JP2012048906A5 - - Google Patents
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具体的には、例えばインクジェット方式により、赤色発光層１６ＣＲ、緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢの形成材料である高分子材料および低分子材料を、例えば１重量％になるように、キシレンとシクロヘキシルベンゼンを２：８に混合した溶媒に溶解した混合溶液または分散液を、正孔輸送層１６ＢＲ，１６ＢＧ，１６ＢＢの露出面上に配する。その後、正孔輸送層１６ＢＲ，１６ＢＧ，１６ＢＢを形成する工程で説明した熱処理（乾燥処理）と同様の方法および条件の熱処理を行うことにより、赤色発光層１６ＣＲ、緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢを形成する。なお、図１０中に破線で示した有機材料溶液１６０Ｃは、例えばインクジェットヘッドから吐出され、隔壁１５に囲まれた領域内に充填された（着弾した）発光層溶液の、熱処理前の状態を示している。
（電子輸送層１６Ｅ，電子注入層１６Ｆ，上部電極１７を形成する工程）
次に、図３に示したように、各画素の発光層１６Ｃ（赤色発光層１６ＣＲ、緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢ）の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１６Ｅ，電子注入層１６Ｆおよび上部電極１７を形成する（ステップＳ１０６，Ｓ１０７，Ｓ１０８）。
次に、図３に示したように、各画素の発光層１６Ｃ（赤色発光層１６ＣＲ、緑色発光層１６ＣＧおよび青色発光層１６ＣＢ）の全面に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１６Ｅ，電子注入層１６Ｆおよび上部電極１７を形成する（ステップＳ１０６，Ｓ１０７，Ｓ１０８）。
上部電極１７を形成したのち、図３に示したように、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、保護層２０を形成する。例えば、アモルファス窒化シリコンからなる保護層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層１６の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、保護層２０の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
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