TWI579403B - 用於有機蒸氣噴射印刷之噴嘴設計 - Google Patents

用於有機蒸氣噴射印刷之噴嘴設計 Download PDF

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Description

用於有機蒸氣噴射印刷之噴嘴設計
本發明係關於通過噴嘴之有機材料沈積。
出於許多原因，越來越需要利用有機材料之光電裝置。因為許多用於製造此類裝置之材料相對廉價，所以有機光電裝置具有成本優於無機裝置之潛能。另外，有機材料之固有性質，諸如可撓性，會使其非常適於特殊應用，諸如在可撓性基板上製造。有機光電裝置之實例包括有機發光裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光電電池及有機光偵測器。對於OLED，有機材料可具有效能優於習知材料之優勢。舉例而言，有機發射層發射光時之波長通常可用適當之摻雜劑容易地調整。
OLED利用在裝置兩端施加電壓時發射光之有機薄膜。OLED成為越來越引人關注之供諸如平板顯示器、照明及背光應用中使用之技術。幾種OLED材料及組態描述於美國專利第5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號中，該等專利以全文引用之方式併入本文中。
有機蒸氣噴射印刷(OVJP)在不需要蔽蔭遮罩之情況下藉由在載氣中傳輸有機蒸氣並使其穿過噴嘴噴出於基板上來沈積經圖案化之有機薄膜。目的在於在基板上形成實質上侷限於噴嘴寬度之有機薄膜圖案。過噴定義為沈積於基板其他部分之所沈積之線之厚度的百分比。 舉例而言，使用OVJP所印刷之三色顯示器可能含有紅色、藍色及綠色像素，各要求自一或多個噴嘴沈積之獨立材料。重要的是，例如自一個噴嘴沈積之紅光發射材料不黏著基板之與自另一噴嘴沈積之藍光發射材料相同的區。
磷光發射分子之一個應用為全色顯示器。此類顯示器之工業標準要求像素適合發射特殊顏色，稱為「飽和」色。特定而言，此等標準要求飽和紅色、綠色及藍色像素。顏色可使用CIE座標量測，該等CIE座標為此項技術所熟知。
綠色發射分子之一個實例為三(2-苯基吡啶)銥，表示為Ir(ppy)3，其具有以下結構：
在本文此圖及後面的圖中，吾人將自氮至金屬(此處為Ir)之配位鍵描繪為直線。
如本文所用，術語「有機」包括可用於製造有機光電裝置之聚合材料以及小分子有機材料。「小分子」係指不為聚合物之任何有機材料，且「小分子」實際上可相當大。在一些情況下，小分子可包括重複單元。舉例而言，使用長鏈烷基作為取代基不將分子自「小分子」類中移除。小分子亦可併入聚合物中，例如作為聚合物主鏈上之側基或作為主鏈之一部分。小分子亦可充當樹枝狀聚合物之核心部分，該樹枝狀聚合物由構建在核心部分上之一系列化學外殼(chemical shell)組成。樹枝狀聚合物之核心部分可為螢光或磷光小分子發射 極。樹枝狀聚合物可為「小分子」，且咸信OLED場中目前所用之所有樹枝狀聚合物均為小分子。
如本文所用，「頂部」意謂最遠離基板處，而「底部」意謂最靠近基板處。當第一層描述為「安置於第二層上方」時，第一層進一步遠離基板安置。除非指出第一層「與第二層接觸」，否則在第一層與第二層之間可存在其他層。舉例而言，即使兩者間存在不同有機層，陰極亦可描述為「安置於陽極上方」。
如本文所用，「可溶液處理」意謂能夠以溶液或懸浮液形式溶解、分散或傳輸於液體介質中及/或自液體介質中沈積。
當咸信配位體直接對放射性材料之光敏性質有貢獻時，配位體可稱為「光敏的」。雖然當咸信配位體不對放射性材料之光敏性質有貢獻時，配位體可稱為「輔助的」，但輔助配位體可改變光敏配位體之性質。
如本文所用且如熟習此項技術者通常將理解，若第一「最高佔用分子軌域」(HOMO)或「最低未佔用分子軌域」(LUMO)能級較接近真空能級，則該第一能級「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能級。因為電離電位(IP)相對於真空能級量測為負能量，則較高之HOMO能級對應於絕對值較小之IP(IP之負性較小)。類似地，較高LUMO能級對應於絕對值較小之電子親和力(EA)(EA之負性較小)。在習知能級圖上，真空能級在頂部，材料之LUMO能級高於同一材料之HOMO能級。「較高」之HOMO或LUMO能級似乎比「較低」之HOMO或LUMO能級較靠近此類圖之頂部。
如本文所用且如熟習此項技術者應理解，若第一功函數具有較高絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」第二功函數。因為功函數相對於真空能級通常量測為負數，此意謂「較高」功函數負性較大。在習知能級圖上，真空能級在頂部，「較高」功函數圖解為在向 下方向上進一步遠離真空能級。因此，HOMO及LUMO能級之定義遵循不同於功函數之約定。
關於OLED之較多細節及如上所述之定義可見於美國專利第7,279,704號，其以全文引用之方式併入本文中。
本發明之主題大體上係有關噴嘴設計，已發現該等噴嘴設計有效控管OVJP中之過噴。已發現，在OVJP沈積中，接近基板之噴嘴末端之壓力突然下降可產生震波波前，此舉可引起分子束自該噴嘴發散出來並增加過噴。已發現本發明之態樣有效降低或避免接近基板之噴嘴末端之此類壓力突然下降，且可有利地用於在噴嘴出口直徑與沈積之圖案寬度之間獲得例如較大的一致性。
為了最小化不當之過噴，本發明之一個目標在於在噴嘴內形成較準直之噴射。當OVJP在真空條件下進行時，上游壓力與下游壓力之比率可例如小於0.528。此對應於『扼』流狀態，亦即上游壓力之任何進一步增加均不改變此狀態之噴射之速度。
根據本發明之第一態樣，沈積有機材料之方法可包括將包括有機材料之蒸氣經由入口引入噴嘴中。實施例可包括將該蒸氣自該噴嘴遠端之出口噴出，該出口具有橫截面積A1。該噴出之後，該有機材料可沈積於基板上以形成有機發射或偵測區域之至少一部分。在實施例中，該蒸氣可穿過在該入口與該出口之間在離該出口軸向距離L1處之該噴嘴之一部分(有時稱為「節流閥」)。在實施例中，噴嘴之該部分可具有橫截面積A2，且A1/A2可為例如約16或16以上。
在實施例中，出口可具有半徑R1，且該噴嘴之部分可具有半徑R2。
如本文所用，不同地描述之入口、出口及其他噴嘴部分之「半徑」不限於圓形截面，且可廣義地理解為包括自局部橫截面之幾何中 心或質心延伸至橫截面周邊上之點之節段。特殊半徑可進一步指定為例如橫截面形狀之最大或最小半徑。
在實施例中，L1/R2可例如在約3至200或約5至20之範圍內。
在實施例中，R1/R2可例如在約4至100之範圍內。
在實施例中，比率A1/A2可為例如在約16至200之範圍內，在約50至200之範圍內，在約16至100之範圍內，或可為約16。
在實施例中，A1可為例如約0.6 mm2至1.2 mm2，且A2可為例如約0.04 mm2至0.1 mm2。
在實施例中，該蒸氣之震波波前可在穿過噴嘴之該部分之蒸氣之下游形成。該蒸氣之震波波前可在出口之前實質上消散。
在實施例中，該蒸氣可在該噴嘴之該部分下游及該出口之上游形成為準直射束。
在實施例中，該噴嘴可包括在具有複數個類似噴嘴之噴嘴組中，且該複數個噴嘴可各經組態以沈積有機發射材料。在實施例中，可提供複數個噴嘴來沈積複數種不同的有機材料。
在實施例中，該沈積之有機材料之寬度可實質上等於該出口之寬度。
在實施例中，有機材料可在不使用蔽蔭遮罩之情況下沈積。
根據本發明之其他態樣，可提供有機材料沈積裝置而包括有機材料供應、載氣供應以及與有機材料供應及載氣供應流體連通之噴嘴。在實施例中，該噴嘴可包括入口及噴嘴遠端處之出口。在實施例中，該裝置可經組態以使得該載氣與該有機材料之蒸氣混合物可穿過該噴嘴，且該有機材料在離開該出口之後沈積於基板上。
在實施例中，噴嘴之出口可包括橫截面積A1及直徑D1。實施例可包括在該入口與該出口之間在離該出口軸向距離L1處之噴嘴之一部分，該噴嘴之該部分包括橫截面積A2及直徑D2。
如本文所用，不同地描述之入口、出口及其他噴嘴部分之「直徑」不限於圓形截面，且可廣義地理解為包括穿過局部橫截面之幾何中心或質心之節段，包括例如圓形及非圓形形狀之橫跨距離。使用直徑可進一步指定為例如橫截面形狀之最大或最小直徑。
在實施例中，A2可小於A1。在實施例中，L1/D2可例如大於2，或在約2至20之範圍內。
在實施例中，D1/D2可為例如在約4至100之範圍內，或在約10至100之範圍內。
在實施例中，比率A1/A2可為例如在約16至200之範圍內，在約50至200之範圍內，在約16至100之範圍內，或可為約16。
在實施例中，A1可為例如約0.6 mm2至1.2 mm2，且A2可為例如約0.04 mm2至0.1 mm2。
在實施例中，該噴嘴之該部分可包括軸長L2及實質上恆定之橫截面積。在實施例中，L2可為例如小於1 mm，小於5 mm或在1 mm至5 mm範圍內。在實施例中，入口可具有半徑R3。在實施例中，L2/R3可在約1至10之範圍內。
在實施例中，出口可包括軸長L1，其中蒸氣混合物可準直。在實施例中，L1可為例如大於1 mm，大於5 mm，在1 mm至10 mm範圍內，在5 mm至10 mm範圍內，在1 mm至20 mm範圍內，或在5 mm至20 mm範圍內。
在實施例中，該裝置可經組態以使得在使用中該蒸氣之震波波前可在該蒸氣穿過該噴嘴之該部分後形成並在該出口之前實質上消散。
在實施例中，該噴嘴可包括在具有複數個類似噴嘴之噴嘴組中，該複數個噴嘴可各經組態以沈積有機發射材料。
在實施例中，可將至少三個含有不同有機發射材料之不同有機 材料供應連接至不同噴嘴。
在實施例中，複數個噴嘴可按直線排列。
在實施例中，複數個噴嘴可按二維陣列排列。
在實施例中，噴嘴可為包括在印刷頭內之第一噴嘴。在實施例中，印刷頭可具有在例如5 mm至25 mm範圍內之厚度。第一噴嘴可與第一氣體源流體連通。
印刷頭可包括複數個第一噴嘴。該複數個噴嘴可與第一氣體源流體連通。
印刷頭可包括與不同於第一氣體源之第二氣體源流體連通之第二噴嘴。
印刷頭可包括與不同於第一及第二氣體源之第三氣體源流體連通之第三噴嘴。
印刷頭可包含與第一氣體源流體連通之複數個第一噴嘴、與第二氣體源流體連通之複數個第二噴嘴、及/或與第三氣體源流體連通之複數個第三噴嘴。
該噴嘴可由多種材料形成，諸如矽、金屬、陶瓷及其組合。在實施例中，入口、出口及/或噴嘴之部分可由彼此不同之一層材料製成。
在實施例中，該裝置可與氣體流一起使用，各氣體流中可攜帶多種有機材料。
氣體源(諸如第一氣體源或任何其他氣體源)可包括多種有機源。連接至不同氣體源之多個通道可與同一噴嘴流體連通，在噴嘴中產生氣體混合物。
考慮以下【實施方式】、圖式及申請專利範圍，可闡述或顯而易知本發明之另外的特徵、優勢及實施例。此外，應理解，之前的【發明內容】與以下的【實施方式】均為例示性的且意欲提供進一步解釋 而不限制所主張之本發明之範疇。
101‧‧‧有機材料供應
102‧‧‧載氣供應
103‧‧‧噴嘴/噴嘴組
120‧‧‧OLED裝置堆疊
122‧‧‧玻璃基板
124‧‧‧陽極
126‧‧‧電洞注入層
128‧‧‧電洞傳輸層
130‧‧‧第一發射層
132‧‧‧第二發射層
134‧‧‧阻擋層
136‧‧‧層
138‧‧‧陰極
200‧‧‧例示性噴嘴
202‧‧‧入口
204‧‧‧出口
204A‧‧‧圓形出口
204B‧‧‧正方形出口
204C‧‧‧橢圓形出口
204D‧‧‧長方形形狀之出口
206‧‧‧節流閥
206A‧‧‧圓形節流閥
206B‧‧‧正方形節流閥
206C‧‧‧較小面積圓形節流閥
206D‧‧‧正方形節流閥
500‧‧‧噴嘴
506‧‧‧節流閥部分
600‧‧‧噴嘴
604‧‧‧出口
606‧‧‧節流閥部分
710‧‧‧直噴嘴
712‧‧‧震波波前
720‧‧‧例示性噴嘴
722‧‧‧震波波前
730‧‧‧基板
D1‧‧‧直徑
D2‧‧‧直徑
D3‧‧‧直徑
L1‧‧‧軸長
L2‧‧‧軸長
L3‧‧‧軸長
所包括之以提供對本發明進一步理解之附圖合併在本說明書中並構成本說明書之一部分；說明本發明之實施例且與【實施方式】一起用來解釋本發明之原理。不試圖比可為基本理解本發明及可實施本發明之不同方式所必需之程度更詳細地顯示本發明之結構細節。
圖1為根據本發明之態樣之例示性沈積系統之示意圖。
圖2顯示根據本發明之態樣之具有相關尺寸之例示性噴嘴。
圖3A至圖3D描繪根據本發明之態樣之節流閥部分及對應出口之不同橫截面視圖。
圖4顯示根據本發明之態樣之具有相關尺寸之另一例示性噴嘴。
圖5顯示根據本發明之態樣之具有相關尺寸之例示性收斂-發散噴嘴。
圖6顯示根據本發明之態樣在節流閥部分與出口之間包括圓角過渡之另一例示性噴嘴。
圖7為直噴嘴中(左)及根據本發明之態樣之噴嘴中(右)之震波波前區。
圖8為例示性有機光發射堆疊之示意圖。
圖9顯示根據本發明之態樣之OVJP噴嘴。
圖10顯示根據本發明之態樣之OVJP噴嘴尖之其他細節。
圖11顯示常態化之發射強度對所測試裝置A之波長之曲線。
圖12顯示常態化之發射強度對所測試裝置C之波長之曲線。
圖13顯示常態化之發射強度對所測試裝置D之波長之曲線。
應理解，本發明不限於本文所述之特殊實施例，因為如熟練技工將認識到此等實施例可變化。亦應理解，本文所用之術語僅出於描 述特殊實施例之目的而使用，且不意欲限制本發明之範疇。亦應注意到，如本文所用且在附加申請專利範圍中，除非上下文另外清楚地規定，否則單數形式「一」及「該」包括複數個提及物。因此，舉例而言，提及「噴嘴」係提及一或多個噴嘴及熟習此項技術者所知之其等效物。
除非另外定義，否則本文所用之所有技術術語均具有與本發明所屬技術中之一般技術者通常所理解相同之含義。本發明之實施例及其不同特徵及有利細節係參考非限制性實施例較全面地解釋及/或在附圖中圖解並在以下說明中詳細說明。應注意到，附圖中圖解之特徵不必按比例繪製，且如熟練技工將認識到，即使本文未明確說明，一個實施例之特徵亦可與其他實施例一起使用。
本文所述之任何數值包括自下限值至上限值以一個單位為增量之所有值，其限制條件為任何下限值與任何上限值之間間隔至少兩個單位。舉例而言，若陳述組分之濃度或過程變量(諸如大小、角度大小、壓力、時間及其類似變量)之值為例如1至100、1至50、或5至20，則其中所包括之值意欲明確地列舉在本說明書中。對於小於1之值，認為一個單位視情況為0.0001、0.001、0.01或0.1。此等僅為特別意欲者之實例，且認為所列舉之最低值與最高值之間的數值之所有可能的組合均可以類似方式明確地陳述在本說明書中。
在本發明之標的物中，可實施噴嘴組態以例如減小沈積之材料之過噴。如圖1中示意性顯示，例示性有機材料沈積裝置可通常包括有機材料供應101、載氣供應102及噴嘴/噴嘴組103或其他噴嘴結構，包括一或多個與有機材料供應及載氣供應流體連通之噴嘴。如熟習此項技術者所知，此等連接之細節及相關構造可變化且在此處不詳細描述。
在實施例中，噴嘴組103可包括複數個類似噴嘴，該複數個噴嘴 可各經組態以沈積有機發射材料。舉例而言，可將至少三個含有不同的有機發射材料之不同的有機材料供應101連接至噴嘴組103中之不同噴嘴，此在例如形成具有不同顏色發射像素或區域之顯示器或照明面板中較受青睞。
噴嘴組103可包括複數個按直線及/或按二維陣列排列之噴嘴。在實施例中，噴嘴可包括在印刷頭中。印刷頭可具有在例如5 mm至25 mm範圍內之厚度。
印刷頭可包含與第一氣體源流體連通之複數個第一噴嘴、與第二氣體源流體連通之複數個第二噴嘴、及/或與第三氣體源流體連通之複數個第三噴嘴。
噴嘴組103中所包括之噴嘴可由多種材料形成，諸如矽、金屬、陶瓷及其組合。在實施例中，入口、出口及/或噴嘴之部分可由彼此不同之一層材料製成。
源(諸如有機材料供應101)可包括多種有機源。連接至不同氣體源之多個通道可與同一噴嘴流體連通，在噴嘴中產生氣體混合物。圖2中顯示根據本發明之態樣之例示性噴嘴之其他細節。
如圖2所示，例示性噴嘴200可包括入口202及噴嘴遠端處之出口204。噴嘴200可包括例如在裝置中，該裝置經組態以使得載氣與有機材料之蒸氣混合物可穿過噴嘴200，且該有機材料在離開出口204之後沈積於基板(未圖示)上。
噴嘴之出口204可包括橫截面積A1(未圖示)及直徑D1。噴嘴200可包括部分206，該部分206可稱為「節流閥」，位於入口202與出口204之間在離出口204軸向距離L1處。節流閥部分206可包括橫截面積A2(未圖示)及直徑D2。
如上所述，不同地描述之入口、出口及其他噴嘴部分之「直徑」不限於圓形截面，且可廣義地理解為包括穿過局部橫截面之幾何 中心或質心之節段。在圖2中所示之實施例中，D1表示出口之最大直徑且D2表示部分206之最小直徑。出口204亦可包括半徑R1，亦即D1之一半，且節流閥部分206可包括半徑R2，亦即D2之一半。
對於節流閥部分206及出口204，可能為不同的橫截面形狀。舉例而言，如圖3A及圖3B中所示，節流閥及出口可具有類似之形狀，其中出口大於節流閥。圖3A顯示具有較小直徑圓形節流閥206A之圓形出口204A。圖3B顯示具有較小直徑正方形節流閥206B之正方形出口204B。在其他實施例中，諸如圖3C及圖3D中所示，出口及節流閥可具有不同形狀。圖3C顯示具有較小面積圓形節流閥206C之橢圓形出口204C。值得注意的是，在實施例中，諸如圖3C中所示，即使當節流閥及出口具有實質上相等之最小直徑時，出口之面積亦可大於節流閥。另一可能的實例顯示於圖3D中，包括具有較小面積正方形節流閥206D之長方形形狀之出口204D。
因此，如考慮圖2及圖3A至圖3D中所示之例示性實施例將瞭解，在實施例中，節流閥部分之橫截面積(A2)可小於出口之橫截面積(A1)。在實施例中，比率A1/A2可為例如在約16至200之範圍內，在約50至200之範圍內，在約16至100之範圍內，或可為約16。此類比率連同本文所述之其他比率一起可有利於允許在離開節流閥之後在噴嘴內形成噴射之震波波前。
在實施例中，A1可為例如約0.6 mm2至1.2 mm2，且A2可為例如約0.04 mm2至0.1 mm2。
發明人類似地發現可有利於縮放出口及噴嘴之相對直徑。舉例而言，回至圖2，在實施例中，D1/D2可例如大於4，在約4至100之範圍內，或在約10至100之範圍內。
如下文進一步描述，亦可有益於提供足夠之距離以供噴射之震波波前形成並在離開出口204之噴射之前實質上消散。因此，在實施 例中，L1/D2可例如大於2。亦即，實施例可包括出口與節流閥部分之間在流動方向上之距離大於節流閥直徑兩倍之組態。在實施例中，L1/D2可例如較佳地在約2至20範圍內。此情況與通常教示噴嘴之「孔」(亦即收縮程度最大之部分)儘可能接近基板(例如微米數量級)之已知OVJP系統相違背。
在實施例中，諸如圖2中所示者，噴嘴之節流閥部分206可包括軸長L2及實質上恆定之橫截面積。L2可為例如小於1 mm，小於5 mm或在1 mm至5 mm範圍內。然而，節流閥部分亦可能包括最小或微小L2或橫截面積變化之長度。在此類情況下，L1可例如自出口至最小節流閥橫截面來量測。
入口202可採用不同的形式，且可包括具有直徑D3(或R3等於D3之一半)及/或軸長L3之有界區域(諸如圖2中所示)或入口管/腔室之直徑及/或長度大大超過個別節流閥之範圍的相對無界的區域。在某些實施例中，L2/R3可在約1至10之範圍內。
在實施例中，出口可包括軸長L1，其中蒸氣混合物可準直。在實施例中，沿著L1之出口之至少一部分、大部分或整個可包括實質上恆定之橫截面積。在實施例中，L1可為例如大於1 mm，大於5 mm，在1 mm至10 mm範圍內，在5 mm至10 mm範圍內，在1 mm至20 mm範圍內，或在5 mm至20 mm範圍內。
類似之設計顯示於圖4中，圖4描繪在整個長度L1上具有實質上均一之橫截面之出口及相對無界之入口。此類組態可方便地例如藉由將類似或不同材料之板(包括獨立地形成之孔)結合在一起來形成。圖5及圖6顯示另外的替代性設計。
如圖5中所示，噴嘴500可經組態具有沿著L3之收斂入口及沿著L1之發散出口，因此包括具有最小軸長之節流閥部分506。如圖6中所示，噴嘴600可經組態以使得節流閥部分606與出口604之橫截面積之 間的過渡可為圓角的，此舉可有利於例如調整震波波前及噴射準直及/或某些製造技術。
如圖2及圖4至圖6中所示，根據本發明之態樣，噴嘴之節流閥位於噴嘴之主體內遠離與節流閥之直徑相比相對較大的噴嘴出口距離L1處。在使用中，有機蒸氣噴射最初在節流閥處收斂，在節流閥處橫截面積最小，加速，隨後擴大(理想地)以形成準直射束。發明人已發現，與收斂或直噴嘴相比，藉由使用此類噴嘴設計，過噴可顯著減小。
如下文進一步所討論，由發明人得出之實驗資料建議例如在OVJP中射束準直之較佳設計條件包括增加A1/A2比率(例如在16至200之間)並減小L2(此舉可增加氣體傳導)。
發明人進一步發現，藉由使用此等噴嘴設計參數，在用於OVJP沈積之條件下，蒸氣之震波波前可在蒸氣穿過噴嘴之節流閥部分後形成，且震波波前可在出口之前實質上消散。震波波前消散之跡象可見於例如與收斂或直噴嘴所達成之圖案相比減小之過噴及較佳之沈積再溶解。
圖7顯示習知直噴嘴710之操作與根據本發明之態樣之例示性噴嘴720之比較。在噴嘴720中，最小孔/喉完全位於噴嘴之主體內，遠離噴嘴尖，而在直噴嘴710中，孔位於噴嘴尖處。因此在直噴嘴710中，在接近於基板730之噴嘴末端處發生突然壓力下降，且由此產生震波波前712，該震波波前可導致分子束自噴嘴中發散出來並增加過噴。然而，在噴嘴720中，震波波前722移動遠離基板730，完全在噴嘴內。此舉大大減小射束之發散，且因此減小過噴。
如先前所提及，本發明之態樣可特別適於有機發射及/或偵測裝置之OVJP沈積領域。OLED通常包含安置於陽極與陰極之間且電連接至陽極及陰極之至少一個有機層。當施加電流時，陽極將電洞且陰極 將電子注入有機層中。注入之電洞及電子各向相反電荷之電極遷移。當電子及電洞定域於同一分子時，形成「激子」，其為具有激發能狀態之定域電子-電洞對。當激子經由光電發射機制弛豫時，發射光。在一些情況下，激子可定域於激態二聚體或激態複合物。雖然非輻射機制(諸如熱弛豫)亦可發生，但通常認為不當的。
最初的OLED使用如例如美國專利第4,769,292號(其以全文引用之方式合併)中所揭示，自單重態(「螢光」)發射光之發射分子。螢光發射通常在小於10奈秒之時間範圍內發生。
近年來，已展示自三重態(「磷光」)發射光之發射材料之OLED。Baldo等人，「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」,Nature，第395卷，151-154,1998；(「Baldo-I」)及Baldo等人，「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence」,Appl.Phys.Lett.，第75卷，第3期，4-6(1999)(「Baldo-II」)，其以全文引用之方式合併。磷光性較詳細地描述於美國專利第7,279,704號第5欄至第6欄中，該專利以引用之方式合併。
OLED可包括例如基板、陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、發射層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、保護層以及陰極。此類OLED可藉由按次序沈積該等層來製備。此等不同層之性質及功能以及實例材料較詳細地描述於US 7,279,704第6欄至第10欄中，該專利以引用之方式合併。
根據實施例，照明面板、顯示器及/或偵測器可具有OLED堆疊。如圖8中所示，例示性OLED裝置堆疊120可包括複數個材料層122-136。OLED可在玻璃基板122上製造，且按次序包括陽極124(1200 Å厚ITO)、電洞注入層126(100 Å厚LG101，獲自LG Chemicals of Korea)、電洞傳輸層128(450 Å厚NPD)、第一發射層130(200 Å厚之摻 雜有30%綠色摻雜劑A及0.6%紅色摻雜劑A之基質B)、第二發射層132(75 Å厚之摻雜有25%藍色摻雜劑A之藍色基質A)、阻擋層134(50 Å厚藍色基質A)、層136(40% LG201(獲自LG Chemicals of Korea)及60% LiQ之250 Å厚層)以及陰極138(10 Å厚LiQ(喹啉鋰)層及1000 Å厚A1層)。上述材料及尺寸僅以實例之方式提供，且不應解釋為限制本發明之範疇。亦涵蓋OLED之其他組態且將為熟習此項技術者所瞭解。
可用於形成裝置堆疊200之OLED材料之一些實例顯示如下。
OLED裝置(諸如圖8中所示)可併入OLED面板中或在較小尺寸下併入OLED顯示器中。
根據本發明之態樣，可能需要使用本文描述之技術沈積一或多個有機層以獲得包括一或多個沈積材料剝離之圖案化層，諸如當噴嘴及/或基板相對於彼此移動時。如先前所提及，可使用複數個噴嘴，各噴嘴沈積一種不同的有機材料以形成多個不同的有機發射極之剝離。
可獲得各此等層之較多實例。舉例而言，美國專利第5,844,363號中揭示可撓性且透明之基板-陽極組合，該專利以全文引用之方式合併。p摻雜電洞傳輸層之一個實例為m-MTDATA，按50：1之莫耳比率摻雜有F4-TCNQ，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，其以全文引用之方式合併。發射及基質材料之實例揭示於Thompson等人之美國專利第6,303,238號中，其以全文引用之方式合併。n摻雜電子傳輸層之一個實例為BPhen，按1：1之莫耳比率摻雜有Li，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，其以全文引用之方式合併。美國專利第5,703,436號及第5,707,745號，其以全文引用之方式合併，揭示陰極之實例，包括具有金屬薄層(諸如Mg：Ag)及上覆透明的導電的濺鍍沈積之ITO層之複合陰極。阻擋層之理論及使用較詳細地描述於美國專利第6,097,147號及美國專利申請公開案第2003/0230980號中，其以全文引用之方式合併。注入層之實例提供於美國專利申請公開案第2004/0174116號中，其以全文引用之方式合併。保護層之描述可見於美國專利申請公開案第2004/0174116號中，其以全文引用之方式合併。
如上所討論之簡單的層狀結構以非限制性實例之方式提供，且應理解，本發明之實施例可結合多種其他結構一起使用。所述之具體材料及結構在本質上為例示性的，且可使用其他材料及結構。基於設計、效能及成本因素，功能性OLED可藉由組合以不同方式描述之不同層來達成，或該等層可全部省去。亦可包括未明確描述之其他層。可使用除明確描述之材料以外之材料。雖然本文提供之許多實例描述不同層包含單一材料，但應理解，可使用材料之組合(諸如基質及摻雜劑之混合物)，或較通常混合物。同樣，該等層可具有不同的子層。不意欲本文給予不同層之名稱嚴格地具有限制性。舉例而言，電洞傳輸層可將電洞傳輸及將電洞注入發射層中，且可描述為電洞傳輸 層或電洞注入層。在實施例中，OLED可描述為具有安置於陽極與陰極之間的「有機層」。此有機層可包含單個層，或可進一步包含多個不同有機材料之層。
亦可使用未明確描述之結構及材料，諸如由聚合材料構成之OLED(PLED)，諸如Friend等人之美國專利第5,247,190號中所揭示，其以全文引用之方式合併。再舉例而言，可使用具有單個有機層之OLED。OLED可例如Forrest等人之美國專利第5,707,745號中所述堆疊，該專利以全文引用之方式合併。OLED結構可與圖1及圖2中圖解之簡單的層狀結構有區別。舉例而言，基板可包括成一定角度之反射面以改進外部耦合，諸如Forrest等人之美國專利第6,091,195中所述之台式結構及/或如Bulovic等人之美國專利第5,834,893中所述之坑形結構，該等專利以引用之方式合併。
除非另作說明，否則不同實施例之任何層均可利用任何適合之方法沈積。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發、墨噴(諸如美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所述，其以全文引用之方式合併)、有機氣相沈積(OVPD)(諸如Forrest等人之美國專利第6,337,102號中所述，其以全文引用之方式合併)以及利用有機蒸氣噴射印刷(OVJP)之沈積(諸如美國專利申請第10/233,470號中所述，其以全文引用之方式合併)。其他的適合之沈積方法包括旋塗及其他基於溶液之方法。基於溶液之方法較佳地在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其他層，較佳方法包括熱蒸發。較佳圖案化方法包括穿過遮罩沈積、冷焊(諸如美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所述，其以全文引用之方式合併)以及與一些沈積方法(諸如墨噴及OVJD)相關之圖案化。亦可使用其他方法。可改質欲沈積之材料以使其與特殊沈積方法相容。舉例而言，可在小分子中使用取代基(諸如分支或未分支且較佳地含有至少3個碳之烷基及芳基)以增強其經受溶液處理之能力。可使用具有20個 或20個以上碳之取代基，且3至20個碳為較佳之範圍。具有不對稱結構之材料之溶液處理性可優於具有對稱結構者，因為不對稱材料可具有較低的再結晶傾向。樹枝狀聚合物取代基可用來增強小分子經受溶液處理之能力。
根據本發明實施例製造之裝置可併入多種消費產品中，包括平板顯示器、電腦監測器、醫學監測器、電視、廣告牌、內部或外部照明及/或發信號之光、仰視顯示器、完全透明的顯示器、可撓性顯示器、雷射打印機、電話、行動電話、個人數位助理(PDA)、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、檢景器、微顯示器、車輛、較大面積牆、劇場或體育場屏幕或招牌。不同的控制機制可用來控制根據本發明製造之裝置，包括被動基質及主動基質。意欲許多裝置在對人類舒適之溫度範圍內使用，諸如18℃至30℃，且更佳地在室溫下(20℃至25℃)。
本文描述之材料及結構可應用於除OLED以外之裝置中。舉例而言，其他光電裝置(諸如有機太陽能電池及有機光偵測器)可使用該等材料及結構。更一般而言，有機裝置(諸如有機電晶體)可使用該等材料及結構。
術語鹵基、鹵素、烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基、芳族基及雜芳基為此項技術所知，且在US 7,279,704第31欄至第32欄中定義，其以引用之方式併入本文中。
實驗
本發明已顯示使用圖9中所示之收斂-發散OVJP噴嘴之實例設計。亦測試使用直噴嘴製造之裝置來比較。圖10顯示根據本發明之態樣之噴嘴尖之其他細節，類似於圖9之噴嘴。如圖10中所示，噴嘴具有鑽於噴嘴主體中之直徑為約0.01吋(0.25 mm)之節流閥部分，通向直徑為約0.039吋(1.0 mm)之出口。此設計類似於圖4中所示之噴嘴設 計，且對應於16之A1/A2比率。例示性的本發明噴嘴包括約0.1吋(2.5 mm)之L2及約0.35吋(8.9 mm)之L1。
在玻璃基板上製造四個發射裝置A-D。對於裝置A-D，用2.4 mm寬之ITO墊將玻璃基板圖案化，且墊之間有0.5 mm ITO-ITO間距以供沈積。在ITO陽極上VTE沈積電洞注入層(HIL)，之後沈積電洞傳輸TCTA層(HTL)。隨後將30 Å之純綠色摻雜劑(摻雜劑1)OVJP印刷於對應於裝置B之一個ITO墊的中心。在一個測試情況下，此舉使用例示性之本發明噴嘴進行，且在另一測試情況下，用比較直噴嘴進行。將後續層(亦即電子傳輸BCP層(ETL)、電子注入LiF)沈積在裝置A-D上方。隨後藉由沈積鋁陰極來完成裝置。
該裝置在電荷注入及傳輸特徵方面高度不對稱，從而使得所產生之所有激子均緊緊限制在TCTA/BCP界面處。在無污染存在之情況下，所得裝置顯示來自TCTA之藍色EL。裝置B上之沈積線由於激子有效轉移至綠色染料而顯示綠色電致發光。視在此位置沈積之綠色染料量而定，超出裝置B上所沈積ITO條紋之任何綠色染料過噴均將顯示一定程度之綠色發射。電致發光光譜中由綠色染料所致之峰及預設之TCTA發射可清楚地分開，且綠色及藍色峰之比率定量地界定所存在之綠色染料之量。因為將激子有效限制在界面處且下坡能量轉移效率較高，所以結構對過噴之存在非常敏感，已用於偵測<0.5 Å之材料或約1/5之單層。發射光譜在2.4 mm寬像素之中心處量測。裝置A及裝置C位於離裝置B中之印刷線中心2.9 mm處。裝置D位於離裝置B中之印刷線中心5.8 mm距離處。
裝置A、裝置C及裝置D之常態化之發射強度對波長分別顯示於圖11、圖12及圖13中。在使用例示性的本發明噴嘴時，顯示過噴在所有該三個裝置中均減小。在裝置A及裝置C之像素中，當使用本發明噴嘴印刷時TCTA藍色發射佔優勢，而當使用直噴嘴時綠色染料發射 佔優勢。應注意到，具有直噴嘴之裝置A之發射剖面對應於<1.6%之過噴或0.5 Å綠色污染。此結果表明，使用例示性之本發明噴嘴時之過噴遠低於<1.6%且不能被定量。類似地，在裝置D之像素中觀察到過噴顯著減小。
應理解，本文描述之不同實施例僅為舉例且不意欲限制本發明之範疇。舉例而言，在不偏離本發明之精神之情況下，許多本文描述之材料及結構可用其他材料及結構來取代。因此，如所主張之本發明可包括如熟習此項技術人員將顯而易知之本文描述之特殊實例及較佳實施例之變化形式。應理解，不意欲關於本發明為何能工作之不同理論具有限制性。
200‧‧‧例示性噴嘴
202‧‧‧入口
204‧‧‧出口
206‧‧‧節流閥
D1‧‧‧直徑
D2‧‧‧直徑
D3‧‧‧直徑
L1‧‧‧軸長
L2‧‧‧軸長
L3‧‧‧軸長

Claims (40)

  1. 一種沈積有機材料之方法，其包含：將包括該有機材料之蒸氣經由入口引入噴嘴中；將該蒸氣自該噴嘴遠端之出口噴出，該出口具有橫截面積A1；該噴出之後，沈積該有機材料於基板上以形成有機發射或偵測區域之至少一部分，其中，該蒸氣穿過在該入口與該出口之間在離該出口軸向距離L1處之該噴嘴之一部分，該噴嘴之該部分具有橫截面積A2，其中A1為約0.6mm2至1.2mm2，且A1/A2為約16或16以上。
  2. 如請求項1之方法，其中該有機材料在不使用蔽蔭遮罩之情況下沈積。
  3. 如請求項1之方法，其中該蒸氣之震波波前在穿過該噴嘴之該部分之該蒸氣之下游形成並在該出口之前實質上消散。
  4. 如請求項1之方法，其中該出口具有半徑R1且該噴嘴之該部分具有半徑R2，且L1/R2在約3至200之範圍內。
  5. 如請求項4之方法，其中L1/R2在約5至20之範圍內。
  6. 如請求項4之方法，其中R1/R2在約4至100之範圍內。
  7. 如請求項1之方法，其中A1/A2在約16至200之範圍內。
  8. 如請求項1之方法，其中A1/A2為約16。
  9. 如請求項1之方法，其中A2為約0.04mm2至0.1mm2。
  10. 如請求項1之方法，其中該噴嘴包括在具有複數個類似噴嘴之噴嘴組中，該複數個噴嘴各經組態以沈積有機發射材料。
  11. 如請求項1之方法，其中該經沈積之有機材料之寬度實質上等於該出口之寬度。
  12. 如請求項1之方法，其中該蒸氣在該噴嘴之該部分下游及該出口之上游形成為準直射束。
  13. 一種有機材料沈積裝置，其包含：有機材料供應；載氣供應；與該有機材料供應及該載氣供應流體連通之噴嘴，該噴嘴包括：入口；出口，其位於該噴嘴之遠端，包括橫截面積A1及直徑D1；以及在該入口與該出口之間在離該出口軸向距離L1處之部分，該噴嘴之該部分包括橫截面積A2及直徑D2，其中A2小於A1，L1/D2大於2，A1為約0.6mm2至1.2mm2，且該裝置經組態以使該載氣與該有機材料之蒸氣混合物穿過該噴嘴，且該有機材料在離開該出口之後沈積於基板上。
  14. 如請求項13之裝置，其中該裝置經組態以使得在使用中該蒸氣之震波波前在該蒸氣穿過該噴嘴之該部分後形成並在該出口之前實質上消散。
  15. 如請求項13之裝置，其中A2小於A1。
  16. 如請求項13之裝置，其中L1/D2在約2至20之範圍內。
  17. 如請求項13之裝置，其中D1/D2在約4至100之範圍內。
  18. 如請求項13之裝置，其中A1/A2在約16至200之範圍內。
  19. 如請求項13之裝置，其中A1/A2為約16。
  20. 如請求項13之裝置，其中A3為約0.04mm2至0.1mm2。
  21. 如請求項13之裝置，其中該噴嘴包括在具有複數個類似噴嘴之噴嘴組中，該複數個噴嘴各經組態以沈積有機發射材料。
  22. 如請求項21之裝置，其中將至少三個含有不同有機發射材料之不同有機材料供應連接至不同噴嘴。
  23. 如請求項21之裝置，其中該複數個噴嘴按直線排列。
  24. 如請求項21之裝置，其中該複數個噴嘴按二維陣列排列。
  25. 如請求項13之裝置，其中該噴嘴之該部分包括軸長L2及實質上恆定之橫截面積。
  26. 如請求項25之裝置，其中L2/R3在約1至10之範圍內。
  27. 如請求項13之裝置，其中該出口沿著該蒸氣混合物準直之軸長包括實質上恆定之橫截面積。
  28. 一種沈積有機材料之方法，其包含：將包括該有機材料之蒸氣經由入口引入噴嘴中；將該蒸氣自該噴嘴遠端之出口噴出，該出口具有橫截面積A1及直徑D1；該噴出之後，沈積該有機材料於基板上以形成有機發射或偵測區域之至少一部分，其中，該蒸氣穿過在該入口與該出口之間在離該出口軸向距離L1處之該噴嘴之一部分，該噴嘴之該部分具有橫截面積A2及直徑D2，其中L1/D2大於2，且A1為約0.6mm2至1.2mm2。
  29. 如請求項28之方法，其中A1/A2為約16或16以上。
  30. 如請求項28之方法，其中該蒸氣之震波波前在穿過該噴嘴之該部分之該蒸氣之下游形成並在該出口之前實質上消散。
  31. 如請求項28之方法，L1/D2在約2至200之範圍內。
  32. 如請求項28之方法，其中L1/D2在約2至20之範圍內。
  33. 如請求項28之方法，其中L1/D2為約3。
  34. 如請求項28之方法，其中D1/D2在約4至100之範圍內。
  35. 如請求項28之方法，其中A1/A2在約16至200之範圍內。
  36. 如請求項28之方法，其中A1/A2為約16。
  37. 如請求項28之方法，其中A2為約0.04mm2至0.1mm2。
  38. 如請求項28之方法，其中該噴嘴包括在具有複數個類似噴嘴之噴嘴組中，該複數個噴嘴各經組態以沈積有機發射材料。
  39. 如請求項28之方法，其中該經沈積之有機材料之寬度實質上等於該出口之寬度。
  40. 如請求項28之方法，其中該蒸氣在該噴嘴之該部分下游及該出口之上游形成為準直射束。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8931431B2 (en) 2009-03-25 2015-01-13 The Regents Of The University Of Michigan Nozzle geometry for organic vapor jet printing
WO2012011913A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing
KR102233750B1 (ko) * 2014-02-12 2021-04-01 한국전자통신연구원 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치
CN104228314B (zh) * 2014-09-20 2016-09-07 福州大学 一种新型网版曝光晒图方法
CN104711514B (zh) * 2015-04-07 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种成膜装置及方法
CN112941465A (zh) * 2016-07-29 2021-06-11 环球展览公司 沉积喷嘴
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US20180323373A1 (en) * 2017-05-05 2018-11-08 Universal Display Corporation Capacitive sensor for positioning in ovjp printing
KR102425610B1 (ko) 2017-08-08 2022-07-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자의 제조에 사용되는 상 변화 물질
US20190386256A1 (en) 2018-06-18 2019-12-19 Universal Display Corporation Sequential material sources for thermally challenged OLED materials
US20190386257A1 (en) * 2018-06-18 2019-12-19 Universal Display Corporation Depositor and print head for depositing a non-emissive layer of graded thickness
US11751466B2 (en) * 2020-05-11 2023-09-05 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
US20220333230A1 (en) * 2020-05-11 2022-10-20 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (ovjp)
EP4172377A1 (en) * 2020-06-29 2023-05-03 Applied Materials, Inc. Nozzle assembly, evaporation source, deposition system and method for depositing an evaporated material onto a substrate
US11919241B1 (en) * 2021-02-25 2024-03-05 Xerox Corporation Optimized nozzle design for drop-on-demand printers and methods thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010035127A1 (en) * 1998-10-27 2001-11-01 Craig R. Metzner Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6565661B1 (en) 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US6497193B2 (en) 1999-06-07 2002-12-24 Neocera, Inc. Scanned focus deposition system
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
JP3975272B2 (ja) * 2002-02-21 2007-09-12 独立行政法人産業技術総合研究所 超微細流体ジェット装置
JP2003324072A (ja) 2002-05-07 2003-11-14 Nec Electronics Corp 半導体製造装置
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6942753B2 (en) 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
KR100810018B1 (ko) * 2003-11-12 2008-03-07 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 기판 상에 구조체를 패터닝하는 장치 및 방법
CN100466162C (zh) * 2003-12-15 2009-03-04 应用材料有限公司 用于改进cvd膜性能的边流面板
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US7785672B2 (en) 2004-04-20 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
JP3913244B2 (ja) 2004-10-21 2007-05-09 松下電器産業株式会社 基板処理方法
US8440049B2 (en) * 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
US7968146B2 (en) 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US20080102223A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
CN101743125B (zh) * 2007-06-14 2013-07-03 麻省理工学院 用于在衬底上沉积墨的系统和方法
US7807222B2 (en) * 2007-09-17 2010-10-05 Asm International N.V. Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same
CN102046841B (zh) 2008-05-07 2014-05-28 普林斯顿大学理事会 用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层
DE102008057050B4 (de) * 2008-11-13 2021-06-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008063490B4 (de) * 2008-12-17 2023-06-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zum Einstellen des Farbortes einer weiß emittierenden Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102008064200A1 (de) * 2008-12-22 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
DE102009012346B4 (de) * 2009-03-09 2024-02-15 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US8613496B2 (en) * 2009-03-25 2013-12-24 The Regents Of The University Of Michigan Compact organic vapor jet printing print head
US20110097495A1 (en) * 2009-09-03 2011-04-28 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing with chiller plate
KR101101916B1 (ko) * 2010-04-30 2012-01-02 한국과학기술원 유기 증기젯 인쇄 장치
US8851597B2 (en) * 2010-07-01 2014-10-07 The Regents Of The University Of Michigan Gas cushion control of OVJP print head position
CN102185109A (zh) * 2011-04-06 2011-09-14 中国科学院微电子研究所 一种有机多层薄膜的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010035127A1 (en) * 1998-10-27 2001-11-01 Craig R. Metzner Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities

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