JP2012044092A - 半導体デバイス - Google Patents
半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012044092A JP2012044092A JP2010186073A JP2010186073A JP2012044092A JP 2012044092 A JP2012044092 A JP 2012044092A JP 2010186073 A JP2010186073 A JP 2010186073A JP 2010186073 A JP2010186073 A JP 2010186073A JP 2012044092 A JP2012044092 A JP 2012044092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor layer
- vertical conductor
- circuit
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】縦導体3は、半導体回路に隣接して半導体層1の厚み方向に設けられ、少なくとも一つは、半導体層1と対面する領域に、等軸晶領域を有するか、または、凝固点と融解点との温度差が50℃以上である。
【選択図】図2
Description
これに対して、等軸晶組織は、粒成長が等方的で粒径自体も小さいから、縦導体3及び半導体層1に発生する応力も小さくなる。本発明では、縦導体3は、少なくとも半導体層1と対面する領域に、等軸晶31の領域を有するから、等軸晶組織による等方性が得られる。このため、半導体層1を通して半導体回路2に伝達されるストレスが小さくなり、半導体回路2の特性変動を招きにくくなるのである。
(a)加工条件を制御し、接種剤を用いる。
(b)機械的振動または超音波振動を与えて、動的な結晶微細化を誘発する。
2 半導体回路
3 縦導体
Claims (2)
- 半導体層と、縦導体とを含む半導体デバイスであって、
前記半導体層は、半導体回路を構成しており、
前記縦導体は、前記半導体回路に隣接して前記半導体層の厚み方向に設けられ、少なくとも、前記半導体層と対面する領域に、等軸晶領域を有する、
半導体デバイス。 - 半導体層と、縦導体とを含む半導体デバイスであって、
前記半導体層は、半導体回路を構成しており、
前記縦導体は、前記半導体回路に隣接して前記半導体層の厚み方向に設けられ、凝固点と融解点との温度差が50℃以上である、
半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186073A JP5382814B2 (ja) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186073A JP5382814B2 (ja) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012044092A true JP2012044092A (ja) | 2012-03-01 |
JP5382814B2 JP5382814B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=45900036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010186073A Active JP5382814B2 (ja) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | 半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5382814B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016039218A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | アルバック成膜株式会社 | 貫通電極基板の製造方法および貫通電極基板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274107A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Japan Energy Corp | 銅めっき方法及び銅めっき液 |
JPH11345933A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Toshiba Corp | マルチチップ半導体装置およびその製造方法 |
JP2005116863A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 金属充填装置及び金属充填方法 |
JP2007073918A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Napura:Kk | 多層回路基板又はウエハーに設けられた貫通孔又は非貫通孔に充填材を充填する方法 |
JP2009277927A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Napura:Kk | 回路基板、電子デバイス及びそれらの製造方法 |
-
2010
- 2010-08-23 JP JP2010186073A patent/JP5382814B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274107A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Japan Energy Corp | 銅めっき方法及び銅めっき液 |
JPH11345933A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Toshiba Corp | マルチチップ半導体装置およびその製造方法 |
JP2005116863A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 金属充填装置及び金属充填方法 |
JP2007073918A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Napura:Kk | 多層回路基板又はウエハーに設けられた貫通孔又は非貫通孔に充填材を充填する方法 |
JP2009277927A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Napura:Kk | 回路基板、電子デバイス及びそれらの製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6013016181; Takayuki Ohba, 外7名: 'Thinned wafer multi-stack 3DI technology' Microelectronic Engineering Vol. 87, 20090712, p. 485-490 * |
JPN6013016182; H. Kitada, 外8名: 'Development of low temperature dielectrics down to 150°C for multiple TSVs structure with Wafer-on-' Interconnect Technology Conference (IITC), 2010 International , 201006, p. 1-3, IEEE * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016039218A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | アルバック成膜株式会社 | 貫通電極基板の製造方法および貫通電極基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5382814B2 (ja) | 2014-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9865521B2 (en) | Copper nanorod-based thermal interface material (TIM) | |
EP2472577B1 (en) | Substrate for electronic device and electronic device | |
JP6008117B2 (ja) | グラファイト構造体およびそれを用いた電子デバイス | |
JP4610414B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置ならびに電子装置の実装構造 | |
JP2012009820A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
KR20100077062A (ko) | 금속 및 입자가 충진된 스루 실리콘 비아들을 포함하는 집적 회로 다이 | |
JP5709719B2 (ja) | 電子部品支持装置及び電子デバイス | |
JP2006269966A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2012156369A (ja) | 回路基板、電子デバイス及びその製造方法 | |
JP4505545B1 (ja) | 回路基板及び電子デバイス | |
JP4902773B2 (ja) | 半導体デバイス | |
JP5382814B2 (ja) | 半導体デバイス | |
KR20200108599A (ko) | 방열판재 | |
CN110690645B (zh) | 激光器阵列驱动装置及其封装方法 | |
JP4580027B1 (ja) | 回路基板及び電子デバイス | |
JP4927571B2 (ja) | 半導体素子、半導体モジュールおよび電子機器 | |
JP5667467B2 (ja) | 合金材料、回路基板、電子デバイス及びその製造方法 | |
JP6015347B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP5709718B2 (ja) | 発光デバイス | |
JP2015153793A (ja) | 半導体発光素子とその製造方法および発光装置 | |
JP5338029B2 (ja) | 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP4238998B2 (ja) | 電気デバイス | |
JP2008124390A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015179759A (ja) | 半導体装置 | |
KR102492306B1 (ko) | 방열 소재 및 양면냉각 파워모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130111 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20130111 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5382814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |