JP2012060077A - 半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
n型の基板10と、基板10上に積層されたn型の第1半導体層11と、第1半導体層11上に積層されたノンドープの光吸収層12上に積層され、Alを含有するp型の第2半導体層13と、第2半導体層13上に積層されたキャップ層14と、を備え、キャップ層14の一部が第2半導体層13を露出するようにエッチングされ、第2半導体層13の露出面から基板10側の界面まで第2半導体層13の一部が酸化されることで、Al酸化物を含有する酸化領域15に囲まれたp型の半導体領域13aが形成されていることにより、pi接合面を露出させずに受光部を形成することで、エッチングに起因した結晶欠陥がpi接合面に発生することを抑制する。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施形態に係る半導体受光素子の構成を示す上面図、図2は、図1に示した半導体受光素子のII−II線における側断面図である。図1及び図2に示した半導体受光素子1は、pin接合部を有する化合物半導体受光素子であり、例えば受光器や光検出器の単素子として好適に採用されるものである。
次に本発明の第2実施形態について説明する。図7は、本発明の実施形態に係る半導体受光素子の構成を示す上面図、図8は、図7に示した半導体受光素子のVIII−VIII線における側断面図である。図7及び図8に示した半導体受光素子2は、第1実施形態に係る半導体受光素子1とほぼ同様に構成されており、主に上部電極部17の形状及び半導体層の材料が相違する。以下では、説明理解の容易性を考慮して、半導体受光素子1と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
Claims (7)
- 半導体受光素子であって、
第1導電型の基板と、
前記基板上に積層された第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上又は前記第1半導体層上に積層されたノンドープの光吸収層上に積層され、Alを含有する第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に積層されたキャップ層と、
を備え、
前記キャップ層の一部が前記第2半導体層を露出するようにエッチングされ、前記第2半導体層の露出面から前記基板側の界面まで前記第2半導体層の一部が酸化されることで、Al酸化物を含有する酸化領域に囲まれた第2導電型の半導体領域が形成されていること、
を特徴とする半導体受光素子。 - 前記キャップ層は第2導電型の半導体層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体受光素子。
- 前記半導体領域の前記基板側の界面は、pn接合面又はpi接合面として構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体受光素子。
- 前記キャップ層の上面側であって半導体積層方向において前記キャップ層と重なる位置に配置された電極部を有すること、
を特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体受光素子。 - 半導体受光素子であって、
第1導電型の基板と、
前記基板上に積層された第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上又は前記第1半導体層上に積層されたノンドープの光吸収層上に積層され、Alを含有する第2導電型の第2半導体層と、
を備え、
前記第2半導体層は、含有されたAlが酸化されてなる酸化領域、及び、前記酸化領域に囲まれ、前記第1半導体層又は前記光吸収層とpn接合面又はpi接合面として接合する第2導電型の半導体領域を有すること、
を特徴とする半導体受光素子。 - 半導体受光素子の製造方法であって、
第1導電型の基板上に第1導電型の第1半導体層を積層する第1半導体層積層ステップと、
前記第1半導体層上又は前記第1半導体層上に積層されたノンドープの光吸収層上に、Alを含有する第2導電型の第2半導体層を積層する第2半導体層積層ステップと、
前記第2半導体層上にキャップ層を積層するキャップ層積層ステップと、
前記キャップ層の一部を、前記第2半導体層を露出するようにエッチングするエッチングステップと、
露出した前記第2半導体層の露出面から前記基板側の界面まで前記第2半導体層の一部を酸化する酸化ステップと、
を備えることを特徴とする半導体受光素子の製造方法。 - 前記キャップ層は第2導電型の半導体層であることを特徴とする請求項6に記載の半導体受光素子の製造方法。
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