CN110620190A - 用于沉积渐变厚度的非发射层的沉积器和印刷头 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及用于沉积渐变厚度的非发射层的沉积器和印刷头。所公开的主题的实施例提供一种沉积器装置,其具有第一排气孔口和第二排气孔口,和安置于所述第一排气孔口与所述第二排气孔口之间的多个递送孔口。所述多个递送孔口的第一孔口可以具有第一长度,并且所述多个递送孔口的第二孔口可以具有第二长度。所述第一长度可以长于所述第二长度。所述装置可以包括所述多个递送孔口的第三孔口,其可以具有第三长度,其中所述第二长度可以长于所述第三长度。所述装置的所述多个递送孔口可以包括具有不同长度的三个或更多个递送孔口。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求2018年6月18日提交的美国专利申请第62/686,124号的优先权,其全部内容以引入的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及具有递送孔口组的沉积器。由每一递送孔口组产生的沉积速率可以不同并且可以提供具有渐变厚度的印刷膜。
背景技术
出于多种原因,利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜,因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外,有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用,如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED,有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说,有机发射层发射光的波长通常可以容易地用适当的掺杂剂来调节。
OLED利用有机薄膜,其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中描述若干OLED材料和配置,所述专利以全文引用的方式并入本文中。
磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说,这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者,OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中,使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单EML装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。
如本文所用,术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料,并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下,小分子可以包括重复单元。举例来说,使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中,例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分,所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”,并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。
如本文所用,“顶部”意指离衬底最远,而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下,第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”,否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说,即使阴极和阳极之间存在各种有机层,仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。
如本文所用,“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。
当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时,所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时,所述配体可以被称为“辅助性的”,但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。
如本文所用,并且如所属领域的技术人员通常将理解,如果第一能级较接近真空能级,那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital,HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital,LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量,因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地,较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上,材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。
如本文所用,并且如所属领域的技术人员通常将理解,如果第一功函数具有较高绝对值,那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数,所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上,“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此,HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。
关于OLED和上文所述的定义的更多细节可以见于美国专利第7,279,704号中,所述专利以全文引用的方式并入本文中。
发明内容
根据一个实施例,还提供一种有机发光二极管/装置(OLED)。所述OLED可以包括阳极、阴极和安置于阳极与阴极之间的有机层。根据一实施例,所述有机发光装置并入一或多种选自以下的装置中:消费型产品、电子组件模块和/或照明面板。
根据一实施例,沉积器装置可以包括第一排气孔口和第二排气孔口,以及安置于第一排气孔口与第二排气孔口之间的多个递送孔口。所述多个递送孔口的第一孔口可以具有第一长度,并且所述多个递送孔口的第二孔口可以具有第二长度,其中第一长度可以长于第二长度。
装置可以包括所述多个递送孔口的第三孔口,其可以具有第三长度,其中第二长度可以长于第三长度。所述装置的所述多个递送孔口可以包括具有不同长度的三个或更多个递送孔口。
装置可以包括经第一歧管联接到第一递送孔口的第一气体控制器、经第二歧管联接到第二递送孔口的第二气体控制器和经第三歧管联接到第三递送孔口的第三气体控制器。
装置的第一孔口可以被配置成沉积具有在0.3与3mm之间的第一长度的膜的第一段,其对应于第一发射装置中的传输层。第二孔口可以被配置成沉积具有为第一长度的大约75%的第二长度的膜的第二段,其对应于第二发射装置中的传输层。第三孔口可以被配置成沉积具有为第一长度的大约55%的第三长度的膜的第三段,其对应于第三发射装置中的传输层。
装置的所述多个递送孔口可以连接到共同递送集气室。装置的递送通道可以将夹带在递送气体流中的有机蒸气携载到所述多个递送孔口。
装置可以包括第一排气通道和第二排气通道,其中第一排气通道联接到第一排气孔口,并且第二排气通道联接到第二排气孔口。装置的第一排气孔口、第一排气通道、第二排气孔口和第二排气通道可以从沉积区抽取处理气体和过剩的有机蒸气。
装置可以包括第一横向通道和第二横向通道,其中第一排气孔口和第二排气孔口可以安置于第一横向通道与第二横向通道之间。第一横向通道和第二横向通道可以提供来自室环境的密闭气体沿沉积器装置长度的均一分布。
装置的第一孔口可以被分成两个部分以形成第一孔口组,并且第二孔口可以被分成两个部分以形成第二孔口组。第一孔口组可以具有第一长度和宽度,并且第二孔口组可以具有第二长度和宽度,其中第一孔口厚度可以大于第二孔口厚度。装置的所述多个递送孔口的第三孔口可以具有第三长度,其中第二长度长于第三长度,并且其中第三孔口被分成两个部分以形成第三孔口组。第三孔口组可以具有第三厚度,其中第二孔口厚度可以大于第三孔口厚度。
根据一实施例,沉积器装置可以包括第一排气孔口和第二排气孔口,以及安置于第一排气孔口与第二排气孔口之间的多个递送孔口,其中所述多个递送孔口延伸穿过具有可变厚度的膜。所述多个递送孔口的第一孔口可以穿过具有第一厚度的膜的一部分,并且所述多个递送孔口的第二孔口可以穿过具有第二厚度的膜的一部分。第一厚度可以小于第二厚度。
所述多个递送孔口的第一孔口可以具有第一宽度,并且所述多个递送孔口的第二孔口可以具有第二宽度。第一宽度可以宽于第二宽度。装置可以包括所述多个递送孔口的第三孔口,其具有第三宽度,其中第二宽度可以宽于第三宽度。
第一孔口可以被配置成以在5μm与30μm之间的第一孔口宽度沉积膜的第一段,第二孔口可以被配置成以第一孔口宽度的大约100%到150%的第二孔口宽度沉积膜的第二段,并且第三孔口可以被配置成以第一孔口宽度的大约100%到250%的第三孔口宽度沉积膜的第三段。
膜的第一段可以沉积在第一滤色片上方,膜的第二段可以沉积在第二滤色片上方,并且膜的第三段可以安置于第三滤色片上方。
第一多个发射层可以沉积在膜的第一段的上方,第二多个发射层可以沉积在膜的第二段的上方,并且第三多个发射层可以沉积在膜的第三段的上方。
第一发射层可以沉积在膜的第一段的上方,第二发射层可以沉积在膜的第二段的上方,并且第三发射层可以沉积在膜的第三段的上方,其中第一发射层和第二发射层可以具有相同发射波长范围。
装置可以包括被配置成以可以第一宽度的大约50%到200%的第四孔口宽度沉积膜的第四段的第四递送孔口。第一发射层可以沉积在膜的第一段的上方,第二发射层可以沉积在膜的第二段的上方,第三发射层可以沉积在膜的第三段的上方,并且第四发射层可以沉积在膜的第四段的上方。
所述多个递送孔口可以包括具有不同宽度的三个或更多个递送孔口。与第二孔口相比,流动通过第一孔口的递送气体的量可能增加。在由单色子像素产生的多色像素中,具有较短发射波长的子像素可以比具有较长发射波长的子像素宽且/或具有更大表面积。
根据一实施例,沉积器装置可以包括第一排气孔口和第二排气孔口,以及安置于第一排气孔口与第二排气孔口之间的多个递送孔口子单元。所述多个递送孔口子单元的第一子单元可以被配置成跨越一像素的宽度沉积均一厚度的膜。所述多个递送孔口子单元的第二子单元可以被配置成跨越具有较长波长发射的像素的两个子像素的宽度沉积均一厚度的具有与第一子单元相同的材料的膜,同时不使具有较短波长发射的子像素上的材料厚度增加。所述多个递送孔口子单元的第三子单元可以被配置成沉积具有最长波长发射的子像素的均一厚度的膜,同时使另外两个子像素不变。
装置可以包括经第一歧管联接到第一子单元的第一递送孔口的第一气体控制器、经第二歧管联接到第一子单元的第二递送孔口的第二气体控制器和经第三歧管联接到第一子单元的第三递送孔口的第三气体控制器。
附图说明
图1展示一种有机发光装置。
图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。
图3展示示出红色、绿色和蓝色子像素中存在的不同微腔厚度的多色OLED(有机发光二极管)阵列中的像素。
图4A展示根据所公开的主题的一实施例的被配置成在OLED像素上印刷渐变非发射层的多递送孔口组沉积器的一孔口布置。
图4B展示根据所公开的主题的一实施例的被配置成在衬底上印刷渐变厚度膜的多个递送孔口组沉积器的线性阵列。
图5展示根据所公开的主题的一实施例的定位于衬底上方的多个递送孔口组沉积器的横截面。
图6展示根据所公开的主题的一实施例的多色OLED阵列的每一子像素中的堆叠层厚度。
图7展示根据所公开的主题的一实施例的具有被配置成提高每一厚度层级内沉积均一性的孔口组的多递送孔口组沉积器。
图8展示根据所公开的主题的一实施例的通过多递送孔口组沉积器沉积的渐变厚度薄膜的仿真。
图9A-9B展示根据所公开的主题的实施例的使用孔口阵列几何形状的沉积器的区域内控制有机蒸气通量的替代操作。
图10展示根据所公开的主题的一实施例的用于沉积渐变厚度的薄膜的替代沉积器设计。
图11展示根据所公开的主题的一实施例的使得沉积器中的每一孔口具有由单独、独立可调的源供应的处理气体的沉积器阵列。
图12A展示根据所公开的主题的一实施例的类似于图6中所展示,但个别红色和绿色发射层被单一黄色发射层置换的示例性像素设计。
图12B展示根据所公开的主题的一实施例的特征在于红色、绿色、天蓝色和深蓝色子像素的四子像素像素设计的一实例。
图12C展示根据所公开的主题的一实施例的可以在具有多色发射光谱的装置中重叠以形成堆叠装置的发射层。
具体实施方式
一般来说,OLED包含至少一个有机层,其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时,阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时,形成“激子”,其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时,发射光。在一些情况下,激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生,但通常被视为不合需要的。
最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子,如例如美国专利第4,769,292号中所公开,其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。
最近,已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”);和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”),所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光,所述专利以引用的方式并入。
图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述,所述专利以引用的方式并入。
可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说,柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中,所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA,如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开,所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中,所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen,如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开,所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例,所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中,所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中,其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中,其以全文引用的方式并入。
图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极,并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215,所以装置200可以被称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。
图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供,并且应理解本发明的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的,并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED,或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料,但应理解,可以使用材料的组合,如主体和掺杂剂的混合物,或更一般来说,混合物。此外,所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说,在装置200中,空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中,并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中,可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层,或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。
还可以使用未具体描述的结构和材料,例如包含聚合材料的OLED(PLED),例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开,所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例,可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠,例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说,衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling),例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构,和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构,所述专利以全文引用的方式并入。
除非另外规定,否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层,优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD)(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层,优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和OVJD的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说,可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基,并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性,因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。
根据本发明实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上,沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁,或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成,并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物,如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”,构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中,聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。
根据本发明的实施例而制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中,所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本发明的实施例而制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中,所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含OLED的消费型产品,所述OLED在OLED中的有机层中包括本公开的化合物。所述消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包括平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕,和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本发明而制造的装置,包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中,例如18℃到30℃,并且更优选在室温下(20-25℃),但可以在这一温度范围外(例如-40℃到80℃)使用。
本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说,如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说,如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。
在一些实施例中,所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征:柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中,所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中,所述OLED进一步包含包括碳纳米管的层。
在一些实施例中,所述OLED进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中,所述OLED包含RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中,所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中,所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中,所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中,所述OLED是照明面板。
在发射区域的一些实施例中,所述发射区域进一步包含主体。
在一些实施例中,所述化合物可以是发射掺杂剂。在一些实施例中,所述化合物可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF,也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射。
本文所公开的OLED可以并入到消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层,并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂,而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。
所述有机层还可以包括主体。在一些实施例中,两种或更多种主体是优选的。在一些实施例中,所用的主体可以是在电荷传输中起极小作用的a)双极,b)电子传输,c)空穴传输,或d)宽带隙材料。在一些实施例中,主体可以包括金属络合物。所述主体可以是无机化合物。
与其它材料的组合
本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说,本文所公开的发射掺杂剂可以与可能存在的广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例,并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。
本文所公开的不同发射层和非发射层以及布置可以使用不同材料。合适材料的实例公开于美国专利申请公开第2017/0229663号中,所述公开以全文引用的方式并入。
导电性掺杂剂:
电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度,这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加,并且取决于掺杂剂的类型,还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂,并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。
HIL/HTL:
本发明中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制,并且可以使用任何化合物,只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。
EBL:
电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比,在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外,可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中,与最接近EBL界面的发射体相比,EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中,与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比,EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中,EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。
主体:
本发明的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料,并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制,并且可以使用任何金属络合物或有机化合物,只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用,只要满足三重态准则即可。
HBL:
空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比,此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外,可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中,与最接近HBL界面的发射体相比,HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中,与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比,HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。
ETL:
电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制,并且可以使用任何金属络合物或有机化合物,只要其通常用以传输电子即可。
电荷产生层(CGL)
在串联或堆叠OLED中,CGL对性能起基本作用,其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充;随后,双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。
在OLED显示器的不同色彩子像素中,功能层的厚度可以变化,以产生在来自每一子像素类型的所需发射波长下具有最优出耦的微腔。所公开的主题的实施例提供修改后的递送-排气口-约束(DEC)型OVJP沉积器以在包含不同色彩的多个单色OLED子像素的像素上方印刷渐变厚度的共同电荷传输层。所公开的主题可以提供以流体方式联接到共同递送通道的递送孔口组,使得递送孔口组中的一或多个与其它具有不同流体动力学阻力。由每一递送孔口组产生的沉积速率可以不同,并且可以提供具有渐变厚度的印刷膜。这种膜可以提供每一子像素所需的电荷传输层的不同厚度。沉积器可以线性阵列布置以便大量印刷。
所公开的主题的实施例改进诸如美国专利公开第2014/065750号中所公开的OVJP工艺,其可以用于沉积在多色OLED阵列的不同色彩段之间共享的非发射层,使得在阵列的不同段中层具有不同厚度。这可以优化由每一段产生的光学微腔以出耦那个段的峰值发射波长。
图3展示示出红色、绿色和蓝色子像素中存在的不同微腔厚度的多色OLED(有机发光二极管)阵列中的像素。如图3中所展示,多色OLED阵列中的像素可以包括具有红色发射层306的红色发射子像素301、具有绿色发射层307的绿色发射子像素302和具有蓝色发射层308的蓝色发射子像素303。微腔厚度304可以由衬底305与底部发射装置中的阴极之间的间隔限定。微腔的最优厚度可以随每一发射段所需的光的波长线性改变。经优化以发射600nm的红光的装置的厚度可以比经优化以发射450nm的蓝光的装置大50%。可以改变透明氧化物阳极的厚度以优化微腔效应。然而,阳极可能需要用光刻限定的蚀刻选择性减薄,这可能难以适应于大规模生产。
替代方法可以是调节有机层中的一者,通常空穴传输层的厚度。在一定限度内,空穴传输层的厚度可能对装置的电子特性几乎没有影响,因此可以选择其厚度以优化微腔效应。有机薄膜的沉积通常可以是加成法,因此可以不使用蚀刻。可以选择将变化厚度的有机薄膜精确沉积在衬底上特定位置中的方法。有机蒸气喷射印刷是可能能够在大面积多色OLED阵列的衬底上方沉积渐变厚度的电荷传输层的空间选择性和可缩放有机薄膜沉积工艺。当印刷空穴传输材料以产生具有不同厚度的微腔的装置时,由OVJP提供的印刷区之间的接近完全分离可能不需要。如果相同材料在每一区中印刷,则渐变厚度的区之间几埃的串扰可能具有可忽略的影响。所公开的主题的实施例可以提供被配置成沉积多色OLED阵列的不同色彩子像素的传输层的多个厚度的OVJP沉积器。
图4A展示根据所公开的主题的一实施例的被配置成在OLED像素上印刷渐变非发射层的多递送孔口组沉积器的孔口布置。孔口布置包括排气孔口401之间的多个递送孔口。每一孔口可以具有不同长度,其可以对应于在孔口布置下面安置的衬底区域上所需的沉积量。最长孔口402可以被配置成沉积膜的最厚段。这一段可以对应于红色发射装置中的传输层。中等长度孔口403可以被配置成沉积绿色发射装置中的传输层。最短孔口404可以被配置成沉积比由中等长度孔口403安置的传输层薄的传输层,其可以对应于蓝色发射装置。递送孔口可以以流体方式连接到共同递送集气室。通过递送孔口中的每一者的流量和每一者产生的沉积可以取决于每一递送孔口的长度。密闭气体可以沿沉积器的侧面405进入沉积器。将多个递送孔口紧靠着彼此放置而在其之间没有排气通道可以允许厚度层级的间距与OLED显示器中子像素之间的间隔相当。可能不需要每一沉积器之间的排气口以便进行过喷控制,因为所沉积的材料是所有像素共同的,因此其被省略。排气口可以存在于每一沉积器的外部以在沉积器排列时去除过量有机材料并且提高像素间均一性。
图4B展示根据所公开的主题的一实施例的被配置成在衬底上印刷渐变厚度膜的多个递送孔口组沉积器的线性阵列。如图4B中所展示,沉积器可以被配置成随着其在衬底上方移动,印刷具有相同材料组成和不同厚度的条的阵列。沉积器406可以布置在与印刷方向408正交的线性阵列407中。可以沿印刷方向堆叠多列沉积器以增加像素密度,以及减少和/或消除对包括线性阵列407的印刷杆的多个遍次的需要。可以由每一沉积器406印刷较大厚度409、中等厚度410和较小厚度411的薄膜线。印刷线可以由在排气口之间延伸的过喷材料412的域包围。
图5展示根据所公开的主题的一实施例的定位于衬底上方的多个递送孔口组沉积器的横截面。递送通道501可以被配置成将夹带在递送气体流中的有机蒸气携载到处于其末端的三个单独的递送孔口502。递送孔口502中的每一者可以具有不同长度。排气孔口503可以定位于递送孔口502的两侧,并且通向从沉积区抽取处理气体和过剩的有机蒸气的排气通道504。排气通道504也可以连接到相邻沉积器的排气孔口。沉积器可以由经蚀刻到沉积器表面中的横向通道505包围,以提供来自室环境的密闭气体沿沉积器长度的均一分布的低阻路径。衬底506可以定位在沉积器下面。
图6展示根据所公开的主题的一实施例的多色OLED阵列的每一子像素中的堆叠层厚度。如图6中所展示,对于每一子像素可以存在不同厚度的微腔。沉积器可以被配置成产生可以包括可以沉积在衬底604顶部上方的红色发射装置601、绿色发射装置602和/或蓝色发射装置603的装置架构。每一段可以包括薄膜堆叠,其具有处于其基底处的导电金属氧化物阳极605和处于其顶部的金属阴极606,电子传输层607安置于金属阴极下面。红色发射层608、绿色发射层609和/或蓝色发射层610可以安置于其对应段中的电子传输层607下面。变化厚度的空穴传输层(例如,层611、612、613)处于发射层608、609和610与阳极之间。最厚的空穴传输层611可以定位于红色发射装置601中,中等厚度空穴传输层612的层可以定位于绿色装置602中,并且最薄的空穴传输层613可以定位于蓝色装置603中。注意出于清楚起见,可能通常存在于装置中的储备和囊封结构被省略。在另一实例中,装置可以从阴极上的透明表面中发射并且形成腔的材料沉积于发射层顶部上。
所公开的主题的实施例可以使每一厚度层级内的非均一性降到最低,以维持最优微腔效应并且获得一致的装置电子特性。印刷每一级的递送孔口可以被分成被称作孔口组的多个孔口的簇。组中的孔口可以印刷具有相同厚度层级的相同特征,但孔口可以经大小设定并且分布成提供到衬底上的均一有机通量。
图7展示根据所公开的主题的一实施例的具有被配置成提高每一厚度层级内沉积均一性的孔口组的多递送孔口组沉积器。孔口组可以被配置成印刷较大厚度701、中等厚度702和较小厚度703的薄膜层级。薄膜层级可以类似于以美国专利申请第15/475,408号(目前美国专利公开第2017/0294615号)中所描述的分裂DEC OVJP沉积器的方式具有偏移的前部分和后部分,所述专利以全文引用的方式并入本文中。一或多种递送孔口配置可以用于改进有源区内的印刷特征的均一性。每一孔口组下的沉积速率,并且因此由孔口印刷的薄膜层级的厚度可以随孔口对流体流量的流导大致线性改变。由孔口组的每一孔口印刷的膜层级的厚度可以与其流体动力学抗性成反比。如果孔口长并且窄,则膜层级的厚度可以随孔口组的长度线性改变。厚度可能不一定随每一孔口组的面积线性缩放,这是因为流导可能随孔口特征性尺寸的平方或立方缩放。
图8展示根据所公开的主题的一实施例的通过多递送孔口组沉积器沉积的渐变厚度薄膜的仿真。可以由仿真印刷头沉积渐变厚度薄膜的厚度轮廓801。沿垂直于印刷的衬底的x方向上的位置在横轴802上以微米为单位指示。膜厚度在纵轴803上以任意单位指示。在例如典型4K结构内的红色804、绿色805和蓝色806子像素的50μm宽有源区域可以被覆盖。这些区域中的每一者可以对应于轮廓中的平线区和印刷膜中的厚度分级。水平杆807可以指示在轮廓峰周围放置了±5%的可允许均一性预算。在峰808之间和周围可能存在大的过喷肩状突起。过喷肩状突起可能不会产生其通常在OVJP工艺中产生的关注,因为给定传输层中的所有材料可以具有相同化学物种。即,交叉污染可能不相关,只要活性区域内的整体厚度是所需的即可。
图3-11展示典型RBG(红色-绿色-蓝色)并排式装置的实施例,但实例并不将本发明限于这一特定几何形状。像素的替代相对定向和可替换色彩是可能的(例如,黄色子像素、白色子像素或类似者)。排气口之间的阵列中的喷嘴的总数目可以不限于三个。可变厚度层可以是装置内的任何非发射有机层。本文所公开的实施例可以扩展用于其它目的,如降低堆叠中的电压。
如结合图3-11所展示,所公开的主题的实施例可以提供包括第一排气孔口和第二排气孔口(例如,图4A中所展示的排气孔口401和/或图5中所展示的排气孔口503)的沉积器装置(例如,图4B中所展示的具有沉积器406的线性阵列407)。多个递送孔口(例如,图4B中所展示的沉积器406和/或图5中所展示的递送孔口502)可以安置于第一排气孔口与第二排气孔口之间。所述多个递送孔口的第一孔口可以具有第一长度(例如,图4A中所展示的最长孔口402)并且所述多个递送孔口的第二孔口可以具有第二长度(例如,图4A中所展示的中等长度孔口),其中第一长度可以长于第二长度。装置可以包括所述多个递送孔口的第三孔口,其可以具有第三长度(例如,图4A中所展示的最短孔口404),其中第二长度可以长于第三长度。装置的所述多个递送孔口可以包括具有不同长度的三个或更多个递送孔口(例如,图4B中所展示的沉积器406)。
装置的第一孔口可以被配置成沉积具有在0.3与3mm之间的第一长度的膜的第一段,其对应于第一发射装置中的传输层。第二孔口可以被配置成沉积具有为第一长度的大约75%的第二长度的膜的第二段,其对应于第二发射装置中的传输层。第三孔口可以被配置成沉积具有为第一长度的大约55%的第三长度的膜的第三段,其对应于第三发射装置中的传输层。在一些实施例中,第一第二和第三孔口的长度可以相对于彼此,并且绝对长度可以取决于每一孔口的配置。举例来说,第一孔口可以具有长度x,第二孔口可以具有长度0.8x,并且第三孔口可以具有长度0.6x。在一些实施例中,蓝色空穴传输层(HTL)可以是(例如,用于图6中所展示的蓝色子像素603),绿色HTL可以是(例如,用于图6中所展示的绿色子像素602),并且红色HTL可以是(例如,用于图6中所展示的红色子像素601)。
在所公开的主题的实施例中,装置的所述多个递送孔口可以连接到共同递送集气室。装置的递送通道可以将夹带在递送气体流中的有机蒸气携载到所述多个递送孔口。
装置可以包括第一排气通道和第二排气通道,其中第一排气通道联接到第一排气孔口(例如,图4A中所展示的排气孔口401和/或图5中所展示的排气孔口503),并且第二排气通道联接到第二排气孔口(例如,图4A中所展示的排气孔口401和/或图5中所展示的排气孔口503)。装置的第一排气孔口、第一排气通道、第二排气孔口和第二排气通道可以从沉积区抽取处理气体和过剩的有机蒸气。
装置可以包括第一横向通道和第二横向通道(例如,图5中所展示的横向通道505),其中第一排气孔口和第二排气孔口可以安置于第一横向通道与第二横向通道之间(例如,如图5中所展示,排气孔口503安置于横向通道505之间)。第一横向通道和第二横向通道可以提供来自室环境的密闭气体沿沉积器装置长度的均一分布。
装置的第一孔口可以被分成两个部分以形成第一孔口组,并且第二孔口可以被分成两个部分以形成第二孔口组(例如,如图7中所展示,孔口组被配置成印刷具有较大厚度701和中等厚度702的薄膜层级,其具有偏移的前部分和后部分)。第一孔口组可以具有第一长度和宽度并且第二孔口组可以具有第二长度和宽度,其中第一孔口厚度可以大于第二孔口厚度。装置的所述多个递送孔口的第三孔口可以具有第三长度,其中第二长度长于第三长度,并且其中第三孔口被分成两个部分以形成第三孔口组(例如,被配置成印刷图7中所展示的较小厚度703的孔口组)。第三孔口组可以具有第三厚度,其中第二孔口厚度可以大于第三孔口厚度。
从沉积器分布到衬底上的有机通量可以受控制,并且在衬底上生长的非发射有机材料的层的厚度轮廓也可以受控制。可以改变阵列内的递送孔口的流导以实现所需通量轮廓。这可以通过两个操作实现,所述操作在图9A-9B中所示出。可以如图9A中以横截面展示的沉积器改变限定每一孔口的材料的厚度。可以延伸穿过可变厚度的膜901的孔口连接到膜901后的共同集气室902。相比于穿过膜901的较厚部分的孔口904,递送气体可以流动通过穿过膜901的较薄部分的孔口903。这可以在较薄膜下方提供较厚的材料沉积物。
如由图9B中所描绘的沉积器的衬底侧所展示,孔口904的宽度而不是其长度可以变化。较宽孔口可以比较窄者对流量的限制更小,并且当其连接到共同集气室时,宽孔口905可以比窄孔口906允许更多流量。这会导致在较宽孔口905下的膜厚度增加。在所公开的主题的实施方案中,沉积器设计可以包括在操作期间可以按需要控制沉积器内每一孔口的长度、宽度和/或厚度的致动器。
如图10中所示出,孔口可以沿印刷方向1001分布。图10中所展示的沉积器可以包括三个子单元。第一沉积器单元1002可以跨越全部像素的宽度印刷均一厚度的膜。第二沉积器单元1003可以在具有较长波长发射的像素的两个子像素的宽度上印刷均一厚度的相同材料的膜,同时不使具有较短波长发射的子像素上的材料厚度增加。第三沉积器单元1004可以印刷具有最长波长发射的子像素的均一厚度的膜,同时使另外两个子像素不变。
在一些实施例中,如图11中所展示,沉积器的递送孔口1101-1103可以不连接到共同集气室。相反地,递送孔口1101-1103可以各自连接到具有单独气体流量控制器1104-1106的单独有机蒸气源。这可以允许在操作期间调节通过沉积器的每一部分的流量,这是因为可以独立于印刷头几何形状控制流量。印刷头可以被构建成使得来自多个沉积器的对应孔口从共同气体源馈入。因此,每一沉积器可以由多个歧管1107-1109馈给,同时每一歧管馈给多个沉积器。这可以允许沉积器充当阵列同时仍允许控制每一沉积器内的材料厚度。
待安置的发射层(EML)可以替代性地为橙色EML、黄色EML、蓝绿色EML、天蓝色EML或紫色EML。此类EML可以包括发光材料的单一物种,或其可以包括发光材料的混合物。在一些实施例中,具有发光材料的混合物的EML可以发射白光。具有此类EML的像素设计的实例展示于图12A-12C中。可能不产生单色红光、绿光和/或蓝光的发射层可以通过叠加子像素阵列用于显示器应用中,所述发射层与选择来自每一子像素的发射光的所需波长的滤色片阵列一起含于子像素阵列中。在这种情况下,可以选择每一子像素的非发射层的厚度以产生对应于子像素的滤色片的透射波长的光的最优微腔。图12A中的像素设计可以类似于图6中所展示,然而,红色发射层608和绿色发射层609可以被单一黄色EML 1201置换。可以将红色1202和绿色1203滤色片与两个对应子像素对齐,以选择来自EML的光的红色和/或绿色组分以供通过衬底透射。这种显示器因此具有红色发射子像素1204和绿色发射子像素1205,尽管两个子像素共享共同发射层。如上文所描述,可以选择空穴传输层611和612的厚度以产生优化每一子像素所需的光的色彩透射的微腔。其与滤光片一起工作。必要时,可以将蓝色滤光片1206与蓝色子像素1215对齐,以使蓝色子像素1215的发射光谱变窄。
显示器设计通常具有由单独的子像素发射的红光、绿光和蓝光,但一些显示器架构可以包括发射不是加色法三原色的光的子像素。还可以将微腔针对这些子像素进行优化。图12B展示包括红色子像素601、绿色子像素602、天蓝色子像素1207和深蓝色子像素1208的四子像素像素设计的一实例。天蓝色子像素可以具有在460nm与500nm之间的波长范围。天蓝色子像素1207可以具有天蓝色发射层1209,并且在天蓝色发射层1209下方的空穴传输层1210的厚度可以经优化以出耦较长波长蓝光。同样地,深蓝色子像素1208可以具有深蓝色发射层1211,并且下方的空穴传输层1212的厚度可以经优化以出耦较短波长的蓝光。包括发射不同波长的光的两个蓝色子像素的像素结构公开于美国专利第8,334,545号中,所述专利以全文引用的方式并入本文中。
在具有多色发射光谱的装置中,如在图12C中所展示的示例性装置中,发射层可重叠以形成堆叠装置。红色子像素1213、绿色子像素1214和蓝色子像素1215在空穴传输层611、612、613上方可以具有类似或相同层结构。这些子像素可以包括黄色发射层1201、一或多个夹层1216和蓝色发射层610。每一子像素可以产生白光,并且其色彩可以来自由与其对齐的红色滤色片1202、绿色滤光片1203或蓝色滤光片1206透射的光的波长。子像素1213、1214、1215的空穴传输层611、612、613的厚度可以经优化以产生出耦由对应子像素1213、1214、1215前面的滤色片1202、1203、1206透射的波长的微腔。
应理解,本文所述的各种实施例仅借助于实例,并且并不意图限制本发明的范围。举例来说,可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。如所要求的本发明因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式,如所属领域的技术人员将显而易见。应理解,关于本发明为何起作用的各种理论并不意图是限制性的。
Claims (15)
1.一种沉积器装置,其包含:
第一排气孔口和第二排气孔口;和
安置于所述第一排气孔口与所述第二排气孔口之间的多个递送孔口,
其中所述多个递送孔口的第一孔口具有第一长度,并且所述多个递送孔口的第二孔口具有第二长度,并且
其中所述第一长度长于所述第二长度。
2.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含:
经第一歧管联接到所述第一递送孔口的第一气体控制器,和
经第二歧管联接到所述第二递送孔口的第二气体控制器。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个递送孔口的第三孔口具有第三长度,并且
其中所述第二长度长于所述第三长度。
4.根据权利要求3所述的装置,其进一步包含:
经第三歧管联接到所述第三孔口的第三气体控制器。
5.根据权利要求3所述的装置,其中所述第一孔口被配置成沉积具有在0.3与3mm之间的第一长度的膜的第一段,其对应于第一发射装置中的传输层,
其中所述第二孔口被配置成沉积具有为所述第一长度的大约75%的第二长度的膜的第二段,其对应于第二发射装置中的传输层,并且
其中所述第三孔口被配置成沉积具有为所述第一长度的大约55%的第三长度的膜的第三段,其对应于第三发射装置中的传输层。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个递送孔口连接到共同递送集气室。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一孔口被分成两个部分以形成第一孔口组,并且
其中所述第二孔口被分成两个部分以形成第二孔口组。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述第一孔口组具有第一长度和宽度,并且所述第二孔口组具有第二长度和宽度,并且
其中所述第一孔口的第一厚度大于所述第二孔口的第二厚度。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述多个递送孔口的第三孔口具有第三长度,
其中所述第二长度长于所述第三长度,并且
其中所述第三孔口被分成两个部分以形成第三孔口组。
10.一种沉积器装置,其包含:
第一排气孔口和第二排气孔口;和
安置于所述第一排气孔口与所述第二排气孔口之间的多个递送孔口,其中所述多个递送孔口延伸穿过具有可变厚度的膜,
其中所述多个递送孔口的第一孔口穿过具有第一厚度的所述膜的一部分,并且所述多个递送孔口的第二孔口穿过具有第二厚度的所述膜的一部分,并且
其中所述第一厚度小于所述第二厚度。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述多个递送孔口的所述第一孔口具有第一宽度,并且所述多个递送孔口的所述第二孔口具有第二宽度,并且其中所述第一宽度宽于所述第二宽度。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述多个递送孔口的第三孔口具有第三宽度,并且
其中所述第二宽度宽于所述第三宽度。
13.根据权利要求12所述的装置,其中所述第一孔口被配置成沉积具有在10μm到50μm之间的第一孔口宽度的膜的第一段,
其中所述第二孔口被配置成以所述第一宽度的大约100%到150%的第二孔口宽度沉积膜的第二段,并且
其中所述第三孔口被配置成以所述第一宽度的大约100%到200%的第三孔口宽度沉积膜的第三段。
14.一种沉积器装置,其包含:
第一排气孔口和第二排气孔口;和
安置于所述第一排气孔口与所述第二排气孔口之间的多个递送孔口子单元,
其中所述多个递送孔口子单元的第一子单元被配置成跨越像素的宽度沉积均一厚度的膜,
其中所述多个递送孔口子单元的第二子单元被配置成跨越具有较长波长发射的所述像素的两个子像素的宽度沉积均一厚度的具有与所述第一子单元相同的材料的膜,同时不使具有较短波长发射的子像素上的材料厚度增加,并且
其中所述多个递送孔口子单元的第三子单元被配置成沉积具有最长波长发射的子像素的均一厚度的膜,同时使另外两个子像素不变。
15.根据权利要求14所述的装置,其进一步包含:
经第一歧管联接到所述第一子单元的第一递送孔口的第一气体控制器;
经第二歧管联接到所述第一子单元的第二递送孔口的第二气体控制器;和
经第三歧管联接到所述第一子单元的第三递送孔口的第三气体控制器。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103303016A (zh) * | 2012-03-13 | 2013-09-18 | 环球展览公司 | 用于通过喷嘴沉积有机材料的方法和所述方法中使用的装置 |
CN103633258A (zh) * | 2012-08-27 | 2014-03-12 | 环球展览公司 | 用于将材料薄膜沉积在衬底上的设备和方法 |
CN105026614A (zh) * | 2013-02-18 | 2015-11-04 | 应用材料公司 | 用于空间分离原子层沉积的设备及制程密闭度 |
US20170101711A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Universal Display Corporation | Apparatus and Method for Printing Multilayer Organic Thin Films from Vapor Phase in an Ultra-Pure Gas Ambient |
US20170162835A1 (en) * | 2014-09-19 | 2017-06-08 | Universal Display Corporation | Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and Method of Manufacturing the Same |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
CN103303016A (zh) * | 2012-03-13 | 2013-09-18 | 环球展览公司 | 用于通过喷嘴沉积有机材料的方法和所述方法中使用的装置 |
CN103633258A (zh) * | 2012-08-27 | 2014-03-12 | 环球展览公司 | 用于将材料薄膜沉积在衬底上的设备和方法 |
CN105026614A (zh) * | 2013-02-18 | 2015-11-04 | 应用材料公司 | 用于空间分离原子层沉积的设备及制程密闭度 |
US20170162835A1 (en) * | 2014-09-19 | 2017-06-08 | Universal Display Corporation | Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and Method of Manufacturing the Same |
US20170101711A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Universal Display Corporation | Apparatus and Method for Printing Multilayer Organic Thin Films from Vapor Phase in an Ultra-Pure Gas Ambient |
CN107425141A (zh) * | 2016-04-11 | 2017-12-01 | 环球展览公司 | 用于图案组成的喷嘴出口轮廓以及使用所述轮廓的装置和方法 |
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