JP2012062270A

JP2012062270A - アミン化合物の製造方法

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Publication number: JP2012062270A
Application number: JP2010207142A
Authority: JP
Inventors: Masato Watanabe; 正人渡辺; Koichi Tanaka; 浩一田中; Takashi Miki; 崇三木; Kunihiko Murata; 邦彦村田
Original assignee: Kanto Chemical Co Inc
Current assignee: Kanto Chemical Co Inc
Priority date: 2010-09-15
Filing date: 2010-09-15
Publication date: 2012-03-29
Anticipated expiration: 2030-09-15
Also published as: US20120065426A1; EP2431353B1; EP2431353A1; JP5847386B2

Abstract

【課題】還元的アミノ化反応において、一般性が高く、高ジアステレオ選択的なアミン化合物の実用的な製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される特定の有機金属化合物を含む還元的アミノ化反応に用いる触媒を用いた、ジアステレオ選択的なアミン化合物の製造方法に関する。

【選択図】なし

Description

本発明は、含窒素有機金属錯体を触媒として用いた、カルボニル化合物のジアステレオ選択的な還元的アミノ化反応によるアミン化合物の実用性に優れた製造方法、およびイミン化合物またはエナミン化合物のジアステレオ選択的な還元または水素化による、アミン化合物の実用性に優れた製造方法に関する。

アンモニアまたは１級もしくは２級アミン化合物とカルボニル化合物との反応によるアミン化合物の製法は、還元的アミノ化反応として知られ、アミン化合物を製造するための標準的方法の一つである。還元的アミノ化反応は、不斉触媒を用いたエナンチオ選択的な反応を除き、一般的には、ラネーＮｉ、ラネーＣｏ、Ｐｄ／活性炭、Ｐｔ／活性炭などの不均一系触媒を用いた水素化反応による方法や、ＮａＢＨ_３ＣＮ（J. Am. Chem. Soc. 1971, 93, 2897.）やＮａＢＨ（ＯＡｃ）_３（J. Org. Chem. 1996, 61, 3849.）などのホウ素系反応剤を用いた方法で実施される。これらの不均一系触媒やホウ素系反応剤の存在下、反応基質としてキラル炭素またはアキラル炭素を有するカルボニル化合物またはアミン化合物を用いると、反応中間体のイミン化合物またはエナミン化合物がジアステレオ選択的に還元されることが知られている。

例えば、４―ｔｅｒｔ―ブチルシクロヘキサノンとアンモニアとの還元的アミノ化反応による４―ｔｅｒｔ―ブチルシクロヘキシルアミンの合成では、非特許文献１や特許文献１に示されているように、不均一系触媒のロジウム触媒やパラジウム触媒を用いた水素化反応により、シス体：トランス体＝９０：１０のジアステレオ選択性で対応するアミンが得られる。４―ｔｅｒｔ―ブチルシクロヘキサノンと１級アミンを反応させ、特許文献２、非特許文献２、非特許文献３および非特許文献４に記載されているように、得られたイミンを不均一系触媒を用いての水素化反応やホウ素系反応剤による還元反応を行なうと、最高でシス体：トランス体＝９９：１の選択性で対応するアミンが得られる。

さらに、ジアステレオ選択的な反応を利用して光学活性アミンを得る方法として、非特許文献５に記載されているように、不均一系触媒（ラネーＮｉ、Ｐｄ／活性炭、Ｐｔ／活性炭、Ｒｕ／活性炭、またはＲｈ／活性炭）とＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）_４等のルイス酸の存在下、カルボニル化合物と光学活性α−メチルベンジルアミンとの還元的アミノ化反応により、対応するアミンをジアステレオ選択的に得たのち、脱ベンジル化反応により、光学活性な一級アミンを得る方法が知られている。

しかしながら、非特許文献１、非特許文献５、特許文献１、および特許文献２に記載された不均一系触媒を用いた方法は、基質中に炭素−炭素多重結合部位、シアノ基、ニトロ基などの官能基を有する場合、同時に水素化されてしまうことから、これらの官能基をもつ基質には適用できないという問題点がある。さらに、非特許文献１や特許文献１の方法では、非特許文献３および４と比較してジアステレオ選択性が低いという問題点もある。

非特許文献２〜４に記載されたホウ素系反応剤を用いた方法は、耐圧反応装置を必要としないことから操作性や安全性に優れ、不均一系触媒の問題点であった官能基選択性の点では問題がないものの、触媒反応でないことから経済面や環境面において優れた方法ではない。さらに、非特許文献３および４では、高いジアステレオ選択性を示しているものの、前もってイミンを調製し、イミンの還元反応を行なった後に得られたアミンの脱保護を必要とし、高いジアステレオ選択性を得るためには高価なホウ素系反応剤を用いる必要があることから、実用的な製造方法とはならない。

特許文献３には、有機金属錯体を触媒として用いてカルボニル化合物を不斉還元することで光学活性アルコールの製造する方法が記載されているが、かかる触媒によって還元的アミノ化を触媒できるかどうかについては報告されていない。また、特許文献４には還元的アミノ化反応に有機金属錯体を触媒として用いて、エナンチオ選択的にアミン化合物を得る方法が記載されているが、十分なエナンチオ選択率を達成するものとは言えなかった。

以上のことから、従来より還元的アミノ化反応により高いジアステレオ選択性でアミン化合物を製造するための、汎用性が高く、高活性で官能基選択性に優れた実用性の高い製造方法が望まれていた。

ＥＰ０６６９３１４Ａ１ＷＯ９９／０４７４８７ＷＯ０２／０１０１０１ＷＯ２００６／００４０９３

日本化学会誌, 1989, p.641-647 Tetrahedron Letters (1996), 37(23), 3977-3980 Tetrahedron Letters (1984), 25(7), 695-8 Tetrahedron Letters (1981), 22(36), 3447-50 Adv. Synth. Catal. 2006, 348, 1289-1299

本発明は、還元的アミノ化反応において、汎用性が高く、高ジアステレオ選択的なアミン化合物の実用的な製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、カルボニル化合物とアミン化合物との還元的アミノ化反応によるアミン化合物の製造方法に関して鋭意研究を行う中で、含窒素配位子を有するルテニウム、ロジウム、およびイリジウム錯体が還元的アミノ化反応において、高ジアステレオ選択的にアミン化合物を製造できることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は以下に関する。
（ａ）下記一般式（１）

（一般式（１）中、Ａｒは、１または２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、シクロペンタジエニル基または芳香族化合物であり、ＷはＣ１〜１０の飽和もしくは不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基、アシル基、エステル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、スルフェニル基、スルホ基、メルカプト基、ホスフィノ基、シリル基またはハロゲン基を表し、Ｍはルテニウム、ロジウム、またはイリジウムであり、Ｘはヒドリド基またはアニオン性基であり、Ｅは、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよいＣ１〜６の飽和もしくは不飽和炭化水素基、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アシル基、ハロゲン基、エステル基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、スルフェニル基、スルホ基もしくはチオール基によって、１または２以上の水素原子が置換されていてもよい（ここで、前記各置換基中の１もしくは２以上の水素原子がさらに置換基Ｗで置換されてもよい）アリーレン基であるリンク基を表し、Ａは「Ｍ−ＮＲ^１Ｃ（Ｏ）−Ｅ」の結合様式をもつアミド基、または酸素原子であり、ここでＡが酸素原子の場合、Ｅは、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよいアリーレン基であり、Ｒ^１は水素原子、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基（ここで、置換基Ｗ中の１または２以上の水素原子がさらに置換基Ｗで置換されていてもよい）を示し、ＹおよびＺは同一であるか、または互いに異なり、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、またはシリル基を示し、ここでＹとＺ、ＺとＥ、ＹとＥ、またはＹ−Ｚ−Ｅとが結合して環を形成してもよく、またｎは０または１の整数を示し、ｎ＝０の場合は、Ｎ−Ｚ間またはＮ−Ｅ間が二重結合となる）で表される有機金属化合物の存在下、水素ガスまたは水素供与性の有機もしくは無機化合物を用いて、イミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することを特徴とする、アミン化合物の製造方法。

（ｂ）式（１）中の部位である下記一般式（２）

（一般式（２）中、ｎ＝０でＮ、ＥおよびＺは上記と同じ意味を表す。）で表される部位が、含窒素環状基を含む基であることを特徴とする、（ａ）に記載のアミン化合物の製造方法。

（ｃ）式（１）で表される有機金属化合物が、下記一般式（３）

（一般式（３）中、Ａｒ、ＭおよびＸは（ａ）と同じ意味を表し、Ｒ^２およびＲ^３は互いに同一である、または互いに異なり、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、スルホ基、メルカプト基、カルボキシル基、１もしくは２以上の水素原子が、置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、エステル基、フルオロアルキル基、アシル基、スルホニル基、アミノ基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基またはシリル基を示し、Ｗは（ａ）と同じ意味を表し、ｊ、ｋは互いに独立して０から３までの整数であり、ここで、Ｒ^２またはＲ^３が結合していないキノリン環中の炭素原子が窒素原子によって置き換えられてもよく、ｊとｋが１以上の場合、Ｒ^２とＲ^３が互いに連結して環を形成してもよく、ｊおよび／またはｋが２以上の場合は、２以上のＲ^２および／またはＲ^３が互いに連結して環を形成してもよい）で表される有機金属化合物、または下記一般式（４）

（一般式（４）中、Ａｒ、ＭおよびＸは（ａ）と同じ意味を表し、Ｒ^２は上記Ｒ^２およびＲ^３と同じであり、Ｒ^４は水素原子、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基を示し、Ｗは（ａ）と同じ意味を表し、ｌは０から４までの整数を表し、ここで、Ｒ^２が結合していないピリジン環中の炭素原子が窒素原子によって置き換えられてもよく、ｌが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよい）および下記一般式（５）

（一般式（５）中、Ａｒ、Ｍ、ＸおよびＹは（ａ）と同じ意味を表し、Ｒ^２は上記Ｒ^２およびＲ^３と同じであり、Ｒ^４は水素原子、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基を示し、Ｗは（ａ）と同じ意味を表し、ｍは０から７までの整数を表し、ここで、ピロリジン環中の炭素原子が窒素原子によって置き換えられてもよく、ｍが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよいで表される有機金属化合物からなる群から選択される１または２以上の有機金属化合物であることを特徴とする、（ａ）または（ｂ）に記載のアミン化合物の製造方法。

（ｄ）下記一般式（６）

（一般式（６）中、Ａｒ、Ｍ、およびＸは（ａ）と同じ意味を表し、ｐは２以上の整数を表す。）で表される有機金属化合物と、下記一般式（７）

（一般式（７）中、Ａ、Ｅ、Ｙ、Ｚおよびｎは（ａ）と同じ意味を表す。）で表される有機化合物の存在下、水素ガスもしくは水素供与性の有機または無機化合物を用いて、イミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することを特徴とする、アミン化合物の製造方法。

（ｅ）カルボニル化合物とアミン化合物を混合し、系中で生成したイミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することを特徴とする、（ａ）〜（ｄ）のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。
（ｆ）式（１）および式（６）中のＭがロジウム、およびイリジウムであることを特徴とする、（ａ）〜（ｅ）のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。
（ｇ）水素供与性の有機または無機化合物がギ酸、またはギ酸塩である、（ａ）〜（ｆ）のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。
（ｈ）反応により得られるアミン化合物が、環状アミン化合物または環状ジアミン化合物である、（ａ）〜（ｇ）のいずれかに記載のアミン化合物の製造方法。

本発明により、カルボニル化合物とアミン化合物との還元的アミノ化反応による高ジアステレオ選択的なアミン化合物の製造法において、実用的な製造方法を提供でき、それによってアミン化合物を高効率に製造することができる。

図１は、本発明の代表的な有機金属化合物を示した図である。

以下、本発明について詳細に説明する。本発明で用いられる含窒素有機金属錯体は、一般式（１）

で表される。

Ａｒは、典型的には、１または２以上の水素原子が置換されていてもよいシクロペンタジエニル基または芳香族化合物であり、Ａｒの具体例としては、これに限定するものではないが、例えば無置換のベンゼン、トルエン、ｏ−、ｍ−およびｐ−キシレン、ｏ−、ｍ−およびｐ−シメン、１，２，３−、１，２，４−および１，３，５−トリメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，３，４，５−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、ならびにヘキサメチルベンゼン等のアルキル基を有するベンゼン、ベンジル、ビニル、アリルなどの、不飽和炭化水素基を有するベンゼン、ヒドロキシル基、アルコキシ基、エステル基、アミノ基、ハロゲン基等の異原子を有するベンゼンなどが挙げられる。ベンゼン環の置換基の数は１〜６の任意の数であり、置換位置は任意の位置を選ぶことができる。錯体合成の容易さという点で、好ましくはｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼンである。

さらに、置換基を有していてもよいシクロペンタジエニル基の例としては、これに限定するものではないが、例えばシクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、フェニルシクロペンタジエニル基、ベンジルシクロペンタジエニル基、１，２−ジメチルシクロペンタジエニル基、１，３−ジメチルシクロペンタジエニル基、１，２，３−トリメチルシクロペンタジエニル基、１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル基、１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタジエニル基、１，２，３，４，５−ペンタメチルシクロペンタジエニル基（Ｃｐ^＊）などが挙げられる。錯体合成の容易さという点で、好ましくは１，２，３，４，５−ペンタメチルシクロペンタジエニル基（Ｃｐ^＊）である。

置換基Ｗは、典型的には、Ｃ１〜１０の飽和もしくは不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基、アシル基、エステル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、スルフェニル基、スルホ基、メルカプト基、ホスフィノ基、シリル基またはハロゲン基であり、特に、Ｃ１〜１０の飽和もしくは不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルコキシ基、アシル基、エステル基、ヒドロキシル基、アミノ基、スルホニル基、シリル基またはハロゲン基である。

Ｗの具体例としては、これに限定するものではないが、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシレン基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、トルイル基、ナフチル基、ピリジル基、フラニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、アセチル基、プロパノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、ベンゾイル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ヒドロキシル基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、メチルシリル基、ジメチルシリル基、トリメチルシリル基、フルオロ基、クロロ基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。錯体合成の容易さという点で、好ましくは飽和または不飽和炭化水素基、さらに好ましくはメチル基、ｉ−プロピル基である。
一般式（１）のＭは、ルテニウム、ロジウム、およびイリジウムのいずれかである。触媒活性の高さという点で、好ましくはロジウム、およびイリジウムである。

一般式（１）のＸは、典型的には、ヒドリド基またはアニオン性基である。Ｘの具体例としては、これに限定するものではないが、例えば、ヒドリド基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、架橋したオキソ基、フッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基、テトラフルオロボラート基、テトラヒドロボラート基、テトラキスペンタフルオロフェニルボラート基、テトラキス［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボラート基、ヘキサフルオロホスフェート基、ヘキサフルオロアンチモネート基、ヘキサクロロアンチモネート基、ヘキサフルオロアーセネート基、パークロレート基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基、（２’，６’−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（２’，５’−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（３’−アミノベンゾイル）オキシ基、（２’，６’−ジメトキシベンゾイル）オキシ基、（２’，４’，６’−トリイソプロピルベンゾイル）オキシ基、１−ナフタレンカルボン酸基、２−ナフタレンカルボン酸基、トリフルオロアセトキシ基、トリフルオロメタンスルホンイミド基、ニトロメチル基、ニトロエチル基、トルエンスルホナート基、メタンスルホナート基、エタンスルホナート基、ｎ−プロパンスルホナート基、イソプロパンスルホナート基、ｎ−ブタンスルホナート基、フルオロスルホナート基、フルオロメタンスルホナート基、ジフルオロメタンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、ペンタフルオロエタンスルホナート基などが挙げられる。錯体合成の容易さという点で、好ましくは塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメタンスルホナート基である。

また、Ｍにはアニオン性基であるＸ以外に、配位性の中性分子が配位していてもよい。Ｍに配位する中性分子の具体例としては、水やメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、２−メトキシエタノールなどのアルコール類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルなどのエーテル類、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトン、クロロホルム、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどが挙げられる。

リンク基Ｅは、典型的には、１または２以上の水素原子が置換されていてもよい、Ｃ１〜６の飽和もしくは不飽和炭化水素基、またはアリーレン基である。Ｅの具体例としては、これに限定するものではないが、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、シクロヘキシレン基、ビニレン基、プロピニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、ナフタレニレン基などが挙げられる。触媒活性の高さや錯体合成の容易さを考えると、好ましくはメチレン基、エチレン基、フェニレン基、ナフタレニレン基であり、さらに好ましくはメチレン基、フェニレン基である。

Ｅがアリーレン基である場合、その１または２以上の水素原子の置換基としては、典型的には、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アシル基、ハロゲン基、エステル基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、スルホニル基、スルフェニル基、スルホ基、チオール基もしくはシリル基であり、特にＣ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、またはアシル基である。これらの置換基の１または２以上の水素原子は、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。

一般式（１）中のＡは、「Ｍ−ＮＲ^１Ｃ（Ｏ）−Ｅ」の結合様式をもつアミド基、または酸素原子である。Ｒ^１は、典型的には、水素原子、１または２以上の水素原子が置換基Ｗで置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基である。これらの基中の置換基Ｗの１または２以上の水素原子は、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。

Ｒ^１の具体例としては、これに限定するものではないが、例えば水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ピリジル基、ビニル基、エチニル基、エステル結合を有する基、アセチル基、ベンゾイル基、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、メチルシリル基、ジメチルシリル基、トリメチルシリル基などが挙げられる。触媒活性や反応収率の高さという点で、好ましくは水素原子、メチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ベンジル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、４−（ジメチルアミノ）フェニル基である。Ａが酸素原子である場合、Ｅは、１または２以上の水素原子が置換基Ｗによって置換されていてもよいアリーレン基に限定される。

一般式（１）中のＹおよびＺは、典型的には、互いに独立して、１または２以上の水素原子が置換基Ｗで置換されてもよいアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクリル基、シリル基、アリール基、アルケニル基である。ＹおよびＺの具体例としては、例えばメチル基、エチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ピリジル基、ビニル基、トリメチルシリル基などが挙げられるが、これに限定するものではない。錯体合成の容易さという点で、好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基である。Ｙ、Ｚ、Ｅはそれぞれ結合して環を形成してもよい。具体的には、これに限定するものではないが、ＺとＥが結合してピペリジル基、ピリジル基、ピロリジル基を形成する、などが挙げられる。ｎが０を表す場合、Ｎ−ＺまたはＮ−Ｅが二重結合となる。

上記式（１）の構造を有する有機金属錯体を、水素ガスまたは水素供与性の有機もしくは無機化合物の存在下において、イミン化合物またはエナミン化合物を還元する還元的アミノ化反応において触媒として用いることにより、該イミンまたはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することができる。このジアステレオ選択的還元反応のメカニズムについては必ずしも明らかではないが、一因として、前記有機金属錯体の分子構造の大きさが関係しているのではないかと考えられる。前記有機金属錯体は立体的にかさ高い分子であり、還元的アミノ化の触媒として作用する際、イミン構造の反応部位に対して立体障害のより少ない方向から還元が起こりやすくなるものと考えられる。

本発明に用いられる一般式（１）を含む触媒中の部位である一般式（２）

の構造は、触媒活性の高さやジアステレオ選択性の高さという点で、好ましくは含窒素環状基を含む基である。ｎが０の場合、該基は含窒素芳香族環基となり、一般式（２）中のＮが含窒素芳香族環構造のヘテロ窒素原子となって、ＺとＥが結合して環構造を形成することになる。含窒素芳香族環構造を含む基としては、例えば６員の含窒素単環芳香族環であるピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、テトラジン環などだけでなく、６員の含窒素芳香族環構造を含む多環芳香族基であるキノリン環やイソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、アクリジン環、シンノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環などを含む。また、かかる基は含窒素芳香族環構造を含んでいればよく、例えば５，６，７，８−テトラヒドロキノリル基なども含まれる。
５員の含窒素環としては、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、１，２，３−トリアゾール環、１，２，４−トリアゾール環、テトラゾール環などが挙げられる。

ｎが1の場合、前記含窒素環状基は非芳香族環となり、一般式（２）中のＮが含窒素環のヘテロ窒素原子となって、ＺとＥが結合して環構造を形成することになる。かかる非芳香族性含窒素環構造を含む基としては、例えば４員環の含窒素環であるアゼチジン環、５員の含窒素環または該環を含む基であるピロリジン環、ピロリン環、イミダゾリジン環、イミダゾリン環、ピラゾリジン環、ピラゾリン環、オキサゾリン環、インドリン環、イソインドリン環、６員の含窒素環または該環を含む基であるピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環などのほか、キヌクリジン環などが挙げられる。

触媒活性の高さやジアステレオ選択性の高さという点で、好ましくは化合物が一般式（３）

で表される化合物である。式中のＲ^２およびＲ^３は、典型的には、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、１または２以上の水素原子が置換基Ｗで置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、エステル基、フルオロアルキル基、アシル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、スルホ基、メルカプト基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、ホスフィノ基、スルフェニル基またはシリル基であり、特に水素原子、ハロゲン原子、１または２以上の水素原子が置換基Ｗで置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、エステル基、アシル基、スルホニル基、ヒドロキシル基またはシリル基である。

Ｒ^２およびＲ^３は複数個導入されていてもよく、置換数ｊおよびｋは、互いに独立して、０〜３の整数であり、ここで、ｊが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよく、例えばフェナントリジン環、アクリジン環などを形成してもよい。さらに、Ｒ^２またはＲ^３が結合していないキノリン環構造中の１または２以上の炭素原子が窒素原子に置き換えられていてもよく、例えばナフチリジン環、キノキサリン環、シンノリン環、キナゾリン環、フタラジン環などを形成してもよい。

Ｒ^２およびＲ^３の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ピリジル基、ビニル基、エチニル基、エステル結合を有する基、アセチル基、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、トリメチルシリル基などが挙げられるが、これに限定するものではない。触媒活性の高さという点で、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基である。

また、触媒活性の高さやジアステレオ選択性の高さという点で、化合物が好ましくは一般式（４）

で表される化合物である。Ｒ^２は上記と同じ意味を示し、その置換数ｌは、０〜４までの整数である。Ｒ^４は、水素原子、１または２以上の水素原子が置換基Ｗで置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基である。

Ｒ^４の具体例としては、これに限定するものではないが、例えば水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ベンジル基、シクロへキシル基、フェニル基、ピリジル基、ビニル基、エチニル基、エステル結合を有する基、アセチル基、ベンゾイル基、スルホニル基、シリル基などが挙げられる。触媒活性や反応収率の高さという点で、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ベンジル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、４−（ジメチルアミノ）フェニル基である。Ｒ^２は複数個導入されていてもよく、置換数ｌは０〜４までの整数を表し、ここで、ｌが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよく、例えばキノリン環、イソキノリン環などを形成してもよい。また、Ｒ^２が結合していないピリジン環構造中の１または２以上の炭素原子は窒素原子によって置き換えられてもよく、例えばピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環などを形成してもよい。

さらに、触媒活性の高さやジアステレオ選択性の高さという点で、化合物が好ましくは一般式（５）

で表される化合物である。Ｒ^２は上記と同じ意味を示し、その置換数ｍは、０〜７までの整数である。Ｒ^４は、水素原子、１または２以上の水素原子が置換基Ｗで置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基である。

Ｒ^４の具体例としては、これに限定するものではないが、例えば水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ベンジル基、シクロへキシル基、フェニル基、ピリジル基、ビニル基、エチニル基、エステル結合を有する基、アセチル基、スルホニル基、シリル基などが挙げられる。触媒活性や反応収率の高さという点で、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ベンジル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、４−（ジメチルアミノ）フェニル基である。Ｒ^２は複数個導入されていてもよく、置換数ｍは０〜７までの整数を表し、ここで、ｍが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよく、例えばインドリン環、イソインドリン環などを形成してもよい。また、ピロリジン環構造中の１または２以上の炭素原子は窒素原子によって置き換えられてもよく、例えばイミダゾリジン環、ピラゾリジン環などを形成してもよい。

上述のように、有機金属錯体を不斉還元触媒として用いることは公知である。例えば上記特許文献３および４には、本願一般式（１）のＹに相当する置換基にＨを有する有機金属錯体を触媒として用いる不斉還元反応について開示されている。
特許文献３に開示されているのは、カルボニル化合物を不斉還元して光学活性アルコールを製造する方法であり、ジアステレオ選択的にアミン化合物を製造する方法ではない。

特許文献４に開示されているのは、タムスロシンの製造方法であり、その一工程において、イミン化合物を不斉還元してエナンチオマーを得る工程が開示されている。しかしながら、かかる不斉還元反応において用いられている、本願式（１）のＹに相当する置換基が水素原子である有機金属錯体を用いたイミン化合物の不斉還元反応では、３０〜４０％ｅｅ程度と十分なエナンチオ選択性を得ることができず、ここからさらに再結晶法を用いて精製することで、十分な純度の光学活性体を得ることができたことが開示されている。

それに対し、本発明の方法に用いられる有機金属錯体は、特に金属原子に配位しているヘテロ環員窒素原子に水素原子を有しないこと、すなわちＹがＨでないことに特徴を有するものである。本発明の方法では、ＹがＨではない有機金属錯体を用いることにより、従来の有機金属錯体と比較して反応性やジアステレオ選択性が格段に高い還元的アミノ化反応を達成することが可能となったものである。さらに、ＹがＨである有機金属錯体では、カルボニル化合物とともに還元条件で反応させると、イミン化合物またはエナミン化合物はほとんど還元されず、カルボニル化合物が還元されてアルコールが生成する反応が進行するため、カルボニル化合物とアミン化合物を混合し、系中で生成したイミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元するというワンポットの還元的アミノ化反応に用いることはできないが、本発明の方法ではかかるワンポットの反応も可能となる。

ＹがＨでない場合により高いジアステレオ選択性が得られる理由は必ずしも明らかではないが、本発明の有機金属錯体は、立体的にかさ高いために、還元されるイミン化合物またはエナミン化合物中の置換基の立体的環境に大きく影響を受けるためと考えられる。また、ＹがＨでない場合にカルボニル化合物の還元が起こらない理由も必ずしも明らかではないが、イミン化合物またはエナミン化合物が生成しやすい酸性条件下で、本発明の有機金属錯体がカルボニル化合物の還元能を有しないためと考えられる。

本発明で用いられる触媒存在下、水素ガスもしくは水素供与性の有機または無機化合物を用いて、イミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することによりアミン化合物を製造することが可能である。
さらに、本発明で用いられる触媒存在下、水素ガスもしくは水素供与性の有機または無機化合物を用いて、カルボニル化合物とアミン化合物を混合し、系中で生成したイミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することによりアミン化合物を製造することが可能である。

イミン化合物またはエナミン化合物の原料であるカルボニル化合物は、例えば一般式（８）

で表されるものであるが、必ずしもこれに限定されるものではない。一般式（８）についてみると、Ｒ^５およびＲ^６は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、１または２以上の水素原子が任意の置換基で置換されていてもよいヒドロカルビル基、アリール基またはヘテロシクリル基、カルボキシル基、エステル基、アシル基である。

具体的には、これに限定するものではないが、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル等のアルキル基、トリフルオロメチル基などのフルオロアルキル基、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル等のシクロアルキル基、ビニル、アリルなどの不飽和炭化水素、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アントリル、フェナントリル、インデニル基等の芳香族単環または多環式基、チエニル、フリル、ピラニル、キサンテニル、ピリジル、ピロリル、イミダゾリニル、インドリル、カルバゾイル、フェナントロニリル等のヘテロ単環または多環式基、フェロセニル基、カルボン酸、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのエステル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基等が挙げられる。

置換基には各種任意のものを有していてもよく、これに限定するものではないが、例えばアルキル、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル等の炭化水素基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、エステル基等の含酸素基、アミノ基、アミド基、スルホニル基、スルフェニル基、スルホ基、メルカプト基、シリル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。また、Ｒ^５とＲ^６が結合して環を形成してもよく、その場合には、これに限定するものではないが、例えばシクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロへプタノン、シクロペンテノン、シクロへキセノン、シクロへプテノンなどの環状ケトンを与える飽和、および不飽和脂環式基、およびそれぞれの各炭素にアルキル基、アリール基、不飽和アルキル基、ヘテロ元素を含む鎖状または環状炭化水素基を有する置換基をもつ飽和および不飽和脂環式基等が挙げられる。

より高いジアステレオ選択性で反応を実施するためには、側鎖に置換基をもつ環状ケトン類が好ましく、２位に置換基をもつシクロヘキサノン、３位に置換基をもつシクロヘキサノン、４位に置換基をもつシクロヘキサノン、２位に置換基をもつシクロペンタノン、３位に置換基をもつシクロペンタノン、アザビシクロアルカノン、アダマンタノンが挙げられ、より具体的には、２−メチルシクロヘキサノン、２−フェニルシクロヘキサノン、２−シクロヘキサノンカルボン酸エチル、３−メチルシクロヘキサノン、４−フェニルシクロヘキサノン、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン、４−シクロヘキサノンカルボン酸エチル、１，４−シクロヘキサンジオン、シクロペンタノン−２−カルボン酸エチル、２−ノルボルナノン、カンファー、８−アザビシクロ［３．２．１］オクタン−３−オン、トロピノン、３−キヌクリジノン、５−ヒドロキシ−２−アダマンタノンなどが例示される。
上記環状ケトンを用いて還元的アミノ化反応を行うと、環状アミンが生成することとなる。したがって、反応によって得られるアミン化合物が、環状アミンまたは環状ジアミンであることが好ましい。

本発明の原料であるアミン化合物は、例えば一般式（９）

で表されるものであるが、必ずしもこれに限定されるものではない。一般式（９）についてみると、Ｒ^７およびＲ^８は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、１または２以上の水素原子が任意の置換基で置換されていてもよいヒドロカルビル基、または１または２以上の水素原子が任意の置換基で置換されていてもよいヘテロシクリル基である。

具体的には、これに限定するものではないが、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル等のアルキル基、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル等のシクロアルキル基、ビニル、アリルなどの不飽和炭化水素、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アントリル、フェナントリル、インデニル基等の芳香族単環または多環式基、チエニル、フリル、ピラニル、キサンテニル、ピリジル、ピロリル、イミダゾリニル、インドリル、カルバゾイル、フェナントロニリル等のヘテロ単環または多環式基、フェロセニル基等が挙げられる。

置換基としては各種任意のものを有していてもよく、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル等の炭化水素基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、エステル基等の含酸素基、アミノ基、アミド基、スルホニル基、スルフェニル基、スルホ基、メルカプト基、シリル基、ニトロ基、シアノ基等であってもよい。また、Ｒ^７とＲ^８が結合して環を形成しても良く、その場合には、これに限定するものではないが、例えばピロリジン、ピペリジン、アゼパン、ピロール、テトラヒドロピリジン、テトラヒドロアゼピンなどの環状ケトンを与える飽和、および不飽和脂環式基、およびそれぞれの各炭素にアルキル基、アリール基、不飽和アルキル基、ヘテロ元素を含む鎖状または環状炭化水素基を有する置換基をもつ飽和および不飽和脂環式基等が挙げられる。特に、第一級アミンを合成するためには、一般的にはアンモニウム塩、ベンジルアミン、ラセミ体のα―フェニルエチルアミン、光学活性体のα―フェニルエチルアミンが汎用される。

ジアステレオ選択的な反応を実施するためには、一般式（８）で表されるカルボニル化合物、および／または一般式（９）で表されるアミン化合物中に、キラル炭素を有している必要があり、これらの基質を適時組み合わせることによってジアステレオ選択的にアミン化合物を製造することができる。

本発明で用いられるイミン化合物やエナミン化合物は、酸触媒存在下、あるいは酸触媒非存在下、一般式（８）で表されるカルボニル化合物、および一般式（９）で表されるアミン化合物との縮合反応により容易に得ることができる

酸触媒としてはブレンステッド酸やルイス酸を加えることが望ましく、好適なブレンステッド酸としては、例えばカルボン酸、スルホン酸、フェノール類などの有機酸、またはリン酸、ホウ酸、塩酸、硝酸などの鉱酸が挙げられ、具体的には、これに限定するものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、サリチル酸、ｐ−トルエンスルホン酸、フェノール、ビナフトール等ブレンステッド酸、あるいはチタニウムテトライソプロポキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド等のルイス酸が挙げられる。これらは単独または複数組み合わせて用いることができる。特にギ酸は水素供与体としても作用するため、カルボニル化合物とアミン化合物との還元的アミノ化反応には好ましいブレンステッド酸である。
イミン化合物やエナミン化合物の生成は、酸性条件が好ましいことから、酸性となる各種緩衝液を用いることも可能である。

本発明において用いられる水素供与体は、熱的作用によって、あるいは触媒作用によって水素を供与することのできる化合物を意味しており、このような水素供与性の化合物については特にその種類に限定されない。好適な水素供与性化合物としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、シクロペンチルアルコール、ｎ−へキシルアルコール、シクロへキシルアルコール、ベンジルアルコール、ギ酸、ＨＣＯＯＫ、ＨＣＯＯＮａ、ＨＣＯＯＮａ、ＨＣＯＯＬｉ、ＨＣＯＯＮＨ_４等が例示され、単独または複数種組み合わせて用いることができる。反応性や経済性という点で、好ましくはギ酸、またはギ酸塩である。

用いられる水素供与性の化合物の量は、カルボニル化合物に対し、１〜３０当量で用いることができるが、反応性や経済性の点から、好ましくは１〜１０当量で用いる。
水素供与体としてＨＣＯＯＫ、ＨＣＯＯＮａ、ＨＣＯＯＬｉ、ＨＣＯＯＮＨ_４等のギ酸塩を用いる場合は、必要に応じて相間移動触媒を添加して反応を実施してもよい。用い得る相間移動触媒としては、長鎖アルキルアンモニウムカチオンを有する塩であれば何でもよいが、反応性や経済性の点から好ましくはテトラブチルアンモニウム塩である。相間移動触媒の添加によっては、多くの場合、反応速度が向上する効果が認められる。添加する相間移動触媒の量としては、カルボニル化合物に対して通常０．００１〜１０モル当量の範囲で用いるが、反応性や経済性の点から好ましくは０．０１〜０．１モル当量用いるのが望ましい。

用いられるアミン化合物の量は、カルボニル化合物に対し、通常１〜３０当量で用いることができるが、反応性や経済性の点から好ましくは１〜１０当量で用いる。また、アンモニアのような気体をアミン化合物として用いる場合は、気体としてそのまま用いたり、あるいはアンモニア水や溶媒等に溶解させて用いるか、アンモニウム塩として用いることができる。

用い得るアンモニウム塩としては、アンモニアを含む塩であれば何でもよく、ギ酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、リン酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウム、チオシアン酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、水酸化アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等が挙げられるが、反応性や経済性の点から、好ましくはギ酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、または塩化アンモニウムである。

本発明で用いられる一般式（１）で表されるルテニウム、ロジウム、若しくはイリジウム錯体は、一般式（６）

（ｐは２以上の整数を表す）で表される有機金属化合物と一般式（７）

で表される含窒素配位子とを混合して調製することができる。

例えば、不活性ガス雰囲気下、ハロゲン系溶媒に一般式（６）で表される有機金属化合物と一般式（７）で表される含窒素配位子、および塩基を混合し、室温にて攪拌し、得られた溶液を水洗した後、溶媒を留去して減圧乾燥することで本発明で用いられる一般式（１）で表される有機金属錯体を含む触媒を得ることができる。

使用する触媒の量は、ルテニウム、ロジウム、またはイリジウム触媒に対するカルボニル化合物のモル比をＳ／Ｃ（Ｓはカルボニル化合物、イミン化合物、またはエナミン化合物のモル数、Ｃは触媒のモル数を表す）として表記することができる。その場合、Ｓ／Ｃをどの程度まで高められるかは基質の構造、触媒の種類、濃度、反応温度、水素供与体の種類等によって大きく変動するが、実用上はＳ／Ｃ＝１００〜２００００程度に設定することが望ましい。

本発明では、カルボニル化合物、アミン化合物、イミン化合物、エナミン化合物、酸、水素ガスおよび水素供与性化合物の物理的性質や化学的性質を考慮し、適時反応溶媒を用いることができる。プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒、イオン性液体、水および緩衝液を単独で、もしくは複数組み合わせて用いることができる。

反応温度は、基質や生成物の溶解度、反応性、および経済性を考慮して、好ましくは−２０℃〜１００℃程度で実施することができるが、さらに好ましくは２０℃〜８０℃である。反応時間は、基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、数分から１００時間で反応が完結する。

生成したアミン化合物の精製は、酸−塩基抽出、カラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶等の公知の方法により、または適時それらの組み合わせにより行なうことができる。
また、一般式（６）で表される有機金属化合物と、一般式（７）で表される有機化合物の存在下で、カルボニル化合物、アミン化合物、および水素ガスもしくは水素供与性の有機または無機化合物を反応させることによって、もしくはイミン化合物またはエナミン化合物、および水素ガスもしくは水素供与性の有機または無機化合物を反応させることによって、アミン化合物を製造することが可能である。

以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明について説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。下記の各参考例、比較例および実施例に記載した反応は、アルゴンガスまたは窒素ガスの不活性ガス雰囲気下で行なった。使用したカルボニル化合物やアミン化合物は、市販試薬をそのまま用いた。配位子錯体および反応物の同定には核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用い、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を内部標準物質とし、そのシグナルをδ＝０（δは化学シフト）とした。アミン化合物への変換率は^１Ｈ−ＮＭＲ、およびガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により決定した。生成物であるアミン化合物のジアステレオ選択性や立体異性体の確認は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＧＣ、およびフーリエ変換赤外分光装置（ＦＴ／ＩＲ）を用いて決定した。ＮＭＲ装置はJNM-ECX-400P（日本電子株式会社製）を用い、ＧＣ装置はGC-17A（株式会社島津製作所製）を用い、フーリエ変換赤外分光装置はFT/IR-660 plus（日本分光株式会社製）を用いた。本発明で用いたイリジウム触媒、ロジウム触媒、およびルテニウム触媒の構造を図１に示した。

参考例１
Ｃｐ＊ＩｒＣｌ（Ｎ−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−ピリジルカルボキサミド）錯体の合成（Ｉｒ−１）
２０ｍＬのシュレンクに［Ｃｐ＊ＩｒＣｌ_２］_２（ＭＷ：７９６．６７）４００ｍｇ（０．５０６ｍｍｏｌ）、およびＮ−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−ピリジルカルボキサミド（ＭＷ：２４１．２９）２４４ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）を仕込み、アルゴンガスで置換した。これに脱水塩化メチレン１０ｍＬ、トリエチルアミン（ＭＷ：１０１．１９）１４０μＬ（１．０１ｍｍｏｌ）を加え、室温で２０時間撹拌した。少量の水で４回洗浄後、有機溶媒を留去し、減圧乾燥した。ジイソプロピルエーテル２０ｍＬを加えて室温で１時間攪拌した後、結晶を濾集し、少量のジイソプロピルエーテルで洗浄後、減圧乾燥して橙色粉末結晶を４７６ｍｇ（単離収率７８％）得た。

^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：１．４２（ｓ，１５Ｈ），２．９２（ｓ，６Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４６（ｄｄｄ，Ｊ＝７．３，５．５，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．５０〜７．５８（ｍ，２Ｈ），７．８９（ｄｔ，Ｊ＝７．３，１．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１４（ｄ，Ｊ＝７．８，０．９Ｈｚ，１Ｈ），８．５５（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ）．
^１３ＣＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：８．４，４１．２，８６．５，１１２．８，１２６．１，１２７．０，１２７．１，１３８．４，１３８．４，１４７．９，１４９．４，１５５．８，１６８．６．

参考例２
Ｃｐ＊ＩｒＣｌ（Ｎ−（４−ジメチルアミノフェニル）−（Ｓ）−１−メチル−２−ピロリジンカルボキサミド）錯体の合成（Ｉｒ−２）
２０ｍＬのシュレンクに［Ｃｐ＊ＩｒＣｌ_２］_２（ＭＷ：７９６．６７）２５０ｍｇ（０．３１６ｍｍｏｌ）、およびＮ−（４−ジメチルアミノフェニル）−（Ｓ）−１−メチル−２−ピロリジンカルボキサミド（ＭＷ：２４７．３４）３１３ｍｇ（１．２７ｍｍｏｌ）を仕込み、アルゴンガスで置換した。これに脱水塩化メチレン５ｍＬ、トリエチルアミン（ＭＷ：１０１．１９）８８μＬ（０．６３２ｍｍｏｌ）を加え、室温で２４時間撹拌した。少量の水で４回洗浄後、有機溶媒を留去し、減圧乾燥した。ジイソプロピルエーテル２０ｍＬを加えて室温で１時間攪拌した後、結晶を濾集し、少量のジイソプロピルエーテルで洗浄後、減圧乾燥して橙色粉末結晶を１８９ｍｇ（単離収率５０％）得た。

^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：１．３４（ｓ，１５Ｈ），１．７５〜２．１５（ｍ，３Ｈ），２．４５〜２．６０（ｍ，１Ｈ），２．８９（ｓ，６Ｈ），３．０３（ｓ，３Ｈ），３．２５〜３．４５（ｍ，２Ｈ），４．０６（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），６．６０〜６．８０（ｂｒｓ，２Ｈ），６．８０〜７．００（ｂｒｓ，１Ｈ），７．１２〜７．３５（ｂｒｓ，１Ｈ）．
^１３ＣＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：８．６，２２．５，２３．８，４１．３，４７．３，６３．９，７２．８，８５．３，１１２．４，１１３．７，１２７．３，１２８．１，１４０．１，１４８．０，１７８．８．

参考例３
Ｃｐ＊ＲｈＣｌ（Ｎ−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−ピリジルカルボキサミド）錯体の合成（Ｒｈ−１）
２０ｍＬのシュレンクに［Ｃｐ＊ＲｈＣｌ_２］_２（ＭＷ：６１８．０８）１５０ｍｇ（０．２４３ｍｍｏｌ）、およびＮ−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−ピリジルカルボキサミド（ＭＷ：２４１．２９）１１７ｍｇ（０．４８５ｍｍｏｌ）を仕込み、アルゴンガスで置換した。これに脱水塩化メチレン５ｍＬ、トリエチルアミン（ＭＷ：１０１．１９）６８μＬ（０．４８５ｍｍｏｌ）を加え、室温で２０時間撹拌した。少量の水で４回洗浄後、有機溶媒を留去し、減圧乾燥した。ジイソプロピルエーテル２０ｍＬを加えて室温で１時間攪拌した後、結晶を濾集し、少量のジイソプロピルエーテルで洗浄後、減圧乾燥して橙色粉末結晶を２１１ｍｇ（単離収率８５％）得た。

^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：１．４２（ｓ，１５Ｈ），２．９２（ｓ，６Ｈ），６．７２〜６．８１（ｍ，２Ｈ），７．４９（ｄｄｄ，Ｊ＝７．３，５．５，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．６０〜７．６８（ｍ，２Ｈ），７．９１（ｄｔ，Ｊ＝７．８，１．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１３（ｄｄ，Ｊ＝７．８，０．９Ｈｚ，１Ｈ），８．６１（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ）．
^１３ＣＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：８．６，４１．３，９４．５，９４．５，１１２．８，１２５．７，１２６．６，１２７．５，１３８．５，１３８．６，１４７．７，１４９．５，１５６．８，１６６．６．

参考例４
ＲｕＣｌ（Ｎ−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−ピリジルカルボキサミド）（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）錯体の合成（Ｒｕ−１）
２０ｍＬのシュレンクに［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２（ＭＷ：６１２．３９）２００ｍｇ（０．３２７ｍｍｏｌ）、およびＮ−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−ピリジルカルボキサミド（ＭＷ：２４１．２９）１４０ｍｇ（０．６５３ｍｍｏｌ）を仕込み、アルゴンガスで置換した。これに脱水塩化メチレン５ｍＬ、トリエチルアミン（ＭＷ：１０１．１９）９１μＬ（０．６５３ｍｍｏｌ）を加え、室温で２０時間撹拌した。少量の水で４回洗浄、有機溶媒を留去し、減圧乾燥した。２−プロパノール：ジクロロメタン＝２０：１の混合溶媒２０ｍＬを加えて室温で１時間撹拌した後、結晶を濾集し、減圧乾燥して橙色粉末結晶を１９９ｍｇ（単離収率６０％）得た。

^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：１．０５（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ），１．０６（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ），２．２０（ｓ，３Ｈ），２．５８（ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ），２．９６（ｓ，６Ｈ），４．６９（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），５．１４（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），５．１７（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），５．２２（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），６．７３〜６．８４（ｍ，２Ｈ），７．４２（ｄｄｄ，Ｊ＝７．３，５．５，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．５０〜７．５８（ｍ，２Ｈ），７．８８（ｄｔ，Ｊ＝７．８，１．４Ｈｚ，１Ｈ）８．０７（ｄｄ，Ｊ＝７．８，０．９Ｈｚ，１Ｈ）８．９４（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，１Ｈ）．
^１３ＣＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：１８．８，２１．８，２２．３，３０．７，４１．１，８３．４，８４．１，８５．０，１００．２，１０１．２，１１２．９，１２５．６，１２６．２，１２６．６，１３８．２，１４２．７，１４７．７，１５３．０，１５６．１，１６７．０．

参考例５
Ｃｐ＊ＩｒＣｌ（Ｎ−（４−ジメチルアミノフェニル）−（Ｓ）−２−ピロリジンカルボキサミド）錯体の合成（Ｉｒ−７）
２０ｍＬのシュレンクに［Ｃｐ＊ＩｒＣｌ_２］_２（ＭＷ：７９６．６７）２００ｍｇ（０．２５３ｍｍｏｌ）、およびＮ−（４−ジメチルアミノフェニル）−（Ｓ）−２−ピロリジンカルボキサミド（ＭＷ：２３３．３１）１３０ｍｇ（０．５５６ｍｍｏｌ）を仕込み、アルゴンガスで置換した。これに脱水塩化メチレン５ｍＬ、トリエチルアミン（ＭＷ：１０１．１９）７１μＬ（０．５０６ｍｍｏｌ）を加え、室温で２２時間撹拌した。少量の水で４回洗浄後、有機溶媒を留去し、減圧乾燥した。ジイソプロピルエーテル２０ｍＬを加えて室温で１時間攪拌した後、結晶を濾集し、少量のジイソプロピルエーテルで洗浄後、減圧乾燥して橙色粉末結晶を２３６ｍｇ（単離収率７１％）得た。

^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：１．３８（ｓ，１５Ｈ），１．６５〜１．８５（ｍ，１Ｈ），１．８５〜２．０５（ｍ，１Ｈ），２．０５〜２．２０（ｍ，１Ｈ），２．２０〜２．３５（ｍ，１Ｈ），２．８９（ｓ，６Ｈ），３．００〜３．２０（ｂｒｓ，１Ｈ），３．４０〜３．５５（ｂｒｓ，１Ｈ），４．１２（ｑｕａｒｔｅｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），４．７５〜５．２５（ｂｒｓ，１Ｈ），６．６９（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，２Ｈ），７．１７（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，２Ｈ）．
^１３ＣＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，δ／ｐｐｍ）：８．７，２６．６，２９．６，４１．４，５４．６，６４．５，８５．２，１１２．８，１２８．０，１３９．７，１４７．８，１７９．８．

比較例１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
１００ｍＬの耐圧反応装置に、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、および１０％Ｐｄ／Ｃ（エヌ・イーケムキャット社製、ＮＸタイプ、５０ｗｔ％含水品）１５４ｍｇを仕込み、アルゴンガスに置換した。７Ｎアンモニア―メタノール溶液７ｍＬを加え、水素圧１．０ＭＰａ、反応温度３０℃で１５時間攪拌した。反応溶液をセライト濾過して１０％Ｐｄ／Ｃを除いた後、メスアップして１００ｍＬのメタノール溶液とした。この溶液から１０ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率２４％、シス体：トランス体＝３１：６９のジアステレオ選択性で得られた。

比較例２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−７（ＭＷ：５９５．２０）２９．８ｍｇ（０．０５０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を加え、６０℃にて５時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量したところ、原料の変換率は９２％であったが、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンは全く生成していなかった。

実施例１
２−メチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、２‐メチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１１２．１７）６０３μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応液をＫＯＨ水溶液で処理した後、ＧＣ分析を行なったところ、２−メチルシクロヘキシルアミンが収率８２％、シス体：トランス体＝９４：６のジアステレオ選択性で得られた。

実施例２
２−フェニルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、２‐フェニルシクロヘキサノン（ＭＷ：１７４．２４）８７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて１７時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄後、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、２−フェニルシクロヘキシルアミンが収率８１％、シス体：トランス体＝９８：２のジアステレオ選択性で得られることを確認した。

実施例３
２−クロロシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、２‐クロロシクロヘキサノン（ＭＷ：１３２．５９）５７２μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、４０℃にて１８時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄後、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、２−クロロシクロヘキシルアミンが収率６１％で得られた。得られた目的物を塩酸塩に誘導し、ＩＲ測定を行なったところ、シス体が主生成物であることを確認した。

実施例４
２−アミノシクロヘキサンカルボン酸エチルの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、２‐シクロヘキサノンカルボン酸エチル（ＭＷ：１７０．２１）７９５μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて８時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、飽和ＮａＨＣＯ_３水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン５０ｍＬで抽出した。有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、乾燥剤をろ過により除去した後、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、２−アミノシクロヘキサンカルボン酸エチルが収率５４％、シス体：トランス体＝９６：４のジアステレオ選択性で得られることを確認した。

実施例５
３−メチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、３‐メチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１１２．１７）６１０μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液２０ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥、ついで濾過し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。メスフラスコにメスアップした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、３−メチルシクロヘキシルアミンが収率７５％、シス体：トランス体＝４：９６のジアステレオ選択性で得られた。

実施例６
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率９７％、シス体９９％以上で得られた。比較例１と比べると、ジアステレオ選択性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例７
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−３（ＭＷ：５０７．０５）１２．７ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝２００）を加え、６０℃にて５時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率８２％、シス体：トランス体＝８８：１２のジアステレオ選択性で得られた。比較例１と比べると、ジアステレオ選択性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例８
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−５（ＭＷ：４８５．００）２４．２ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率９２％、シス体：トランス体＝９５：５のジアステレオ選択性で得られた。比較例１と比べると、ジアステレオ選択性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例９
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−６（ＭＷ：５３４．０７）２６．７ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率８０％、シス体：トランス体＝９３：７のジアステレオ選択性で得られた。比較例１と比べると、ジアステレオ選択性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例１０
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−２（ＭＷ：６０９．２２）３０．５ｍｇ（０．０５０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を加え、６０℃にて５時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率９３％、シス体９９％以上で得られた。比較例１および比較例２と比べると、ジアステレオ選択性や反応性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例１１
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびロジウム触媒Ｒｈ−１（ＭＷ：５１３．８７）５．１４ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて５時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率９２％、シス体：トランス体＝９８：２のジアステレオ選択性で得られた。比較例１と比べると、ジアステレオ選択性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例１２
４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１５４．２５）７７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびルテニウム触媒Ｒｕ−１（ＭＷ：５１１．０２）２５．５ｍｇ（０．０５０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を加え、６０℃にて７時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアミンが収率７４％、シス体：トランス体＝９５：５のジアステレオ選択性で得られた。比較例１と比べると、ジアステレオ選択性は格段に優れた結果を示しており、本発明の有用性が示された。

実施例１３
４−フェニルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４−フェニルシクロヘキサノン（ＭＷ：１７４．２４）８７１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄し、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−フェニルシクロヘキシルアミンが収率９９％、シス体：トランス体＝９５：５のジアステレオ選択性で得られた。

実施例１４
４−メチルシクロヘキシルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、４‐メチルシクロヘキサノン（ＭＷ：１１２．１７）６１０μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。反応液をＫＯＨ水溶液で処理した後、ＧＣ分析を行なったところ、４−メチルシクロヘキシルアミンが収率７５％、シス体：トランス体＝９０：１０のジアステレオ選択性で得られた。

実施例１５
２−アミノノルボルナンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）０．９４６ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、２‐ノルボルナノン（ＭＷ：１１０．１５）５５１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）２８６μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、４０℃にて１７時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液７．５ｍＬを加え、ジクロロメタン４０ｍＬで抽出し、有機層を水５ｍＬで２回洗浄後、メスアップして５０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、２−アミノノルボルナンが収率６２％、エキソ体：エンド体＝９４：６のジアステレオ選択性で得られた。

実施例１６
１，４−シクロヘキサンジアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにギ酸アンモニウム（ＭＷ：６３．０６）１．８９２ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、１，４−シクロヘキサンジオン（ＭＷ：１１２．１３）５６１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、酢酸（ＭＷ：６０．０５）５７３μＬ（１０．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて４時間加熱撹拌した。溶液をメスアップして５０ｍＬのメタノール溶液とし、この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、１，４−シクロヘキサンジアミンが収率４９％、シス体９９％以上で得られた。

実施例１７
１，４−シクロヘキサンジベンジルアミンの合成
２０ｍＬのシュレンクにベンジルアミン（ＭＷ：１０７．１５）１１４５μＬ（２．１ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これにメタノール５ｍＬ、１，４−シクロヘキサンジオン（ＭＷ：１１２．１３）５６１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ぎ酸（ＭＷ：４６．０３）７５５μＬ（２０．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）６．０３ｍｇ（０．０１０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて２１時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液２５ｍＬを加え、ジクロロメタン８０ｍＬで抽出し、有機層を水１０ｍＬで２回洗浄後、メスアップして１００ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から１０ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、１，４−シクロヘキサンジベンジルアミンが収率９９％、シス体：トランス体＝９７：３のジアステレオ選択性で得られた。

実施例１８
（２Ｒ）−３−メチル−Ｎ−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）ブタン−２−アミン
２０ｍＬのシュレンクに（Ｒ）−１−フェネチルアミン（ＭＷ：１２１．１８）２６５μＬ（２．１ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これに脱水酢酸エチル４ｍＬ、３−メチル−２−ブタノン（ＭＷ：８６．１３）２１４μＬ（２．０ｍｍｏｌ）、ぎ酸（ＭＷ：４６．０３）２２６μＬ（６．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−１（ＭＷ：６０３．１８）１２．３ｍｇ（０．０２０ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を加え、６０℃にて２１時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液１０ｍＬを加え、ジクロロメタン１５ｍＬで抽出し、有機層を水３ｍＬで２回洗浄し、メスアップして２０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、３−メチル−Ｎ−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）ブタン−２−アミンが収率８０％、（Ｒ，Ｒ）体：（Ｒ，Ｓ）体＝８７：１３のジアステレオ選択性で得られた。

実施例１９
（２Ｒ）−３−メチル−Ｎ−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）ブタン−２−アミン
２０ｍＬのシュレンクに（Ｒ）−１−フェネチルアミン（ＭＷ：１２１．１８）２９０μＬ（２．３ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これに脱水酢酸エチル４ｍＬ、３−メチル−２−ブタノン（ＭＷ：８６．１３）２１４μＬ（２．０ｍｍｏｌ）、ぎ酸（ＭＷ：４６．０３）２２６μＬ（６．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−３（ＭＷ：５０７．０５）２．０ｍｇ（０．００４ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝５００）を加え、６０℃にて２１時間加熱撹拌した。１ＭＫＯＨ水溶液１０ｍＬを加え、ジクロロメタン１５ｍＬで抽出し、有機層を水３ｍＬで２回洗浄し、メスアップして２０ｍＬのジクロロメタン溶液とした。この溶液から５ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、３−メチル−Ｎ−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）ブタン−２−アミンが収率９６％、（Ｒ，Ｒ）体：（Ｒ，Ｓ）体＝８０：２０のジアステレオ選択性で得られた。

実施例２０
４−（１−フェニル−エチルアミノ）−アダマンタン−１−オールの合成
５０ｍＬのシュレンクに、５−ヒドロキシアダマンタン−２−オン（ＭＷ：１６６．２２）１．６６２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧乾燥した後にアルゴンガスに置換した。これに脱水酢酸エチル２０ｍＬ、ＤＬ−α−メチルベンジルアミン（ＭＷ：１２１．１８，ｄ０．９６）１．４５ｍＬ（１１．５ｍｍｏｌ）、ギ酸（ＭＷ：４６．０３，ｄ１．２２０）７５５μＬ（２０．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−３（ＭＷ：５０７．０５）２．５４ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝２０００）を加え、５０℃にて２４時間加熱撹拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液１５ｍＬを加え、ジクロロメタン５０ｍＬで抽出し、１０ｍＬの水で１回洗浄後、メスアップして１００ｍＬの塩化メチレン溶液とした。この溶液から１０ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−（１−フェニル−エチルアミノ）−アダマンタン−１−オールが収率９９％、トランス体：シス体＝７５：２５のジアステレオ選択性で得られた。

実施例２１
４−（１−フェニル−エチルアミノ）−アダマンタン−１−オールの合成
１００ｍＬの耐圧反応装置に、５−ヒドロキシアダマンタン−２−オン（ＭＷ：１６６．２２）８３１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−３（ＭＷ：５０７．０５）２５．４ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を仕込み、アルゴンガスに置換した。これに、ＤＬ−α−メチルベンジルアミン（ＭＷ：１２１．１８，ｄ０．９６）６３１μＬ（５．０ｍｍｏｌ）、クロロ酢酸（ＭＷ：９４．５０）４７３ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、および６ｍＬの脱水メタノールからなる溶液を加え、水素圧１．０ＭＰａ、反応温度５０℃で１８時間攪拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液８ｍＬを加え、ジクロロメタン５０ｍＬで抽出し、１０ｍＬの水で有機層を１回洗浄後、メスアップして１００ｍＬの塩化メチレン溶液とした。この溶液から１０ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−（１−フェニル−エチルアミノ）−アダマンタン−１−オールが収率９９％、トランス体：シス体＝７１：２９のジアステレオ選択性で得られた。

実施例２２
４−（１−フェニル−エチルアミノ）−アダマンタン−１−オールの合成
１００ｍＬの耐圧反応装置に、５−ヒドロキシアダマンタン−２−オン（ＭＷ：１６６．２２）８３１ｍｇ（５．０ｍｍｏｌ）、およびイリジウム触媒Ｉｒ−４（ＭＷ：４８３．９９）２４．２ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ、Ｓ／Ｃ＝１００）を仕込み、アルゴンガスに置換した。これに、ＤＬ−α−メチルベンジルアミン（ＭＷ：１２１．１８，ｄ０．９６）７２６μＬ（５．７５ｍｍｏｌ）、クロロ酢酸（ＭＷ：９４．５０）５４３ｍｇ（５．７５ｍｍｏｌ）、および６ｍＬの脱水メタノールからなる溶液を加え、水素圧１．０ＭＰａ、反応温度５０℃で１８時間攪拌した。反応溶液の溶媒を留去し、１ＭＫＯＨ水溶液８ｍＬを加え、ジクロロメタン５０ｍＬで抽出し、１０ｍＬの水で有機層を１回洗浄後、メスアップして１００ｍＬの塩化メチレン溶液とした。この溶液から１０ｍＬ採取して溶媒留去した後、クマリン（ＭＷ：１４６．１４）を内部標準として^１ＨＮＭＲ定量することにより、４−（１−フェニル−エチルアミノ）−アダマンタン−１−オールが収率９７％、トランス体：シス体＝６８：３２のジアステレオ選択性で得られた。

以上詳しく説明したように、この発明により、カルボニル化合物とアミン化合物との還元的アミノ化反応により、高いジアステレオ選択性でアミン化合物を高効率に製造することができる。

Claims

下記一般式（１）

（一般式（１）中、Ａｒは、１または２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、シクロペンタジエニル基または芳香族化合物であり、ＷはＣ１〜１０の飽和もしくは不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基、アシル基、エステル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、スルフェニル基、スルホ基、メルカプト基、ホスフィノ基、シリル基またはハロゲン基を表し、Ｍはルテニウム、ロジウム、またはイリジウムであり、Ｘはヒドリド基またはアニオン性基であり、Ｅは、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよいＣ１〜６の飽和もしくは不飽和炭化水素基、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アシル基、ハロゲン基、エステル基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、スルフェニル基、スルホ基もしくはチオール基によって、１または２以上の水素原子が置換されていてもよい（ここで、前記各置換基中の１もしくは２以上の水素原子がさらに置換基Ｗで置換されてもよい）アリーレン基であるリンク基を表し、Ａは「Ｍ−ＮＲ^１Ｃ（Ｏ）−Ｅ」の結合様式をもつアミド基、または酸素原子であり、ここでＡが酸素原子の場合、Ｅは、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよいアリーレン基であり、Ｒ^１は水素原子、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基（ここで、置換基Ｗ中の１または２以上の水素原子がさらに置換基Ｗで置換されていてもよい）を示し、ＹおよびＺは同一であるか、または互いに異なり、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、またはシリル基を示し、ここでＹとＺ、ＺとＥ、ＹとＥ、またはＹ−Ｚ−Ｅとが結合して環を形成してもよく、またｎは０または１の整数を示し、ｎ＝０の場合は、Ｎ−Ｚ間またはＮ−Ｅ間が二重結合となる）で表される有機金属化合物の存在下、水素ガスまたは水素供与性の有機もしくは無機化合物を用いて、イミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することを特徴とする、アミン化合物の製造方法。
式（１）中の部位である下記一般式（２）

（一般式（２）中、ｎ＝０でＮ、ＥおよびＺは上記と同じ意味を表す。）で表される部位が、含窒素環状基を含む基であることを特徴とする、請求項１に記載のアミン化合物の製造方法。
式（１）で表される有機金属化合物が、下記一般式（３）

（一般式（３）中、Ａｒ、ＭおよびＸは請求項１と同じ意味を表し、Ｒ^２およびＲ^３は互いに同一である、または互いに異なり、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、スルホ基、メルカプト基、カルボキシル基、１もしくは２以上の水素原子が、置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、エステル基、フルオロアルキル基、アシル基、スルホニル基、アミノ基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基またはシリル基を示し、Ｗは請求項１に記載の意味と同じ意味を表し、ｊ、ｋは互いに独立して０から３までの整数であり、ここで、Ｒ^２またはＲ^３が結合していないキノリン環中の炭素原子が窒素原子によって置き換えられてもよく、ｊとｋが１以上の場合、Ｒ^２とＲ^３が互いに連結して環を形成してもよく、ｊおよび／またはｋが２以上の場合は、２以上のＲ^２および／またはＲ^３が互いに連結して環を形成してもよい）で表される有機金属化合物、または下記一般式（４）

（一般式（４）中、Ａｒ、ＭおよびＸは請求項１と同じ意味を表し、Ｒ^２は上記Ｒ^２およびＲ^３と同じであり、Ｒ^４は水素原子、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基を示し、Ｗは請求項１に記載の意味と同じ意味を表し、ｌは０から４までの整数を表し、ここで、Ｒ^２が結合していないピリジン環中の炭素原子が窒素原子によって置き換えられてもよく、ｌが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよい）および下記一般式（５）

（一般式（５）中、Ａｒ、Ｍ、ＸおよびＹは請求項１と同じ意味を表し、Ｒ^２は上記Ｒ^２およびＲ^３と同じであり、Ｒ^４は水素原子、１もしくは２以上の水素原子が置換基Ｗに置換されていてもよい、Ｃ１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル基、アルケニル基、アルキニル基、エステル基、アシル基、アミド基、ホスフィノ基、スルフェニル基、スルフィニル基、スルホニル基またはシリル基を示し、Ｗは請求項１に記載の意味と同じ意味を表し、ｍは０から７までの整数を表し、ここで、ピロリジン環中の炭素原子が窒素原子によって置き換えられてもよく、ｍが２以上の場合、２以上のＲ^２が互いに連結して環を形成してもよいで表される有機金属化合物からなる群から選択される１または２以上の有機金属化合物であることを特徴とする、請求項１または２に記載のアミン化合物の製造方法。
下記一般式（６）

（一般式（６）中、Ａｒ、Ｍ、およびＸは請求項１と同じ意味を表し、ｐは２以上の整数を表す。）で表される有機金属化合物と、下記一般式（７）

（一般式（７）中、Ａ、Ｅ、Ｙ、Ｚおよびｎは請求項１と同じ意味を表す。）で表される有機化合物の存在下、水素ガスもしくは水素供与性の有機または無機化合物を用いて、イミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することを特徴とする、アミン化合物の製造方法。
カルボニル化合物とアミン化合物を混合し、系中で生成したイミン化合物またはエナミン化合物をジアステレオ選択的に還元することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のアミン化合物の製造方法。
式（１）および式（６）中のＭがロジウム、およびイリジウムであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアミン化合物の製造方法。
水素供与性の有機または無機化合物がギ酸、またはギ酸塩である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のアミン化合物の製造方法。
反応により得られるアミン化合物が、環状アミン化合物または環状ジアミン化合物である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のアミン化合物の製造方法。