁化ゼロであった。続いて、図５（ｇ）の工程でイオン照射を行わないサンプルを作製し、同様にＶＳＭで磁化強度を測定したところ、４５０ｅｍｕ／ｃｃが得られた。

これら基礎検討により、磁性失活部の磁化強度はゼロであり、記録部の磁化強度は一般的な垂直記録膜と同等の４５０ｅｍｕ／ｃｃ程度の磁化が存在することが分かった。

（実施例９）
ＥＢ描画で前記図３に示したパターンを描画した以外は、（実施例１）と同様の方法でＢＰＭを作製した。作製したＢＰＭのビットサイズは２０ｎｍ×２０ｎｍであった。ＢＰＭはＢＥＲの定義ができないため、信号振幅強度で比較した。一方向に着磁し、ドライブへ組み込み再生波形を観察したところ、信号振幅強度２００ｍＶが得られた。ＤＴＲ媒体と同様の作製方法でＢＰＭも作製できることが分かった。

（変形例）
なお、本発明は上述した実施形態及び各実施例に限定されるものではない。

実施形態ではガラス基板を用いたが、これに限らず、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板にＮｉＰ等のメッキが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。

また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。また、基板上への薄膜の形成方法としてはスパッタリング法が一般的であるが、真空蒸着法や電解メッキ法などでも同様の効果を得ることができる。

また、軟磁性（裏打ち）層（ＳＵＬ）は、垂直磁磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド、例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っている。さらに、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。従って、軟磁性（裏打ち）層には、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏを含む材料を用いることができる。

このような材料の例として、ＦｅＣｏ系合金として例えばＦｅＣｏ，ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金として例えばＦｅＮｉ，ＦｅＮｉＭｏ，ＦｅＮｉＣｒ，ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金及びＦｅＳｉ系合金として例えばＦｅＡｌ，ＦｅＡｌＳｉ，ＦｅＡｌＳｉＣｒ，ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ，ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金として例えばＦｅＴａ，ＦｅＴａＣ，ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金として例えばＦｅＺｒＮなど、を挙げることができる。また、Ｆｅを６０at％以上含有するＦｅＡｌＯ，ＦｅＭｇＯ，ＦｅＴａＮ，ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、或いは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。

また、軟磁性（裏打ち）層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏは、好ましくは８０at％以上含まれる。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファス層が形成されやすく、アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性，結晶欠陥，及び粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、例えばＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＮｂ，及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。ＳＵＬの下には、ＳＵＬの結晶性の向上或いは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。

また、下地層材料としては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ｐｔ，或いはこれらを含む合金、又はこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。ＳＵＬと記録層との間には、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、ＳＵＬと記録層との交換結合相互作用を遮断することと、記録層の結晶性を制御することの二つがある。中間層材料としては、Ｒｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｓｉ，或いはこれらを含む合金、又はこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。スパイクノイズ防止のために、ＳＵＬ層を複数の層に分け０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挿入することで反強磁性結合させても良い。また、ＣｏＣｒＰｔやＳｍＣｏ，ＦｅＰｔ等の面内異方性を持った硬磁性膜、或いはＩｒＭｎ，ＰｔＭｎ等の反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させても良い。その際に、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の前後に磁性（例えばＣｏ）或いは非磁性の膜（例えばＰｔ）を積層させても良い。

また、強磁性記録層（垂直磁気記録層）としては、Ｃｏを主成分とすると共に少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなり、この酸化物としては、特に酸化シリコン，酸化チタンが好適である。垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向及び結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得ることができる。このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔの総量に対して、３mol％以上１２mol％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５mol％以上１０mol％以下である。

垂直磁気記録層中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際に磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子の孤立化及び微細化をすることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性及び結晶性を損ね、更には磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため、好ましくない。また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため、好ましくない。

垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０at％以上１６at％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０at％以上１４at％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であるのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるために好適だからである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性及び配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。

垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０at％以上２５at％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲であるのは、垂直磁性層に必要なＫｕを得、さらに磁性粒子の結晶性及び配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性及び記録再生特性が得られるため、好適だからである。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがあるため、好ましくない。また、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るためのＫｕが得られないため、好ましくない。

垂直磁気記録層は、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔ，酸化物の他に、Ｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｗ，Ｎｂ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｒｕ，Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、或いは結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８at％以下であることが好ましい。８at％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性及び配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性が得られないため、好ましくない。

また、垂直磁気記録層としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金（ＣｏＰｔＯ，ＣｏＰｔＣｒＯ，ＣｏＰｔＳｉ，ＣｏＰｔＣｒＳｉ）、及びＰｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，及びＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ，Ｂ及びＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。

垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは５〜６０ｎｍ、より好ましくは１０〜４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作し得る。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、237000Ａ／ｍ（3000Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が237000Ａ／ｍ（3000Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。

また、ＵＶインプリントレジストは、紫外線硬化性を持つ材料であり、モノマー，オリゴマー，及び重合開始剤から構成される。溶媒は含まない。モノマー材料としては、下記のようなものが使われる。

・アクリレート類
ビスフェノールＡ・エチレンオキサイド変性ジアクリレート（ＢＰＥＤＡ）
ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）アクリレート（ＤＰＥＨＡ）
ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート（ＤＰＥＨＰＡ）
ジプロピレングリコールジアクリレート（ＤＰＧＤＡ）
エトキシレイテドトリメチロールプロパントリアクリレート（ＥＴＭＰＴＡ）
グリセリンプロポキシトリアクリレート（ＧＰＴＡ）
４−ヒドロキシブチルアクリレート（ＨＢＡ）
１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（ＨＤＤＡ）
２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）
２−ヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＡ）
イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）
ポリエチレングリコールジアクリレート（ＰＥＤＡ）
ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）
テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）
トリプロピレングリコールジアクリレート（ＴＰＧＤＡ）
・メタクリレート類
テトラエチレングリコールジメタクリルレート（４ＥＤＭＡ）
アルキルメタクリレート（ＡＫＭＡ）
アリルメタクリレート（ＡＭＡ）
１，３−ブチレングリコールジメタクリレート（ＢＤＭＡ）
ｎ−ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）
ベンジルメタクリレート（ＢＺＭＡ）
シクロヘキシルメタクリレート（ＣＨＭＡ）
ジエチレングリコールジメタクリレート（ＤＥＧＤＭＡ）
２−エチルヘキシルメタクリレート（ＥＨＭＡ）
グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（ＨＤＤＭＡ）
２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２−ＨＥＭＡ）
イソボルニルメタクリレート（ＩＢＭＡ）
ラウリルメタクリレート（ＬＭＡ）
フェノキシエチルメタクリレート（ＰＥＭＡ）
ｔ−ブチルメタクリレート（ＴＢＭＡ）
テトラヒドロフルフリルメタクリレート（ＴＨＦＭＡ）
トリメチロールプロパントリメタクリレート（ＴＭＰＭＡ）
これらの中でも特に、ＩＢＯＡ、ＴＰＧＤＡ、ＨＤＤＡ、ＤＰＧＤＡ、ＮＰＤＡ、ＴＩＴＡなどが、粘度１０ＣＰ以下にすることができるため良好である。

オリゴマー材料としては、例えばウレタンアクリレート系材料、例えば、ポリウレタンジアクリレート（ＰＵＤＡ）やポリウレタンヘキサアクリレート（ＰＵＨＡ）、その他、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、フッ化ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−Ｆ）、ポリカーボネートジアクリエート、フッ化ポリカーボネートメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−ＰＣ−Ｆ）などが使われる。

重合開始剤としては、イルガキュア（登録商標）１８４及びダロキュア（登録商標）１１７３などが使われる。

また、密着層は、ＵＶインプリントレジストと垂直記録膜を密着させるための層であり、Ｏ₂ 或いはＯ₃ ガスに耐性があって、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉなどを主成分とするものが望ましい。膜厚は１〜１５ｎｍが好ましい。

また、残渣除去には、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）でレジストの残差除去を行う。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）が好適だが、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマ、一般的な並行平板型ＲＩＥ装置でも構わない。

また、保護層としては、垂直磁気記録層の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばＣ，ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ を含むものがあげられる。保護層の厚さは、１〜１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。カーボンは、ｓｐ２結合炭素（グラファイト）とｓｐ３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ３結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれる。耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護膜として利用されている。

ＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法によるＤＬＣの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってＤＬＣを生成させるため、条件を合わせることで、よりｓｐ３結合炭素に富んだＤＬＣを形成することができる。また、保護層上には、潤滑層を設けることができる。潤滑層に使用される潤滑剤としては、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。

また、Ｃ保護膜は、凹凸へのカバレッジを良くするためにＣＶＤ法で成膜することが望ましいが、スパッタ法、真空蒸着法でも構わない。ＣＶＤ法でＣ保護膜を形成した場合、ｓｐ３結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が形成される。膜厚は２ｎｍ以下だとカバレッジが悪くなり、１０ｎｍ以上だと、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってＳＮＲが低下するので好ましくない。また、保護層上には、潤滑層を設けることができる。潤滑層に使用される潤滑剤としては、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。

本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１…Ｓｉ基板
１２…レジスト層
１３…Ｎｉ導電膜
１４…Ｎｉメッキ層
３０…樹脂スタンパ
２１…サーボデータ領域
２１１…プリアンブルパターン
２１２…セクター情報パターン
２１３…トラック情報パターン
２１４…バーストパターン
２２…記録データ領域
２２１…トラック
２２２…記録ビット
４０…支持基板
４１…ガラス基板
４２…ＣｏＺｒＮｂ層（軟磁性層）
４３…Ｒｕ層（配向制御用下地層）
４４…ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 層（強磁性記録層）
４５…Ｃ層（保護層）
４６…密着層
４７…ＵＶインプリントレジスト
５１…Ｂ薄膜
５２…磁性失活部
５３…Ｃ保護膜
６０…筐体
６１…磁気ディスク（磁気記録媒体）
６２…スピンドルモータ
６６…ヘッドスライダー
６７…ヘッドサスペンションアッセンブリ
６８…ボイスコイルモータ

Claims (9)

1. 基板上に強磁性体膜を形成する工程と、
   前記強磁性体膜をトラック間又はビット間で分離するための領域上にＢ薄膜を形成する工程と、
   前記Ｂ薄膜にイオンを照射することにより、前記強磁性体膜の前記Ｂ薄膜が形成された部分を、Ｂ含有量を１５at％以上にして非磁性化する工程と、
   を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 円盤状の基板上に強磁性体膜を形成する工程と、
   前記強磁性体膜上にマスク材料層を形成する工程と、
   前記マスク材料層上にレジストを形成する工程と、
   スタンパを用いたインプリント法により、前記レジストに強磁性記録部のパターンを形成する工程と、
   前記強磁性記録部のパターンが形成されたレジストをマスクに用いて前記マスク材料層を選択エッチングする工程と、
   前記マスク材料層の選択エッチングにより露出した前記強磁性体膜の表面にＢ薄膜を形成する工程と、
   イオンの照射により前記Ｂ薄膜中のＢを前記強磁性体膜に拡散させることにより、前記強磁性体膜の前記Ｂ薄膜が形成された部分に、Ｂ含有量が１５at％以上の強磁性失活部を形成する工程と、
   前記強磁性失活部の形成後に前記マスク材料層を除去する工程と、
   を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記イオン照射種がＨｅ，Ｎｅ，又はＡｒであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記Ｂ薄膜の形成を０．５Ｐａ以上１．０Ｐａ未満の低圧で行うと共に前記マスク材料層の剥離をドライプロセスで行う、又は前記Ｂ薄膜の形成を１．０Ｐａ以上９．０Ｐａ未満の高圧で行うと共に前記マスク材料層の剥離をウェットプロセスで行うことを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 円盤状の基板上に複数のトラックからパターンが構成されるトラックパターン又は複数のビットからパターンが構成されるビットパターンが形成された、強磁性体からなる強磁性記録部と、
   前記強磁性記録部を前記トラック間又は前記ビット間で分離するための領域にＢを導入して形成された、Ｂ含有量が１５at％以上の強磁性失活部と、
   を具備したことを特徴とする磁気記録媒体。
6. 前記強磁性失活部の膜厚は、前記強磁性記録部の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
7. 前記強磁性失活部の表面粗さは、前記強磁性記録部の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
8. 前記強磁性失活部と前記強磁性記録部との表面粗さの差が、０．２ｎｍ以上２ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体。
9. 請求項５に記載の磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体を保持して回転させる回転機構と、
   前記磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、
   を具備したことを特徴とする磁気記録装置。

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