JP2012049397A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents

シリコンウェーハの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012049397A
JP2012049397A JP2010191269A JP2010191269A JP2012049397A JP 2012049397 A JP2012049397 A JP 2012049397A JP 2010191269 A JP2010191269 A JP 2010191269A JP 2010191269 A JP2010191269 A JP 2010191269A JP 2012049397 A JP2012049397 A JP 2012049397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
silicon wafer
oxygen
laser irradiation
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010191269A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2012049397A5 (enExample
Inventor
Yoshiro Aoki
嘉郎 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Priority to JP2010191269A priority Critical patent/JP2012049397A/ja
Publication of JP2012049397A publication Critical patent/JP2012049397A/ja
Publication of JP2012049397A5 publication Critical patent/JP2012049397A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
JP2010191269A 2010-08-27 2010-08-27 シリコンウェーハの製造方法 Pending JP2012049397A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010191269A JP2012049397A (ja) 2010-08-27 2010-08-27 シリコンウェーハの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010191269A JP2012049397A (ja) 2010-08-27 2010-08-27 シリコンウェーハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012049397A true JP2012049397A (ja) 2012-03-08
JP2012049397A5 JP2012049397A5 (enExample) 2013-08-29

Family

ID=45903918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010191269A Pending JP2012049397A (ja) 2010-08-27 2010-08-27 シリコンウェーハの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012049397A (enExample)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017045962A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 国立大学法人九州大学 不純物導入装置、不純物導入方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2017175145A (ja) * 2017-05-01 2017-09-28 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
WO2019003999A1 (ja) * 2017-06-26 2019-01-03 株式会社Sumco シリコンウェーハ
JP2025501548A (ja) * 2021-12-20 2025-01-22 エイチピエスピ カンパニー リミテッド ウェハの薄膜に対する炭素ドーピング方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240638A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製法
JPS6325933A (ja) * 1986-07-17 1988-02-03 Nec Corp シリコン基板の歪付け方法
JPS6427231A (en) * 1986-06-30 1989-01-30 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS6441210A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nec Corp Manufacture of sic thin-film
JPH01297813A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Sony Corp シリコンカーバイドの製造方法
JP2004179356A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及び半導体装置
JP2005175251A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハ及びその製造方法
JP2005277116A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2008258346A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2009164590A (ja) * 2007-12-13 2009-07-23 Sumco Corp エピタキシャルウェーハ及びその製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240638A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製法
JPS6427231A (en) * 1986-06-30 1989-01-30 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS6325933A (ja) * 1986-07-17 1988-02-03 Nec Corp シリコン基板の歪付け方法
JPS6441210A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nec Corp Manufacture of sic thin-film
JPH01297813A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Sony Corp シリコンカーバイドの製造方法
JP2004179356A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法及び半導体装置
JP2005175251A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハ及びその製造方法
JP2005277116A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2008258346A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2009164590A (ja) * 2007-12-13 2009-07-23 Sumco Corp エピタキシャルウェーハ及びその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017045962A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 国立大学法人九州大学 不純物導入装置、不純物導入方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2017175145A (ja) * 2017-05-01 2017-09-28 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
WO2019003999A1 (ja) * 2017-06-26 2019-01-03 株式会社Sumco シリコンウェーハ
JP2019006639A (ja) * 2017-06-26 2019-01-17 株式会社Sumco シリコンウェーハ
KR20200016359A (ko) * 2017-06-26 2020-02-14 가부시키가이샤 사무코 실리콘 웨이퍼
US11094557B2 (en) 2017-06-26 2021-08-17 Sumco Corporation Silicon wafer
KR102294183B1 (ko) 2017-06-26 2021-08-25 가부시키가이샤 사무코 실리콘 웨이퍼
JP2025501548A (ja) * 2021-12-20 2025-01-22 エイチピエスピ カンパニー リミテッド ウェハの薄膜に対する炭素ドーピング方法
JP7727115B2 (ja) 2021-12-20 2025-08-20 エイチピエスピ カンパニー リミテッド ウェハの薄膜に対する炭素ドーピング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5256195B2 (ja) シリコンウエハ及びその製造方法
JP5537802B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
JP3988307B2 (ja) シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ
TW200536966A (en) Silicon wafer and method for manufacturing the same
TWI428483B (zh) 矽晶圓及其製造方法
TW201107544A (en) Anneal wafer, method for manufacturing anneal wafer, and method for manufacturing device
US20090017291A1 (en) Silicon epitaxial wafer and production method for same
JP5217245B2 (ja) シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法
TW201003746A (en) Silicon substrate for solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP5207706B2 (ja) シリコンウエハ及びその製造方法
JP6604294B2 (ja) シリコン接合ウェーハの製造方法
TW200945421A (en) Method of manufacturing silicon substrate
WO2005014898A1 (ja) ウエーハの製造方法
CN114174569B (zh) 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法
JP2015216327A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP2012049397A (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP5597378B2 (ja) シリコンウェーハの熱処理方法
WO2002049091A1 (en) Anneal wafer manufacturing method and anneal wafer
JP2010287885A (ja) シリコンウェーハおよびその製造方法
JP2006040980A (ja) シリコンウェーハおよびその製造方法
JP2007207876A (ja) 高周波ダイオードおよびその製造方法
US20110300371A1 (en) Epitaxial substrate and method for producing same
JP5207705B2 (ja) シリコンウエハ及びその製造方法
WO2014057741A1 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハ及びそれを用いた固体撮像素子の製造方法
JP2019110276A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130716

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130716

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140408

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141111

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150317